技術(shù)編號(hào)：6997225
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)非晶硅(a-Si)光電裝置自1976年首次面世以來(lái)，由于氫化非晶硅(a_SiH)在可視光區(qū)域的高光感應(yīng)度(photosensitivity)、光學(xué)能隙(optical band gap)的調(diào)節(jié)容易性、低價(jià)、低溫、大面積施工可能性等特點(diǎn)，在各領(lǐng)域廣泛地應(yīng)用。但是，后來(lái)發(fā)現(xiàn)氫化非晶硅(a-Si H)具有在光照下劣化(degradation)非常嚴(yán)重的光輻射引致性能衰退效應(yīng)(Mabler-Wronski effect)這一非常致命的弱點(diǎn)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。