專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)的制作方法及修補(bǔ)方法與修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種修補(bǔ)方法、修補(bǔ)后的結(jié)構(gòu)以及畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法、修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)以及一種使用較少光罩的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器主要由薄膜晶體管數(shù)組基板、彩色濾光數(shù)組基板和液晶層所構(gòu)成，其中薄膜晶體管數(shù)組基板是由多個(gè)數(shù)組排列的畫素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。一般來(lái)說(shuō)，畫素結(jié)構(gòu)的制作方法包括下述步驟。首先，在一基板上形成一間極。接著，在基板上形成一間絕緣層以覆蓋閘極。然后，在間絕緣層上形成一半導(dǎo)體通道層。之后，于半導(dǎo)體通道層上方形成一源極以及一汲極。接著，在基板上形成一保護(hù)層以覆蓋半導(dǎo)體通道層、源極以及汲極。然后，在保護(hù)層上制作一接觸窗口。之后，于保護(hù)層上形成一畫素電極，此畫素電極是部分填入接觸窗口中而與汲極電性連接。如此，畫素結(jié)構(gòu)的制作便大致完成。如上所述，習(xí)知的畫素結(jié)構(gòu)的制作主要是藉由第一光罩形成閘極，第二光罩形成半導(dǎo)體通道層，第三光罩形成源極及汲極，第四光罩形成接觸窗口，而第五光罩形成畫素電極。因此，習(xí)知的畫素結(jié)構(gòu)的制作是采用五道光罩的制程，因此制作步驟較多，制作時(shí)間較長(zhǎng)。當(dāng)制作步驟較繁復(fù)時(shí)，畫素結(jié)構(gòu)產(chǎn)生缺陷的機(jī)會(huì)較高，生產(chǎn)良率也較低。然而，隨著薄膜晶體管液晶顯示器朝大尺寸制作的發(fā)展趨勢(shì)，薄膜晶體管數(shù)組基板的制作將會(huì)面臨許多的問(wèn)題與挑戰(zhàn)，例如良率降低以及產(chǎn)能下降等等。因此若是能減少畫素結(jié)構(gòu)的光罩?jǐn)?shù)，即降低薄膜晶體管組件制作的曝光制程次數(shù)，即可以減少制造時(shí)間、增加產(chǎn)能，進(jìn)而降低制造成本且亦可提高制作良率。目前業(yè)界已提出多種方法，以降低光罩的數(shù)目。其中一種方式是使用半調(diào)式光罩 (half tone mask, HTM)或灰調(diào)式光罩(gray tone mask, GTM)，來(lái)達(dá)到減少光罩?jǐn)?shù)目的目的。此方法主要是以一個(gè)半調(diào)式或灰調(diào)式光罩當(dāng)做兩個(gè)光罩來(lái)使用，在半調(diào)曝光與顯影后， 蝕刻出間極區(qū)，再接著繼續(xù)蝕刻出源極與汲極區(qū)。但是，使用半調(diào)式或灰調(diào)式光罩時(shí)在光阻受到光學(xué)曝光的控制較為不易，因此所制作出的畫素結(jié)構(gòu)易有短路或點(diǎn)瑕疵(dot defect) 的問(wèn)題。然而，若直接報(bào)廢丟棄這些有瑕疵的液晶顯示面板，將會(huì)使得制造成本大幅增加。 一般來(lái)說(shuō)，只依賴改善制程技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)零瑕疵率是非常困難的，因此畫素結(jié)構(gòu)的瑕疵修補(bǔ)技術(shù)變得相當(dāng)?shù)刂匾?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的是提供一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，用以修補(bǔ)有瑕疵的畫素結(jié)構(gòu)， 以提高產(chǎn)品的良率。本發(fā)明的另一目的是提供一種修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其是利用上述的修補(bǔ)方式所形成的畫素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的再一目的是提供一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，可以減少所使用的光罩?jǐn)?shù)且具有較佳的產(chǎn)品可靠度。