專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)通常包括一個反射杯結(jié)構(gòu)，所述反射杯常設(shè)于基板的上方，發(fā)光二極管放置于反射杯中。這種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中基板與反射杯之間容易形成縫隙，水汽和灰塵容易沿該縫隙進入封裝后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，從而影響該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的壽命，甚至造成發(fā)光二極管的失效。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種密封性更好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層。所述基板包括第一表面、相對的第二表面及兩相對側(cè)面。所述電極至少為兩個，所述電極形成在所述基板上，且自第一表面沿兩相對側(cè)面延伸至第二表面，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接。所述反射杯位于所述基板的第一表面，且向下延伸覆蓋所述電極位于基板側(cè)面的部分。所述封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，并填滿所述反射杯。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟
提供兩基片，每一基片具有相對的外表面和接合面，所述兩基片上對應(yīng)位置處形成有貫穿外表面和接合面的多條通孔，在該通孔靠近接合面的開口兩側(cè)均形成階梯結(jié)構(gòu)；
在基片的表面上形成電極，所述電極覆蓋所述外表面、所述通孔和階梯結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁表
面；
將兩基片的接合面相貼合，并使得所述電極對應(yīng)電連接，形成基板，所述兩基片的外表面分別為所述基板的上表面和下表面；
將發(fā)光二極管芯片固定于基板上表面，并將發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接； 在所述基板的上表面形成反射杯，該反射杯向下延伸，填滿所述通孔；
于反射杯內(nèi)形成一封裝層，覆蓋所述發(fā)光二極管芯片；
沿通孔切割，得到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，由于所述反射杯向下延伸覆蓋基板側(cè)面的電極，能夠增加外界的水汽和灰塵進入該封裝體的路徑距離，有效的阻擋外界的水汽和灰塵滲透進該封裝體內(nèi)。同時由于基板側(cè)面的電極被反射杯覆蓋，還能起到保護電極不被氧化的作用。


圖I是本發(fā)明一實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。圖3至圖9是本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層，所述基板包括第一表面、相對的第二表面及兩相對側(cè)面，所述電極至少為兩個，所述電極形成在所述基板上，且自第一表面沿兩相對側(cè)面延伸至第二表面，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接，其特征在于，所述反射杯位于所述基板的第一表面，且向下延伸覆蓋所述電極位于基板側(cè)面的部分，所述封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，并填滿所述反射杯。
2.槽，所述電極延伸至該凹槽的內(nèi)壁，所述反射杯填滿凹槽。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述凹槽的延伸方向與該第一表面平行。
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片采用覆晶方式或通過金屬導線與所述電極電連接。
5.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供形成有電極的基板，基板上形成貫穿基板上表面和下表面的通孔，電極從上表面沿通孔內(nèi)壁表面延伸至下表面； 將發(fā)光二極管芯片固定于基板上表面，并將發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接； 在所述基板的上表面形成反射杯，該反射杯向下延伸，填滿所述通孔； 于反射杯內(nèi)形成一封裝層，覆蓋所述發(fā)光二極管芯片； 沿通孔切割，得到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在所述提供形成有電極的基板的步驟中，該通孔內(nèi)進一步形成較通孔尺寸大的凹槽。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述提供形成有電極的基板的步驟分為如下三個步驟， 提供兩基片，每一基片具有相對的外表面和接合面，所述兩基片上對應(yīng)位置處形成有貫穿外表面和接合面的多條通孔，在該通孔靠近接合面的開口兩側(cè)均形成階梯結(jié)構(gòu)； 在基片的表面上形成電極，所述電極覆蓋所述外表面、所述通孔和階梯結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁表面； 將兩基片的接合面相貼合，并使得所述電極對應(yīng)電連接，形成基板，所述兩基片的外表面分別為所述基板的上表面和下表面。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在所述提供兩基片的步驟之后，先將兩基片貼合形成基板，再將電極形成在帶有凹槽的所述基板上。
9.如權(quán)利要求7或8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述基片為硅晶圓，兩基片通過晶圓鍵合技術(shù)貼合成為一塊基板。
10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述反射杯通過注塑成型或傳遞模塑成型的方法形成。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層。所述基板包括第一表面、相對的第二表面及兩相對側(cè)面。所述電極至少為兩個，所述電極形成在所述基板上，且自第一表面沿兩相對側(cè)面延伸至第二表面，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接。所述反射杯位于所述基板的第一表面，且向下延伸覆蓋所述電極位于基板側(cè)面的部分。所述封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，并填滿所述反射杯。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號H01L33/60GK102738373SQ20111008960
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月11日
發(fā)明者蔡明達, 陳靖中 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司