專利名稱：：包括柔性基板或硬性基板的光電裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種包括柔性基板或硬性基板的光電裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：非晶硅(a-Si)光電裝置自1976年首次面世以來，由于氫化非晶硅(a_Si:H)在可視光區(qū)域的高光感應(yīng)度(photosensitivity)、光學(xué)能隙(opticalbandgap)的調(diào)節(jié)容易性、低價、低溫、大面積施工可能性等特點，在各領(lǐng)域廣泛地應(yīng)用。但是，后來發(fā)現(xiàn)氫化非晶硅(a-Si:H)具有在光照下劣化(degradation)非常嚴(yán)重的光輻射引致性能衰退效應(yīng)(Mabler-Wronskieffect)這一非常致命的弱點。因此，為了減少非晶硅系物質(zhì)的光輻射引致性能衰退效應(yīng)(Stabler-Wronskieffect)嘗試了各種努力，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)了將硅烷(SiH4)氫稀釋(H2dilution)的方法。另一方面，為了開發(fā)具有高效率的薄膜光電裝置，需要劣化較小的吸光層以及使吸光層形成強電場(electricfield)，且可視光區(qū)域的光吸收最少的ρ型窗層(windowlayer)。因此，對ρ型窗層和緩沖層進行廣泛的研究。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種可提高ρ型窗層和吸光層之間的界面特性的光電裝置及其制造方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)課題并不限于所述記載的內(nèi)容，本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員，都可以通過下面的說明，理解以上未涉及到的其他技術(shù)課題。本發(fā)明的光電裝置包括第一電極；第二電極；所述第一電極和所述第二電極之間依次層壓的P型窗層、緩沖層、吸光層以及η型層。其中，當(dāng)所述P型窗層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成，當(dāng)所述P型窗層由氫化非晶碳化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。本發(fā)明的光電裝置的制造方法包括形成第一電極的步驟；在所述第一電極上按照從光入射一側(cè)依次層壓P型窗層、緩沖層、吸光層以及η型層的方式形成所述P型窗層、緩沖層、吸光層以及η型窗層的步驟；在所述光入射一側(cè)依次層壓的P型窗層、緩沖層、吸光層以及η型層上形成第二電極的步驟。其中，當(dāng)所述ρ型窗層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成，當(dāng)所述P型窗層由氫化非晶碳化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。本發(fā)明利用P型緩沖層可以有效減少P型窗層和吸光層之間的界面上的再結(jié)合，因此可以提高光電裝置的光轉(zhuǎn)換效率。圖Ia和圖Ib為根據(jù)本發(fā)明實施例的p-i-n型以及n-i-p型薄膜光電裝置的截面圖2表示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電裝置ρ型窗層的制造方法；圖3表示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電裝置ρ型緩沖層的制造方法。附圖標(biāo)號說明10基板20第一電極30a:p型窗層30b緩沖層40吸光層50:n型層60第二電極具體實施例方式下面結(jié)合附圖詳細說明根據(jù)本發(fā)明實施例的硅薄膜光電裝置及其制造方法。圖Ia和圖Ib為根據(jù)本發(fā)明實施例的p-i-n型以及n-i-p型薄膜光電裝置的截面圖。如圖Ia和圖Ib所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的光電裝置包括，基板10、第一電極20、P型窗層30a、緩沖層30b、吸光層40、η型層50以及第二電極60。根據(jù)本發(fā)明實施例的光電裝置包括，第一電極20和第二電極60中從光先入射一側(cè)依次層壓的P型窗層30a、緩沖層30b、吸光層40以及η型層50。即，p-i-n型光電裝置為例，光通過基板10和第一電極20入射。