專利名稱：薄膜晶體管陣列基板、彩膜基板、制作方法和顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體管制造領(lǐng)域，尤其涉及ー種薄膜晶體管陣列基板、薄膜晶體管陣列基板制作方法，彩膜基板、彩膜基板的制作方法，以及顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)以其低電壓、低功耗、適宜于電路集成、輕巧便攜等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛的研究與應(yīng)用，液晶顯示技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了扭曲向列(TN-IXD)、超扭曲向列(STN-IXD)和薄膜晶體管陣列(TFT-IXD)三個(gè)重要的發(fā)展階段，其中，TFT-LCD是由薄膜晶體管(TFT)基板和彩膜基板對(duì)盒形成的。
如圖I所示，為薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，該薄膜晶體管陣列基板包括ー組柵極掃描線(Gateline)和與之垂直的一組數(shù)據(jù)掃描線(Dateline)，為了避免柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線直接接觸造成短接的問題，柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃面線位于不同層面，使數(shù)據(jù)掃描線位于柵極掃描線的上層，相鄰的兩條柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線構(gòu)成的區(qū)域稱之為像素區(qū)域。為了直觀地看出薄膜晶體管陣列基板中柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的位置關(guān)系，圖I所示的薄膜晶體管陣列基板中只示出柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線以及其位置關(guān)系，而省略了薄膜晶體管陣列基板中的其他部分，如像素電極、公共電極等。從圖I中可以看出，構(gòu)成ー個(gè)像素區(qū)域的兩條柵極掃描線和與之垂直的兩條數(shù)據(jù)掃描線有4個(gè)交疊處，在每個(gè)交疊處，柵極掃描線和垂直的數(shù)據(jù)掃描線之間僅有ー層?xùn)艠O絕緣層(GI Layer)。在薄膜晶體管上電運(yùn)行的過程中，柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的交疊處容易被靜電擊穿，造成柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線短接，進(jìn)而產(chǎn)生亮線不良的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供ー種薄膜晶體管陣列基板、彩膜基板、制作方法和顯示設(shè)備，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線交疊處由于靜電擊穿，導(dǎo)致柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線短接的問題。ー種薄膜晶體管陣列基板，包括形成在所述陣列基板上的柵極掃描線；形成在所述陣列基板上分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線。一種彩膜基板,包括底基板； 形成在所述底基板之上的數(shù)據(jù)傳輸線。ー種薄膜晶體管陣列基板制作方法，所述方法包括在所述陣列基板上沉積金屬層，形成柵極掃描線；在形成柵極掃描線的所述陣列基板上沉積金屬層，形成分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線。
一種彩膜基板制作方法，所述方法包括在彩膜基板的底基板上沉積金屬薄膜；在底基板上形成的具有傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)能力的數(shù)據(jù)傳輸線。ー種顯示設(shè)備，包括形成在薄膜晶體管陣列基板上的柵極掃描線；形成在薄膜晶體管陣列基板上分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線；彩膜基板的底基板；形成在所述底基板之上的數(shù)據(jù)傳輸線。本發(fā)明有益效果如下本發(fā)明實(shí)施例的方案設(shè)計(jì)的陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線不直接與柵極掃描線交疊，而是在一條柵極掃描線兩側(cè)設(shè)計(jì)兩條與柵極掃描線不相交的數(shù)據(jù)掃描線，避免了柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的交疊處被靜電擊穿后出現(xiàn)短接的問題，同時(shí)，利用彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線跨過柵極掃描線，導(dǎo)通柵極掃描線兩側(cè)的數(shù)據(jù)掃描線，使一條數(shù)據(jù)掃描線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)通過彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線引入另一條數(shù)據(jù)掃描線，保證了通過數(shù)據(jù)掃描線傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的連續(xù)性。