本發(fā)明提出一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其適于修補(bǔ)一畫素結(jié)構(gòu)。畫素結(jié)構(gòu)配置于一基板，且畫素結(jié)構(gòu)包括一主動(dòng)組件、一保護(hù)層以及一畫素電極。主動(dòng)組件包括一間極、一閘絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一金屬層。閘極配置于基板上。閘絕緣層位于半導(dǎo)體層與閘極之間。半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)以及一暴露出部分閘絕緣層的開口。金屬層具有一第一汲極區(qū)塊、一第二汲極區(qū)塊以及一源極區(qū)塊。源極區(qū)塊與第二汲極區(qū)塊位于通道區(qū)的兩側(cè)上。源極區(qū)塊位于第一汲極區(qū)塊與第二汲極區(qū)塊之間。源極區(qū)塊與第一汲極區(qū)塊位于開口的兩側(cè)上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件并與被開口所暴露出的部分閘絕緣層直接接觸。保護(hù)層具有一第一接觸窗口。畫素電極配置于保護(hù)層上且透過(guò)第一接觸窗口與第一汲極區(qū)塊電性連接。修補(bǔ)方法包括形成一貫穿畫素電極與保護(hù)層的第二接觸窗口，其中第二接觸窗口暴露出部分第二汲極區(qū)塊；以及形成一導(dǎo)電層于第二接觸窗口內(nèi)，畫素電極透過(guò)導(dǎo)電層與第二汲極區(qū)塊電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成第二接觸窗口的方法包括雷射切除制程。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成導(dǎo)電層的方法包括局部化學(xué)氣相沉積 (chemical vapor deposition, CVD)成膜法。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電層的材質(zhì)包括鎢。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成導(dǎo)電層的方法包括透過(guò)一熔接步驟熔接第二汲極區(qū)塊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的熔接步驟包括一雷射熔接制程(laser welding).本發(fā)明還提出一種修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其包括一主動(dòng)組件、一保護(hù)層、一畫素電極以及一導(dǎo)電層。主動(dòng)組件配置于一基板上，其包括一間極、一間絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一金屬層。間極位于基板上。間絕緣層配置于基板上且覆蓋間極。半導(dǎo)體層配置于間絕緣層上，且具有一通道區(qū)以及一暴露出部分間絕緣層的開口。金屬層配置于半導(dǎo)體層上，且具有一第一汲極區(qū)塊、一第二汲極區(qū)塊以及一源極區(qū)塊。源極區(qū)塊與第二汲極區(qū)塊位于通道區(qū)的兩側(cè)上。源極區(qū)塊位于第一汲極區(qū)塊與第二汲極區(qū)塊之間，且源極區(qū)塊與第一汲極區(qū)塊位于開口的兩側(cè)上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件并與被開口所暴露出的部分閘絕緣層直接接觸。 保護(hù)層具有一第一接觸窗口。畫素電極配置于保護(hù)層上，且具有一貫穿畫素電極與保護(hù)層的第二接觸窗口。畫素電極透過(guò)第一接觸窗口與第一汲極區(qū)塊電性連接，而第二接觸窗口暴露出部分第二汲極區(qū)塊。導(dǎo)電層配置于第二接觸窗口內(nèi)，且畫素電極透過(guò)導(dǎo)電層與第二汲極區(qū)塊電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電層的材質(zhì)包括鎢。