專(zhuān)利名稱(chēng)：曝光裝置、曝光方法和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及經(jīng)液體在基片上照射曝光光以對(duì)基片曝光的曝光裝置、曝光方法和器件制造方法。此外，本發(fā)明涉及使用了液浸法的投影曝光裝置中使用的光學(xué)部件和使用了該光學(xué)部件的投影曝光裝置。再者，本發(fā)明涉及適合于在與液體或氣體接觸的環(huán)境下使用的光學(xué)部件。
背景技術(shù)：
利用將在掩模上形成的圖案轉(zhuǎn)印到感光性的基片上的所謂的光刻的方法來(lái)制造半導(dǎo)體器件或液晶顯示器件。在該光刻工序中使用的曝光裝置具有支撐掩模的掩模臺(tái)和支撐基片的基片臺(tái)，一邊逐次移動(dòng)掩模臺(tái)和基片臺(tái)，一邊經(jīng)投影光學(xué)系統(tǒng)將掩模的圖案轉(zhuǎn)印到基片上。近年來(lái)，為了與器件圖案的進(jìn)一步的高集成化相對(duì)應(yīng)，希望實(shí)現(xiàn)投影光學(xué)系統(tǒng)的進(jìn)一步的高解像度化。所使用的曝光波長(zhǎng)越短，此外投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑越大，投影光學(xué)系統(tǒng)的解像度越高。因此，在曝光裝置中使用的曝光波長(zhǎng)逐年縮短，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑也越來(lái)越增大。而且，現(xiàn)在主流的曝光波長(zhǎng)是KrF準(zhǔn)分子激光器的M8nm，而波長(zhǎng)更短的ArF準(zhǔn)分子激光器的193nm也正在實(shí)現(xiàn)實(shí)用化。此外，在進(jìn)行曝光時(shí)，與解像度同樣，聚焦深度(DOF)也變得重要。解像度R和聚焦深度δ分別用以下的式來(lái)表示。R = Ii1 · λ /NA ... (1)δ = ±k2 · λ/ΝΑ2 ... (2)在此，λ是曝光波長(zhǎng)，NA是投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，Ic1A2是工藝系數(shù)。根據(jù)(1) 式、( 式可知，如果為了提高解像度R而縮短曝光波長(zhǎng)λ及增大數(shù)值孔徑ΝΑ，則聚焦深度 δ變窄。如果聚焦深度δ太窄，則難以使基片表面與投影光學(xué)系統(tǒng)的像面一致，存在曝光工作時(shí)的容限不足的危險(xiǎn)。此外，使對(duì)于短波長(zhǎng)化的曝光光可使用的光學(xué)部件材料受到限定。根據(jù)這樣的觀點(diǎn)，作為實(shí)質(zhì)上縮短通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)后的曝光光的波長(zhǎng)且擴(kuò)展聚焦深度的方法，例如提出了在國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)公報(bào)或特開(kāi)平10-303114號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的液浸法。該液浸法是下述的方法在投影光學(xué)系統(tǒng)的下面與基片表面之間充滿水或有機(jī)溶媒等的液體以形成液浸區(qū)域，利用液體中的曝光光的波長(zhǎng)為空氣中的1/η(η是液體的折射率，通常約為1. 2 1. 6)這一點(diǎn)來(lái)提高解像度，同時(shí)將聚焦深度擴(kuò)大約η倍。但是，如圖18中示出的示意圖中所示，即使在采用液浸法的曝光裝置中，有時(shí)也對(duì)基片P的邊緣區(qū)域E曝光。在該情況下，投影區(qū)域100的一部分伸出到基片P的外側(cè)，曝光光也照射到保持基片P的基片臺(tái)120上。在液浸曝光的情況下，形成液體的液浸區(qū)域，使其覆蓋投影區(qū)域100，但在對(duì)邊緣區(qū)域E曝光時(shí)，液體的液浸區(qū)域的一部分伸出到基片P的外側(cè)，在基片臺(tái)120上形成。此外，在基片臺(tái)120上的基片P的周?chē)渲酶鞣N檢測(cè)構(gòu)件或檢測(cè)用傳感器的情況下，為了使用這些檢測(cè)構(gòu)件或檢測(cè)傳感器，也有在基片臺(tái)120上形成液浸區(qū)域的情況。如果在基片臺(tái)120上形成液浸區(qū)域的一部分，則液體殘留在基片臺(tái)120上的可能性提高了，因其氣化的緣故，例如放置基片P的環(huán)境(溫度、濕度)發(fā)生變動(dòng)或基片臺(tái)120發(fā)生熱變形或檢測(cè)基片P的位置信息等的各種檢測(cè)光的光路的環(huán)境發(fā)生變動(dòng)等，存在曝光精度下降的可能性。此外，在殘留的氣體氣化后，留下水跡，也存在成為基片P或液體等的污染的主要因素或成為各種檢測(cè)的誤差的主要因素的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而進(jìn)行的，其第1目的在于提供可防止液體殘留并可維持良好的曝光精度、檢測(cè)精度的曝光裝置、曝光方法和器件制造方法。此外，本發(fā)明的第2目的在于提供具有具備紫外激光照射耐久性的疏水性膜的光學(xué)部件和安裝了該光學(xué)部件的投影曝光裝置。為了解決上述的課題，本發(fā)明采用了與實(shí)施形態(tài)中示出的圖1 圖21對(duì)應(yīng)的以下的結(jié)構(gòu)。但是，對(duì)各要素所附的帶有括號(hào)的符號(hào)不過(guò)是該要素的例示，不限定各要素。按照本發(fā)明的第1形態(tài)，提供下述的曝光裝置(EX)經(jīng)液體(1)對(duì)基片(P)照射曝光光(EL)以對(duì)基片(P)曝光，具備將圖案的像投影在基片(P)上的投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)；以及用于保持基片(P)的基片臺(tái)(PT)，在基片臺(tái)(PT)上以可更換的方式設(shè)置有其表面(30A) 的至少一部分呈疏液性的構(gòu)件(30)。此外，在本發(fā)明中，提供其特征在于使用上述形態(tài)的曝光裝置的器件制造方法。按照本發(fā)明，由于以可更換的方式設(shè)置在基片臺(tái)上設(shè)置的疏液性的構(gòu)件，故在該構(gòu)件的疏液性惡化時(shí)，可與新的疏液性的構(gòu)件更換。因而，可抑制液體殘留，例如即使發(fā)生殘留，也能順利地回收該液體。因而，可防止因殘留的液體引起的曝光精度、檢測(cè)精度的惡化，可制造能發(fā)揮所希望的性能的器件。按照本發(fā)明的第2形態(tài)，提供下述的曝光方法在經(jīng)投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)和液體 (1)在基片(P)上照射曝光光(EL)以對(duì)上述基片(P)進(jìn)行液浸曝光，用基片保持構(gòu)件(30) 保持基片(P)，基片保持構(gòu)件(30)在基片(P)的周?chē)哂衅浔砻媾c該基片(P)表面大致為同一面的平坦部(30A)，將保持基片(P)的基片保持構(gòu)件(30)運(yùn)入到基片臺(tái)(PST、PT)上， 對(duì)運(yùn)入到基片臺(tái)(PST、PT)上的基片(P)進(jìn)行液浸曝光，在液浸曝光的結(jié)束后，從基片臺(tái) (PST、PT)運(yùn)出保持基片⑵的基片保持構(gòu)件(30)。此外，在本發(fā)明中，提供其特征在于使用上述曝光方法的器件制造方法。按照本發(fā)明，通過(guò)對(duì)基片臺(tái)與基片一起運(yùn)入和運(yùn)出在基片的周?chē)哂衅教共康幕３謽?gòu)件，可對(duì)基片臺(tái)與基片一起容易地更換基片保持構(gòu)件，例如在基片保持構(gòu)件的疏液性惡化時(shí)，可容易地更換。此外，由于基片保持構(gòu)件在基片的周?chē)哂衅教共浚试谂c基片一起將該基片保持構(gòu)件運(yùn)入到基片臺(tái)上對(duì)基片的邊緣區(qū)域進(jìn)行液浸曝光時(shí)，即使液體的液浸區(qū)域的一部分在基片的外側(cè)伸出，也可利用平坦部維持液浸區(qū)域的形狀，可在投影光學(xué)系統(tǒng)之下良好地保持液體的狀態(tài)下進(jìn)行液浸曝光而不導(dǎo)致液體的流出等。因而，可防止曝光精度的惡化，可制造能發(fā)揮所希望的性能的器件。按照本發(fā)明的第3形態(tài)，提供下述的曝光裝置(EX)，經(jīng)液體(1)對(duì)基片(P)照射曝光光(EL)以對(duì)基片(P)曝光，具備將圖案的像投影在基片(P)上的投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)；以及對(duì)于投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)可移動(dòng)的移動(dòng)臺(tái)(PST)，在移動(dòng)臺(tái)(PST)上設(shè)置有至少一部分呈疏液性的疏液性構(gòu)件(30、PH、300、400、500)，該疏液性構(gòu)件可更換。在本發(fā)明的第3形態(tài)的曝光裝置中，由于以可更換的方式設(shè)置在移動(dòng)臺(tái)上設(shè)置的疏液性的構(gòu)件，故在該構(gòu)件的疏液性惡化時(shí)，可與新的構(gòu)件更換。移動(dòng)臺(tái)可以是具備保持基片而移動(dòng)的基片臺(tái)或各種基準(zhǔn)構(gòu)件或檢測(cè)傳感器等的檢測(cè)構(gòu)件的檢測(cè)系統(tǒng)?；蛘?，作為移動(dòng)臺(tái)可具備基片臺(tái)和檢測(cè)臺(tái)這兩者。進(jìn)而，作為移動(dòng)臺(tái)，可具備多個(gè)基片臺(tái)或多個(gè)檢測(cè)臺(tái)。按照本發(fā)明的第4形態(tài)，提供下述步驟的曝光方法，經(jīng)液體(1)對(duì)基片(P)照射曝光光(EL)以對(duì)上述基片(P)進(jìn)行液浸曝光包含以下工序?qū)?P)上的至少一部分供給上述液體(1)；經(jīng)液體對(duì)基片(P)照射曝光光(EL)以對(duì)基片進(jìn)行液浸曝光；與被供給液體的基片不同的曝光裝置的部分(30、300、400、500)具有疏液性；以及根據(jù)該疏液性的惡化來(lái)更換具有該疏液性的曝光裝置的部分(30、300、400、500)。在本發(fā)明的第4形態(tài)的曝光方法中，由于即使具有疏液性的曝光裝置的部分因紫外光的照射而性能惡化，也可根據(jù)其惡化來(lái)更換該部分，故可防止因惡化導(dǎo)致的液體的殘留或漏泄等?？啥ㄆ诘鼗蚋鶕?jù)對(duì)各個(gè)部分推斷或觀察惡化狀況的結(jié)果進(jìn)行上述部分的更換。按照本發(fā)明的第5形態(tài)，提供一種在投影曝光裝置(EX)的基片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件(650、652、6M)，上述投影曝光裝置(EX)用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光學(xué)系統(tǒng)將掩模(M)的圖案經(jīng)液體(1)轉(zhuǎn)印到由基片臺(tái)上保持的基片(P)上，所述光學(xué)部件具備 被上述曝光束照射的光照射面(660)；利用由在光照射面(660)的表面上形成的二氧化硅、 氟化鎂和氟化鈣中的至少一種構(gòu)成的微粒子層構(gòu)成的粘接微粒子層(662)；以及利用在粘接微粒子層的表面上形成的非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜(664)。本發(fā)明者在分析氟烷基硅烷與基體材料玻璃的密接性時(shí)，得知由于氟烷基硅烷末端基-CF3在化學(xué)上穩(wěn)定，故在與基體材料玻璃之間不能預(yù)期氫結(jié)合或縮合反應(yīng)等的化學(xué)的結(jié)合。因此，本發(fā)明者研究了不依靠化學(xué)的結(jié)合而是使分子間引力增大的方法。其結(jié)果，在下述方面取得成功通過(guò)增加與基體材料玻璃粘接的粘接層的表面積，以首尾良好的方式使附著能量增大。按照本發(fā)明的光學(xué)部件，由形成粘接微粒子層的二氧化硅(SiO2)、氟化鎂 (MgF2)和氟化鈣(CaF2)中的至少一種構(gòu)成的微粒子層可得到與基體材料的玻璃(主要成分SiO2)的親和性良好、與基體材料玻璃恰好的密接性。此外，在表面上產(chǎn)生來(lái)源于粒子的直徑的凹凸。再者，由于二氧化硅等是紫外線透射率非常高的材料，故其本身的激光照射耐久性也高。因而，如果在形成了由二氧化硅(Si02)、氟化鎂(MgF2)和氟化鈣(CaF2)中的至少一種構(gòu)成的微粒子層后形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜，則以非晶質(zhì)氟樹(shù)脂進(jìn)入二氧化硅等的微粒子的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。由于非晶質(zhì)氟樹(shù)脂本身的機(jī)械的強(qiáng)度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強(qiáng)度高。此外，按照本發(fā)明的第6形態(tài)，提供一種在投影曝光裝置的基片臺(tái)(PST)上安裝的光學(xué)部件(650、652、6M)，上述投影曝光裝置用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)將上述掩模的圖案經(jīng)液體(1)轉(zhuǎn)印到由基片臺(tái)(PST)上保持的基片上，所述光學(xué)部件具備被上述曝光束照射的光照射面(660)；在上述光照射面的表面上形成的粘接面 (668)；以及由在上述粘接面的表面上形成的非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜(664)。在該形態(tài)的光學(xué)部件中，上述粘接面最好是利用氟化氫刻蝕的面。
按照第6形態(tài)的光學(xué)部件，由于在光照射面上具有由利用氟化氫刻蝕的刻蝕面構(gòu)成的粘接面，故如果在粘接面上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜，則以非晶質(zhì)氟樹(shù)脂進(jìn)入粘接面的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。由于非晶質(zhì)氟樹(shù)脂本身的機(jī)械的強(qiáng)度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強(qiáng)度高。此外，上述形態(tài)的光學(xué)部件的上述光照射面可具有基體材料玻璃。此外，上述形態(tài)的光學(xué)部件的上述光照射面可具有在基體材料玻璃的至少一部分上形成的金屬膜。按照這些光學(xué)部件，因?yàn)樵诠庹丈涿嫔闲纬傻氖杷阅ぞ哂屑す庹丈淠途眯?，故可在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)維持在投影曝光裝置的基片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件的光照射面的疏水性。此外，在本發(fā)明中，也提供具備上述任一形態(tài)的光學(xué)部件的投影曝光裝置。按照該投影曝光裝置，由于在基片臺(tái)上安裝了能在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)維持光照射面的疏水性的光學(xué)部件， 故即使在重復(fù)進(jìn)行液浸曝光的情況下，也能可靠地進(jìn)行光學(xué)部件的光照射面上的排水。此外，按照本發(fā)明的第7形態(tài)，提供一種投影曝光裝置(EX)，用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)將上述掩模的圖案經(jīng)液體轉(zhuǎn)印到由基片臺(tái)(PST)保持的基片上，上述基片臺(tái)上被上述曝光束照射的光照射面(660)；在上述光照射面的表面上形成的粘接微粒子層(662)；以及由在上述粘接微粒子層的表面上形成的非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜(664)。按照第7形態(tài)的投影曝光裝置，由于在基片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件在光照射面上具有粘接微粒子層，故由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜與粘接微粒子層密接。由于非晶質(zhì)氟樹(shù)脂本身的機(jī)械的強(qiáng)度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強(qiáng)度高。此外，第7形態(tài)的投影曝光裝置的上述光照射面可具有基體材料玻璃。此外，第7 形態(tài)的投影曝光裝置的上述光照射面可具有在基體材料玻璃的至少一部分上形成的金屬膜。按照這些投影曝光裝置，因?yàn)樵诨_(tái)上安裝的光學(xué)部件的光照射面上形成的疏水性膜具有激光照射耐久性，故可在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)維持在投影曝光裝置的基片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件的光照射面的疏水性。按照本發(fā)明的第8形態(tài)，提供一種光學(xué)部件(300、400、500、650、652、654)，具備 具有光照射面的部件主體(660)；利用從由在上述光照射面的表面上形成的二氧化硅、氟化鎂和氟化鈣構(gòu)成的一組中選擇的至少一種微粒子形成的微粒子層(662)；以及利用非晶質(zhì)氟樹(shù)脂形成的疏水性膜(664)。由于疏水性膜經(jīng)微粒子層與光照射面牢固地連接，故本發(fā)明在液體或蒸汽氣氛中使用的光學(xué)傳感器或透鏡等的用途中是極為有用的。按照本發(fā)明的第8形態(tài)，是提供一種光學(xué)部件(300、400、500、650、652、654)，具備具有光照射面的部件主體(660)；在上述光照射面的表面上利用刻蝕形成的粘接面 (668)；以及利用非晶質(zhì)氟樹(shù)脂在上述粘接面的表面上形成的疏水性膜(664)。由于疏水性膜經(jīng)微粒子層與光照射面牢固地連接，故本發(fā)明在液體或蒸汽氣氛中使用的光學(xué)傳感器或透鏡等的用途中是極為有用的。