圖I為背景技術(shù)中薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一在薄膜晶體管陣列基板的金球處，以垂直于數(shù)據(jù)掃描線的方向剖面的示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例ニ薄膜晶體管陣列基板制作方法示意圖。
具體實(shí)施例方式為了克服柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的交疊處被靜電擊穿后出現(xiàn)短接的問題，本發(fā)明實(shí)施例提出ー種新型的薄膜晶體管陣列基板以及彩膜基板，使數(shù)據(jù)掃描線不直接與柵極掃描線交疊，而是將傳統(tǒng)的一條數(shù)據(jù)掃描線斷開為兩條數(shù)據(jù)掃描線，這兩條數(shù)據(jù)掃描線設(shè)計(jì)在柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的位置，為了保證通過數(shù)據(jù)掃描線傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的連續(xù)性，利用彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線跨過柵極掃描線，導(dǎo)通柵極掃描線兩側(cè)的數(shù)據(jù)掃描線，使一條數(shù)據(jù)掃描線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)通過彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線引入另一條數(shù)據(jù)掃描線，在確保數(shù)據(jù)信號(hào)的正常傳輸?shù)那闆r下，避免了柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的交疊處被靜電擊穿后出現(xiàn)短接的問題。需要說明的是，在圖I所示的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖中，只示意出兩條柵極掃描線和兩條數(shù)據(jù)掃描線的交疊情況，為了簡(jiǎn)化描述，本發(fā)明實(shí)施例以解決一條柵極掃描線和一條數(shù)據(jù)掃描線的交疊處易被靜電擊穿的問題為目的，來描述本發(fā)明實(shí)施例的方案，顯然，本發(fā)明實(shí)施例的方案可以推廣到形成ー組(包括多條)柵極掃描線以及ー組(包括多條)數(shù)據(jù)掃描線的薄膜晶體管陣列基板中。下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的方案進(jìn)行詳細(xì)描述。
實(shí)施例一由于本發(fā)明實(shí)施例一中薄膜晶體管陣列基板中，利用彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線跨過柵極掃描線，來導(dǎo)通陣列基板上柵極掃描線兩側(cè)的兩條數(shù)據(jù)掃描線的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸，因此，本實(shí)施例一中的薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板對(duì)盒設(shè)置，下面分別對(duì)薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板加以說明。本發(fā)明中的數(shù)據(jù)掃描線為不連續(xù)的斷開的獨(dú)立金屬線，且不與柵極掃描線相交，最大程度上避免了靜電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，提高了良率。如圖2所示，為薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，在陣列基板上形成一條柵極掃描線11，在柵極掃描線11的兩側(cè)分別有兩條數(shù)據(jù)掃描線12，從圖2中可以看出，兩條數(shù)據(jù)掃 描線12分別垂直于柵極掃描線11，且每條數(shù)據(jù)掃描線12都不與柵極掃描線11相交。需要說明的是，本實(shí)施例并不限定數(shù)據(jù)掃描線12與柵極掃描線11之間的間隔，該間隔設(shè)定稍大或稍小都不影響本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)，但該間隔的大小應(yīng)適應(yīng)于彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線的長(zhǎng)度。在陣列基板的柵極掃描線11上還形成有源層13 (Active Layer)、源/漏(S/D)電極14，以及在數(shù)據(jù)掃描線12上形成源/漏電極14。在柵極掃描線11的源/漏電極14處形成過孔(Via Hole) 15，以及，在數(shù)據(jù)掃描線12上形成絕緣層,在絕緣層上也形成過孔(Via Hole) 15。需要說明的是，本實(shí)施例中涉及的過孔可以是圓形孔狀結(jié)構(gòu)，也可以變形為槽或其他結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行以上處理后的陣列基板上形成像素電極(圖2中未示出)，得到初步處理后可用的陣列基板。