因此，p-i-n型光電裝置包括，從第一電極20開始依次層壓的ρ型窗層30a、緩沖層30b、吸光層40以及η型層50。另外，n-i-p型光電裝置為例，光通過第二電極60入射。因此，n_i_p型光電裝置包括，從第二電極60開始依次層壓的ρ型窗層30a、緩沖層30b、吸光層40以及η型層50。根據(jù)本發(fā)明實施例的光電裝置的基板10可以是金屬箔(foil)或聚合物等柔性(flexible)基板，也可以是像玻璃一樣的硬性(inflexible)基板。p-i-n型光電裝置的第一電極20和n-i-p型光電裝置的第二電極60具有透光性。具有透光性的第一電極20或第二電極60，可以由ZnO等透明導(dǎo)電性氧化物構(gòu)成。透明導(dǎo)電性氧化物通過化學(xué)氣相沉積法形成時，透明導(dǎo)電性氧化物的表面上有可能形成凹凸。透明導(dǎo)電性氧化物表面的凹凸提高光捕捉效果(lighttrappingeffect)0另一方面，p-i-n型光電裝置的第二電極60和n-i-p型光電裝置的第一電極20可以由通過濺射法沉積的金屬構(gòu)成。ρ型窗層30a可以由輕微氫稀釋的非晶碳化硅(p-a_SiC:H)或輕微氫稀釋的非晶氧化硅(p-a-SiO:H)構(gòu)成。此時，為了使光電裝置具有高效率，緩沖層30b的氫稀釋相對強于ρ型窗層30a的氫稀釋。因此，緩沖層30b的氫濃度高于ρ型窗層30a的氫濃度。另外，緩沖層30b的雜質(zhì)濃度低于P型窗層30a的雜質(zhì)濃度。此時，ρ型窗層30a和緩沖層30b的氫含量可以為IOatomic%25atomic%。另外，ρ型窗層30a的雜質(zhì)濃度可以為lxl019cnT31xl021Cm-3,緩沖層30b的雜質(zhì)濃度可以為IxlO16Cnr3hl019CnT3。例如，當(dāng)ρ型窗層30a由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，緩沖層30b由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成。另外，P型窗層30a由氫化非晶碳化硅構(gòu)成時，緩沖層30b由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。此時，緩沖層30b的氫稀釋強于ρ型窗層30a的氫稀釋，其雜質(zhì)濃度低于ρ型窗層30a的雜質(zhì)濃度以及氧或碳濃度。下面參照附圖詳細說明包括ρ型窗層30a和緩沖層30b的光電裝置的制造方法。圖2表示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電裝置的ρ型窗層30a的制造方法，圖3表示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電裝置的P型緩沖層30b的制造方法。p-i-n型光電裝置為例，基板10上形成第一電極20，第一電極20上形成ρ型窗層30a。緩沖層30b形成在ρ型窗層30a上。之后，吸光層40、η型層50以及第二電極60可以依次形成。n-i-p型光電裝置為例，基板10上形成第一電極20，第一電極20上η型層50比P型窗層30a先形成。吸光層40在η型層50上形成，之后依次形成緩沖層30b、ρ型窗層30a以及第二電極60。這種ρ型窗層30a、緩沖層30b、吸光層40以及η型層50可以作為多重接合光電裝置的上層電池使用。此時，上層電池是包括在多重接合光電裝置的多個單元電池中光最先入射的單元電池。根據(jù)本發(fā)明實施例的ρ型窗層30a包括氧或碳，因此光學(xué)能隙大，而且緩沖層30b防止P型窗層30a和吸光層40之間的急劇的雙重接合。由此，ρ型窗層30a在吸光層40上形成強電場(electricfield)，而且其本身的可視光吸收變得最少。另外，由于能夠防止急劇的雙重接合，因此降低P型窗層30a和吸光層40的界面之間的再結(jié)合損失。如圖2所示，為了沉積ρ型窗層30a，基板10被移送到ρ層(ρ型窗層)沉積腔室(511)。此時，ρ層沉積腔室基板支架(holder)的溫度應(yīng)該設(shè)定為沉積溫度并要保持(512)。沉積溫度為輕微氫稀釋的ρ型窗層30a沉積時的基板10的實際溫度，沉積溫度可以為100°C200°C。如果溫度低于100°C，p型窗層30a的沉積率下降，沉積缺陷(defect)密度高的劣質(zhì)薄膜。如果溫度高于200°C，由高能量氫等離子造成的透明電極的蝕刻嚴(yán)重，因此位于P型窗層30a下面的薄膜的原子在光電裝置的制作過程中，可能會擴散到以后形成的其它薄膜。這些要素起到雜質(zhì)的作用，降低光電裝置的量子效率(quantumefficiency),因此降低光電轉(zhuǎn)換效率(conversionefficiency)。