專利名稱：有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法及影像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電激發(fā)光元件的制造方法，且特別是涉及一種薄膜晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
一般而言，薄膜晶體管主要包括非晶硅薄膜晶體管與多晶硅薄膜晶體管?，F(xiàn)有電激發(fā)光元件顯示器(electroluminescent device display)的陣列基板可以區(qū)分為發(fā)光區(qū)與電路區(qū)，而陣列基板的制造方法主要包括形成薄膜晶體管(thin film transistor ； TFT)、形成像素電極、以及形成有機(jī)發(fā)光二極管。其中，薄膜晶體管的工藝通常包括下列步驟在基板的整個(gè)表面上形成緩沖層、多晶硅層、柵極絕緣層、柵極、層間介電層。在薄膜晶體管完成之后，接著形成像素電極，且此像素電極與薄膜晶體管呈電連接。之后，再于發(fā)光區(qū)上形成透明陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層、以及反射式陰極，而完成電激發(fā)光元件的制作。通常，多晶硅薄膜晶體管工藝中包含一準(zhǔn)分子激光退火(excimer laser anneal ；ELA)步驟，以將緩沖層上的非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層，而形成多晶硅薄膜晶體管。然而，由于準(zhǔn)分子激光退火(excimer laser anneal ；ELA)步驟所制作出的薄膜晶體管(例如，用于驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管(driving TFT))具有很大的電子移動(dòng)率(mobility) 變異性，因此會(huì)導(dǎo)致每一個(gè)子像素的發(fā)光亮度皆不一致，而產(chǎn)生顏色不均(Mura)的缺陷。因此業(yè)界亟需一種可以解決上述問(wèn)題的電激發(fā)光元件。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例通過(guò)增加保護(hù)膜(protection film)的方式，以改善薄膜晶體管間電性差異過(guò)大的問(wèn)題。而且，通過(guò)增加保護(hù)膜的方式，可以使用較小的通道長(zhǎng)度(channel length)而提高開口率。本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例提供一種有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，包括提供一基板， 該基板包括一第一元件區(qū)域與一第二元件區(qū)域；形成一非晶硅層于該基板上方；形成一保護(hù)膜于該第二元件區(qū)域內(nèi)的部份該非晶硅層上方；對(duì)該非晶硅層進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝，以將該非晶硅層轉(zhuǎn)化為一多晶硅層；移除該保護(hù)膜；以及圖案化該多晶硅層，以在該第一元件區(qū)域形成一第一圖案化多晶硅層，及在該第二元件區(qū)域形成一第二圖案化多晶硅層，其中該第一圖案化多晶硅層的晶粒尺寸大于該第二圖案化多晶硅層，藉此形成一有機(jī)電激發(fā)光元件。本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例提供一種有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，包括提供一基板，該基板包括一第一元件區(qū)域與一第二元件區(qū)域；形成一第一、第二圖案化非晶硅層于該第一、第二元件區(qū)域上方；形成一保護(hù)膜于該第二圖案化非晶硅層上方；以及對(duì)該第一、第二圖案化非晶硅層進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝，以將該第一、第二圖案化非晶硅層轉(zhuǎn)化為一第一、第二圖案化多晶硅層，其中該第一圖案化多晶硅層的晶粒尺寸大于該第二圖案化多晶硅層，藉此形成一有機(jī)電激發(fā)光元件。本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例提供一種有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，包括提供一基板，該基板包括一第一元件區(qū)域與一第二元件區(qū)域；形成一圖案化保護(hù)膜于該第二元件區(qū)域上方；形成一非晶硅層于該基板與該圖案化保護(hù)膜上方；對(duì)該非晶硅層進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝，以將該非晶硅層轉(zhuǎn)化為一多晶硅層；以及圖案化該多晶硅層，以在該第一元件區(qū)域形成一第一圖案化多晶硅層，及在該第二元件區(qū)域形成一第二圖案化多晶硅層，其中該第一圖案化多晶硅層的晶粒尺寸大于該第二圖案化多晶硅層，藉此形成一有機(jī)電激發(fā)光元件。綜上所述，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的方法可以改善薄膜晶體管間電性差異過(guò)大的問(wèn)題、提高開口率，并且不會(huì)增加工藝的復(fù)雜度。