在初步處理后可用的陣列基板中，柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12之間沒有交疊處，也就是說，在由柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12構(gòu)成的像素區(qū)域中，一條數(shù)據(jù)掃描線12只在一個(gè)像素區(qū)域中傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，若數(shù)據(jù)信號(hào)需要跨過一條柵極掃描線11，則數(shù)據(jù)信號(hào)只能通過外接的其他線路傳輸至另一個(gè)像素區(qū)域中的數(shù)據(jù)掃描線12，避免了柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12出現(xiàn)短接的情況。上述對(duì)本實(shí)施例一的陣列基板的說明只描述了與本發(fā)明目的有關(guān)的特點(diǎn)，而本發(fā)明實(shí)施例一中的陣列基板也同樣具有傳統(tǒng)的陣列基板中的エ藝部分，如在基板上還有公共電極；在所述柵極掃描線之上還形成有柵電極絕緣層；在柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的交匯處還形成有薄膜晶體管，薄膜晶體管的源電極和數(shù)據(jù)掃描線電連接；在柵電極絕緣層、數(shù)據(jù)掃描線及薄膜晶體管之上還形成有鈍化層，并在薄膜晶體管的漏電極之上形成鈍化層過孔或溝槽；另外，在鈍化層上還形成有像素電極，像素電極通過鈍化層過孔或溝槽與所述薄膜晶體管的漏電極連接。本實(shí)施例一中的陣列基板上，柵極掃描線、數(shù)據(jù)掃描線、薄膜晶體管的源電極和漏電極、公共電極為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鑰及鋁鎳之一或任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。柵電極絕緣層的材料為氮化硅、ニ氧化硅或氧化鋁等。像素電極的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅等。在對(duì)陣列基板進(jìn)行處理后，還需要對(duì)彩膜基板進(jìn)行處理，在彩膜基板的底基板上形成數(shù)據(jù)傳輸線，完成對(duì)彩膜基板的初歩處理。本實(shí)施例一中所述的數(shù)據(jù)傳輸線是彩膜基板上的具有傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)能力的金屬線，或是由金屬氧化物為材料制成的數(shù)據(jù)傳輸線，如由氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, HO)制成的數(shù)據(jù)傳輸線，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)數(shù)據(jù)傳輸線的材質(zhì)不做特別限定。彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線可以為跨越柵極掃描線的不連續(xù)金屬線，也可以為從第一個(gè)像素起，到最后ー個(gè)像素為止的連續(xù)金屬線。當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸線為不連續(xù)金屬線時(shí)，一條數(shù)據(jù)傳輸線的兩端通過金球分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連，用于將ー條數(shù)據(jù)掃描線輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)引入另一條數(shù)據(jù)掃描線。當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸線為連續(xù)金屬線時(shí)，數(shù)據(jù)掃描線通過金球與數(shù)據(jù)傳輸線直接連接。本實(shí)施例中，除了使用金球?qū)?shù)據(jù)傳輸線與數(shù)據(jù)掃描線導(dǎo)通外，還可以使用諸如導(dǎo)電隔墊物等其他導(dǎo)電體來導(dǎo)通數(shù)據(jù)傳輸線與數(shù)據(jù)掃描線。
上述對(duì)本實(shí)施例一的彩膜基板的說明只描述了與本發(fā)明目的有關(guān)的特點(diǎn)，而本發(fā)明實(shí)施例一中的彩膜基板也同樣具有傳統(tǒng)的彩膜基板中的エ藝部分，如形成在所述數(shù)據(jù)傳輸線之上的黑矩陣(BM);形成在所述數(shù)據(jù)傳輸線和黑矩陣之上的像素樹脂，包括紅、緑、藍(lán)三原色；形成在所述像素樹脂、黑矩陣和數(shù)據(jù)傳輸線之上的公共電極；形成在相鄰像素樹脂的交匯區(qū)的柱狀隔墊物等。在陣列基板和彩膜基板都完成初步處理后，要通過諸如金球(AU Ball)等導(dǎo)電體將陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線和彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線相連，其連接結(jié)構(gòu)為第一個(gè)金球16的一端通過第一條數(shù)據(jù)掃描線12上絕緣層的過孔15形成的通道與第一條數(shù)據(jù)掃描線12連接上，第一金球16的另一端與彩膜基板上數(shù)據(jù)傳輸線的一段相連；彩膜基板上數(shù)據(jù)傳輸線的另一端與第二個(gè)金球16的一端相連,第二個(gè)金球16的另一端與通過第二條數(shù)據(jù)掃描線12上絕緣層的過孔15形成的通道與第二條數(shù)據(jù)掃描線12連接上。