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電層的材質(zhì)與第二汲極區(qū)塊的材質(zhì)相同。本發(fā)明另提出一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下述步驟。依序形成一閘極、一閘絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一金屬層于一基板上。形成一光阻層于金屬層上。以一灰階光罩對(duì)光阻層進(jìn)行曝光，其中灰階光罩具有一透光區(qū)、一半透光區(qū)以及一遮光區(qū)，其中透光區(qū)位于半透光區(qū)與遮光區(qū)之間。對(duì)曝光后的光阻層進(jìn)行一顯影，以形成一圖案化光阻層，其中圖案化光阻層具有一暴露出部分金屬層的貫口以及一盲孔。以圖案化光阻層為一蝕刻罩幕，移除貫口所暴露出的部分金屬層及其下方的部分半導(dǎo)體層，以及移除部分對(duì)應(yīng)于盲孔下方的金屬層及其下方的部分半導(dǎo)體層，而于半導(dǎo)體層上形成一暴露出部分間絕緣層的開口以及一通道區(qū)，且將金屬層劃分為一第一汲極區(qū)塊、一第二汲極區(qū)塊以及一源極區(qū)塊。源極區(qū)塊與第二汲極區(qū)塊位于通道區(qū)的兩側(cè)上。源極區(qū)塊位于第一汲極區(qū)塊與第二汲極區(qū)塊之間， 且源極區(qū)塊與第一汲極區(qū)塊位于開口的兩側(cè)上。移除圖案化光阻層。形成一保護(hù)層于基板上，其中保護(hù)層具有一第一接觸窗口，且保護(hù)層覆蓋金屬層并與被開口所部分閘絕緣層直接接觸。形成一畫素電極于保護(hù)層上，其中畫素電極透過(guò)第一接觸窗口與第一汲極區(qū)塊電性連接。形成一貫穿畫素電極與保護(hù)層的第二接觸窗口，其中第二接觸窗口暴露出部分第二汲極區(qū)塊。形成一導(dǎo)電層于第二接觸窗口內(nèi)，畫素電極透過(guò)導(dǎo)電層與第二汲極區(qū)塊電性連接?；谏鲜觯捎诒景l(fā)明是采用灰階光罩制作出具有第一汲極區(qū)塊、第二汲極區(qū)塊以及源極區(qū)塊的金屬層，因此當(dāng)對(duì)光阻過(guò)度曝光而導(dǎo)致半導(dǎo)體層具有暴露出閘絕緣層的開口，而導(dǎo)致第一汲極區(qū)塊失去功能時(shí)，可以透過(guò)形成第二接觸窗口以使導(dǎo)電層電性連接畫素電極與第二汲極區(qū)塊的方式來(lái)修補(bǔ)畫素結(jié)構(gòu)。如此一來(lái)，可將原本需要報(bào)廢的畫素結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)修補(bǔ)重新再利用。所以，本發(fā)明可以的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法可提高生產(chǎn)的良率以及降低整體的制造成本，而修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)具有較佳的可靠度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA至圖IK為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
10 基板
20 光阻層
20a:圖案化光阻層
22 貫孔
24 盲孔
30 灰階光罩
32 透光區(qū)
34 半透光區(qū)
36 遮光區(qū)
100 畫素結(jié)構(gòu)
IOOa 修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)
110 主動(dòng)組件
112 閘極
114 閘絕緣層
116:半導(dǎo)體層
116a 通道層
118 金屬層
118a 第一汲極區(qū)塊118b 第二汲極區(qū)塊 118c 源極區(qū)塊 120 保護(hù)層 130 畫素電極 140 導(dǎo)電層 Cl 第一接觸窗口 C2 第二接觸窗口 S 開口。