圖1是示出本發(fā)明的曝光裝置的一實(shí)施形態(tài)的概略結(jié)構(gòu)圖。圖2是示出液體供給機(jī)構(gòu)和液體回收機(jī)構(gòu)的概略平面圖。圖3是基片臺(tái)的平面圖。
圖4是示出保持了基片的狀態(tài)的基片臺(tái)的平面圖。圖5是基片臺(tái)的剖面圖。圖6是示出各構(gòu)件對(duì)基片臺(tái)可裝卸的示意圖。圖7(a) (d)是示出本發(fā)明的曝光裝置的工作的一例的示意圖。圖8(a) (d)是示出本發(fā)明的曝光裝置的工作的一例的示意圖。圖9是示出運(yùn)送到運(yùn)送裝置上的基片保持構(gòu)件的平面圖。圖10是示出基片臺(tái)的另一實(shí)施形態(tài)的剖面圖。圖11(a)和(b)是示出本發(fā)明的曝光裝置的另一實(shí)施形態(tài)的概略結(jié)構(gòu)圖。圖12(a)和(b)是示出基片保持構(gòu)件的另一實(shí)施形態(tài)的圖。圖13(a) (d)是示出本發(fā)明的曝光裝置的工作的另一例的示意圖。圖14是示出本發(fā)明的曝光裝置的另一實(shí)施形態(tài)的概略結(jié)構(gòu)圖。圖15是示出本發(fā)明的曝光裝置的另一實(shí)施形態(tài)的概略結(jié)構(gòu)圖。圖16是示出本發(fā)明的曝光裝置的另一實(shí)施形態(tài)的概略結(jié)構(gòu)圖。圖17是示出半導(dǎo)體器件的制造工序的一例的流程圖。圖18是用于說(shuō)明以前的課題的示意圖。圖19是示出在與實(shí)施形態(tài)有關(guān)的晶片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件的圖。圖20是在與實(shí)施形態(tài)有關(guān)的晶片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件的結(jié)構(gòu)圖。圖21是在與實(shí)施形態(tài)有關(guān)的晶片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式以下，一邊參照附圖，一邊說(shuō)明本發(fā)明的曝光裝置，但本發(fā)明不限定于此。<第1實(shí)施形態(tài)>圖1是示出本發(fā)明的曝光裝置的一實(shí)施形態(tài)的概略結(jié)構(gòu)圖。在圖1中，曝光裝置 EX具備支撐掩模M的掩模臺(tái)MST ；經(jīng)基片架PT支撐基片P的基片臺(tái)PST ；用曝光光EL照明由掩模臺(tái)MST支撐的掩模M的照明光學(xué)系統(tǒng)IL ；將用曝光光EL照明的掩模M的圖案像投影到由基片臺(tái)PST支撐的基片P上以進(jìn)行曝光的投影光學(xué)系統(tǒng)PL ；以及總括地控制曝光裝置EX整體的工作的控制裝置C0NT。為了在實(shí)質(zhì)上縮短曝光波長(zhǎng)以提高解像度的同時(shí)實(shí)質(zhì)上擴(kuò)展聚焦深度，將液浸法應(yīng)用于本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX。該液浸曝光裝置具備向基片P供給液體1的液體供給機(jī)構(gòu)10和回收基片P上的液體1的液體回收機(jī)構(gòu)20。在本實(shí)施形態(tài)中，使用純水作為液體1。至少在將掩模M的圖案像轉(zhuǎn)印到基片P上的期間內(nèi)，曝光裝置EX利用從液體供給機(jī)構(gòu)10供給的液體1在包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl的基片P上的至少一部分(局部地)上形成液浸區(qū)域AR2。具體地說(shuō)，對(duì)于曝光裝置EX來(lái)說(shuō)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端部的光學(xué)元件2與基片P的表面(曝光面)之間充滿液體1，經(jīng)該投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片 P之間的液體1和投影光學(xué)系統(tǒng)PL將掩模M的圖案像投影到基片P上，對(duì)基片P曝光。在此，在本實(shí)施形態(tài)中，作為曝光裝置EX，以一邊在掃描方向上的彼此不同的方向 (反方向)上同步地移動(dòng)掩模M和基片P、一邊在基片P上對(duì)在掩模M上形成的圖案曝光的掃描型曝光裝置(所謂掃描步進(jìn)器)的情況為例來(lái)說(shuō)明。在以下的說(shuō)明中，將與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX —致的方向定為Z軸方向，將在與Z軸方向垂直的平面內(nèi)掩模M和基片P的同步移動(dòng)方向(掃描方向)定為X軸方向，將與Z軸方向和X軸方向垂直的方向(非掃描方向)定為Y軸方向。此外，分別將以X軸、Y軸和Z軸為中心進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向定為ΘΧ、ΘΥ、ΘΖ方向。再有，這里所謂的「基片」包含在半導(dǎo)體晶片上涂敷了作為感光性材料的光刻膠的基片，「掩?！拱诨闲纬闪丝s小投影的器件圖案的中間掩模。照明光學(xué)系統(tǒng)IL是用曝光光EL照明由掩模臺(tái)MST支撐的掩模M的光學(xué)系統(tǒng)，具有曝光用光源；使從曝光用光源射出的光束的照度變得均勻的光積分器(均質(zhì)器)；對(duì)來(lái)自光積分器的曝光光EL進(jìn)行聚光的聚光透鏡；中繼透鏡系統(tǒng)；以及將由曝光光EL產(chǎn)生的掩模M上的照明區(qū)域設(shè)定為狹縫狀的可變視野光圈等。利用照明光學(xué)系統(tǒng)IL并用均勻的照度分布的曝光光EL照明掩模M上的規(guī)定的照明區(qū)域。作為從照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出的曝光光EL，例如可使用從水銀燈射出的亮線(g線、h線、i線)和KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)M8nm) 等的遠(yuǎn)紫外光(DUV光)或ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)和F2激光(波長(zhǎng)157nm)等的真空紫外光(VUV光)等。在本實(shí)施形態(tài)中使用ArF準(zhǔn)分子激光。如上所述，本實(shí)施形態(tài)中的液體1是純水，即使曝光光EL是ArF準(zhǔn)分子激光也能透過(guò)。此外，純水也能透過(guò)亮線(g線、 h線、i線)和KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)M8nm)等的遠(yuǎn)紫外光(DUV光)。掩模臺(tái)MST —邊支撐掩模M、一邊能在與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX垂直的平面內(nèi)、即XY平面內(nèi)作2維移動(dòng)，此外，在ΘΖ方向上可進(jìn)行微小旋轉(zhuǎn)。利用直線電機(jī)等的掩模臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD來(lái)驅(qū)動(dòng)掩模臺(tái)MST。利用控制裝置CONT來(lái)控制掩模臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD。在掩模臺(tái)MST上設(shè)置移動(dòng)鏡50。此外，在與移動(dòng)鏡50對(duì)置的位置上設(shè)置激光干涉計(jì)51。利用激光干涉計(jì)51實(shí)時(shí)地檢測(cè)掩模臺(tái)MST上的掩模M的2維方向的位置和旋轉(zhuǎn)角，將檢測(cè)結(jié)果輸出給控制裝置C0NT?？刂蒲b置CONT通過(guò)根據(jù)激光干涉計(jì)51的檢測(cè)結(jié)果驅(qū)動(dòng)掩模臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD，進(jìn)行由掩模臺(tái)MST支撐的掩模M的定位。投影光學(xué)系統(tǒng)PL將掩模M的圖案以規(guī)定的投影倍率β投影到基片P上并進(jìn)行曝光。投影光學(xué)系統(tǒng)PL由包含在基片P—側(cè)的前端部上設(shè)置的光學(xué)元件(透鏡)2的多個(gè)光學(xué)元件構(gòu)成，用鏡筒Hi支撐這些光學(xué)元件。在本實(shí)施形態(tài)中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL是投影倍率 β例如為1/4或1/5的縮小系統(tǒng)。再有，投影光學(xué)系統(tǒng)PL可以是等倍系統(tǒng)和放大系統(tǒng)的任一種。此外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL可以是不包含折射元件的反射系統(tǒng)、不包含反射元件的折射系統(tǒng)、包含折射元件和反射元件的反射折射系統(tǒng)的任一種。此外，本實(shí)施形態(tài)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端部的光學(xué)元件2對(duì)于鏡筒1 以可裝卸(更換)的方式來(lái)設(shè)置，液浸區(qū)域AR2 的液體1與光學(xué)元件2接觸。用螢石形成光學(xué)元件2。由于水與螢石的親和性高，故可使液體1與光學(xué)元件2的液體接觸面加的大致整個(gè)面密接。即，在本實(shí)施形態(tài)中，由于將與光學(xué)元件2的液體接觸面加的親和性高的水作為液體1來(lái)供給，故光學(xué)元件2的液體接觸面加與液體1的密接性高，能用液體1可靠地充滿光學(xué)元件2與基片P之間的光路。再有，光學(xué)元件2的材料也可以是與水的親和性高的石英。此外，也可對(duì)光學(xué)元件2的液體接觸面加進(jìn)行親水化(親液化)處理，進(jìn)一步提高與液體1的親和性。此外，由于鏡筒Hi的前端附近與液體(水)1 相接，故用Ti (鈦)等的具有抗銹性能的金屬至少形成前端附近?；_(tái)PST支撐基片P，具備經(jīng)基片架PT保持基片P的Z臺(tái)52 ；支撐Z臺(tái)52的 XY臺(tái)53 ；以及支撐XY臺(tái)53的基座M。基片架PT保持基片P，設(shè)置在基片臺(tái)PST (Z臺(tái)52) 上。利用直線電機(jī)等的基片臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD來(lái)驅(qū)動(dòng)基片臺(tái)PST。利用控制裝置CONT來(lái)控制基片臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD。通過(guò)驅(qū)動(dòng)Z臺(tái)52來(lái)控制由基片架PT保持的基片P的Z軸方向上的位置(聚焦位置)和θ X、θ Y方向上的位置。此外，通過(guò)驅(qū)動(dòng)XY臺(tái)53來(lái)控制基片P的 XY方向上的位置(與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面實(shí)質(zhì)上平行的方向的位置)。S卩，Z臺(tái)52控制基片P的聚焦位置和傾斜角，用自動(dòng)聚焦方式和自動(dòng)矯正方式使基片P的表面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面重合，XY臺(tái)53進(jìn)行基片P的X軸方向和Y軸方向的定位。再有，當(dāng)然可與Z臺(tái)一體地設(shè)置，XY臺(tái)。再有，作為自動(dòng)聚焦、矯正檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，可使用例如在特開(kāi)平8-37149號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)。在基片臺(tái)PST (基片架PT)上設(shè)置與基片臺(tái)PST —起相對(duì)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL移動(dòng)的移動(dòng)鏡陽(yáng)。此外，在與移動(dòng)鏡55對(duì)置的位置上設(shè)置激光干涉計(jì)56。利用激光干涉計(jì)56 實(shí)時(shí)地檢測(cè)基片臺(tái)PST (基片架PT)上的基片P的2維方向的位置和旋轉(zhuǎn)角，將檢測(cè)結(jié)果輸出給控制裝置C0NT?？刂蒲b置CONT通過(guò)根據(jù)激光干涉計(jì)56的檢測(cè)結(jié)果驅(qū)動(dòng)基片臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD，進(jìn)行由基片臺(tái)PST支撐的基片P的定位。在基片臺(tái)PST(基片架PT)的附近上方配置了檢測(cè)基片P上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或在基片臺(tái)PST (基片架PT)上設(shè)置的基準(zhǔn)標(biāo)記(后述)的基片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)350。此外，在掩模臺(tái)MST 的附近，設(shè)置了使用與曝光光EL為同一的波長(zhǎng)的光經(jīng)掩模M和投影光學(xué)系統(tǒng)PL檢測(cè)基片臺(tái)PST (基片架PT)上的的基準(zhǔn)標(biāo)記的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)360。再有，作為基片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)350的結(jié)構(gòu)，可使用在特開(kāi)平4-65603號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利第5，493，403號(hào))中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)，作為掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)360的結(jié)構(gòu)，可使用在特開(kāi)平7-176468號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利第 5，646，413號(hào))中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)。在基片架PT上設(shè)置了包圍由該基片架PT保持的基片P的板構(gòu)件30。板構(gòu)件30 是與基片架PT分開(kāi)的構(gòu)件，設(shè)置成對(duì)于基片架PT可裝卸、可更換。板構(gòu)件30具有與由基片架PT保持的基片P的表面大致為同一面的平坦面(平坦部)30A。在由基片架PT保持的基片P的周?chē)渲昧似教姑?0A。再者，在基片架PT上并在板構(gòu)件30的外側(cè)設(shè)置了具有與板構(gòu)件30的平坦面30A大致為同一面的平坦面32A的第2板構(gòu)件32。第2板構(gòu)件32 也設(shè)置成對(duì)于基片架PT可裝卸、可更換。