若以圖2所示的情形，在一條數(shù)據(jù)掃描線的過孔處有4個(gè)金球，則柵極掃描線11兩側(cè)的8個(gè)金球分別按照上述形式，將數(shù)據(jù)掃描線和彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線連接在一起。此時(shí)，第一條數(shù)據(jù)掃描線11輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線的一端，再由彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線的另一端將數(shù)據(jù)信號(hào)引入第二條數(shù)據(jù)掃描線11，確保數(shù)據(jù)信號(hào)的正確傳輸。如圖3所示，為彩膜基板和陣列基板對(duì)盒設(shè)置后，在薄膜晶體管陣列基板的金球處，以垂直于數(shù)據(jù)掃描線的方向剖面的示意圖，從圖3中可以看出，彩膜基板和陣列基板對(duì)盒設(shè)置后，彩膜基板在上層，陣列基板在下層，在圖3中，彩膜基板的最上層是底基板，第二層是彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線。彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線與陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線之間通過金球相連，因此，圖3中金球的頂部與彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線接觸，底部與陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線接觸。由于彩膜基板和陣列基板對(duì)盒設(shè)置，因此，彩膜基板上有黑矩陣(BMLayer)，位于彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線上與金球不接觸的地方；陣列基板上有絕緣層(PVX)，位于陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線上與金球不接觸的地方，而在陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線下是柵極絕緣層(GI Layer)。需要說明的是，由于本發(fā)明實(shí)施例中柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12之間的位置關(guān)系決定了柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12不存在交疊處，因此，柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12之間可以沒有柵極絕緣層，而是將柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12制作在陣列基板的同一層面上；當(dāng)然，柵極掃描線11和數(shù)據(jù)掃描線12也可以位于不同層面上，在柵極掃描線11上形成柵極絕緣層，所述數(shù)據(jù)掃描線12位于柵極絕緣層之上的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例ー的圖2、圖3描述的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的ー種典型結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不限于這ー種結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的發(fā)明思想可以應(yīng)用到其他柵極掃描線與數(shù)據(jù)掃描線有交疊的結(jié)構(gòu)中，將與柵極掃描線交疊的數(shù)據(jù)掃描線斷開，使柵極掃描線與數(shù)據(jù)掃描線不交疊，進(jìn)而通過導(dǎo)電體將數(shù)據(jù)掃描線與彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線相連，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)在數(shù)據(jù)掃描線中傳輸?shù)哪康募纯尚枰f明的是，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的改進(jìn)在于對(duì)數(shù)據(jù)掃描線的形狀改變以及將數(shù)據(jù)掃描線與彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線相連，而對(duì)于薄膜晶體管陣列基板的其他エ藝部分沒有改變，因此，圖2、圖3中僅示出與本發(fā)明的改進(jìn)有關(guān)的エ藝部分，而省略了其他沒有改進(jìn)的エ藝部分，但省略的其他エ藝部分仍以其現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)以及在陣列基板和彩膜基板上的位置存在。