具體實(shí)施例方式圖IA至圖IK為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。請(qǐng)先參考圖1A，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟。首先，依序形成一閘極112、 一閘絕緣層114、一半導(dǎo)體層116以及一金屬層118于一基板10上。其中，基板10例如是一玻璃基板、一可撓性基板或其它適當(dāng)材質(zhì)的基板。形成閘極112的方法例如是先沈積一層導(dǎo)電層(未繪示)，之后再以微影以及蝕刻程序圖案化所述導(dǎo)電層，以形成閘極112。閘絕緣層114的材質(zhì)例如是氧化硅或氮化硅或其迭層，而形成閘絕緣層114的方法例如是化學(xué)氣相沈積法(chemical vapor deposition, CVD)。半導(dǎo)體層116的材質(zhì)例如是非晶硅或多晶硅?；趯?dǎo)電性的考慮，閘極112以及金屬層118 —般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，于其它實(shí)施例中，閘極112以及金屬層118亦可以使用其它導(dǎo)電材料，例如是合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、 金屬材料的氮氧化物或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆棧層。接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1A，形成一光阻層20于金屬層118上，其中光阻層20覆蓋部分金屬層118。接著，請(qǐng)參考圖1B，以一灰階光罩30對(duì)光阻層20進(jìn)行曝光，其中灰階光罩30具有一透光區(qū)32、一半透光區(qū)34以及一遮光區(qū)36，其中透光區(qū)32位于半透光區(qū)34與遮光區(qū) 36之間。接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1B，對(duì)曝光后的光阻層20進(jìn)行一顯影，以形成一圖案化光阻層 20a，其中由于制成差異而導(dǎo)致過(guò)度曝光，因而造成圖案化光阻層20a具有一暴露出部分金屬層118的貫口 22以及一盲孔對(duì)。其中，正常的曝光值是在46 11^/(^2至討mj/cm2，而異常曝光的曝光值是在M mj/cm2至62 mj/cm2之間。接著，請(qǐng)依序參考圖IC與圖1D，以圖案化光阻層20a為一蝕刻罩幕，移除貫口 22 所暴露出的部分金屬層118及其下方的部分半導(dǎo)體層116，而于半導(dǎo)體層116上形成一暴露出部分閘絕緣層114的開口 S。于此，此開口 S為一斷路瑕疵(open defect) 0此外，移除貫口 22所暴露出的部分金屬層118及其下方的部分半導(dǎo)體層116的方法例如是蝕刻制程。接著，請(qǐng)依序參考圖IE與圖1F，以圖案化光阻層20a為一蝕刻罩幕，移除部分對(duì)應(yīng)于盲孔M下方的金屬層118及其下方的部分半導(dǎo)體層116，而于半導(dǎo)體層116上形成一通道區(qū)116a。其中，移除部分對(duì)應(yīng)于盲孔M下方的金屬層118及其下方的部分半導(dǎo)體層116 的方法例如是蝕刻制程。此時(shí)，蝕刻制程以將金屬層118劃分為一第一汲極區(qū)塊118a、一第二汲極區(qū)塊118b以及一源極區(qū)塊118c。其中，源極區(qū)塊118c與第二汲極區(qū)塊118b位于通道區(qū)116a的兩側(cè)上，而源極區(qū)塊118c位于第一汲極區(qū)塊118a與第二汲極區(qū)塊118b之間， 且源極區(qū)塊118c與第一汲極區(qū)塊118a位于開口 S的兩側(cè)上。接著，請(qǐng)參考圖1G，移除圖案化光阻層20a，而暴露出第一汲極區(qū)塊118a、第二汲極區(qū)塊11 以及源極區(qū)塊118c。然后，請(qǐng)參考圖1H，形成一保護(hù)層120于基板10上，其中保護(hù)層120具有一第一接觸窗口 Cl，且保護(hù)層120覆蓋金屬層118并與被開口 S所部分閘絕緣層114直接接觸。之后，請(qǐng)參考圖II，形成一畫素電極130于保護(hù)層120上，其中畫素電極130透過(guò)第一接觸窗口 Cl與第一汲極區(qū)塊118a電性連接。至此，已大致完成畫素結(jié)構(gòu)100的制作。由于本實(shí)施例的光阻層20因過(guò)度曝光的關(guān)系，而造成后續(xù)制程時(shí)，半導(dǎo)體層140 產(chǎn)生一斷路瑕疵(open defect)，意即暴露出部分閘絕緣層114的開口 116a。如此一來(lái)，畫素結(jié)構(gòu)100會(huì)因?yàn)榇碎_口 S而產(chǎn)生亮點(diǎn)。針對(duì)上述的斷路瑕疵，下文將說(shuō)明如何利用本發(fā)明的修補(bǔ)方法，來(lái)對(duì)具有斷路瑕疵的畫素結(jié)構(gòu)100進(jìn)行修補(bǔ)。