例如，p-i-n型光電裝置為例，當(dāng)?shù)谝浑姌O20由氧化鋅構(gòu)成時，起到氧化鋅的淺施主(shallowdonor)作用的氫在溫度高于200°C的條件下，從氧化鋅的表面或晶粒間(grainboundary)脫離，可能會成為增加第一電極20的電阻率的原因。溫度低于200°C的條件下，第一電極20的折射率可能降到3.0以下，因此可能造成第一電極20和吸光層40之間通過折射率匹配形成的防反射效果，增加光電裝置的短路電流?；?0被移送到ρ層沉積腔室后，通過渦輪分子泵(turbomolecularpump)等高真空泵的運行，P層沉積腔室的壓力達到接近于真空的基準(zhǔn)壓力(basepressure)(S13)。此時，基準(zhǔn)壓力可以為10_710_5Torr。基準(zhǔn)壓力低于10_7Torr時，雖然可以沉積少受異物污染(contamination)的優(yōu)質(zhì)薄膜，但是由于沉積時間較長，因此降低生產(chǎn)效率。另外，基準(zhǔn)壓力高于IO-5Torr時，由于受異物污染無法沉積優(yōu)質(zhì)的薄膜。達到基準(zhǔn)壓力后，反應(yīng)氣體流入沉積腔室內(nèi)，隨著反應(yīng)氣體的流入沉積腔室的壓力達到沉積壓力(S14)。反應(yīng)氣體包括，硅烷(SiH4)、氫(H2)、三族雜質(zhì)氣體、碳或氧原料氣體。三族雜質(zhì)氣體可以使用，乙硼烷(B2H6)、三甲硼烷(TMB，TriMethylBoron)、三乙硼烷(TEB,TriEthylBoron)等。碳原料氣體可以使用，甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、乙炔(C2H2)等，氧原料氣體可以使用，02或0)2。各原料氣體的流量通過各自的流量控制器(MFC;MaSSFlowController)控制。達到設(shè)定的沉積壓力后，通過與沉積腔室連接的壓力控制器和角閥將沉積腔室的壓力維持在恒定的的水平。沉積壓力被設(shè)定為能夠獲得均勻的薄膜厚度(uniformity)、優(yōu)質(zhì)的質(zhì)量以及適合沉積率的值，沉積壓力可以為0.42.5Torr0如果沉積壓力小于0.4Torr,ρ型窗層30a的厚度均勻度和沉積率會下降。另外，如果沉積壓力大于2.5Torr,由于沉積腔室內(nèi)的等離子電極上產(chǎn)生粉末或氣體使用量增加，因此提高制造成本。并且，如果沉積腔室內(nèi)的壓力穩(wěn)定在沉積壓力，采用頻率為13.56MHz的射頻等離"fW^M^^MJW,(RFPECVD,RadioFrequencyPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)法或頻率大于13.56MHz的甚高頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積(VHFPECVD,VeryHighFrequencyPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)法，分角軍沉禾只腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體(S15)。由此，輕微氫稀釋的ρ型窗層30a會被沉積(S16)。ρ型窗層30a的厚度可以為12nm17nm。如果ρ型窗層30a的厚度小于12nm，導(dǎo)電率低，因此無法在純吸光層上形成強電場，導(dǎo)致光電裝置的開路電壓下降。另外，如果P型窗層30a的厚度大于17nm，ρ型窗層30a中的光吸收增加，因此降低短路電流，導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率下降。在沉積過程中，反應(yīng)氣體的組成保持恒定，因此形成光學(xué)能隙恒定的被氫稀釋的P型窗層30a。根據(jù)本發(fā)明實施例的ρ型窗層30a的導(dǎo)電率約為lX10_6S/cm，光學(xué)能隙約為2.OeV0形成ρ型窗層30a時，作為氫稀釋比指標(biāo)的硅烷濃度可以為4%10%。此時，硅烷濃度是相對于硅烷流量的硅烷和氫流量之和的比。硅烷濃度低于4%時，沉積初期活性氫離子對位于ρ型窗層30a下面的薄膜的損傷會增加。以p-i-n型光電裝置的情況，位于ρ型窗層30a下面的薄膜可以是第一電極20，以n-i-p型光電裝置的情況，位于ρ型窗層30a下面的薄膜可以是緩沖層30b。硅烷濃度大于10%時，ρ型窗層30a的沉積速度過快，因此難以控制其厚度，而且窗層組織內(nèi)無秩序度增加，會增加懸空鍵(danglingbond)等缺陷密度。另外，三族雜質(zhì)氣體和碳或氧原料氣體的流量被設(shè)定為可同時滿足ρ型窗層30a的電子特性以及光學(xué)特性的值。