實(shí)施例ニ本發(fā)明實(shí)施例ニ還提供一種與實(shí)施例ー屬于同一發(fā)明構(gòu)思下的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，如圖4所示，所述方法包括以下步驟步驟101 :在陣列基板上沉積金屬層，形成柵極掃描線。本步驟可以使用磁控濺射方式，在陣列基板上制備ー層厚度在1000埃至7000埃的柵金屬薄膜，用柵極掩模板通過曝光エ藝和化學(xué)腐蝕エ藝，在陣列基板的一定區(qū)域上形成柵極掃描線、柵電極和公共電極的圖案。所述柵金屬薄膜的材料通過使用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬、也可以使用上述幾種金屬材料的組合。上述步驟101可以使用目前可用的其他形成柵極掃描線的方案。步驟102 :在形成柵極掃描線的陣列基板上沉積金屬層，形成分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線。在陣列基板上形成柵極掃描線后，利用化學(xué)氣相沉積的方法在陣列基板上連續(xù)沉積1000埃至6000埃的柵電極絕緣層和1000埃至6000埃的非晶硅薄膜，并通過光刻エ藝和化學(xué)腐蝕エ藝，在所述柵電極上形成有源層及其上方的溝道。然后，在陣列基板上沉積類似于柵金屬的厚度在1000埃至7000埃的金屬層，通過對(duì)源/漏極的掩模板的曝光、顯影エ藝的設(shè)計(jì)，定位數(shù)據(jù)掃描線在陣列基板上的位置和形狀為數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸流向上的兩條數(shù)據(jù)掃描線位于柵極掃描線的兩側(cè)，與柵極掃描線垂直但不相交。另外，通過通過源/漏極的掩模板在一定區(qū)域上形成源/漏電極，還形成擋光條和公共電極，其中部分源電極和部分漏電極搭接在有源層上。本步驟在形成數(shù)據(jù)掃描線時(shí)，可以在形成柵極掃描線的陣列基板上形成柵極絕緣層，之后再柵極絕緣層上再形成數(shù)據(jù)掃描線；或是在形成柵極掃描線的陣列基板上不形成柵極絕緣層，而是在與柵極掃描線同一層面上形成數(shù)據(jù)掃描線。步驟103 :在形成數(shù)據(jù)掃描線的陣列基板上沉積非金屬絕緣層，形成數(shù)據(jù)掃描線上絕緣層，所述絕緣層上有過孔。本步驟是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的優(yōu)選步驟。在本步驟中，在形成數(shù)據(jù)掃描線的陣列基板上沉積非金屬絕緣層(如鈍化層)，通過鈍化層的掩模板，利用曝光和刻蝕エ藝形成數(shù)據(jù)掃描線上絕緣層以及絕緣層上的過孔，以及漏電極的過孔。在對(duì)陣列基板進(jìn)行上述步驟101和步驟103的エ藝后，可以在陣列基板上沉積透明像素電極，通過光刻エ藝和化學(xué)腐蝕エ藝形成像素電極。本發(fā)明實(shí)施例ニ的彩膜基板可以通過以下エ藝制造首先，在底基板上沉積類似于柵金屬的厚度在1000埃至7000埃的金屬層，通過對(duì)掩模板的曝光、顯影エ藝的設(shè)計(jì)，形成數(shù)據(jù)傳輸線。然后，使用化學(xué)汽相沉積方法，在形成數(shù)據(jù)傳輸線的基板上制備ー層厚度在Ium至5um的黑矩陣層。黑矩陣材料通常可以采用鉻或氧化鉻組合構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以使 用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。用掩模版通過曝光エ藝和化學(xué)刻蝕エ藝，在玻璃基板的一定區(qū)域上形成黑矩陣。接下來，利用涂敷分散法在底基板上涂敷Ium到5um的紅色像素樹脂層。像素樹脂層材料通常是丙稀酸類感光性樹脂或其他羧酸型色素顏料樹脂。然后通過曝光エ藝和化學(xué)顯影エ藝，在玻璃基板的一定區(qū)域上形成紅色像素。接著，采用和制備紅色像素類似的方法，利用涂敷分散法在底基板上涂敷Ium到5um的緑色和藍(lán)色像素樹脂層，然后通過曝光エ藝和化學(xué)顯影エ藝，在玻璃基板的一定區(qū)域上形成綠色像素和藍(lán)色像素。隨后，在整個(gè)底基板上沉積ー層公共電極層。此公共電極為透明電極，厚度在1000人至5000人之間。最后，采用與黑矩陣層形成相類似的方法，在底基板上沉積ー層柱狀隔墊物層，使用透明電極的掩模版，通過光刻エ藝，最終形成柱狀隔墊物。柱狀隔墊物直徑在IOum至20um,高度在2um至5um。在制作得到陣列基板和彩膜基板后，將彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線兩端通過導(dǎo)電體分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連，具體地，可以將彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線兩端分別與導(dǎo)電體相連，所述導(dǎo)電體再通過數(shù)據(jù)掃描線上的過孔分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連。本發(fā)明實(shí)施例ニ的陣列基板和彩膜基板制作方法也可以有其他實(shí)現(xiàn)方式，如采用不同次數(shù)的光科技術(shù)，或是選擇不同材料或材料組合實(shí)現(xiàn)，TFT-LCD器件的結(jié)構(gòu)可以有各種修改和變形。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例三還提供一種制備薄膜晶體管陣列基板的制作系統(tǒng)，包括用于在陣列基板上沉積金屬層，形成柵極掃描線的部件；用于在形成柵極掃描線的陣列基板上沉積金屬層，進(jìn)而形成分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線的部件。