接著，請(qǐng)參考圖1J，形成一貫穿畫素電極130與保護(hù)層120的第二接觸窗口 C2，其中第二接觸窗口 C2暴露出部分第二汲極區(qū)塊118b。在本實(shí)施例中，形成第二接觸窗口 Cl 的方法例如是雷射切除制程。最后，請(qǐng)參考圖1K，形成一導(dǎo)電層140于第二接觸窗口 C2內(nèi)，其中畫素電極130 透過(guò)導(dǎo)電層140與第二汲極區(qū)塊118b電性連接。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層140的材質(zhì)例如是鎢，且形成導(dǎo)電層140的方法局部化學(xué)氣相沉積(CVD)成膜法。于此必須說(shuō)明的是，本發(fā)明并不限定形成導(dǎo)電層140與第二接觸窗口 C2的方法，于其它實(shí)施例中，形成導(dǎo)電層140與第二接觸窗口 C2的方法亦可透過(guò)雷射熔接制程(laser welding),以同時(shí)形成第二接觸窗口 C2以及熔接部分第二汲極區(qū)塊118b來(lái)作為導(dǎo)電層140。也就是說(shuō)，于其它實(shí)施例中，導(dǎo)電層140的材質(zhì)與第二汲極區(qū)塊118b的材質(zhì)實(shí)質(zhì)上相同。至此，已完成對(duì)具有斷路瑕疵的畫素結(jié)構(gòu)100的修補(bǔ)，而形成一修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)100a。結(jié)構(gòu)上，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1K，修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)100a包括閘極112、閘絕緣層114、半導(dǎo)體層116、金屬層118、保護(hù)層120、畫素電極130以及導(dǎo)電層140，其中閘極112、閘絕緣層 114、半導(dǎo)體層116以及金屬層118構(gòu)成一主動(dòng)組件110，且此主動(dòng)組件110配置于基板10 上。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，閘極112位于基板10上，閘絕緣層114配置于基板10上且覆蓋閘極112。 半導(dǎo)體層116配置于閘絕緣層114上，且具有通道區(qū)116a以及暴露出部分閘絕緣層114的開口 S。金屬層118配置于半導(dǎo)體層116上，且具有第一汲極區(qū)塊118a、第二汲極區(qū)塊11 以及源極區(qū)塊118c。源極區(qū)塊118c與第二汲極區(qū)塊118b位于通道區(qū)116a的兩側(cè)上。源極區(qū)塊118c位于第一汲極區(qū)塊118a與第二汲極區(qū)塊118b之間，且源極區(qū)塊118c與第一汲極區(qū)塊118a位于開口 S的兩側(cè)上。保護(hù)層120覆蓋主動(dòng)組件110并與被開口 S所暴露出的部分閘絕緣層114直接接觸，其中保護(hù)層120具有第一接觸窗口 Cl。畫素電極130配置于保護(hù)層120上，且具有貫穿畫素電極130與保護(hù)層120的第二接觸窗口 C2。畫素電極 130透過(guò)第一接觸窗口 Cl與第一汲極區(qū)塊118a電性連接，而第二接觸窗口 C2暴露出部分第二汲極區(qū)塊118b。導(dǎo)電層140配置于第二接觸窗口 C2內(nèi)，且畫素電極130透過(guò)導(dǎo)電層 140與第二汲極區(qū)塊118b電性連接。簡(jiǎn)言之，本實(shí)施例是透過(guò)形成貫穿畫素電極130與保護(hù)層120以暴露出部分第二汲極區(qū)塊118b的第二接觸窗口 C2，并于第二接觸窗口 C2內(nèi)形成導(dǎo)電層140以使畫素電極130與第二汲極區(qū)塊118b電性連接的方式，來(lái)修補(bǔ)具有斷路瑕疵的畫素結(jié)構(gòu)100。此修補(bǔ)方式除了可以將原本需要報(bào)廢的畫素結(jié)構(gòu)100經(jīng)過(guò)修補(bǔ)后形成修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)IOOa而重新再利用，亦可提高畫素結(jié)構(gòu)IOOa的生產(chǎn)的良率并降低整體的制造成本。