向基片P供給規(guī)定的液體1的液體供給機(jī)構(gòu)10具備可供給液體1的第1液體供給部11和第2液體供給部12 ；經(jīng)在第1液體供給部11中具有流路的供給管IlA連接的、 具有向基片P供給從該第1液體供給部11送出的液體1的供給口 13A的第1供給構(gòu)件13 ； 以及經(jīng)在第2液體供給部12中具有流路的供給管12A連接的、具有向基片P供給從該第2 液體供給部12送出的液體1的供給口 14A的第2供給構(gòu)件14。接近于基片P的表面配置了第1、第2供給構(gòu)件13、14，設(shè)置在基片P的面方向上互不相同的位置上。具體地說(shuō)，液體供給機(jī)構(gòu)10的第1供給構(gòu)件13相對(duì)于投影區(qū)域ARl掃描方向的一側(cè)(-X側(cè))，第2供給構(gòu)件14相對(duì)于投影區(qū)域ARl設(shè)置在掃描方向的另一側(cè)(+X側(cè))。第1、第2液體供給部11、12分別具備容納液體1的容器和加壓泵等(都未圖示)， 分別經(jīng)供給管11A、12A和供給構(gòu)件13、14向基片P供給液體1。此外，利用控制裝置CONT 來(lái)控制第1、第2液體供給部11、12的液體供給工作，控制裝置CONT可獨(dú)立地控制由第1、 第2液體供給部11、12對(duì)于基片P上的每單位時(shí)間的液體供給量。此外，第1、第2液體供給部11、12分別具有液體的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，利用該溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，可向基片P供給與容納裝置的箱體內(nèi)的溫度大致相同的溫度(例如23°C)的液體1。再有，曝光裝置EX不一定需要具備第1、第2液體供給部11、12的容器、加壓泵、溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，也可代替使用設(shè)置曝光裝置EX的工廠等的設(shè)備。液體回收機(jī)構(gòu)20回收基片P上的液體1，具備具有接近于基片P的表面配置的回收口 23A、24A的第1、第2回收構(gòu)件23、24 ；以及分別經(jīng)在該第1、第2回收構(gòu)件23、24中具有流路的回收管21A、22A連接的第1、第2液體回收部21、22。第1、第2液體回收部21、 22具備例如真空泵等的真空系統(tǒng)(吸引裝置)、氣液分離器和容納回收的液體1的容器等 (都未圖示)，經(jīng)第1、第2回收構(gòu)件23J4和回收管21A、22A回收基片P上的液體1。利用控制裝置CONT來(lái)控制第1、第2液體回收部21、22的液體回收工作?？刂蒲b置CONT可獨(dú)立地控制由第1、第2液體回收部21、22的每單位時(shí)間的液體回收量。再有，曝光裝置EX不一定需要具備第1、第2液體回收部21、22的真空系統(tǒng)、氣液分離器、容器，也可代替使用設(shè)置曝光裝置EX的工廠等的設(shè)備。圖2是示出液體供給機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖2中所示，將投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl設(shè)定為以Y軸方向(非掃描方向)定為長(zhǎng)度方向的狹縫狀(矩形)，在基片P的一部分上形成充滿液體1的液浸區(qū)域AR2，使其包含投影區(qū)域 ARl。而且，用于形成投影區(qū)域ARl的液浸區(qū)域AR2的液體供給機(jī)構(gòu)10的第1供給構(gòu)件13 相對(duì)于投影區(qū)域ARl設(shè)置在掃描方向的一側(cè)(-X側(cè))，第2供給構(gòu)件14設(shè)置在另一側(cè)(+X 側(cè))。將第1、第2供給構(gòu)件13、14分別形成為平面視圖上呈大致圓弧狀，將其供給口 13A、14A的Y軸方向上的尺寸設(shè)定為至少比投影區(qū)域ARl的Y軸方向上的尺寸大。而且，將形成為平面視圖上呈大致圓弧狀供給口 13A、14A配置成在掃描方向(X軸方向)上夾住投影區(qū)域AR1。液體供給機(jī)構(gòu)10經(jīng)第1、第2供給構(gòu)件13、14的供給口 13A、14A在投影區(qū)域 ARl的兩側(cè)同時(shí)供給液體1。液體回收機(jī)構(gòu)20的第1、第2回收構(gòu)件23J4分別具有連續(xù)地形成為圓弧狀使之朝向基片P的表面的回收口 23A、24A。而且，利用配置成彼此相對(duì)的第1、第2回收構(gòu)件23、 24形成了大致圓環(huán)狀的回收口。將第1、第2回收構(gòu)件23J4各自的回收口 23A、24A配置成包圍液體供給機(jī)構(gòu)10的第1、第2供給構(gòu)件13、14和投影區(qū)域AR1。以下述的方式供給從第1、第2供給構(gòu)件13、14的供給口 13A、14A向基片P供給的液體1，使其在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端部(光學(xué)元件2、的下端面與基片P之間潤(rùn)濕擴(kuò)展。 此外，由相對(duì)于投影區(qū)域ARl配置在該第1、第2供給構(gòu)件13、14外側(cè)的第1、第2回收構(gòu)件 23,24的回收口 23A、24A回收相對(duì)于投影區(qū)域ARl流到第1、第2供給構(gòu)件13、14的外側(cè)的液體1。在本實(shí)施形態(tài)中，在對(duì)基片P進(jìn)行掃描曝光時(shí)，將在掃描方向上從投影區(qū)域ARl的跟前供給的每單位時(shí)間的液體供給量設(shè)定為比在其相反一側(cè)供給的液體供給量多。例如， 在一邊在+X方向上移動(dòng)基片P、一邊進(jìn)行曝光處理的情況下，控制裝置CONT使對(duì)于投影區(qū)域ARl來(lái)自-X—側(cè)(即供給口 13A)的液體量比來(lái)自+X—側(cè)(即供給口 14A)的液體量多，另一方面，在一邊在-χ方向上移動(dòng)基片P、一邊進(jìn)行曝光處理的情況下，使對(duì)于投影區(qū)域ARl來(lái)自+X—側(cè)的液體量比來(lái)自-X—側(cè)的液體量多。此外，在掃描方向上，將在投影區(qū)域ARl的跟前的每單位時(shí)間的液體回收量設(shè)定為比在其相反一側(cè)的液體回收量少。例如， 在+X方向上移動(dòng)了基片P時(shí)，使對(duì)于投影區(qū)域ARl來(lái)自+X—側(cè)(即回收口 24A)的回收量比來(lái)自-X—側(cè)(即回收口 23A)的回收量多。再有，在基片P(基片臺(tái)PST)上用于局部地形成液浸區(qū)域AR2的機(jī)構(gòu)不限于上述， 也可采用例如在美國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)第2004/020782號(hào)公報(bào)或國(guó)際公開(kāi)第2004/055803號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了的機(jī)構(gòu)，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。圖3是從上方看基片架PT的平面圖，圖4是從上方看保持了基片P的基片架PT的平面圖。在圖3和圖4中，在平面視圖為矩形的基片架PT的互相垂直的2個(gè)邊緣部配置了移動(dòng)鏡55。此外，在基片架PT的大致中央部形成了凹部31，在該凹部31中配置了構(gòu)成基片架PT的一部分的基片托PH，基片P由基片托PH來(lái)保持。在基片P(基片托PH)的周?chē)?設(shè)置了具有與基片P的表面大致為同一面的平坦面30A的板構(gòu)件30。板構(gòu)件30是環(huán)狀構(gòu)件，配置成包圍基片托PH(基片P)。利用例如聚四氟乙烯(特富隆(登錄商標(biāo)))那樣的氟化物等的具有疏液性的材料形成板構(gòu)件30。由于在基片P的周?chē)O(shè)置了具有與基片P表面大致為同一面的平坦面30A的板構(gòu)件30，故即使在對(duì)基片P的邊緣區(qū)域E進(jìn)行液浸曝光時(shí)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一側(cè)也能良好地形成液浸區(qū)域AR2。再有，如果能以用液體1充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一側(cè)的光路空間的方式形成液浸區(qū)域AR2，則在基片P的表面與板構(gòu)件30的平坦面30A中可存在臺(tái)階差，例如，在Z方向上，可使平坦面30A比基片P的表面低。如圖1、3和4中所示，在基片架PT上的板構(gòu)件30 (基片托PH)的外側(cè)設(shè)置了第2 板構(gòu)件32。第2板構(gòu)件32具有與基片P的表面或板構(gòu)件30的平坦面30A大致為同一面的平坦面32A，設(shè)置成覆蓋基片托PH(基片P)和板構(gòu)件30以外的基片架PT的上面的大致整個(gè)區(qū)域。也利用例如聚四氟乙烯等的具有疏液性的材料形成了第2板構(gòu)件32。再有，板構(gòu)件30的平坦面30A表面中的液體1的接觸角和第2板構(gòu)件32的平坦面32A表面中的液體1的接觸角在照射曝光光EL前的初始狀態(tài)下，分別大于等于110°。此外，在第2板構(gòu)件32的規(guī)定的位置上形成了多個(gè)開(kāi)口部32K、32L、32N。在開(kāi)口部32K中配置了基準(zhǔn)構(gòu)件300。在基準(zhǔn)構(gòu)件300中以規(guī)定的位置關(guān)系設(shè)置了利用基片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)350檢測(cè)的基準(zhǔn)標(biāo)記PFM和利用掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)360檢測(cè)的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM。此外，基準(zhǔn)構(gòu)件300的上面301A大致成為平坦面，可作為聚焦、矯正檢測(cè)系統(tǒng)的基準(zhǔn)面來(lái)使用。再者，將基準(zhǔn)構(gòu)件300的上面301A設(shè)置成與基片P表面、板構(gòu)件30的表面(平坦面)30A和第2板構(gòu)件32的表面(平坦面)32A為大致同一面。此外，將基準(zhǔn)構(gòu)件300形成為在平面視圖中呈矩形，在開(kāi)口部32K中配置的基準(zhǔn)構(gòu)件300與第2板構(gòu)件32之間形成間隙K。在本實(shí)施形態(tài)中，間隙K例如約為0. 3mm。作為光傳感器，在開(kāi)口部32L中配置了照度不勻傳感器400。照度不勻傳感器例如在特開(kāi)昭57-117238號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利第4，465，368號(hào))中公開(kāi)了，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。 照度不勻傳感器400的上板401的上面401A大致成為平坦面，設(shè)置成與基片P表面、板構(gòu)件30的表面30A和第2板構(gòu)件32的表面32A為大致同一面。在照度不勻傳感器400的上面401A中設(shè)置了可通過(guò)光的針孔部470。用鉻等遮光性材料覆蓋了光透過(guò)性的上板401的上面401A中針孔部470以外的部分。此外，將照度不勻傳感器400(上板401)形成為在平面視圖中呈矩形，在開(kāi)口部32L中配置的照度不勻傳感器400(上板401)與第2板構(gòu)件32之間形成間隙L。在本實(shí)施形態(tài)中，間隙L例如約為0. 3mm。在開(kāi)口部32N中配置了空間像檢測(cè)傳感器500?？臻g像檢測(cè)傳感器500例如在特開(kāi)2002-14005號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)2002/0041377號(hào))中公開(kāi)了，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。 空間像檢測(cè)傳感器500的上板501的上面501A大致成為平坦面，可作為聚焦、矯正檢測(cè)系統(tǒng)的基準(zhǔn)面來(lái)使用。而且，設(shè)置成與基片P表面、板構(gòu)件30的表面30A和第2板構(gòu)件32的表面32A為大致同一面。在空間像檢測(cè)傳感器500的上面501A中設(shè)置了可通過(guò)光的狹縫部570。用鉻等遮光性材料覆蓋了光透過(guò)性的上板501的上面501A中狹縫部570以外的部分。此外，將空間像檢測(cè)傳感器500(上板501)形成為在平面視圖中呈矩形，在空間像檢測(cè)傳感器500(上板501)與開(kāi)口部32N之間形成間隙N。在本實(shí)施形態(tài)中，間隙N與基片P 的外形的制造公差為同等程度，例如約為0. 3mm。這樣，保持基片P的基片架PT的上面在整個(gè)面上大致為同一面。再有，如果能以用液體1充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一側(cè)的光路空間的方式形成液浸區(qū)域AR2，則在板構(gòu)件30的平坦面30A與第2板構(gòu)件32的表面32A與基準(zhǔn)構(gòu)件300的上面301A與照度不勻傳感器400的上面401A與空間像檢測(cè)傳感器500的上面501A之間彼此可存在臺(tái)階差。此外，雖然未圖示，但在基片架PT中也設(shè)置了照射量傳感器(照度傳感器)，配置在第2板構(gòu)件32中形成的開(kāi)口部中。照射量傳感器例如在特開(kāi)平11-16816號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)2002/0061469號(hào))中公開(kāi)了，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。再有，在基片架PT上安裝的檢測(cè)器不限于上述的傳感器，可根據(jù)需要按照各種檢測(cè)器。例如，可在基片架PT上配置波面像差檢測(cè)器。波面像差檢測(cè)器例如在國(guó)際公開(kāi) 99/60361號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)的歐洲專(zhuān)利公開(kāi)1，079，223號(hào)公報(bào))或美國(guó)專(zhuān)利第6，650，399號(hào)中公開(kāi)了，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。當(dāng)然，也可不在基片架PT上安裝檢測(cè)器。此外，將板構(gòu)件30中以圓環(huán)狀形成的平坦面30A的寬度形成為至少比投影區(qū)域 ARl大(參照?qǐng)D4)。因此，在對(duì)基片P的邊緣區(qū)域E曝光時(shí)，曝光光EL不會(huì)照射到第2板構(gòu)件32上。由此，可抑制起因于曝光光的照射的第2板構(gòu)件32的疏液性的惡化，可使第2 板構(gòu)件32的更換頻度少于板構(gòu)件30的更換頻度。再者，最好將平坦面30A的寬度形成得比在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一側(cè)形成的液浸區(qū)域AR2大。由此，在對(duì)基片P的邊緣區(qū)域E 進(jìn)行液浸曝光時(shí)，由于在板構(gòu)件30的平坦面30A上配置液浸區(qū)域AR2不在第2板構(gòu)件32 上配置液浸區(qū)域AR2，故可防止液浸區(qū)域AR2的液體1侵入到作為板構(gòu)件30與第2板構(gòu)件 32的間隙的間隙G中的不良情況。再有，板構(gòu)件30的平坦面30A的寬度不限定于此，當(dāng)然也可比液浸區(qū)域AR2小。如圖3和作為保持基片P的基片架PT的主要部分放大剖面圖的圖5中所示，構(gòu)成基片架PT的一部分的基片托PH具備大致圓環(huán)狀的周壁部33 ；在該周壁部33的內(nèi)側(cè)的基座部35上設(shè)置的、支撐基片P的多個(gè)支撐部34 ；以及在支撐部34之間配置的、用于吸附保持基片P的多個(gè)吸引口 41。在周壁部33的內(nèi)側(cè)一樣地配置了支撐部34和吸引口 41。再有，在圖5中，周壁部33的上端面具有比較寬的寬度，但實(shí)際上只有約1 2mm的寬度。此外，在基座部35上設(shè)置了配置由升降基片P的銷(xiāo)釘構(gòu)件構(gòu)成的升降構(gòu)件70的孔部71。在本實(shí)施形態(tài)中，在3個(gè)部位上設(shè)置了升降構(gòu)件70。利用未圖示的驅(qū)動(dòng)裝置來(lái)升降升降構(gòu)件 70，控制裝置CONT經(jīng)驅(qū)動(dòng)裝置控制升降構(gòu)件70的升降工作。此外，如圖5中所示，在基片架PT上面中與板構(gòu)件30的下面對(duì)置的位置上設(shè)置了多個(gè)用于對(duì)于基片架PT吸附保持該板構(gòu)件30的吸附孔72。