進(jìn)ー步地，還包括用于將彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線兩端通過導(dǎo)電體分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連的部件。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例三中的制作系統(tǒng)可以是各種能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)施例二方法的エ藝部件，包括但不限于目前常規(guī)的薄膜晶體管陣列基板的制備部件(如掩模板、光刻エ藝設(shè)備等)。與目前常規(guī)的薄膜晶體管陣列基板的制備部件不同的是，本發(fā)明實(shí)施例三中的制作系統(tǒng)中形成數(shù)據(jù)掃描線的部件所形成的數(shù)據(jù)掃描線，是分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線，而現(xiàn)有技術(shù)中形成的數(shù)據(jù)掃描線是與柵極掃描線有交疊的數(shù)據(jù)掃描線。且本發(fā)明實(shí)施例三中的制作系統(tǒng)中還具有將彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線兩端通過導(dǎo)電體分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連的部件。本發(fā)明實(shí)施例三還提供一種彩膜基板的制作系統(tǒng)，包括用于在彩膜基板的底基板上沉積金屬薄膜，形成的具有傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)能力的數(shù)據(jù)傳輸線的部件。進(jìn)ー步地,還包括用于將數(shù)據(jù)傳輸線的兩端通過導(dǎo)電體分別與薄膜晶體管陣列基板上的兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連的部件。實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例四還提供ー種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括本發(fā)明實(shí)施例一至實(shí)施例 三涉及的薄膜晶體管陣列基板和對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板。具體地,顯示設(shè)備包括形成在薄膜晶體管陣列基板上的柵極掃描線；形成在薄膜晶體管陣列基板上分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線；彩膜基板的底基板；形成在所述底基板之上的數(shù)據(jù)傳輸線。顯示設(shè)備中各部分的連接關(guān)系為數(shù)據(jù)傳輸線的兩端通過導(dǎo)電體分別與薄膜晶體管陣列基板上的兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連，用于將一條數(shù)據(jù)掃描線輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)引入另一條數(shù)據(jù)掃描線。盡管已描述了本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本申請(qǐng)范圍的所有變更和修改。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括 形成在所述陣列基板上的柵極掃描線； 形成在所述陣列基板上分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線。
2.如權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在干， 一條數(shù)據(jù)掃描線輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)通過導(dǎo)電體輸出至彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線的一端，彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線的另一端，通過導(dǎo)電體將數(shù)據(jù)信號(hào)引入另一條數(shù)據(jù)掃描線。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在干， 所述導(dǎo)電體是金球或?qū)щ姼魤|物。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括 形成在數(shù)據(jù)掃描線上絕緣層，所述導(dǎo)電體通過數(shù)據(jù)掃描線上絕緣層的過孔分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連。
5.如權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在干， 所述柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線在陣列基板的同一層面上，或在柵極掃描線上形成柵極絕緣層，所述數(shù)據(jù)掃描線位于柵極絕緣層之上。
6.—種彩膜基板,其特征在于,包括 底基板； 形成在所述底基板之上的數(shù)據(jù)傳輸線。