再者，由于本實(shí)施例是采用四道光罩的方式來(lái)制作畫素結(jié)構(gòu)100，因此于制程上相對(duì)于五道光罩制程，本實(shí)施例可使用較少的光罩?jǐn)?shù)，以降低制造成本與制程時(shí)間。綜上所述，由于本發(fā)明是采用灰階光罩制作出具有第一汲極區(qū)塊、第二汲極區(qū)塊以及源極區(qū)塊的金屬層，因此當(dāng)對(duì)光阻過(guò)度曝光而導(dǎo)致半導(dǎo)體層具有暴露出閘絕緣層的開口，而導(dǎo)致第一汲極區(qū)塊失去功能時(shí)，可以透過(guò)形成第二接觸窗口以使導(dǎo)電層電性連接畫素電極與第二汲極區(qū)塊的方式來(lái)修補(bǔ)畫素結(jié)構(gòu)。如此一來(lái)，可將原本需要報(bào)廢的畫素結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)修補(bǔ)重新再利用。所以，本發(fā)明可以的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法提高生產(chǎn)的良率以及降低整體的制造成本，而修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)具有較佳的可靠度。此外，由于本發(fā)明采用灰階光罩來(lái)制作畫素結(jié)構(gòu)，因此可減少光罩的使用數(shù)，以提升制程良率。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，適于修補(bǔ)一畫素結(jié)構(gòu)，該畫素結(jié)構(gòu)配置于一基板，且該畫素結(jié)構(gòu)包括一主動(dòng)組件、一保護(hù)層以及一畫素電極，該主動(dòng)組件包括一間極、一間絕緣層、 一半導(dǎo)體層以及一金屬層，其中該間極配置于該基板上，該間絕緣層位于該半導(dǎo)體層與該閘極之間，該半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)以及一暴露出部分該閘絕緣層的開口，該金屬層具有一第一汲極區(qū)塊、一第二汲極區(qū)塊以及一源極區(qū)塊，該源極區(qū)塊與該第二汲極區(qū)塊位于該通道區(qū)的兩側(cè)上，該源極區(qū)塊位于該第一汲極區(qū)塊與該第二汲極區(qū)塊之間，且該源極區(qū)塊與該第一汲極區(qū)塊位于該開口的兩側(cè)上，該保護(hù)層覆蓋該主動(dòng)組件并與被該開口所暴露出的部分該間絕緣層直接接觸，該保護(hù)層具有一第一接觸窗口，該畫素電極配置于該保護(hù)層上且透過(guò)該第一接觸窗口與該第一汲極區(qū)塊電性連接，其特征在于，該修補(bǔ)方法包括形成一貫穿該畫素電極與該保護(hù)層的第二接觸窗口，其中該第二接觸窗口暴露出部分該第二汲極區(qū)塊；以及形成一導(dǎo)電層于該第二接觸窗口內(nèi)，該畫素電極透過(guò)該導(dǎo)電層與該第二汲極區(qū)塊電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于形成所述的第二接觸窗口的方法包括雷射切除制程。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于形成所述的導(dǎo)電層的方法包括局部化學(xué)氣相沉積成膜法。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于所述導(dǎo)電層的材質(zhì)包括鎢。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于形成所述導(dǎo)電層的方法包括透過(guò)一熔接步驟熔接該第二汲極區(qū)塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于所述熔接步驟包括一雷射熔接制程。