再者，在基片架PT中，在多個(gè)位置(在此是3個(gè)部位)上設(shè)置了由對(duì)于基片架PT升降板構(gòu)件30的銷(xiāo)釘構(gòu)件構(gòu)成的升降構(gòu)件74。利用未圖示的驅(qū)動(dòng)裝置來(lái)升降升降構(gòu)件74，控制裝置CONT經(jīng)驅(qū)動(dòng)裝置控制升降構(gòu)件74的升降工作(參照?qǐng)D7(d))。再者，雖然未圖示，但在基片架PT上面中與第2板構(gòu)件32的下面對(duì)置的位置上設(shè)置了多個(gè)用于對(duì)于基片架PT吸附保持該第2板構(gòu)件32的吸附孔。再者，在基片架PT中，在多個(gè)位置上設(shè)置了對(duì)于基片架PT升降第2板構(gòu)件32的升降構(gòu)件。再有，由于如前面所述，第2板構(gòu)件32的更換頻度少，故也可不將其吸附保持在基片架PT上，而是利用螺釘擰緊等來(lái)固定，用手動(dòng)方式進(jìn)行更換作業(yè)。此外，也可不使第2板構(gòu)件32成為能更換的構(gòu)件。但是，在使用基準(zhǔn)構(gòu)件300或照度不勻傳感器400等時(shí)，在對(duì)第2板構(gòu)件32照射了曝光光EL或與曝光光為同一波長(zhǎng)的光的情況下，存在第2板構(gòu)件32的表面的疏液性惡化的危險(xiǎn)，存在與板構(gòu)件30同樣的更換頻度為必要的可能性。此外，如圖4和圖5中所示，在由基片托PH(基片架PT)保持的基片P的側(cè)面PB 與板構(gòu)件30之間形成了規(guī)定的間隙A。在圖5中，在基片架PT的凹部31內(nèi)部配置了保持基片P的基片托PH。在凹部31 中配置了基片托PH時(shí)，將基片架PT形成為該基片托PH的上端面34A比基片架PT的對(duì)于板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32的放置面PTa高。在構(gòu)成基片托PH的一部分的大致圓板狀的基座部35上設(shè)置了周壁部33和支撐部34。支撐部34各自的剖面為梯形，由多個(gè)支撐部 34的上端面34A保持基片P的背面PC。此外，周壁部33的上面33A為平坦面。周壁部33 的高度比支撐部34的高度低。在基片P與周壁部33之間形成了間隙B。間隙B比板構(gòu)件 30與基片P的側(cè)面PB之間的間隙A小。此外，在凹部31的內(nèi)側(cè)面36與對(duì)置于該內(nèi)側(cè)面36 的基片托PH的側(cè)面37之間形成了間隙C。在此，將基片托PH的直徑形成得比基片P的直徑小，間隙A比間隙C小。再有，在本實(shí)施形態(tài)中，在基片P中未形成位置對(duì)準(zhǔn)用的缺口部 (定位邊、定位槽)，基片P大致呈圓形，由于在其全部的圓周上間隙A為0. Imm 1. Omm,在本實(shí)施形態(tài)中約為0. 3mm，故可防止液體的流入。再有，在基片P中形成缺口部的情況下，根據(jù)該缺口部在板構(gòu)件30或周壁部33中設(shè)置凸起部等使板構(gòu)件30或周壁部33成為與缺口部對(duì)應(yīng)的形狀即可。通過(guò)這樣做，即使在基片P的缺口部中，在基片P與板構(gòu)件30之間也能確保間隙A。在板構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)形成了內(nèi)側(cè)臺(tái)階部30D，利用該內(nèi)側(cè)臺(tái)階部30D形成了與基片下面PC的邊緣部對(duì)置的支撐面30S。板構(gòu)件30可利用支撐面30S支撐基片下面PC的邊緣部。在此，如圖5中所示，在由基片托PH保持的基片下面PC的邊緣部與由基片架PT的放置面PTa保持的板構(gòu)件30的支撐面30S之間形成間隙D。由此，可避免因板構(gòu)件30 (支撐面30S)與基片下面PC的邊緣部接觸而使該基片P的邊緣部向上側(cè)翹曲的不良情況的發(fā)生。
此外，在第2板構(gòu)件32的內(nèi)側(cè)形成了內(nèi)側(cè)臺(tái)階部32D，在板構(gòu)件30的外側(cè)形成了外側(cè)臺(tái)階部30F，使其與第2板構(gòu)件32的內(nèi)側(cè)臺(tái)階部32D的形狀相對(duì)應(yīng)。由此，成為在第2 板構(gòu)件32的一部分上放置板構(gòu)件30的一部分的狀態(tài)。此外，在板構(gòu)件30的外側(cè)面與第2 板構(gòu)件32的內(nèi)側(cè)面之間形成規(guī)定的間隙G。本實(shí)施形態(tài)中的間隙G例如約為0. 3mm,由于用表面具有疏液性的聚四氟乙烯制的板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32來(lái)夾住，故即使在板構(gòu)件 30與第2板構(gòu)件32的邊界上形成了液浸區(qū)域，也可防止液體對(duì)間隙G的侵入。在作為基片P的曝光面的表面PA上涂敷了光刻膠(感光材料)90。在本實(shí)施形態(tài)中，感光材料90是ArF準(zhǔn)分子激光器用的感光材料(例如，東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社制 TARF-P6100)，具有疏液性(疏水性)，其接觸角約為70 80°。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)基片P的側(cè)面PB進(jìn)行了疏液處理(疏水處理)。具體地說(shuō)，在基片P的側(cè)面PB上也涂敷了具有疏液性的上述感光材料90。由此，可防止來(lái)自表面呈疏液性的板構(gòu)件30與基片P側(cè)面PB的間隙A的液體的侵入。再者，在基片P的背面PB 上也涂敷上述感光材料90，進(jìn)行了疏液處理。在本實(shí)施形態(tài)中，在基片架PT中，放置面PTa和內(nèi)側(cè)面36具有疏液性。再者，在基片托PH的一部分上也進(jìn)行疏液處理，呈疏液性。在本實(shí)施形態(tài)中，基片托PH中周壁部33 的上面33A和側(cè)面37具有疏液性。作為基片架PT和基片托PH的疏液處理，例如涂敷氟樹(shù)脂材料或丙烯酸樹(shù)脂材料等的疏液性材料或粘貼由上述疏液性材料構(gòu)成的薄膜。作為用于使之呈疏液性的疏液性材料，可疏液非溶解性的材料。再有，也可用具有疏液性的材料(氟樹(shù)脂等)形成基片架PT和基片托PH的整體。利用吸引裝置40使由基片托PH的周壁部33包圍的第1空間38呈負(fù)壓。吸引裝置40具備在基片托PH的基座部35上面設(shè)置的多個(gè)吸引口 41 ；包含在基片架PT外部設(shè)置的真空泵的真空部42 ；以及在基座部35內(nèi)部形成的、連接多個(gè)吸引口 41的每一個(gè)與真空部42的流路43。分別在基座部35上面中支撐部34以外的多個(gè)規(guī)定位置上設(shè)置了吸引口 41。吸引裝置40通過(guò)吸引在周壁部33、基座部35與由支撐部34支撐的基片P之間形成的第1空間38內(nèi)部的氣體(空氣)使該第1空間38呈負(fù)壓，將基片P吸附保持在支撐部34上。再有，由于基片P的背面PC與周壁部33上面33A的間隙B很微小，故維持了第 1空間38的負(fù)壓。此外，流入到凹部31的內(nèi)側(cè)面36與基片托PH的側(cè)面37之間的第2空間39中的液體1被回收部60回收。在本實(shí)施形態(tài)中，回收部60具有可容納液體1的容器61 ；以及在基片架PT內(nèi)部設(shè)置的、連接空間39與外部的容器61的流路62。而且，在該流路62的內(nèi)壁面上也進(jìn)行了疏液處理。再有，也可在基片臺(tái)PST(基片架PT)中暫時(shí)地保持流入到空間 39中的液體，在規(guī)定的定時(shí)將其排出到與基片臺(tái)PST分開(kāi)地設(shè)置的外部容器等中。在基片架PT中形成了連接凹部31的內(nèi)側(cè)面36與基片托PH的側(cè)面37之間的第 2空間39與基片架PT外部的空間(大氣空間)的流路45。氣體(空氣)可經(jīng)流路45在第2空間39和基片架PT外部流通，將第2空間39的氣壓大致設(shè)定為大氣壓。如圖6中所示，基片托PH、板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32是獨(dú)立的部件，設(shè)置成對(duì)于基片架PT可裝卸。而且，對(duì)基片架PT中與基片托PH的接觸面57進(jìn)行疏液處理，使其呈疏液性，同時(shí)也對(duì)作為對(duì)于基片架PT的接觸面的基片托PH的背面58進(jìn)行疏液處理，使其具有疏液性。作為對(duì)于接觸面57或背面58的疏液處理，如上所述，可涂敷氟樹(shù)脂材料或丙烯酸樹(shù)脂材料等的疏液性材料等來(lái)進(jìn)行。其次，一邊參照?qǐng)D7和圖8的示意圖，一邊說(shuō)明使用具有上述的結(jié)構(gòu)的曝光裝置EX 對(duì)基片P曝光的方法。如圖7(a)中所示，由基片架PT的放置面PTa吸附保持板構(gòu)件30，同時(shí)也由基片架 PT的放置面PTa吸附保持第2板構(gòu)件32。而且，利用運(yùn)送臂(運(yùn)送裝置)80將作為曝光處理對(duì)象的基片P運(yùn)入到基片架PT上。此時(shí)，升降構(gòu)件70上升，運(yùn)送臂80將基片P交給上升了的升降構(gòu)件70。再有，升降構(gòu)件74未上升。升降構(gòu)件70保持由從運(yùn)送臂80交給的基片P并使其下降。如圖7(b)中所示，在板構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)配置基片P，由基片架PT(基片托PH)來(lái)保持。然后，如圖7(c)中所示，控制裝置CONT利用液體供給機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20進(jìn)行液體1的供給和回收，在由基片架PT保持的基片P與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間形成液體1的液浸區(qū)域AR2。然后，控制裝置CONT經(jīng)投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體1對(duì)基片P照射曝光光EL，一邊移動(dòng)支撐了基片P的基片臺(tái)PST，一邊進(jìn)行液浸曝光。通過(guò)對(duì)基片P的邊緣區(qū)域E曝光，曝光光EL照射到板構(gòu)件30的平坦面30A上，由于該曝光光EL的照射的緣故，存在平坦面30A的疏液性惡化的可能性。如果平坦面30A的疏液性惡化，則在平坦面30A上配置的液浸區(qū)域AR2的液體1容易殘留，產(chǎn)生引起放置了基片P的環(huán)境變動(dòng)等的不良情況。因此，控制裝置CONT根據(jù)板構(gòu)件30 (平坦面30A)的疏液性的惡化，將該疏液性惡化了的板構(gòu)件30與新的(充分地具有疏液性)板構(gòu)件30更換。具體地說(shuō)，在液浸曝光處理的結(jié)束后，在使用液體回收機(jī)構(gòu)20等回收了在基片P 上或平坦面30A上殘留的液體1后，如圖7 (d)中所示，控制裝置CONT在解除了對(duì)于板構(gòu)件 30的吸附保持后，使升降構(gòu)件74上升。此時(shí)，也解除由基片托PH進(jìn)行的基片P的吸附保持。升降構(gòu)件74在支撐了板構(gòu)件30的下面的狀態(tài)下上升。再有，此時(shí)，升降構(gòu)件70未上升。由此，板構(gòu)件30離開(kāi)基片架PT。此時(shí)，由于板構(gòu)件30的支撐面30S支撐了基片下面 PC的邊緣部，故基片P與板構(gòu)件30 —起上升，離開(kāi)基片架PT。這樣，構(gòu)成對(duì)于基片架PT裝卸板構(gòu)件30的裝卸機(jī)構(gòu)的升降構(gòu)件74可與基片P—起從基片架PT取下板構(gòu)件30。然后， 運(yùn)送臂80進(jìn)入利用升降構(gòu)件74上升了的板構(gòu)件30與基片架PT之間，支撐板構(gòu)件30的下面。然后，運(yùn)送臂80從基片架PT (基片臺(tái)PST)運(yùn)出保持了基片P的板構(gòu)件30。已運(yùn)出的板構(gòu)件30與新的板構(gòu)件30更換。然后，如圖8 (a)中所示，控制裝置CONT 使用運(yùn)送臂80將保持了作為曝光處理對(duì)象的基片P的新的板構(gòu)件30運(yùn)入到基片架PT (基片臺(tái)PST)上。此時(shí)，升降構(gòu)件74上升，運(yùn)送臂80將保持了基片P的板構(gòu)件30交給上升了的升降構(gòu)件74。再有，升降構(gòu)件70未上升。升降構(gòu)件74保持由從運(yùn)送臂80交給的基片P 并使其下降。由此，如圖8(b)中所示，在板構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)配置保持了基片P的板構(gòu)件30， 由基片架PT(基片托PH)來(lái)保持。然后，如圖8(c)中所示，控制裝置CONT利用液體供給機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20進(jìn)行液體1的供給和回收，在由基片架PT保持的基片P與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間形成液體1的液浸區(qū)域AR2。然后，控制裝置CONT經(jīng)投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體1對(duì)基片P照射曝光光EL，一邊移動(dòng)支撐了基片P的基片臺(tái)PST，一邊進(jìn)行液浸曝光。然后，在板構(gòu)件30的疏液性還未惡化時(shí)，在液浸曝光的結(jié)束后，在使用液體回收機(jī)構(gòu)20等回收了在基片P上或板構(gòu)件30的平坦面30Α等上殘留的液體1后，控制裝置CONT 在解除了對(duì)于基片P的吸附保持后，如圖8(d)中所示，使升降構(gòu)件70上升。此時(shí)，板構(gòu)件 30由基片架PT進(jìn)行了吸附保持。升降構(gòu)件70在支撐了基片P的下面的狀態(tài)下上升。再有，此時(shí)，升降構(gòu)件74不上升。由此，基片P從基片架PT離開(kāi)。然后，運(yùn)送臂80進(jìn)入利用升降構(gòu)件70上升了的基片P與基片架PT之間，支撐基片P的下面。然后，運(yùn)送臂80從基片架PT(基片臺(tái)PST)運(yùn)出基片P。再有，作為運(yùn)送臂80，可分別地設(shè)置用于運(yùn)送板構(gòu)件30的運(yùn)送臂和用于運(yùn)送基片 P的運(yùn)送臂，但如圖9中所示，通過(guò)將運(yùn)送臂80的支撐面80Α形成得較大，可與基片P和板構(gòu)件30這兩者接觸，由于可支撐基片P和板構(gòu)件30這兩者，故可用1個(gè)運(yùn)送臂80運(yùn)送基片P和板構(gòu)件30這兩者。如以上已說(shuō)明的那樣，由于設(shè)置成可更換在基片架PT上設(shè)置的疏液性的板構(gòu)件 30、32，故在該板構(gòu)件30、32的疏液性惡化了時(shí)，只通過(guò)與新的板構(gòu)件30、32更換，就可維持基片架PT上的疏液性。在為了使基片架PT上的板構(gòu)件30、32的上面呈疏液性而涂敷疏液性材料或用疏液性材料形成板構(gòu)件30、32的情況下，如果照射曝光光，則有時(shí)其疏液性惡化。特別是在使用氟樹(shù)脂作為疏液性材料、使用紫外光作為曝光光的情況下，該板構(gòu)件30、32的疏液性容易惡化(容易親液化)。于是，液體容易殘留在板構(gòu)件30、32上。對(duì)次，在本實(shí)施形態(tài)中，在板構(gòu)件30、32的疏液性惡化了時(shí)，與新的板構(gòu)件30、32更換。因而，可抑制液體1殘留在基片架PT上，例如即使殘留，也可使用液體回收機(jī)構(gòu)20 等順利地回收該液體1。因而，可防止起因于殘留的液體1的曝光精度的惡化，制造出具有所需性能的器件。此外，通過(guò)與基片P —起相對(duì)基片架PT運(yùn)入和運(yùn)出在基片P的周?chē)哂衅教姑?30Α的板構(gòu)件30，可容易地與基片P —起對(duì)基片架PT更換板構(gòu)件30。此外，由于板構(gòu)件30 在基片P的周?chē)哂衅教姑?0Α，故在與基片P —起將該板構(gòu)件30運(yùn)入到基片架PT上對(duì)基片P的邊緣區(qū)域E進(jìn)行液浸曝光時(shí)，即使液體1的液浸區(qū)域AR2的一部分在基片P的外側(cè)伸出，也可利用平坦面30Α維持液浸區(qū)域AR2的形狀，可在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一側(cè)良好地保持液體1的狀態(tài)下進(jìn)行液浸曝光而不導(dǎo)致液體1的流出等。而且，由于在板構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)設(shè)置內(nèi)側(cè)臺(tái)階部30D，形成支撐面30S，可支撐基片下面PC的邊緣部，故只保持并移動(dòng)板構(gòu)件30，就可與該板構(gòu)件30 —起也移動(dòng)基片P。