圖1為繪示一有源矩陣式有機(jī)電激發(fā)光元件中一個(gè)像素的等效電路圖。圖加 2€為繪示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。圖3a 3f為繪示本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。圖如 48為繪示本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。圖fe 5g為繪示本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。圖6為繪示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中用于顯示影像的系統(tǒng)。簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明I 開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域；II 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域；100 像素；102 開關(guān)薄膜晶體管；104 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；106 有機(jī)發(fā)光二極管；108 數(shù)據(jù)線；110 掃描線； 112 儲(chǔ)存電容；200 基板；202 緩沖層；204 非晶硅層；20 多晶硅層；204b 多晶硅層；2(Mc 通道區(qū)；204d 源/漏極；204，b 第一有源層；204，c 通道區(qū)；204，d 輕摻雜漏極；204，e 源/漏極；206 保護(hù)膜；208 準(zhǔn)分子激光退火工藝；210 柵極介電層；212 柵極；214 柵極；216 層間介電層；218 導(dǎo)線；220 保護(hù)層；2M 透明電極；300 基板；302 緩沖層；304 非晶硅層；304a 圖案化非晶硅層；304b 圖案化非晶硅層；3(Mc 多晶硅層；304d 多晶硅層；304，a 通道區(qū)；304，b 輕摻雜漏極； 304，c 源/漏極；304，d 通道區(qū)；304，e 源/漏極；306 保護(hù)膜；308 準(zhǔn)分子激光退火工藝；309 柵極介電層；310 柵極；312 柵極；314 層間介電層；316 導(dǎo)線； 318 保護(hù)層；322 透明電極；400 基板；402 圖案化保護(hù)膜；404 緩沖層；406 非晶硅層；406a 多晶硅層；406c 通道區(qū)；406，a 圖案化多晶硅層；406，b 輕摻雜漏極； 406，c 源/漏極；406，d 通道區(qū)；406b 圖案化多晶硅層；406d 源/漏極；408 準(zhǔn)分子激光退火工藝；410 柵極介電層；412 柵極；414 柵極；416 層間介電層；418 導(dǎo)線；420 保護(hù)層；似4 透明電極；500 基板；502 圖案化保護(hù)膜；504 緩沖層；506 非晶硅層；506a 多晶硅層；506c 通道區(qū)；506，a、506b 圖案化多晶硅層；506，b 輕摻雜漏極；506，c 源/漏極；506，d 通道區(qū)；506b 圖案化多晶硅層；506d 源/漏極；508 準(zhǔn)分子激光退火工藝；510 柵極介電層；512 柵極；514 柵極；516 層間介電層；518 導(dǎo)線；520 保護(hù)層；5M 透明電極；600 電子元件；610 有機(jī)電激發(fā)光元件；620 顯示面板；630 控制器；640 平面面板元件；650 輸入元件；2000 有機(jī)電激發(fā)光元件；3000 有機(jī)電激發(fā)光元件；4000 有機(jī)電激發(fā)光元件。
具體實(shí)施例方式圖1為繪示一有源矩陣式有機(jī)電激發(fā)光元件中一個(gè)像素的等效電路圖。值得注意的是，在說(shuō)明書內(nèi)所指的每一個(gè)“像素”包括一個(gè)開關(guān)薄膜晶體管(switching thin film transistor)與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(driving thin film transistor)如圖1所示，在一包括多個(gè)像素的像素區(qū)域(未顯示)內(nèi)，一像素100包含開關(guān)薄膜晶體管102、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管104、有機(jī)發(fā)光二極管106、數(shù)據(jù)線108、掃描線110以及儲(chǔ)存電容112。有機(jī)發(fā)光二極管106還包括陽(yáng)極電極、電激發(fā)光層與陰極(未顯示)。值得注意的是，開關(guān)薄膜晶體管102與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管104形成于同一像素內(nèi)。第1實(shí)施例圖加 2f為繪示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。