7.一種修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一主動(dòng)組件、一保護(hù)層、一畫素電極以及一導(dǎo)電層；所述的主動(dòng)組件配置于一基板上， 包括一閘極，位于該基板上；一閘絕緣層，配置于該基板上且覆蓋該閘極；一半導(dǎo)體層，配置于該間絕緣層上，且具有一通道區(qū)以及一暴露出部分該間絕緣層的開口 ；以及一金屬層，配置于該半導(dǎo)體層上，且具有一第一汲極區(qū)塊、一第二汲極區(qū)塊以及一源極區(qū)塊，其中該源極區(qū)塊與該第二汲極區(qū)塊位于該通道區(qū)的兩側(cè)上，該源極區(qū)塊位于該第一汲極區(qū)塊與該第二汲極區(qū)塊之間，且該源極區(qū)塊與該第一汲極區(qū)塊位于該開口的兩側(cè)上；所述的保護(hù)層覆蓋該主動(dòng)組件并與被該開口所暴露出的部分該間絕緣層直接接觸，該保護(hù)層具有一第一接觸窗口；所述的畫素電極配置于該保護(hù)層上，且具有一貫穿該畫素電極與該保護(hù)層的第二接觸窗口，其中該畫素電極透過(guò)該第一接觸窗口與該第一汲極區(qū)塊電性連接，而該第二接觸窗口暴露出部分該第二汲極區(qū)塊；以及所述的導(dǎo)電層配置于該第二接觸窗口內(nèi)，且該畫素電極透過(guò)該導(dǎo)電層與該第二汲極區(qū)塊電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)電層的材質(zhì)包括鎢。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)電層的材質(zhì)與該第二汲極區(qū)塊的材質(zhì)相同。
10.一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括依序形成一間極、一間絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一金屬層于一基板上；形成一光阻層于該金屬層上；以一灰階光罩對(duì)該光阻層進(jìn)行曝光，其中該灰階光罩具有一透光區(qū)、一半透光區(qū)以及一遮光區(qū)，其中該透光區(qū)位于該半透光區(qū)與該遮光區(qū)之間；對(duì)曝光后的該光阻層進(jìn)行一顯影，以形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層具有一暴露出部分該金屬層的貫口以及一盲孔；以該圖案化光阻層為一蝕刻罩幕，移除該貫口所暴露出的部分該金屬層及其下方的部分該半導(dǎo)體層，以及移除部分對(duì)應(yīng)于該盲孔下方的該金屬層及其下方的部分該半導(dǎo)體層， 而于該半導(dǎo)體層上形成一暴露出部分該間絕緣層的開口以及一通道區(qū)，且將該金屬層劃分為一第一汲極區(qū)塊、一第二汲極區(qū)塊以及一源極區(qū)塊，其中該源極區(qū)塊與該第二汲極區(qū)塊位于該通道區(qū)的兩側(cè)上，該源極區(qū)塊位于該第一汲極區(qū)塊與該第二汲極區(qū)塊之間，且該源極區(qū)塊與該第一汲極區(qū)塊位于該開口的兩側(cè)上；移除該圖案化光阻層；形成一保護(hù)層于該基板上，其中該保護(hù)層具有一第一接觸窗口，且該保護(hù)層覆蓋該金屬層并與被該開口所部分該閘絕緣層直接接觸；形成一畫素電極于該保護(hù)層上，其中該畫素電極透過(guò)該第一接觸窗口與該第一汲極區(qū)塊電性連接；形成一貫穿該畫素電極與該保護(hù)層的第二接觸窗口，其中該第二接觸窗口暴露出部分該第二汲極區(qū)塊；以及形成一導(dǎo)電層于該第二接觸窗口內(nèi)，該畫素電極透過(guò)該導(dǎo)電層與該第二汲極區(qū)塊電性連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法。畫素結(jié)構(gòu)包括一主動(dòng)組件、一保護(hù)層及一畫素電極。主動(dòng)組件包括一閘極、一閘絕緣層、一半導(dǎo)體層及一金屬層。半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)及一暴露出部分閘絕緣層的開口。金屬層的一源極區(qū)塊與一第二汲極區(qū)塊位于通道區(qū)的兩側(cè)上，而金屬層的源極區(qū)塊與一第一汲極區(qū)塊位于開口的兩側(cè)上。畫素電極透過(guò)保護(hù)層的一第一接觸窗口與第一汲極區(qū)塊電性連接。修補(bǔ)方法包括形成一貫穿畫素電極與保護(hù)層且暴露出部分第二汲極區(qū)塊的第二接觸窗口；以及形成一導(dǎo)電層于第二接觸窗口內(nèi)，畫素電極透過(guò)導(dǎo)電層與第二汲極區(qū)塊電性連接。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102169265SQ201110064650
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月17日
發(fā)明者胡筱姍, 陳德譽(yù) 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 福建華映顯示科技有限公司