三族雜質(zhì)氣體的濃度增加時，導(dǎo)電率會增加，但光學(xué)能隙會減少。相反，碳或氧原料氣體的濃度增加時，導(dǎo)電率會降低，但光學(xué)能隙會增加。關(guān)閉等離子，ρ型窗層30a的沉積就會結(jié)束(S17)。如圖3所示，制造緩沖層30b的方法如下。形成緩沖層30b所需的反應(yīng)氣體包括，硅烷(SiH4)、氫(H2)、三族雜質(zhì)氣體、碳或氧原料氣體。關(guān)于三族雜質(zhì)氣體、碳原料氣體和氧原料氣體，前面已經(jīng)提及過，這里就不再進行說明。在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)ρ型窗層30a由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，緩沖層30b由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成。因此，如果形成P型窗層30a時使用氧原料氣體，則碳原料氣體或氧原料氣體將會用于緩沖層30b的形成。另外，在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)ρ型窗層30a由氫化非晶碳化硅構(gòu)成時，緩沖層30b由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。因此，如果形成P型窗層30a時使用碳原料氣體，則氧原料氣體被用于緩沖層30b的形成。與此同時，ρ型窗層30a的氫稀釋弱于緩沖層30b的氫稀釋，而且摻雜的雜質(zhì)濃度會更高。另外，緩沖層30b的氧含量可能小于ρ型窗層30a的碳含量。由于形成這樣的ρ型窗層30a和緩沖層30b，因此形成ρ型窗層30a和緩沖層30b時，反應(yīng)氣體所含的氣體的設(shè)定流量和沉積壓力會不同。形成ρ型窗層30a后再形成緩沖層30b，或形成緩沖層30b后再形成ρ型窗層30a時，由于反應(yīng)氣體所含的氣體的設(shè)定流量和沉積壓力會不同，因此完全開啟與沉積腔室的壓力控制器連接的角閥，并將各個流量控制器的設(shè)定改為緩沖層沉積流量或P型窗層30a的沉積流量。由此，將壓力控制器的設(shè)定壓力改為緩沖層沉積壓力，再通過調(diào)節(jié)角閥控制沉積壓力(S21)?？紤]到薄膜厚度的均勻度、特性以及適合沉積率等，緩沖層30b的沉積壓力可以設(shè)定為0.4Torr2.5Torr。緩沖層30b的沉積壓力小于0.4Torr時，薄膜的均勻度和沉積率會降低。另外，緩沖層30b的沉積壓力大于2.5Torr時，沉積腔室的等離子電極上會產(chǎn)生粉末，或氣體使用量增加，因此提高制造成本(productioncost)0如果沉積腔室內(nèi)的壓力達到沉積壓力并保持穩(wěn)定，通過RFPECVD或VHFPECVD方法分解沉積腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體(S22)。因此，會沉積氫稀釋強于ρ型窗層30a的緩沖層30b(S23)。緩沖層30b的厚度可以為3nm8nm。緩沖層30b的厚度小于3nm時，緩沖層3b無法穩(wěn)定地發(fā)揮降低在P型窗層30a和吸光層40之間的界面上的再結(jié)合的作用。緩沖層30b的厚度大于8nm時，由于緩沖層30b的光吸收增加，導(dǎo)致短路電流降低，串聯(lián)(series)電阻增加，因此降低轉(zhuǎn)換效率。在沉積緩沖層30b的過程中，反應(yīng)氣體所含的氣體流量維持在恒定的水平，因此可以形成具有一定的光學(xué)能隙的緩沖層30b。形成緩沖層30b時，作為氫稀釋比指標(biāo)的硅烷濃度值可以為0.5%5%。硅烷濃度值低于0.5%時，高能量氫離子會損傷位于緩沖層30b下面的薄膜。硅烷濃度值高于5%時，沉積速度加快，因此難以控制緩沖層30b的厚度，且氫稀釋低，導(dǎo)致導(dǎo)電率下降，因此可能無法在純吸光層上形成強電場。另外，由于緩沖層30b組織的無秩序度增加，因此懸空鍵(danglingbond)的密度可能會提高。另一方面，為了防止ρ型窗層30a所含的雜質(zhì)擴散到純吸光層40，導(dǎo)致短波長區(qū)域的量子效率降低，緩沖層30b的雜質(zhì)濃度可以低于ρ型窗層30a的雜質(zhì)濃度。如上所述，既能防止雜質(zhì)擴散到吸光層40，又能確保緩沖層30b導(dǎo)電率所需的相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比可以為IOOppm2000ppm。