如圖加所示，在包括第一元件區(qū)域(例如，開關(guān)薄膜晶體管(switching thin film transistor)區(qū)域I)與第二元件區(qū)域(例如，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(driving thin film transistor)區(qū)域II)的基板200上依序形成一緩沖層202、一非晶硅層204與一保護(hù)膜 206。其中，保護(hù)膜206形成于第二元件區(qū)域II內(nèi)的部份非晶硅層204上方；且保護(hù)膜206 包括以硅為基材的材料，例如是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、或氧化硅與氮化硅的疊層結(jié)構(gòu)。如圖2b所示，對(duì)非晶硅層204進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝208，以將該非晶硅層轉(zhuǎn)化為一多晶硅層O04a，204b)；但是，在準(zhǔn)分子激光退火工藝208中，因?yàn)楸Ｗo(hù)膜206可以反射部分激光能量的緣故，所以導(dǎo)致部分多晶硅層20 與部分多晶硅層204b具有不同結(jié)晶效果。也就是說(shuō)，由于未被保護(hù)膜206覆蓋的部分多晶硅層204b直接受到完整的準(zhǔn)分子激光能量照射的緣故，所以具有較大尺寸的晶粒(grain)，而其電子遷移率大約為IOOcm2/ V-S0另一方面，由于保護(hù)膜206反射部分激光能量的緣故，因而下方的多晶硅層20 的晶粒尺寸較小，但是晶粒均一性(uniformity)卻增加，而其電子遷移率大約小于100cm2/V-s。如圖2c所示，移除保護(hù)膜206。接著，如圖2d所示，圖案化多晶硅層(20 , 204b)， 而形成位于開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域I內(nèi)的第一有源層204’ b與位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域II 內(nèi)的第二有源層20如。如圖2e所示，形成一柵極介電層210，以覆蓋第一有源層204’ b與第二有源層 20 等圖案化多晶硅層以及緩沖層202。接著，如圖2f所示，依序進(jìn)行后續(xù)工藝，以形成柵極012，214)、層間介電層216、 導(dǎo)線218、覆蓋層220、及透明電極(像素電極)2 ，由于此部分并非本發(fā)明重點(diǎn)，在此省略說(shuō)明。最后，完成一有機(jī)電激發(fā)光元件2000，包括開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。上述開關(guān)薄膜晶體管包括柵極212、柵極介電層210與第一有源層204’ b ；另外，上述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括柵極214、柵極介電層210與第二有源層20如。其中，第一有源層204’ b包括通道區(qū)204，C、輕摻雜漏極(lightly doped drain) 204，d、源/漏極204，e ；第二有源層 204a包括通道區(qū)2(Mc與源/漏極204d。第2實(shí)施例圖3a 3f為繪示本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。如圖3a所示，在包括開關(guān)薄膜晶體管(switching thin film transistor)區(qū)域 I與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(driving thin film transistor)區(qū)域II的基板300上依序形成一緩沖層302與一非晶硅層304。如圖北所示，將非晶硅層304圖案化，以形成位于開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域I的圖案化非晶硅層304b以及位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域II的圖案化非晶硅層30如。如圖3c所示，形成一覆蓋圖案化非晶硅層30 以及部分緩沖層302表面的保護(hù)膜306。上述保護(hù)膜306包括以硅為基材的材料，例如是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、或氧化硅與氮化硅的疊層結(jié)構(gòu)。如圖3d所示，進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝308，以將圖案化非晶硅層30 與304b 轉(zhuǎn)化為多晶硅層3(Mc與304d。其中，位于開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域I內(nèi)的多晶硅層304d作為后續(xù)形成的開關(guān)薄膜晶體管的第一有源層，而位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域II內(nèi)的多晶硅層3(Mc則作為后續(xù)形成的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二有源層。但是，在準(zhǔn)分子激光退火工藝 308中，因?yàn)楸Ｗo(hù)膜306可以反射部分激光能量的緣故，所以導(dǎo)致多晶硅層3(Mc與多晶硅層304d具有不同結(jié)晶效果。換句話說(shuō)，由于未被保護(hù)膜306覆蓋的多晶硅層304b直接受到完整的準(zhǔn)分子激光能量照射的緣故，所以具有較大尺寸的晶粒(grain)，而其電子遷移率大約為100cm2/V-s。