此外， 由于因內(nèi)側(cè)臺(tái)階部30D的緣故，在板構(gòu)件30與基片P之間的間隙中，在剖面視圖中形成彎曲的角部，故即使假定液體1侵入到板構(gòu)件30與基片P之間的間隙A中，彎曲的角部也起到密封部的功能，可防止該液體1侵入到基片P的背面PC —側(cè)或基片臺(tái)PST (基片托PH) 內(nèi)部的不良情況。再者，由于對(duì)基片P的側(cè)面PB也進(jìn)行了疏液處理，故可更良好地防止來(lái)自基片P的側(cè)面PB與板構(gòu)件30之間的間隙A的液體1的侵入。此外，通過(guò)使基片P的背面PC和與其對(duì)置的周壁部33的上面33Α呈疏液性，可防止液體1經(jīng)間隙B侵入到第1空間38中的不良情況。因而，可避免液體1流入到吸引口 41 中的不良情況的發(fā)生，可在良好地吸附保持基片P的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)對(duì)可對(duì)于基片架PT裝卸的基片托PH的背面58或基片架PT中與基片托PH的接觸面57進(jìn)行疏液處理，即使在液體1流入到第2空間39中的情況下，也可抑制液體1對(duì)于基片托PH的背面58與Z臺(tái)52的接觸面57之間的流入。因而，可防止基片托PH的背面58或基片架PT的接觸面57中的銹蝕的發(fā)生等。此外，如果液體1流入到基片托PH的背面58與基片架PT的接觸面57之間，則產(chǎn)生基片托PH與Z臺(tái)52 粘接而難以分離的狀況，但通過(guò)使其呈疏液性而容易分離。此外，作為用于對(duì)基片架PT裝卸板構(gòu)件30的裝卸機(jī)構(gòu)，由于設(shè)置了作為升降裝置的升降構(gòu)件74及作為吸附保持板構(gòu)件30的吸附保持裝置的吸附孔72，故可順利地進(jìn)行板構(gòu)件30的更換作業(yè)，可在基片架PT上良好地保持更換后的新的板構(gòu)件30。此外，通過(guò)在第2板構(gòu)件32的內(nèi)側(cè)形成內(nèi)側(cè)臺(tái)階部32D，在板構(gòu)件30的外側(cè)形成外側(cè)臺(tái)階部30F，由于在板構(gòu)件30與第2板構(gòu)件32之間的間隙中在剖面視圖中也形成彎曲的角部，故即使液體1從間隙G侵入，彎曲的角部也起到密封部的功能，可防止液體1到達(dá)基片架PT內(nèi)部的不良情況。此外，由于用第2板構(gòu)件32的內(nèi)側(cè)臺(tái)階部32D支撐板構(gòu)件30的外側(cè)臺(tái)階部30F， 故如果用基片架PT吸附保持第2板構(gòu)件32，則因板構(gòu)件30由第2板構(gòu)件32來(lái)支撐，故可不由基片架PT來(lái)保持。因此，如圖10中示出的示意圖那樣，可在基片架PT中與板構(gòu)件30 對(duì)置的區(qū)域中形成空間部(槽)130，可謀求基片架PT(基片臺(tái)PST)的輕量化。此外，由于是在用板構(gòu)件30保持了基片P的狀態(tài)下用運(yùn)送臂80運(yùn)送的結(jié)構(gòu)，故用板構(gòu)件30支撐基片P的比較寬的區(qū)域。因而，即使例如基片P的尺寸較大，通過(guò)在用板構(gòu)件30保持了的狀態(tài)下來(lái)運(yùn)送，也可抑制基片P的撓曲(翹曲)。再有，在第2板構(gòu)件32的平坦面32Α的疏液性惡化、更換第2板構(gòu)件32的情況下， 由于第2板構(gòu)件32支撐板構(gòu)件30，故可在基片P的液浸曝光結(jié)束后使用運(yùn)送臂80 —起運(yùn)出基片P和板構(gòu)件30。在該情況下，也可與升降構(gòu)件74同樣地設(shè)置用于升降第2板構(gòu)件32 的升降構(gòu)件。此外，也可分別運(yùn)出和運(yùn)入板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32而不設(shè)置第2板構(gòu)件 32的內(nèi)側(cè)臺(tái)階部32D。在該情況下，可再設(shè)置用于運(yùn)出和運(yùn)入第2板構(gòu)件32的運(yùn)送機(jī)構(gòu)。再有，如上所述，根據(jù)平坦面30Α、32Α的疏液性的惡化來(lái)決定板構(gòu)件30、32的更換的定時(shí)。作為更換板構(gòu)件30、32的定時(shí)，例如可按每規(guī)定基片處理片數(shù)或每規(guī)定時(shí)間間隔等預(yù)先確定的規(guī)定間隔更換板構(gòu)件30、32?；蛘?，可利用實(shí)驗(yàn)或模擬預(yù)先求出曝光光EL的照射量(照射時(shí)間、照度)與板構(gòu)件30、32的疏液性水平的關(guān)系，根據(jù)該已求出的結(jié)果，設(shè)定更換板構(gòu)件30、32的定時(shí)。例如可通過(guò)用顯微鏡或目視來(lái)觀察平坦面30Α、32Α等、在評(píng)價(jià)面上垂下液滴，用目視或顯微鏡觀察液滴的狀態(tài)、或測(cè)定液滴的接觸角來(lái)進(jìn)行疏液性的惡化的評(píng)價(jià)。通過(guò)用與曝光光等的紫外線的累積照射量的關(guān)系預(yù)先在控制裝置CONT中記錄了這樣的評(píng)價(jià)，根據(jù)該關(guān)系，控制裝置CONT可決定板構(gòu)件30、32等的壽命、即更換時(shí)間(時(shí)期)。此外，曝光裝置EX使用可檢測(cè)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的一側(cè)照射的曝光光EL的強(qiáng)度的積分傳感器(未圖示)，可求出對(duì)板構(gòu)件30、32照射的曝光光EL的累積照射量。由于控制裝置CONT根據(jù)使用激光干涉計(jì)56檢測(cè)的基片臺(tái)PST的位置信息和使用積分傳感器檢測(cè)的曝光光EL的強(qiáng)度信息，可檢測(cè)對(duì)板構(gòu)件30或第2板構(gòu)件32照射的曝光光EL的強(qiáng)度與照射時(shí)間(照射脈沖數(shù))，故根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果可求出對(duì)板構(gòu)件30或第2板構(gòu)件32照射的曝光光EL的累積照射量。再有，檢測(cè)曝光光EL的強(qiáng)度的積分傳感器，例如在美國(guó)專(zhuān)利第 5，728，495號(hào)公報(bào)或美國(guó)專(zhuān)利第5，591，958號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。在本實(shí)施形態(tài)中，控制裝置CONT根據(jù)板構(gòu)件30、32的上面30Α、32Α中的液體的接觸角來(lái)判斷是否需要更換板構(gòu)件30、32。例如，根據(jù)板構(gòu)件30、32的使用時(shí)間或紫外光的累積照射量等，在推斷為液體的接觸角下降到小于等于規(guī)定角度(例如100° )的情況下，判斷為必須更換板構(gòu)件30、32?；蛘?，根據(jù)板構(gòu)件30、32的使用時(shí)間或紫外光的累積照射量等，在推斷為板構(gòu)件30、32的表面30A、32A中的液體1的接觸角比初始狀態(tài)下降了大于等于規(guī)定角度(例如10° )的情況下，判斷為必須更換板構(gòu)件30、32。再有，也可不用曝光裝置EX的控制裝置CONT來(lái)判斷板構(gòu)件30、32等的疏液性的惡化，例如將設(shè)置了曝光裝置EX的工廠等的主計(jì)算機(jī)和曝光裝置EX連接成可交換各種數(shù)據(jù)，用該主計(jì)算機(jī)來(lái)判斷。此外，在液體回收機(jī)構(gòu)20的液體回收能力高的情況下，由于存在即使板構(gòu)件30、 32的疏液性惡化也可充分地回收液體的可能性，因此在決定板構(gòu)件30、32等的更換時(shí)期時(shí)，也可以考慮液體回收機(jī)構(gòu)20的液體回收能力與疏液性的惡化(接觸角的下降)的關(guān)系。此外，由于疏液性的惡化的速度或惡化的程度不僅隨曝光光EL的照射時(shí)間而不同，而且隨付與疏液性的材料、液體、曝光波長(zhǎng)溫度等的要素而不同，故最好與這些要素一起準(zhǔn)備評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)。關(guān)于以下所述的被賦予疏液性的其它的構(gòu)件的更換時(shí)期，也是同樣的。再有，在本實(shí)施形態(tài)中，利用作為疏液性材料的聚四氟乙烯形成板構(gòu)件30、32，但當(dāng)然也可利用其它的具有疏液性的材料來(lái)形成。此外，也可例如用規(guī)定的金屬等形成板構(gòu)件30、32，在該金屬制的板構(gòu)件30的表面上涂敷具有疏液性的疏液性材料(聚四氟乙烯等的氟化物)。此外，作為疏液性材料的覆蓋區(qū)域，可涂敷在板構(gòu)件30、32的全部表面，也可只涂敷例如平坦面30A等必須有疏液性的一部分的區(qū)域。當(dāng)然，可用不同的構(gòu)件設(shè)置板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32，也可使用不同的疏液性材料來(lái)涂敷。此外，板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32的全部的表面沒(méi)有必要以均勻的水平具有疏液性，可部分地設(shè)置疏液性強(qiáng)的部分。此外，板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32的全部的表面沒(méi)有必要具有同樣的疏液性的惡化耐久性，與其它的部分相比，可強(qiáng)化曝光光的照射量多的部分的惡化耐久性。例如，板構(gòu)件30的表面的惡化耐久性最好比第2板構(gòu)件32的表面的惡化耐久性強(qiáng)。在本實(shí)施形態(tài)中，說(shuō)明了在更換板構(gòu)件30時(shí)與基片P —起運(yùn)出板構(gòu)件30，當(dāng)然也可對(duì)于基片架PT只運(yùn)入和運(yùn)出板構(gòu)件30。此外，在本實(shí)施形態(tài)中可使用升降構(gòu)件74和運(yùn)送臂80來(lái)更換板構(gòu)件30，但升降構(gòu)件74或能運(yùn)送板構(gòu)件30的運(yùn)送臂80不是必須的，操作者可用手動(dòng)來(lái)更換板構(gòu)件30。此外，在上述的實(shí)施形態(tài)中，分別一體地設(shè)置了板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32，但也可分割該板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32，可部分地更換。由此，也可頻繁地只更換疏液性的惡化劇烈的部分?；蛘?，也可將板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32作為一個(gè)板構(gòu)件來(lái)形成，保持在基片架PT上。再有，在本實(shí)施形態(tài)中，從圖5可明白，基片托PH和基片架PT可裝卸，但也可與基片架PT —體地設(shè)置基片托PH。再有，在本實(shí)施形態(tài)中，在基片P的表面PA、側(cè)面PB和背面PC的整個(gè)面上為了進(jìn)行疏液處理而涂敷了感光材料90，但也可以是只對(duì)形成間隙A的區(qū)域、即基片P的側(cè)面PB和形成間隙B的區(qū)域、即基片P的背面PC中與周壁部33的上面33A對(duì)置的區(qū)域進(jìn)行疏液處理的結(jié)構(gòu)。再者，如果間隙A充分小，此外為了進(jìn)行疏液處理而涂敷的材料的疏液性(接觸角)充分大，則由于液體1經(jīng)間隙A流入到第2空間39中的可能性進(jìn)一步降低，故也可以是不對(duì)形成間隙B的基片P的背面PC進(jìn)行疏液處理而只對(duì)基片P的側(cè)面PB進(jìn)行疏液處理的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，也可使用對(duì)表面PA、側(cè)面PB和背面PC全都未進(jìn)行疏液處理的基片P。再有，在本實(shí)施形態(tài)中，周壁部33的高度比支撐部34的高度低、在基片P的背面 PC與周壁部33的上面33A之間形成了間隙B，但基片P的背面PC與周壁部33的上面33A 也可接觸。在本實(shí)施形態(tài)中，作為基片P的側(cè)面PB和背面PC的疏液處理，涂敷了具有疏液性的感光材料90，但也可涂敷感光材料90以外的具有疏液性(疏水性)的規(guī)定的材料。例如，有時(shí)在作為基片P的曝光面的表面PA上涂敷的感光材料90的上層涂敷稱(chēng)為頂部涂層的保護(hù)層(保護(hù)感光材料90使之不受液體的影響的膜)，而該頂部涂層的形成材料(例如氟樹(shù)脂材料)例如以接觸角約110°具有疏液性(疏水性)。因而，也可在基片P的側(cè)面PB 和背面PC上涂敷該頂部涂層形成材料。當(dāng)然，也可涂敷感光材料90或頂部涂層形成用材料以外的具有疏液性的材料。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，作為基片架PT或基片托PH的疏液處理，涂敷氟樹(shù)脂材料或丙烯酸樹(shù)脂材料等，但也可在基片架PT或基片托PH上涂敷上述感光材料或頂部涂層形成材料，相反，也可在基片P的側(cè)面PB或背面PC上涂敷在基片臺(tái)PST或基片托PH的疏液處理中使用的材料。為了防止液浸區(qū)域AR2的液體1浸透到感光材料90中而設(shè)置上述頂部涂層的情況較多，但例如即使在頂部涂層上形成液體1的附著痕跡(所謂水跡)，通過(guò)在液浸曝光后除去該頂部涂層，也可在與頂部涂層一起除去了水跡后進(jìn)行顯影處理等的規(guī)定的工藝處理。在此，在由氟樹(shù)脂材料形成頂部涂層的情況下，可使用氟類(lèi)溶劑來(lái)除去。由此，不需要用于除去水跡的裝置(例如水跡除去用基片清洗裝置)等，用由溶劑除去頂部涂層這樣的簡(jiǎn)易的方式，就可在除去了水跡后良好地進(jìn)行規(guī)定的工藝處理。再有，在上述的實(shí)施形態(tài)中，用真空吸附方式在基片架PT上保持了板構(gòu)件30、32， 但也可使用電磁夾持機(jī)構(gòu)等其它的夾持機(jī)構(gòu)?！吹?實(shí)施形態(tài)〉其次，說(shuō)明本發(fā)明的其它的實(shí)施形態(tài)。在以下的說(shuō)明中，對(duì)于與上述的實(shí)施形態(tài)為同一或同等的結(jié)構(gòu)部分附以同一符號(hào)，簡(jiǎn)化或省略其說(shuō)明。圖11是示出對(duì)基片架PT(基片臺(tái)PST)裝卸的基片托PH的圖，圖11(a)是側(cè)剖面圖，圖11(b)是從上方看取下了基片托PH后的基片架PT的平面圖。如圖11中所示，基片架PT在其上面(對(duì)于基片托PH的保持面)具備可嵌合基片托PH的凹部157 ；在凹部157內(nèi)部設(shè)置的、吸附保持在凹部157中配置的基片托PH的多個(gè)真空吸附孔158 ；以及在凹部157內(nèi)部設(shè)置的后述的流路159。通過(guò)將基片托PH嵌合到凹部157中，對(duì)基片架PT和基片托PH進(jìn)行定位。真空吸附孔158構(gòu)成了保持在凹部157 中配置的基片托PH的夾持機(jī)構(gòu)的一部分，連接到未圖示的真空裝置上。利用控制裝置CONT 來(lái)控制真空裝置的驅(qū)動(dòng)?？刂蒲b置CONT控制真空裝置，經(jīng)真空吸附孔158進(jìn)行基片架PT 的對(duì)于基片托PH的吸附保持和解除保持。通過(guò)解除保持，可進(jìn)行基片托PH與基片架PT的分離，可更換基片托PH。再有，在此，說(shuō)明了基片架PT對(duì)基片托PH進(jìn)行真空吸附保持，但也可利用電磁夾持機(jī)構(gòu)等其它的夾持機(jī)構(gòu)來(lái)保持基片托PH和解除基片托PH的保持。此外，在此，說(shuō)明了使用凹部157進(jìn)行基片架PT和基片托PH的定位，但例如也可作成以光學(xué)的方式檢測(cè)基片托 PH和基片架PT的位置關(guān)系、根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果對(duì)于基片架PT將基片托PH定位在規(guī)定的位置上的結(jié)構(gòu)。此外，基片托PH具有用于配置基片P的凹部150 ；以及與在凹部157中配置的基片P的表面大致為同一面的平坦面30A。在基片P的周?chē)原h(huán)狀設(shè)置了平坦面30A。在平坦面30A的周?chē)?，形成了比該平坦?0A高的側(cè)壁部151。在平坦面30A的周?chē)B續(xù)地以環(huán)狀形成了側(cè)壁部151，在該側(cè)壁部151的內(nèi)側(cè)(基片P上或平坦面30A上)可保持液體1。例如利用聚四氟乙烯等具有疏液性的材料形成了基片托PH。再有，也可例如用規(guī)定的金屬形成基片托PH，在該金屬制的基片托PH中至少對(duì)于平坦面30A涂敷具有疏液性的疏液性材料(聚四氟乙烯等)。