7.如權(quán)利要求6所述的彩膜基板，其特征在干， 數(shù)據(jù)傳輸線的兩端通過導(dǎo)電體分別與薄膜晶體管陣列基板上的兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連，用于將一條數(shù)據(jù)掃描線輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)引入另一條數(shù)據(jù)掃描線。
8.如權(quán)利要求6所述的彩膜基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)傳輸線的材料是金屬或金屬氧化物。
9.ー種薄膜晶體管陣列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括 在所述陣列基板上沉積金屬層，形成柵極掃描線； 在形成柵極掃描線的所述陣列基板上沉積金屬層，形成分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在干， 所述柵極掃描線與數(shù)據(jù)掃描線形成在陣列基板的同一層面上，或在柵極掃描線上形成柵極絕緣層，并在柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)掃描線。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 將彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線兩端通過導(dǎo)電體分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在形成數(shù)據(jù)掃描線之后，且將數(shù)據(jù)傳輸線與數(shù)據(jù)掃描線相連之前，所述方法還包括 在形成數(shù)據(jù)掃描線的陣列基板上沉積非金屬絕緣層，形成數(shù)據(jù)掃描線上的絕緣層； 將數(shù)據(jù)傳輸線與數(shù)據(jù)掃描線相連，具體包括 將彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線兩端分別與導(dǎo)電體相連，所述導(dǎo)電體通過數(shù)據(jù)掃描線上絕緣層的過孔分別與兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連。
13.一種彩膜基板制作方法，其特征在于，所述方法包括 在彩膜基板的底基板上沉積金屬薄膜； 在底基板上形成的具有傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)能力的數(shù)據(jù)傳輸線。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 將數(shù)據(jù)傳輸線的兩端通過導(dǎo)電體分別與薄膜晶體管陣列基板上的兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連。
15.ー種顯示設(shè)備，其特征在于，包括 形成在薄膜晶體管陣列基板上的柵極掃描線； 形成在薄膜晶體管陣列基板上分別位于柵極掃描線兩側(cè)且與柵極掃描線不相交的兩條數(shù)據(jù)掃描線； 彩膜基板的底基板； 形成在所述底基板之上的數(shù)據(jù)傳輸線。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示設(shè)備，其特征在干， 數(shù)據(jù)傳輸線的兩端通過導(dǎo)電體分別與薄膜晶體管陣列基板上的兩條數(shù)據(jù)掃描線中靠近柵極掃描線的一端相連，用于將一條數(shù)據(jù)掃描線輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)引入另一條數(shù)據(jù)掃描線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板、彩膜基板、制作方法和顯示設(shè)備，包括薄膜晶體管陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線不直接與柵極掃描線交疊，而是在一條柵極掃描線兩側(cè)設(shè)計(jì)兩條與柵極掃描線不相交的數(shù)據(jù)掃描線，避免了柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的交疊處被靜電擊穿后出現(xiàn)短接的問題，同時(shí)，利用彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線跨過柵極掃描線，導(dǎo)通柵極掃描線兩側(cè)的數(shù)據(jù)掃描線，使一條數(shù)據(jù)掃描線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)通過彩膜基板上的數(shù)據(jù)傳輸線引入另一條數(shù)據(jù)掃描線，保證了通過數(shù)據(jù)掃描線傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的連續(xù)性。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102645801SQ20111008643
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月7日
發(fā)明者張彌 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司