另一方面，由于保護(hù)膜306反射部分激光能量的緣故，因而下方的多晶硅層3(Mc的晶粒尺寸較小，但是晶粒均一性(uniformity)卻增加，而其電子遷移率大約小于 100cm2/V-s。如圖!Be所示，形成一柵極介電層309，以覆蓋第一有源層與第二有源層等圖案化多晶硅層以及緩沖層302。接著，如圖3f所示，依序進(jìn)行后續(xù)工藝，以形成柵極(310，312)、層間介電層314、 導(dǎo)線316、覆蓋層318、及透明電極(像素電極)322，由于此部分并非本發(fā)明重點(diǎn)，在此省略說(shuō)明。最后，完成一有機(jī)電激發(fā)光元件3000，包括開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。上述開關(guān)薄膜晶體管包括柵極310、柵極介電層309與第一有源層；另外，上述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括柵極312、柵極介電層309與第二有源層。其中，第一有源層包括通道區(qū)304’a、輕摻雜漏極(lightly doped drain) 304' b、源/漏極304，c ；第二有源層包括通道區(qū)304，d與源 / 漏極 304，e。第3實(shí)施例圖如 4g為繪示本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。如圖4a所示，在包括開關(guān)薄膜晶體管(switching thin film transistor)區(qū)域I與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(driving thin film transistor)區(qū)域II的基板400上形成一圖案化保護(hù)膜402。上述圖案化保護(hù)膜位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域II內(nèi)。上述圖案化保護(hù)膜402 的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、或其疊層結(jié)構(gòu)。如圖4b所示，形成一緩沖層404于圖案化保護(hù)膜402與基板400上方。接著，形成一非晶硅層406于緩沖層404上方，如圖如所示。如圖4d所示，對(duì)非晶硅層406進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝408，以將非晶硅層406 轉(zhuǎn)化為一多晶硅層G06a，406b)。如圖如所示，將多晶硅層G06a，406b)圖案化，而形成圖案化多晶硅層406，a與 406b。其中，位于開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域I內(nèi)的多晶硅層406’ a作為后續(xù)形成的開關(guān)薄膜晶體管的第一有源層，而位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域II內(nèi)的多晶硅層406b則作為后續(xù)形成的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二有源層。但是，在準(zhǔn)分子激光退火工藝408中，因?yàn)閳D案化保護(hù)膜 402可以反射部分激光能量的緣故，所以導(dǎo)致圖案化多晶硅層406’a與406b具有不同結(jié)晶效果。換句話說(shuō)，由于圖案化多晶硅層406’a直接受到準(zhǔn)分子激光能量照射的緣故，所以具有較大尺寸的晶粒(grain)，而其電子遷移率大約為100cm2/V-S。另一方面，由于圖案化保護(hù)膜402吸收部分激光能量的緣故，因而上方的圖案化多晶硅層406’a的晶粒尺寸較小，但是晶粒均一性(uniformity)卻增加，而其電子遷移率大約小于100cm2/V-s。如圖4f所示，形成一柵極介電層410，以覆蓋第一有源層與第二有源層等圖案化多晶硅層以及緩沖層402。接著，如圖4g所示，依序進(jìn)行后續(xù)工藝，以形成柵極012，414)、層間介電層416、 導(dǎo)線418、覆蓋層420、及透明電極(像素電極)4 ，由于此部分并非本發(fā)明重點(diǎn)，在此省略說(shuō)明。最后，完成一有機(jī)電激發(fā)光元件4000，包括開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。上述開關(guān)薄膜晶體管包括柵極412、柵極介電層410與第一有源層；另外，上述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括柵極414、柵極介電層410與第二有源層。其中，第一有源層包括通道區(qū)406’d、輕摻雜漏極(lightly doped drain) 406，b、源/漏極406，c ；第二有源層包括通道區(qū)406c與源/ 漏極406d。第4實(shí)施例圖fe 5g為繪示本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例中有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法的剖面圖。