形成緩沖層30b時，如果相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比為IOOppm以上，可以防止內(nèi)置電位(built-inpotential)的降低。另外，形成緩沖層30b時，如果相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比為2000ppm以下，可以防止雜質(zhì)從ρ型窗層30a和吸光層40的界面過度擴散到吸光層40。形成ρ型窗層30a時，相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比可以為5000ppm50000ppm。形成ρ型窗層30a時，如果相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比為5000ppm以上，則可以防止由于導(dǎo)電率下降引起的開路電壓和填充因子(fillfactor)的惡化。另外，如果相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比為50000ppm以下，則可以防止由于懸空鍵再結(jié)合以及吸收系數(shù)過度增加。另外，為了防止氫稀釋較弱的ρ型窗層30a和吸光層40的光學(xué)能隙或碳或氧濃度的急劇變化，緩沖層30b的碳或氧濃度可以為0.5atomiC%3atomiC%。緩沖層30b的碳或氧濃度低于0.5atomiC%時，ρ型窗層30a和緩沖層30b之間的濃度差距拉大，在P型窗層30a和緩沖層30b之間界面的缺陷(defect)密度提高，導(dǎo)致再結(jié)合增加。緩沖層30b的碳或氧濃度大于3atomiC%時，緩沖層30b的導(dǎo)電率減少，難以在吸光層40上形成強電場。如前面所述，ρ型窗層30a的導(dǎo)電率約為lxlO_6S/cm，光學(xué)能隙約為2.OeV。為了達到這樣的P型窗層30a的導(dǎo)電率以及光學(xué)能隙，P型窗層30a的氧或碳含量可以為5atomic%40atomic%。關(guān)閉等離子，結(jié)束緩沖層30b的沉積(S24)。通過所有流量控制器的氣體被切斷，完全打開與壓力控制器連接的角閥，因此殘存于沉積腔室內(nèi)的氣體通過排氣管排出。另一方面，在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)ρ型窗層30a和緩沖層30b由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，無需排氣工序，在一個沉積腔室內(nèi)可以形成P型窗層30a和緩沖層30b。S卩，形成P型窗層30a和緩沖層30b時，使用同類氣體。因此，形成ρ型窗層30a或緩沖層30b后，另一個薄膜可以在不排放沉積腔室內(nèi)氣體的情況下，可以通過氣體的流量控制和壓力控制形成。在本發(fā)明的實施例中，如果ρ型窗層30a由氫化非晶氧化硅構(gòu)成，緩沖層30b由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成，如果P型窗層30a由氫化非晶碳化硅構(gòu)成，緩沖層30b由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。此時，緩沖層30b的氫稀釋強于ρ型窗層30a的氫稀釋，因此即使氧或碳含量少，也可以獲得高的導(dǎo)電率和寬的光學(xué)能隙。由于緩沖層30b的氧或碳含量減少，因此擴散到吸光層40的氧或碳會減少，而且由光照射造成的劣化率也會減少。上面，結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行了說明。本發(fā)明所屬的
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員，可以理解在不變更本發(fā)明的技術(shù)思想或者必要特征的情況下，可以由另外具體方式實施。因此，上述的實施例只是舉例而已，本發(fā)明并不只局限于上述實施例。本發(fā)明的范圍通過權(quán)利要求來體現(xiàn)。權(quán)利要求的意義及范圍還有從等同概念出發(fā)的所有變更或者變更的方式應(yīng)解釋為包含在本發(fā)明的范圍。權(quán)利要求1.一種光電裝置，其特征在于，包括第一電極；第二電極；所述第一電極和所述第二電極之間依次層壓的P型窗層、緩沖層、吸光層以及η型層；其中，當(dāng)所述P型窗層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成；當(dāng)所述P型窗層由氫化非晶碳化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于所述緩沖層的氫濃度大于所述P型窗層的氫濃度。