當(dāng)然，也可在金屬制的基片托PH的表面的整個(gè)區(qū)域中涂敷疏液性材料。運(yùn)送臂80可運(yùn)送從基片架PT取下的基片托PH。例如，運(yùn)送臂80從基片架PT (基片臺(tái)PST)運(yùn)出(卸載)保持進(jìn)行了曝光處理后的基片P的基片托PH，在將基片托PH與另外的基片托PH進(jìn)行了更換后，將該基片托PH運(yùn)入(裝載)到基片架PT上。此外，運(yùn)送臂 80在將基片托PH運(yùn)入到基片架PT上時(shí)，可只運(yùn)入基片托PH，也可運(yùn)入保持了曝光處理之前的基片P的基片托PH。圖12是示出基片托PH的圖，圖12(a)是側(cè)剖面圖，圖12(b)是從上方看的平面圖。在圖12中，基片托PH具備可保持上述的液體1的側(cè)壁部151 ；在凹部150的底面部PHT上形成的多個(gè)凸部161 ；以及在凸部161的上端面上形成的真空吸附孔162。凸部 161的上端面是平坦面，基片托PH在用多個(gè)凸部161的上端面支撐基片P的同時(shí)，經(jīng)真空吸附孔162吸附保持基片P。在此，在基片托PH的凹部150的底面部PHT的多個(gè)規(guī)定位置上分別設(shè)置了凸部161，以使基片P不撓曲。通過(guò)用凸部161支撐基片P，在基片P與基片托 PH的底面部PHT之間形成分離部164。再有，在本實(shí)施形態(tài)中，基片托PH的平面視圖形狀是大致圓形，但也可以是矩形。此外，在連接基片架PT與基片托PH時(shí)，基片托PH的真空吸附孔162經(jīng)在基片托 PH中形成的流路162A連接到在基片架PT的上面設(shè)置的流路159(參照?qǐng)D11(b))上。流路 159連接到真空裝置上，控制裝置CONT通過(guò)驅(qū)動(dòng)真空裝置，經(jīng)基片架PT的流路159、基片托 PH的流路162A和真空吸附孔162吸附保持由凸部161支撐的基片P。在此，在流路162A 中分別設(shè)置了由根據(jù)控制裝置CONT的控制來(lái)驅(qū)動(dòng)的電磁閥等構(gòu)成的閥部162B，可對(duì)流路 162A的打開(kāi)、關(guān)閉工作進(jìn)行遙控操作?？刂蒲b置CONT在驅(qū)動(dòng)了真空裝置時(shí)控制閥部162B 打開(kāi)流路162A，在停止了真空裝置時(shí)關(guān)閉流路162A。因而，在經(jīng)真空吸附孔162的對(duì)于基片P的吸引工作后，通過(guò)在停止真空裝置的驅(qū)動(dòng)的同時(shí)利用閥部162B關(guān)閉流路162A，維持流路162A的負(fù)壓。因而，在分離了基片架PT與基片托PH時(shí)，通過(guò)使流路162A為負(fù)壓，也可維持基片托PH對(duì)于基片P的吸附保持。其次，一邊參照?qǐng)D13的示意圖，一邊說(shuō)明具有上述的結(jié)構(gòu)的曝光裝置EX的工作。如圖13(a)中所示，利用運(yùn)送臂(運(yùn)送裝置)80將保持了作為曝光處理對(duì)象的基片P的基片托PH與基片P—起運(yùn)入到基片架PT上。如圖13(b)中所示，將基片托PH配置成與在基片架PT上設(shè)置的凹部157嵌合，保持在具有真空吸附孔158(圖11)的夾持機(jī)構(gòu)上。然后，控制裝置CONT驅(qū)動(dòng)真空裝置，經(jīng)流路159、流路162A和真空吸附孔162對(duì)基片P 進(jìn)行真空吸附保持(再有，在圖13中未圖示)。此時(shí)，閥部162B打開(kāi)流路162A。然后，如圖13 (c)中所示，控制裝置CONT利用液體供給機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20進(jìn)行液體1的供給和回收，在基片架PT上經(jīng)基片托PH保持的基片P與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間形成液體1的液浸區(qū)域AR2。然后，控制裝置CONT經(jīng)投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體1在基片P上照射曝光光 EL, 一邊移動(dòng)在基片架PT (基片臺(tái)PST)上經(jīng)基片托PH保持的基片P，一邊進(jìn)行液浸曝光。 此時(shí)，由于利用吸附保持了的基片P堵塞真空吸附孔162，故即使供給液體1，也不會(huì)侵入到真空吸附孔162中。此外，由于基片托PH的側(cè)壁部151的緣故，基片P上或平坦面30A上的液體1也不會(huì)流出到基片托PH的外側(cè)。基片P的液浸曝光結(jié)束后，控制裝置CONT使用液體回收機(jī)構(gòu)20 (參照?qǐng)D2)等回收在基片P上或平坦面30A上殘留的液體1。其次，控制裝置CONT解除由包含真空吸附孔 158的夾持機(jī)構(gòu)進(jìn)行的對(duì)于基片托PH的保持，同時(shí)使用閥部162B堵塞流路162A。然后，如圖13(d)中所示，控制裝置CONT利用運(yùn)送臂80從基片架PT與基片P—起運(yùn)出(卸載)保持了結(jié)束曝光處理的基片P的狀態(tài)的基片托PH。在分離基片托PH與基片架PT時(shí)，如參照?qǐng)D12已說(shuō)明的那樣，由于利用閥部162B堵塞連接到吸附保持基片P的真空吸附孔162上的流路162A而維持了負(fù)壓狀態(tài)，故維持由凸部161的上端面進(jìn)行的對(duì)于基片P的吸附保持。 此外，在與基片托PH —起運(yùn)送基片P時(shí)，即使假定液體1殘留在基片P上或平坦面30A上， 該殘留的液體1也不會(huì)經(jīng)流路162A流出。此外，由于殘留的液體1保持在側(cè)壁部151內(nèi)部， 故也不會(huì)流出到基片托PH的外側(cè)而在運(yùn)送路徑中飛散。已運(yùn)出的基片托PH與新的基片托PH更換。然后，控制裝置CONT使用運(yùn)送臂80 將保持了作為曝光處理對(duì)象的基片P的新的基片托PH與基片P —起運(yùn)入到基片架PT(基片臺(tái)PST)上(參照?qǐng)D13)。這樣，即使在本實(shí)施形態(tài)中，由于更換基片托PH，故也可用表面呈疏液性的基片托 PH保持基片P?！吹?實(shí)施形態(tài)〉但是，在上述實(shí)施形態(tài)中，說(shuō)明了根據(jù)其疏液性的惡化來(lái)更換在基片P的周?chē)哂衅教姑?0A的構(gòu)件(板構(gòu)件30、第2板構(gòu)件32、基片托PH)，但優(yōu)選在基片架PT上設(shè)置的板構(gòu)件30、第2板構(gòu)件32和基片托PH以外的構(gòu)件的表面也呈疏液性，最好根據(jù)其疏液性的惡化可更換。特別是希望與液體1接觸的構(gòu)件的表面呈疏液性，最好根據(jù)其疏液性的惡化可更換。具體地說(shuō)，在表面上形成液浸區(qū)域使用的基準(zhǔn)構(gòu)件300的結(jié)構(gòu)構(gòu)件、光學(xué)傳感器 400,500的結(jié)構(gòu)構(gòu)件也可更換。圖14是示出在基片架PT上設(shè)置的基準(zhǔn)構(gòu)件300的剖面圖。在圖14中，基準(zhǔn)構(gòu)件300具備由玻璃構(gòu)成的光學(xué)構(gòu)件301和在光學(xué)構(gòu)件301的上面301A上形成的基準(zhǔn)標(biāo)記 MFM、PFM?；鶞?zhǔn)構(gòu)件300安裝在基片架PT上，如上所述，配置在第2板構(gòu)件32上設(shè)置的開(kāi)口部32K中，露出上面301A。而且，基準(zhǔn)構(gòu)件300(光學(xué)構(gòu)件301)對(duì)于基片架PT可裝卸， 可更換?？稍诨鶞?zhǔn)構(gòu)件300和基片架PT上設(shè)置將基準(zhǔn)構(gòu)件300再次安裝在基片架PT的規(guī)定位置上時(shí)為了對(duì)于基片架PT使基準(zhǔn)構(gòu)件300定位而互相嵌合的凹凸或雌雄構(gòu)件。或者，也可在基準(zhǔn)構(gòu)件300與基片架PT中埋入磁鐵和被其吸引的材料，以便能用磁力使基準(zhǔn)構(gòu)件 300對(duì)于基片架PT定位?；蛘撸部捎谜婵瘴κ够鶞?zhǔn)構(gòu)件定位在基片架PT上。再有， 也可使用石英作為光學(xué)構(gòu)件301。在基準(zhǔn)構(gòu)件300與開(kāi)口部3 之間設(shè)置了例如約為0.3mm的間隙K。光學(xué)構(gòu)件 301 (基準(zhǔn)構(gòu)件300)的上面301A大致為平坦面，將基片P表面、板構(gòu)件30的表面30A和第 2板構(gòu)件32的表面32A設(shè)置成大致為同一面。第2板構(gòu)件32中的基準(zhǔn)構(gòu)件300附近的厚度減薄了，該厚度減薄了的厚度薄的部分32S中的基準(zhǔn)構(gòu)件300 —側(cè)的端部向下方彎曲形成了彎曲部32T。此外，在基片架PT 上形成了向上方突出的壁部310。壁部310對(duì)于基準(zhǔn)構(gòu)件300與彎曲部32T相比設(shè)置在外側(cè)，連續(xù)地形成為包圍基準(zhǔn)構(gòu)件300 (彎曲部32T)。而且，彎曲部32T的外側(cè)面32Ta與壁部 310的內(nèi)側(cè)面3IOA對(duì)置，彎曲部32T的內(nèi)側(cè)面32Tb與光學(xué)構(gòu)件301 (基準(zhǔn)構(gòu)件300)的側(cè)面 301B對(duì)置。光學(xué)構(gòu)件301的側(cè)面301B、彎曲部32T的內(nèi)側(cè)面32 和外側(cè)面32 、壁部310 的內(nèi)側(cè)面310A和上端面310B分別是平坦面。此外，包含第2板構(gòu)件32的彎曲部32T的厚度薄的部分32S與壁部310稍微地分離，在其間形成了規(guī)定的間隙。對(duì)光學(xué)構(gòu)件301的上面301A、側(cè)面301B中至少與彎曲部32T對(duì)置的區(qū)域、壁部310 的內(nèi)側(cè)面310A和上端面310B進(jìn)行疏液處理，使其呈疏液性。作為疏液處理，如上所述，可涂敷氟樹(shù)脂材料或丙烯酸樹(shù)脂材料等的疏液性材料等來(lái)進(jìn)行。此外，流入到第2板構(gòu)件32的彎曲部32T(壁部310)與基準(zhǔn)構(gòu)件301之間的空間 370中的液體1由回收部380回收。在本實(shí)施形態(tài)中，回收部380具備真空系統(tǒng)383 ；包含可容納液體1的容器的氣液分離器381 ；以及在基片架PT內(nèi)部設(shè)置的、連接空間370與氣液分離器381的流路382。對(duì)流路382的內(nèi)壁面也進(jìn)行了疏液處理。在上述的基準(zhǔn)構(gòu)件300中，可考慮在例如在其上面301A上形成了液體1的液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下進(jìn)行基準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)工作的結(jié)構(gòu)，而由于上面301A上呈疏液性，故在基準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)工作結(jié)束后，可良好地進(jìn)行上面301A上的液浸區(qū)域AR2的液體1的回收，可防止液體1殘留的不良情況。此外，由于光學(xué)構(gòu)件301的側(cè)面301B呈疏液性，同時(shí)與該側(cè)面301B 對(duì)置的彎曲部32T的內(nèi)側(cè)面32Tb也呈疏液性，故液體1難以侵入到間隙K中。因此，可防止液體1侵入到空間370中的不良情況。此外，即使假定液體1侵入到空間370中，也可利用回收部380良好地回收液體1。再者，即使液體1侵入到空間370中，由于壁部310的內(nèi)側(cè)面310A和上端面310B呈疏液性，同時(shí)與該壁部310對(duì)置的第2板構(gòu)件32 (彎曲部32T) 也呈疏液性，故可防止侵入到空間370中的液體1越過(guò)壁部310侵入到基片架PT內(nèi)部而產(chǎn)生銹蝕等的不良情況。這樣，壁部310具有作為防止液體1的擴(kuò)散的液體擴(kuò)散防止壁的功能。此外，在第2板構(gòu)件32與壁部310的間隙中，利用彎曲部32T形成了在剖面視圖中為彎曲的角部，由于該彎曲的角部起到密封部的功能，故能可靠地防止液體1對(duì)于基片架PT 內(nèi)部的侵入。而且，由于基準(zhǔn)構(gòu)件300(光學(xué)構(gòu)件301)可更換，故在其疏液性惡化了的情況下， 與板構(gòu)件30同樣，與新的(具有充分的疏液性的)基準(zhǔn)構(gòu)件300更換即可。再有，在使用基準(zhǔn)構(gòu)件300的情況下，由于對(duì)標(biāo)記部分局部地照射檢測(cè)光，故在基準(zhǔn)構(gòu)件300上預(yù)先形成了多個(gè)同一的基準(zhǔn)標(biāo)記，如果標(biāo)記部分的表面的疏液性惡化了，就可使用其它的基準(zhǔn)標(biāo)記，為了降低疏液性的惡化速度，也可在每次檢測(cè)中交替地使用這些標(biāo)記。由此，可減少基準(zhǔn)構(gòu)件300的更換頻度。由于包含使用與曝光波長(zhǎng)為同一的檢測(cè)光的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM的部分的疏液性的惡化快，故這樣做特別有效。圖15是示出在基片架PT上設(shè)置的照度不勻傳感器400的剖面圖。在圖15中，照度不勻傳感器400具備由石英玻璃等構(gòu)成的上板401和在上板401下設(shè)置的由石英玻璃等構(gòu)成的光學(xué)元件402。在本實(shí)施形態(tài)中，一體地設(shè)置了上板401和光學(xué)元件402。在以下的說(shuō)明中，將上板401和光學(xué)元件402合在一起適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為「光學(xué)構(gòu)件404」。此外，經(jīng)支撐部403在基片架PT上支撐了上板401和光學(xué)元件402。支撐部403具有包圍光學(xué)構(gòu)件404 的連續(xù)的壁部。照度不勻傳感器400如上所述，配置在第2板構(gòu)件32上設(shè)置的開(kāi)口部32L 中，露出上面401A。包含上板401和光學(xué)元件402的光學(xué)構(gòu)件404對(duì)于基片架PT可裝卸， 可更換?？稍诠鈱W(xué)構(gòu)件404和基片架PT上設(shè)置將光學(xué)構(gòu)件404再次安裝在基片架PT的規(guī)定位置上時(shí)為了對(duì)于基片架PT使光學(xué)構(gòu)件404定位而互相嵌合的凹凸或雌雄構(gòu)件。或者， 也可在光學(xué)構(gòu)件404與基片架PT中埋入磁鐵和被其吸引的材料，以便能用磁力使光學(xué)構(gòu)件 404對(duì)于基片架PT定位。或者，也可用真空吸引力使基準(zhǔn)構(gòu)件定位在基片架PT上。在上板401上設(shè)置了可通過(guò)光的針孔部470。此外，在上板401上的針孔部470以外的部分上設(shè)置了包含鉻等的遮光性材料的薄膜460。在本實(shí)施形態(tài)中，在針孔部470內(nèi)部也設(shè)置了由石英玻璃等構(gòu)成的光學(xué)構(gòu)件，由此，薄膜460與針孔部470為同一面，上面401A 成為平坦面。在光學(xué)構(gòu)件404的下方配置了接受通過(guò)了針孔部470的光的光傳感器450。在基片架PT上安裝了光傳感器450。光傳感器450對(duì)控制裝置CONT輸出受光信號(hào)。在此，用支撐部403、基片架PT和光學(xué)構(gòu)件404包圍的空間405是大致密閉的空間，液體1不侵入到空間405中。再有，也可在光學(xué)構(gòu)件404與光傳感器450之間配置光學(xué)系統(tǒng)(光學(xué)元件)。在包含光學(xué)構(gòu)件404和支撐部403的照度不勻傳感器400與開(kāi)口部32L之間，設(shè)置了例如約為0. 3mm的間隙L。照度不勻傳感器400的上面401A大致為平坦面，將基片P 表面、板構(gòu)件30的表面30A和第2板構(gòu)件32的表面32A設(shè)置成大致為同一面。第2板構(gòu)件32中的照度不勻傳感器400附近的厚度減薄了，該厚度減薄了的厚度薄的部分32S中的照度不勻傳感器400 —側(cè)的端部向下方彎曲形成了彎曲部32T。此外，在基片架PT上形成了向上方突出的壁部310。壁部310對(duì)于照度不勻傳感器400與彎曲部 32T相比設(shè)置在外側(cè)，連續(xù)地形成為包圍照度不勻傳感器400(彎曲部32T)。而且，彎曲部 32T的外側(cè)面32Ta與壁部310的內(nèi)側(cè)面310A對(duì)置，彎曲部32T的內(nèi)側(cè)面32Tb與照度不勻傳感器400的光學(xué)構(gòu)件404和支撐部403的側(cè)面401B對(duì)置。側(cè)面401B、彎曲部32T的內(nèi)側(cè)面32Tb和外側(cè)面32Ta、壁部310的內(nèi)側(cè)面310A和上端面310B分別是平坦面。