如圖所示，在包括開關(guān)薄膜晶體管(switching thin film transistor)區(qū)域 I與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(driving thin film transistor)區(qū)域II的基板500上形成一圖案化保護(hù)膜502。上述圖案化保護(hù)膜位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域II內(nèi)。上述圖案化保護(hù)膜502 包括任何金屬材料。如圖恥所示，形成一緩沖層504于圖案化保護(hù)膜502與基板500上方。接著，形成一非晶硅層506于緩沖層504上方，如圖5c所示。如圖5d所示，對(duì)非晶硅層506進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝508，以將非晶硅層506 轉(zhuǎn)化為一多晶硅層(506a，506b)。如圖k所示，將多晶硅層(506a，506b)圖案化，而形成圖案化多晶硅層506，a與 506b。其中，位于開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域I內(nèi)的多晶硅層506’ a作為后續(xù)形成的開關(guān)薄膜晶體管的第一有源層，而位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域II內(nèi)的多晶硅層506b則作為后續(xù)形成的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二有源層。但是，在準(zhǔn)分子激光退火工藝508中，因?yàn)閳D案化保護(hù)膜 502散熱較其它部分快的緣故，所以導(dǎo)致圖案化多晶硅層506’a與506b具有不同結(jié)晶效果。 換句話說(shuō)，由于圖案化多晶硅層506’ a直接受到完整的準(zhǔn)分子激光能量照射的緣故，所以具有較大尺寸的晶粒(grain)，而其電子遷移率大約為100cm2/V-S。另一方面，圖案化保護(hù)膜502上方的圖案化多晶硅層506’a的晶粒尺寸較小，但是晶粒均一性(uniformity)卻增加，而其電子遷移率大約小于100cm2/V-S。如圖5f所示，形成一柵極介電層510，以覆蓋第一有源層與第二有源層等圖案化多晶硅層以及緩沖層502。接著，如圖5g所示，依序進(jìn)行后續(xù)工藝，以形成柵極(512，514)、層間介電層516、 導(dǎo)線518、覆蓋層520、及透明電極(像素電極)5 ，由于此部分并非本發(fā)明重點(diǎn)，在此省略說(shuō)明。最后，完成一有機(jī)電激發(fā)光元件5000，包括開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。上述開關(guān)薄膜晶體管包括柵極512、柵極介電層510與第一有源層；另外，上述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括柵極514、柵極介電層510與第二有源層。其中，第一有源層包括通道區(qū)506’d、輕摻雜漏極(lightly doped drain) 506，b、源/漏極506，c ；第二有源層包括通道區(qū)506c與源/ 漏極506d。圖6為繪示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中用于顯示影像的系統(tǒng)。在此，此系統(tǒng)為可以是顯示面板620、平面面板元件640或電子元件600。上述有機(jī)電激發(fā)光元件可以裝配于顯示面板而做成有機(jī)電激發(fā)光二極管面板。如圖6所示，顯示面板620包含有機(jī)電激發(fā)光元件 610，例如圖2f、3f與4g分別所示的有機(jī)電激發(fā)光元件2000、3000與4000。在其它實(shí)施例中，平面面板元件640可由顯示面板620與控制器630所構(gòu)成。在其它實(shí)施例中，顯示面板 620也可以構(gòu)成眾多電子元件的一部份(例如，在此為電子元件600)。一般而言，電子元件 600可以包含平面面板元件640，而平面面板元件640具有顯示面板620、控制器630與輸入元件650。而且，輸入元件650與平面面板元件640耦接，且提供輸入信號(hào)(例如，影像信號(hào))至顯示面板620以產(chǎn)生影像。電子元件600可以是移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(personal digital assistant ;PDA)、筆記型計(jì)算機(jī)、桌上型計(jì)算機(jī)、電視、車上顯示器或可攜式DVD播放機(jī)。綜上所述，本發(fā)明幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例通過(guò)一準(zhǔn)分子激光退火(excimer laser anneal ；ELA)步驟，在緩沖層上或下、或在柵極絕緣層上增加額外的保護(hù)膜或金屬膜，造成用于開關(guān)的薄膜晶體管(switching TFT)與用于驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管(driving TFT)具有不同的結(jié)晶效果。結(jié)果，具有上述不同的結(jié)晶效果的薄膜晶體管的有源矩陣型有機(jī)電激發(fā)光元件則會(huì)有較均勻的驅(qū)動(dòng)電流，而避免產(chǎn)生顏色不均(Mura)的缺陷。