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電裝置，其特征在于所述ρ型窗層和所述緩沖層的氫含量為IOatomic25atomic%。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于所述緩沖層的雜質(zhì)濃度低于所述P型窗層的雜質(zhì)濃度。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電裝置，其特征在于所述ρ型窗層的雜質(zhì)濃度為IxlO19Cnr3lxl021cnT3，所述緩沖層的雜質(zhì)濃度為lxl016cnT3hl019cnT3。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于所述P型窗層的厚度為12nm17nm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于所述緩沖層的厚度為3nm8nm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于所述P型窗層的氧或碳含量為5atomic%40atomic%；所述緩沖層的碳或氧濃度為0.5atomic%3atomic%。9.一種光電裝置的制造方法，其特征在于，包括形成第一電極的步驟；在所述第一電極上按照從光入射一側(cè)依次層壓P型窗層、緩沖層、吸光層以及η型層的方式形成P型窗層、緩沖層、吸光層和η型層的步驟；在所述光入射一側(cè)依次層壓的P型窗層、緩沖層、吸光層以及η型層上形成第二電極的步驟；其中，當(dāng)所述P型窗層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成；當(dāng)所述P型窗層由氫化非晶碳化硅構(gòu)成時，所述緩沖層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于所述緩沖層的氫濃度大于所述P型窗層的氫濃度。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于所述緩沖層的雜質(zhì)濃度低于所述P型窗層的雜質(zhì)濃度。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于形成所述緩沖層和ρ型窗層時，工序腔室內(nèi)流入硅烷和雜質(zhì)原料氣體；形成所述P型窗層時，相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比為5000ppm50000ppm；形成所述緩沖層時，相對于硅烷流量的雜質(zhì)原料氣體的流量比為IOOppm2000ppm。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于所述ρ型窗層的厚度為12nm17nm。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于所述緩沖層的厚度為3nm8nm015.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于所述ρ型窗層的氧或碳含量為^itomic%40atomic%，所述緩沖層的碳或氧濃度為0.^itomic%3atomic%。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于形成所述ρ型窗層時，沉積腔室內(nèi)流入的硅烷濃度為4%10%。17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于形成所述緩沖層時，沉積腔室內(nèi)流入的硅烷濃度為0.5%5%。18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于無需經(jīng)過排氣工序地在一個沉積腔室內(nèi)形成P型窗層和緩沖層。全文摘要本發(fā)明的光電裝置包括第一電極；第二電極；第一電極和第二電極之間依次層壓的p型窗層、緩沖層、吸光層以及n型層。當(dāng)所述p型窗層由氫化非晶氧化硅構(gòu)成時，所述緩沖層則由氫化非晶碳化硅或氫化非晶氧化硅構(gòu)成；當(dāng)所述p型窗層由氫化非晶碳化硅構(gòu)成時，所述緩沖層則由氫化非晶氧化硅構(gòu)成。文檔編號H01L31/20GK102201462SQ20111006737公開日2011年9月28日申請日期2011年3月21日優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日發(fā)明者明承燁申請人:韓國鐵鋼株式會社