此外，包含第2板構(gòu)件32的彎曲部32T的厚度薄的部分32S與壁部310稍微地分離，在其間形成了規(guī)定的間隙。對(duì)照度不勻傳感器400的上面401A、側(cè)面401B中至少與彎曲部32T對(duì)置的區(qū)域、 壁部310的內(nèi)側(cè)面310A和上端面310B進(jìn)行疏液處理，使其呈疏液性。作為疏液處理，如上所述，可涂敷氟樹(shù)脂材料或丙烯酸樹(shù)脂材料等的疏液性材料等來(lái)進(jìn)行。此外，流入到第2板構(gòu)件32的彎曲部32T (壁部310)與照度不勻傳感器400之間的空間470中的液體1由回收部480回收。在本實(shí)施形態(tài)中，回收部480具備真空系統(tǒng) 483 ；包含可容納液體1的容器的氣液分離器481 ；以及在基片架PT內(nèi)部設(shè)置的、連接空間470與氣液分離器481的流路482。對(duì)流路482的內(nèi)壁面也進(jìn)行了疏液處理。在上述的照度不勻傳感器400中，在例如在其上面401A上形成了液體1的液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下，在照射曝光光EL的照射區(qū)域(投影區(qū)域)內(nèi)的多個(gè)位置上依次使針孔部 470移動(dòng)。由于上面40IA呈疏液性，故在照度不勻檢測(cè)結(jié)束后，可良好地進(jìn)行上面40IA上的液浸區(qū)域AR2的液體1的回收，可防止液體1殘留的不良情況。此外，由于照度不勻傳感器400 (光學(xué)構(gòu)件404、支撐部40 的側(cè)面401B呈疏液性，同時(shí)與該側(cè)面401B對(duì)置的彎曲部32T的內(nèi)側(cè)面32Tb也呈疏液性，故液體1難以侵入到間隙L中。因此，可防止液體1侵入到空間470中的不良情況。此外，即使假定液體1侵入到空間470中，也可利用回收部480 良好地回收液體1。再者，即使液體1侵入到空間470中，由于壁部310的內(nèi)側(cè)面310A和上端面310B呈疏液性，同時(shí)與該壁部310對(duì)置的第2板構(gòu)件32 (彎曲部32T)也呈疏液性，故可防止侵入到空間470中的液體1越過(guò)壁部310侵入到基片架PT內(nèi)部而產(chǎn)生銹蝕等的不良情況。此外，在第2板構(gòu)件32與壁部310的間隙中，利用彎曲部32T形成了在剖面視圖中為彎曲的角部，由于該彎曲的角部起到密封部的功能，故能可靠地防止液體1對(duì)于基片架PT內(nèi)部的侵入。而且，由于光學(xué)構(gòu)件404可更換，故與板構(gòu)件30同樣，在其疏液性惡化了的情況下，與新的(具有充分的疏液性的)光學(xué)構(gòu)件404更換即可。再有，由于空間像檢測(cè)傳感器500具有與照度不勻傳感器400大致同等的結(jié)構(gòu)，故省略其詳細(xì)的說(shuō)明，但空間像檢測(cè)傳感器500也具有在基片架PT上經(jīng)支撐部支撐的上板和由光學(xué)元件構(gòu)成的光學(xué)構(gòu)件，在其上面501A上設(shè)置了可通過(guò)光的狹縫部570和覆蓋該狹縫部以外的部分的由遮光性材料構(gòu)成的薄膜。而且，在光學(xué)構(gòu)件下配置了接受通過(guò)了狹縫部 570的光的光傳感器。具有狹縫部570的光學(xué)構(gòu)件根據(jù)其疏液性的惡化可更換。再有，在參照上述的圖14、圖15已說(shuō)明的實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)使形成間隙K、L的構(gòu)件表面具有疏液性來(lái)防止液體1的侵入，但不限于檢測(cè)構(gòu)件或傳感器周?chē)拈g隙，通過(guò)使在基片架PT的上面存在的間隙同樣地具有疏液性，可防止液體1對(duì)該間隙的侵入。此外， 在間隙K、L中配置由樹(shù)脂等形成的密封構(gòu)件，可防止液體1的侵入，也可在間隙K、L中充填液體(例如真空油或磁性流體等)使之具有液體密封劑的功能來(lái)防止液體1的侵入。在該情況下，密封用的液體最好是難以在液體1中溶出的液體。當(dāng)然，也可合并使用這些防止液體侵入的對(duì)策。此外，沒(méi)有必要使在基片臺(tái)PST(基片架PT)上安裝的全部的檢測(cè)構(gòu)件(基準(zhǔn)構(gòu)件 300的光學(xué)構(gòu)件301、光學(xué)傳感器400的上板401、光學(xué)傳感器500的上板501等)的表面 (液體接觸面)呈疏液性，可只使這些表面的一部分具有疏液性。此外，在上述的實(shí)施形態(tài)中，在構(gòu)件表面的疏液性惡化了的情況下進(jìn)行更換，但也可在更換某一個(gè)構(gòu)件時(shí)，同時(shí)也更換更換時(shí)期接近的構(gòu)件。此外，為了更可靠地進(jìn)行液體(水)的回收，希望基片架PT的表面、即板構(gòu)件30 和第2板構(gòu)件32的表面、基準(zhǔn)構(gòu)件300等的表面的對(duì)于液體(水)的接觸角比80°大，最好大于等于100° (上述的四氟乙烯的對(duì)于液體(水)的接觸角約為110° )。此外，關(guān)于在基片P的表面上涂敷的感光材料(ArF曝光光用的光刻膠)，也希望使用對(duì)于液體(水)的接觸角比80°大的材料。當(dāng)然，在使用KrF準(zhǔn)分子激光作為曝光光的情況下，希望使用對(duì)于液體的接觸角比80°大的光刻膠作為KrF曝光光用的光刻膠。
在上述的具體例中例示了同時(shí)具備基片架、基準(zhǔn)構(gòu)件300、照度不勻傳感器400或空間像檢測(cè)傳感器500等的檢測(cè)工具的基片臺(tái)，但也可將本發(fā)明適用于保持基片并進(jìn)行曝光的臺(tái)和檢測(cè)用的臺(tái)不在一起的曝光裝置。即，本發(fā)明也可應(yīng)用于具備保持晶片等的被處理基片并可移動(dòng)的曝光臺(tái)和備有各種基準(zhǔn)構(gòu)件或檢測(cè)傳感器等的檢測(cè)構(gòu)件的檢測(cè)臺(tái)的曝光裝置。在該情況下，可將在上述的實(shí)施形態(tài)中在基片臺(tái)PST上配置了的基準(zhǔn)構(gòu)件或各種檢測(cè)傳感器中的至少一部分配置在檢測(cè)臺(tái)上。具備曝光臺(tái)和檢測(cè)臺(tái)的曝光裝置例如在特開(kāi)平11-13M00號(hào)公報(bào)中記載了，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。在本實(shí)施形態(tài)中，也可適用于安裝了 2個(gè)保持基片P的基片臺(tái)(基片架)的雙臺(tái)型的曝光裝置。雙臺(tái)型的曝光裝置的結(jié)構(gòu)和曝光工作，例如在特開(kāi)平10-163099號(hào)和特開(kāi)平 10-214783 號(hào)(對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利 6，341，007,6, 400，441,6, 549，269 和 6，590，634)、特表 2000-505958號(hào)(對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利5，969，441)或美國(guó)專(zhuān)利6，208，407中公開(kāi)了，只要在本國(guó)際申請(qǐng)中指定或選擇的國(guó)的法令中容許，引用這些文獻(xiàn)的記載內(nèi)容，作為本文的記載的一部分。〈第4實(shí)施形態(tài)〉圖16是應(yīng)用了本發(fā)明的雙臺(tái)型曝光裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。雙臺(tái)型曝光裝置具備可在共同的基座討上分別獨(dú)立地移動(dòng)的第1、第2基片臺(tái)PST1、PST2。第1、第2基片臺(tái)PST1、 PST2是具備用與圖1 15的關(guān)系說(shuō)明了的那樣的結(jié)構(gòu)和功能的基片臺(tái)，分別具有第1、第 2基片架PT1、PT2，在第1、第2基片架ΡΤ1、ΡΤ2上分別以可更換的方式設(shè)置了板構(gòu)件30和第2板構(gòu)件32。此外，雙臺(tái)型曝光裝置具有曝光工位STl和檢測(cè)、更換工位ST2，在曝光工位STl上設(shè)置投影光學(xué)系統(tǒng)PL，在檢測(cè)、更換工位ST2上安裝了基片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、聚焦、矯正檢測(cè)系統(tǒng)等(在圖16中未圖示)。而且，在曝光工位STl中在對(duì)在第1基片架PTl上保持的基片P進(jìn)行液浸曝光的期間內(nèi)，在檢測(cè)、更換工位ST2中對(duì)于第2基片臺(tái)PST2(第2基片架 PT2)與板構(gòu)件30 —起裝載、卸載基片P。此外，在檢測(cè)、更換工位ST2中，與曝光工位STl 中的液浸曝光并行地進(jìn)行第2基片臺(tái)PST2上的對(duì)于基片P的檢測(cè)工作(聚焦檢測(cè)工作、對(duì)準(zhǔn)工作)，在該檢測(cè)工作結(jié)束了后，第2基片臺(tái)PST2移動(dòng)到曝光工位ST2上，對(duì)第2基片臺(tái) PST上的基片P進(jìn)行液浸曝光處理。這樣，在雙臺(tái)型曝光裝置的情況下，由于在一個(gè)臺(tái)上的液浸曝光處理中，在另一個(gè)臺(tái)上不僅可進(jìn)行基片更換或檢測(cè)處理，而且可進(jìn)行板構(gòu)件30的更換，故可提高曝光處理的單位時(shí)間的產(chǎn)量。再有，在上述的各實(shí)施形態(tài)中，說(shuō)明了根據(jù)其疏液性來(lái)更換板構(gòu)件30等，但在例如因某種原因損傷了或污染了的情況下等，當(dāng)然也可根據(jù)疏液性的惡化以外的其它的理由來(lái)更換。例如，在板構(gòu)件30等在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)與液體1接觸的情況下，由于存在其表面的性能惡化、物質(zhì)溶出從而污染液體1的可能性，故也可考慮伴隨物質(zhì)溶出的板構(gòu)件30等的表面性能惡化來(lái)決定更換時(shí)期。在上述實(shí)施形態(tài)中，用螢石形成了光學(xué)元件2，但例如可使用該螢石的表面的結(jié)晶方位為(111)面的螢石。此外，在圖1中示出的光學(xué)元件2的前端部加、即與液體1接觸的部分中，可利用真空蒸鍍法形成氟化鎂(MgF2)膜作為由單層膜構(gòu)成的防止溶解膜?！吹?實(shí)施形態(tài)〉
如在上述的第1實(shí)施形態(tài)中已說(shuō)明的那樣，在基片臺(tái)PST上安裝了構(gòu)成照射量監(jiān)視器、照度不勻傳感器等的裝置的光學(xué)部件、空間像檢測(cè)裝置的指標(biāo)板、中間掩模的對(duì)準(zhǔn)時(shí)使用的基準(zhǔn)標(biāo)記(基準(zhǔn)構(gòu)件)的情況下，希望這些光學(xué)部件的光照射面(液體接觸面)具有疏液性。在不能完全地進(jìn)行照射量監(jiān)視器、照度不勻傳感器等的光照射面上的排水的情況下，存在不能準(zhǔn)確地進(jìn)行光照射量或光照度的檢測(cè)的危險(xiǎn)。此外，在不能完全地進(jìn)行空間像檢測(cè)裝置的指標(biāo)板上的排水的情況下，存在由于指標(biāo)板上的液體蒸發(fā)、指標(biāo)板的面形狀變化從而在由空間像檢測(cè)裝置進(jìn)行的檢測(cè)中產(chǎn)生誤差的可能性。此外，在不能完全地進(jìn)行基準(zhǔn)標(biāo)記上的排水的情況下，存在由于基準(zhǔn)標(biāo)記上的液體蒸發(fā)、基準(zhǔn)標(biāo)記的形狀變化從而不能準(zhǔn)確地進(jìn)行中間掩模對(duì)準(zhǔn)的可能性。因此，要求在基片臺(tái)上配置的光學(xué)部件的表面在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)具有疏水性。在該情況下，可考慮通過(guò)在光學(xué)部件的表面上涂敷非晶質(zhì)氟樹(shù)脂并形成薄膜來(lái)作成光學(xué)性能高的疏水性光學(xué)薄膜。即，非晶質(zhì)氟樹(shù)脂是樹(shù)脂中特別透明且紫外線透射率高的材料，而且，由于因樹(shù)脂表面上配位的-CF3鍵的緣故，是在有機(jī)物中顯示出最小的表面張力的樹(shù)脂，故是具有優(yōu)良的疏水性能的材料。但是，如果對(duì)在光學(xué)部件的表面上施加的疏水性光學(xué)薄膜在液浸狀態(tài)下照射能量高的紫外激光，則薄膜吸收的微量的光的能量變換為溫度，在比較短的期間內(nèi)薄膜膨脹，水侵入到膜中。在該情況下，如果氟樹(shù)脂薄膜與光學(xué)部件表面的密接性惡化，則膜剝離，對(duì)光學(xué)性能產(chǎn)生不良影響，由于疏水性能惡化，存在水滴殘留在基片臺(tái)上的危險(xiǎn)。一般來(lái)說(shuō)，已知如果使氟烷基硅烷那樣的偶合劑與光學(xué)部件表面反應(yīng)來(lái)形成粘接層并在其上形成氟樹(shù)脂薄膜，則可得到密接性良好的薄膜，但按照本發(fā)明者的調(diào)查，由于氟烷基硅烷吸收紫外激光而分解，故可知不能得到激光照射后的密接性。在本實(shí)施形態(tài)中，一邊參照附圖，一邊說(shuō)明適合于在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)可維持疏水性的液浸型投影曝光裝置的光學(xué)部件。圖19是示出在晶片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件的圖。圖20是示出在晶片臺(tái)上安裝的光學(xué)部件的結(jié)構(gòu)的圖。在圖19中示出的晶片臺(tái)609上安裝了用于監(jiān)視曝光光的照射量的照射量監(jiān)視器的光入射窗(光照射面)650和用于檢測(cè)曝光光的照度不勻的照度不勻傳感器的光入射窗 (光照射面)652等的光學(xué)部件。此外，安裝了進(jìn)行投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性等的檢測(cè)的空間像檢測(cè)裝置(AIS系統(tǒng))的指標(biāo)板(光照射面)6 和中間掩模的對(duì)準(zhǔn)時(shí)使用的基準(zhǔn)標(biāo)記 (FM)(光照射面)656等的光學(xué)部件。在此，如圖20中所示，利用石英玻璃660構(gòu)成照射量監(jiān)視器的光入射窗(光照射面)650(和照度不勻傳感器的光入射窗(光照射面)652)，在其表面上形成由二氧化硅(SiO2)形成的微粒子層(粘接微粒子層)662，在微粒子層的表面上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜664。此外，利用石英玻璃和在該石英玻璃的表面上形成的鉻(金屬)圖案構(gòu)成空間像檢測(cè)裝置(AIS系統(tǒng))的指標(biāo)板肪4和基準(zhǔn)標(biāo)記(FM)656，在其表面上形成由二氧化硅 (SiO2)形成的微粒子層(粘接微粒子層)，在微粒子層的表面上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜。按照與本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的光學(xué)部件，由形成粘接微粒子層的二氧化硅(SiO2)構(gòu)成的的微粒子層與基體材料的玻璃(主要成分SiO2)的親和性良好，可得到與基體材料的玻璃良好的密接性。此外，在表面上產(chǎn)生來(lái)源于粒子的直徑的凹凸。再者，二氧化硅等是紫外線透射率非常高的材料，其本身的激光照射耐久性也高。在本實(shí)施形態(tài)中，在形成了由二氧化硅(SiO2)構(gòu)成的微粒子層后在該微粒子層上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜。以非晶質(zhì)氟樹(shù)脂進(jìn)入二氧化硅等的微粒子的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。由于非晶質(zhì)氟樹(shù)脂本身的機(jī)械的強(qiáng)度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強(qiáng)度高。此外，因?yàn)樵诠庹丈涿嫔闲纬傻氖杷阅ぞ哂懈叩募す庹丈淠途眯?，故可在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)維持在投影曝光裝置上安裝的光學(xué)部件的光照射面的疏水性。此外，按照與本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的投影曝光裝置，由于在基片臺(tái)上安裝了可在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)維持光照射面的疏水性的光學(xué)部件，故即使在重復(fù)進(jìn)行液浸曝光的情況下，也能可靠地進(jìn)行光學(xué)部件的光照射面上的排水。