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，包括提供基板，該基板包括含有多個(gè)像素的像素區(qū)域，其中每一像素內(nèi)包括第一元件區(qū)域與第二元件區(qū)域；形成圖案化保護(hù)膜于該第二元件區(qū)域上方； 形成非晶硅層于該基板與該圖案化保護(hù)膜上方；對(duì)該非晶硅層進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝以將該非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層；以及圖案化該多晶硅層，以在該第一元件區(qū)域形成第一圖案化多晶硅層，及在該第二元件區(qū)域形成第二圖案化多晶硅層，其中該第一圖案化多晶硅層的晶粒尺寸大于該第二圖案化多晶硅層，藉此形成有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該圖案化保護(hù)膜的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于該基板和該非晶硅層的熱傳導(dǎo)系數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，其中該圖案化保護(hù)膜包括金屬材料。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，還包括在該圖案化該多晶硅層的步驟后，形成柵極介電層，以覆蓋該圖案化多晶硅層與該基板。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，其中該第一、第二圖案化多晶硅層分別為位于該第一元件區(qū)域內(nèi)的第一有源層與位于該第二元件區(qū)域內(nèi)的第二有源層。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，其中該第一元件區(qū)域內(nèi)形成開關(guān)薄膜晶體管元件，而該第二元件區(qū)域內(nèi)形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管元件。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，還包括有機(jī)發(fā)光二極管，其中該有機(jī)發(fā)光二極管與該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管元件形成電連接。
7.一種影像顯示系統(tǒng)，包括 有機(jī)電激發(fā)光元件，包括上方具有像素區(qū)的基板，其中該像素區(qū)包括多個(gè)次像素，且每一個(gè)次像素包括開關(guān)區(qū)以及驅(qū)動(dòng)區(qū)；開關(guān)薄膜晶體管，置于該開關(guān)區(qū)；以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，置于該驅(qū)動(dòng)區(qū)，且至少包括柵極、位于該柵極下方的多晶硅層、與位于該多晶硅層下方的圖案化保護(hù)膜，其中該圖案化保護(hù)膜為金屬層且介于該多晶硅層與該基板之間，該圖案化保護(hù)膜的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于該基板和該多晶硅層的熱傳導(dǎo)系數(shù)。
8.如權(quán)利要求7所述的影像顯示系統(tǒng)，還包括顯示面板，其中該有機(jī)電激發(fā)光元件形成該顯示面板的一部份。
9.如權(quán)利要求8所述的影像顯示系統(tǒng)，還包括電子元件，其中該電子元件包括 該顯示面板；以及耦接至該顯示面板的輸入單元，且該輸入單元用以提供輸入信號(hào)至該顯示面板，因而該顯示面板顯示影像。
10.如權(quán)利要求9所述的影像顯示系統(tǒng)，其中該電子元件為移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、筆記型計(jì)算機(jī)、桌上型計(jì)算機(jī)、電視、車上顯示器或可攜式數(shù)字多功能光盤播放機(jī)。
全文摘要
一種有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，包括提供一基板，該基板包括一第一元件區(qū)域與一第二元件區(qū)域；形成一非晶硅層于該基板上方；形成一保護(hù)膜于該第二元件區(qū)域內(nèi)的部份該非晶硅層上方；對(duì)該非晶硅層進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火工藝，以將該非晶硅層轉(zhuǎn)化為一多晶硅層；移除該保護(hù)膜；以及圖案化該多晶硅層，以在該第一元件區(qū)域形成一第一圖案化多晶硅層，及在該第二元件區(qū)域形成一第二圖案化多晶硅層，其中該第一圖案化多晶硅層的晶粒尺寸大于該第二圖案化多晶硅層，藉此形成一有機(jī)電激發(fā)光元件。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102157444SQ20111006750
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2006年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日
發(fā)明者劉俊彥, 曾章和, 詹川逸 申請(qǐng)人:奇美電子股份有限公司