再有，在上述的實(shí)施形態(tài)中，在光學(xué)部件的光照射面上形成了由用二氧化硅 (SiO2)構(gòu)成的微粒子層構(gòu)成的粘接微粒子層的基礎(chǔ)上形成了由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜，但也可在光照射面上代替二氧化硅(SiO2)形成了由氟化鎂(MgF2)或氟化鈣(CaF2)構(gòu)成的粘接微粒子層的基礎(chǔ)上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜?；蛘?，可混合或?qū)盈B二氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)和氟化鈣(CaF2)中的任意的二種來(lái)構(gòu)成粘接微粒子層，也可混合或?qū)盈B這些材料的三種來(lái)構(gòu)成粘接微粒子層。即使在該情況下，與在形成了由用二氧化硅(SiO2)構(gòu)成的微粒子層構(gòu)成的粘接微粒子層的基礎(chǔ)上形成了由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜的情況同樣，可作成在激光照射耐久性方面優(yōu)良的疏水性膜。此外，在上述的實(shí)施形態(tài)中，在光學(xué)部件(例如光入射窗650)的光照射面上形成了由用二氧化硅(SiO2)構(gòu)成的微粒子層構(gòu)成的粘接微粒子層的基礎(chǔ)上形成了由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜，但也可如圖21中所示，通過(guò)例如使用氟化氫(或?qū)⒎瘹淙芙庥谒臍浞?刻蝕由石英玻璃666形成的光照射面的表面來(lái)形成粘接面(刻蝕面)668，在粘接面668的表面上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜670。在該情況下，由于具有用在光照射面上使用氟化氫刻蝕了的刻蝕面構(gòu)成的粘接面，故如果在粘接面上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜，則以非晶質(zhì)氟樹(shù)脂進(jìn)入微粒子的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。 由于非晶質(zhì)氟樹(shù)脂本身的機(jī)械的強(qiáng)度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強(qiáng)度高。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，光照射面在基體材料玻璃和基體材料玻璃的表面的一部分上具有用于形成圖案的金屬膜(鉻等)，在其上形成了由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜， 但也可具有在基體材料玻璃和基體材料玻璃的整個(gè)面上形成的金屬膜，在其上形成由非晶質(zhì)氟樹(shù)脂構(gòu)成的疏水性膜。這樣的光學(xué)部件用作在監(jiān)視投影透鏡的透射率等時(shí)使用的高反射片。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，使用了以石英玻璃作為基體材料玻璃，但也可使用低膨脹的玻璃。以下，利用實(shí)施例具體地說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的光學(xué)部件的制造方法。實(shí)施例A通過(guò)利用照射超聲波的自動(dòng)清洗裝置清洗或通過(guò)用浸透乙醇的布等擦拭進(jìn)行成膜的光學(xué)部件(石英玻璃)的光照射面的表面，將表面清洗成高度清潔的表面。其次，在光學(xué)部件的表面上滴下相當(dāng)量的將平均粒徑為SOnm的MgF2的微粒子穩(wěn)定地分散在堿溶液中的涂液，用高速旋轉(zhuǎn)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷。干燥到涂液?jiǎn)适Я鲃?dòng)性為止后，從高速旋轉(zhuǎn)裝置取下光學(xué)部件，為了使涂液完全干燥，使其在約150°C的干燥爐中進(jìn)行1 2小時(shí)的干燥。進(jìn)而在冷卻到室溫的光學(xué)部件上滴下相當(dāng)量的溶解了非晶質(zhì)氟樹(shù)脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉(zhuǎn)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷。干燥到涂液?jiǎn)适Я鲃?dòng)性為止后，從高速旋轉(zhuǎn)裝置取下光學(xué)部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°C的干燥爐中進(jìn)行1 2小時(shí)的干燥。利用上述的工序，制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有 MgF2膜和非晶質(zhì)氟樹(shù)脂膜的光學(xué)部件。實(shí)施例B通過(guò)利用照射超聲波的自動(dòng)清洗裝置清洗或通過(guò)用浸透乙醇的布等擦拭進(jìn)行成膜的光學(xué)部件(石英玻璃)的光照射面的表面，將表面清洗成高度清潔的表面。其次，在光學(xué)部件的表面上滴下相當(dāng)量的將平均粒徑為SOnm的SW2的微粒子穩(wěn)定地分散在堿溶液中的涂液，用高速旋轉(zhuǎn)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷。干燥到涂液?jiǎn)适Я鲃?dòng)性為止后，從高速旋轉(zhuǎn)裝置取下光學(xué)部件，為了使涂液完全干燥，使其在約150°C的干燥爐中進(jìn)行 1 2小時(shí)的干燥。進(jìn)而在冷卻到室溫的光學(xué)部件上滴下相當(dāng)量的溶解了非晶質(zhì)氟樹(shù)脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉(zhuǎn)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷。干燥到涂液?jiǎn)适Я鲃?dòng)性為止后，從高速旋轉(zhuǎn)裝置取下光學(xué)部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°C的干燥爐中進(jìn)行1 2小時(shí)的干燥。利用上述的工序，制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有 SiO2膜和非晶質(zhì)氟樹(shù)脂膜的光學(xué)部件。實(shí)施例C在將高精度地研磨到約0. 2nmRMS的粗糙度的光學(xué)部件(石英玻璃)的表面在5 秒間浸漬于稀釋為5%的氫氟酸中后，用純水洗涮氫氟酸，用浸透乙醇的布等擦拭。在該表面上滴下相當(dāng)量的溶解了非晶質(zhì)氟樹(shù)脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉(zhuǎn)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷。干燥到涂液?jiǎn)适Я鲃?dòng)性為止后，從高速旋轉(zhuǎn)裝置取下光學(xué)部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°C的干燥爐中進(jìn)行1 2小時(shí)的干燥。利用上述的工序， 制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有非晶質(zhì)氟樹(shù)脂膜的光學(xué)部件。比較例通過(guò)利用照射超聲波的自動(dòng)清洗裝置清洗或通過(guò)用浸透乙醇的布等擦拭進(jìn)行成膜的光學(xué)部件(石英玻璃)的光照射面的表面，將表面清洗成高度清潔的表面。其次，滴下相當(dāng)量的溶解了非晶質(zhì)氟樹(shù)脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉(zhuǎn)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷。干燥到涂液?jiǎn)适Я鲃?dòng)性為止后，從高速旋轉(zhuǎn)裝置取下光學(xué)部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°c的干燥爐中進(jìn)行1 2小時(shí)的干燥。利用上述的工序，制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有非晶質(zhì)氟樹(shù)脂膜的光學(xué)部件。(剝離測(cè)試)對(duì)于用上述的實(shí)施例A C和比較例得到的光學(xué)部件，進(jìn)行了使用透明絞帶的剝離測(cè)試(帶測(cè)試)。關(guān)于帶測(cè)試，使用寬度為18mm的二 ★ 〃 >株式會(huì)社的透明絞帶，在粘貼帶時(shí)，用手指用力地抹平3次，通過(guò)迅速地垂直地剝離，判斷了膜的剝離的程度。將在各例子中得到的光學(xué)部件作為樣品，各準(zhǔn)備3個(gè)樣品，分別進(jìn)行了測(cè)試。作為評(píng)價(jià)值的基準(zhǔn)，將在疏水層中有大于等于Φ5πιπι的剝離的情況定為「發(fā)生剝離」，將除此以外的情況定為「沒(méi)有剝離」。3/3表示3個(gè)樣品中都剝離了。(試驗(yàn)結(jié)果)實(shí)施例B 實(shí)施例C
說(shuō)明書(shū)
權(quán)利要求
1.一種經(jīng)液體對(duì)基片照射曝光光以對(duì)上述基片曝光的曝光裝置，其特征在于 具備將圖案的像投影在上述基片上的投影光學(xué)系統(tǒng)； 用于保持上述基片的基片臺(tái)；以及在上述基片臺(tái)以可裝卸的方式設(shè)置、具有其表面與由該基片臺(tái)保持的上述基片表面大致為同一面的平坦部的構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1中所述的曝光裝置，其特征在于 上述構(gòu)件其表面的至少一部分具有疏液性。
3.如權(quán)利要求2中所述的曝光裝置，其特征在于 上述構(gòu)件是根據(jù)其疏液性的惡化來(lái)更換。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于 在上述基片的周?chē)渲昧松鲜銎教共俊?br> 5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于 具備用于對(duì)上述基片臺(tái)裝卸上述構(gòu)件的裝卸機(jī)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5中所述的曝光裝置，其特征在于上述裝卸機(jī)構(gòu)可將上述構(gòu)件與上述基片一起從上述基片臺(tái)取下。
7.如權(quán)利要求2或3中所述的曝光裝置，其特征在于 上述構(gòu)件的至少其疏液性部分由聚四氟乙烯形成。
8.一種器件制造方法，其特征在于使用權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的曝光裝置。
9.一種經(jīng)投影光學(xué)系統(tǒng)和液體在基片上照射曝光光以對(duì)上述基片進(jìn)行液浸曝光的曝光方法，其特征在于用基片保持構(gòu)件保持上述基片，上述基片保持構(gòu)件在上述基片的周?chē)哂衅浔砻媾c該基片表面大致為同一面的平坦部， 將保持上述基片的上述基片保持構(gòu)件運(yùn)入到基片載臺(tái)上， 對(duì)運(yùn)入到上述基片載臺(tái)上的上述基片進(jìn)行液浸曝光，在上述液浸曝光結(jié)束后，從上述基片載臺(tái)運(yùn)出保持上述基片的上述基片保持構(gòu)件。
10.如權(quán)利要求9中所述的曝光方法，其特征在于 上述基片保持構(gòu)件的平坦部的表面呈疏液性。
11.一種器件制造方法，其特征在于 使用權(quán)利要求9或10中所述的曝光方法。
12.—種經(jīng)液體對(duì)基片照射曝光光以對(duì)上述基片曝光的曝光裝置，其特征在于 具備將圖案的像投影在上述基片上的投影光學(xué)系統(tǒng)； 可相對(duì)上述投影光學(xué)系統(tǒng)移動(dòng)的移動(dòng)載臺(tái)；以及在上述移動(dòng)載臺(tái)上以可裝卸的方式設(shè)置、具有使該移動(dòng)載臺(tái)的上面全面為大致同一面的平坦部的構(gòu)件。
13.如權(quán)利要求12中所述的曝光裝置，其特征在于移動(dòng)載臺(tái)具有保持上述基片的基片載臺(tái)和檢測(cè)載臺(tái)的至少一個(gè)。
14.如權(quán)利要求12或13中所述的曝光裝置，其特征在于 上述移動(dòng)載臺(tái)具有多個(gè)載臺(tái)。
15.如權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于 上述構(gòu)件，其至少一部分具有疏液性，根據(jù)其疏液性的惡化來(lái)更換。
16.如權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于上述移動(dòng)載臺(tái)具備保持上述構(gòu)件的保持部和在上述保持部上以可裝卸的方式安裝上述構(gòu)件的吸附裝置。
17.如權(quán)利要求16中所述的曝光裝置，其特征在于 上述移動(dòng)載臺(tái)包含保持上述基片的基片載臺(tái)，上述構(gòu)件是具有與上述基片的背面對(duì)置的第1面和沿上述基片的表面在該基片外側(cè)延伸的第2面的臺(tái)階狀構(gòu)件。
18.如權(quán)利要求17中所述的曝光裝置，其特征在于 至少上述第2面具有疏液性。
19.如權(quán)利要求17中所述的曝光裝置，其特征在于還具備具有沿上述基片的表面在上述構(gòu)件外側(cè)延伸的第3面且與上述構(gòu)件嵌合的外部構(gòu)件，至少上述第3面具有疏液性。
20.如權(quán)利要求17中所述的曝光裝置，其特征在于上述移動(dòng)載臺(tái)具備使上述構(gòu)件相對(duì)上述保持部升降的升降裝置。
21.如權(quán)利要求20中所述的曝光裝置，其特征在于上述升降裝置在上述構(gòu)件支撐上述基片的狀態(tài)下使上述構(gòu)件從上述保持部上升。
22.如權(quán)利要求17中所述的曝光裝置，其特征在于上述基片載臺(tái)具有支撐上述基片的背面的緣部的支撐部、沿上述基片的表面在上述基片外側(cè)延伸的平坦部、和與該平坦部連接且比該平坦部高的側(cè)壁的基片托。
23.如權(quán)利要求22中所述的曝光裝置，其特征在于 上述基片載臺(tái)具備放置上述基片托的基片臺(tái)，上述基片托與上述基片臺(tái)分別具有互相連通的流路。
24.如權(quán)利要求12中所述的曝光裝置，其特征在于上述構(gòu)件于至少一部分具有疏液性，該具有疏液性的部分由氟化物形成。
25.如權(quán)利要求12中所述的曝光裝置，其特征在于上述構(gòu)件包含搭載于上述移動(dòng)載臺(tái)的光學(xué)傳感器的至少一部分。
26.如權(quán)利要求25中所述的曝光裝置，其特征在于 上述光學(xué)傳感器的至少一部分的光照射面呈疏液性。
27.如權(quán)利要求12中所述的曝光裝置，其特征在于 上述移動(dòng)載臺(tái)包含保持上述基片的基片載臺(tái)，上述構(gòu)件在由上述基片載臺(tái)保持的上述基片的周?chē)纬善教姑妗?br> 28.如權(quán)利要求27中所述的曝光裝置，其特征在于由上述基片載臺(tái)保持的基片的表面與其周?chē)钠教姑娲笾聻橥幻妗?br> 29.一種器件制造方法，其特征在于使用權(quán)利要求12至18中任一項(xiàng)所述的曝光裝置。
全文摘要
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種曝光裝置、曝光方法和器件制造方法。曝光裝置(EX)是經(jīng)投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)和液體(1)將曝光光(EL)照射到基片(P)上以對(duì)基片(P)進(jìn)行曝光的裝置。該曝光裝置(EX)具有用于保持該基片(P)的基片臺(tái)(PT)。將具有疏液性的平坦面(30A)的板構(gòu)件(30)以可更換的方式安裝到上述基片臺(tái)(PT)上，以防止液體殘留，維持良好的曝光精度。
文檔編號(hào)H01L21/027GK102163004SQ20111008947
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2004年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月3日
發(fā)明者蛭川茂, 長(zhǎng)坂博之, 高巖宏明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康