專利名稱：下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種面板結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種可用于薄膜晶體管液晶顯示面板的
下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：
—般薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT LCD)的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層用 以作為閘極電極，于第一金屬層上形成非晶硅層，且相互間透過絕緣層以相區(qū)隔；一第二金 屬層將形成于非晶硅層上，此第二金屬層將具有多汲極電極、多源極電極及多條資料線；之 后再于第二金屬層上形成多個薄膜導(dǎo)電層，且第二金屬層與薄膜導(dǎo)電層之間相以絕緣層加 以區(qū)隔。 由于第二金屬層與薄膜導(dǎo)電層之間具有絕緣層，因此，薄膜導(dǎo)電層與第二金屬層 之?dāng)?shù)據(jù)現(xiàn)之間將產(chǎn)生邊際電容效應(yīng)，底下將針對此效應(yīng)加以說明 圖1所示為薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置的結(jié)構(gòu)立體圖，并請同時參閱圖2所示 的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，多個薄膜導(dǎo)電32設(shè)置于一絕緣 層34上，此薄膜導(dǎo)電層32兩側(cè)為平整面， 一資料線30設(shè)置于兩相鄰薄膜導(dǎo)電層32之中間 位置，如此，數(shù)據(jù)線30與兩相鄰薄膜導(dǎo)電層32形成的邊際電容36將為相對稱。當(dāng)數(shù)據(jù)線 30與相鄰薄膜導(dǎo)電層32之間具有對位誤差，且誤差過大時，將如圖3所示，數(shù)據(jù)線30對位 將較接近右邊之薄膜導(dǎo)電層32，將使得此數(shù)據(jù)線30因與右邊的薄膜導(dǎo)電層32相距較近，進(jìn) 而使彼此間形成的邊際電容36較大，反之與左邊薄膜導(dǎo)電層32間相距較遠(yuǎn)，進(jìn)而使彼此間 形成的邊際電容36較小，如此因?qū)ξ徽`差過大所造成邊際電容36不對稱的現(xiàn)象，將使薄膜 晶體管液晶顯示面板容易于特定畫面，產(chǎn)生畫面灰暗不均現(xiàn)象。 有鑒于此，本發(fā)明是針對上述該些困擾，將改良薄膜導(dǎo)電層32的結(jié)構(gòu)，以使當(dāng)數(shù) 據(jù)線30與薄膜導(dǎo)電層32發(fā)生過大對位誤差時，能有效降低數(shù)據(jù)線30與相鄰膜導(dǎo)電層32 之間邊際電容36不對稱的比例。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其將大幅降低第二金屬層的數(shù)據(jù)
線與相鄰薄膜導(dǎo)電層之間因?qū)ξ徽`差所造成的邊際電容比例不相對稱的現(xiàn)象。 本發(fā)明的另一目的在提供一種下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其將大幅改善薄膜晶體管液晶顯
示面板在特定畫面產(chǎn)生的畫面不均現(xiàn)象，以提升顯示面板之畫面顯示質(zhì)量。 為達(dá)到上述之目的，本發(fā)明提出的畫素薄膜晶體管結(jié)構(gòu)是以一第一金屬層作為閘
極電極，一非晶硅層位于第一金屬層上，于此非晶硅層上將形成一第二金屬層，此第二金屬
層將具有多個汲極電極、多個源極電極與多條資料線；于此第二金屬層上再形成多個薄膜
導(dǎo)電層，此薄膜導(dǎo)電層兩側(cè)具有多個凸起部與凹陷部，呈現(xiàn)規(guī)則鋸齒形狀，并且第二金屬層
的每一數(shù)據(jù)線位于相鄰兩薄膜導(dǎo)電層之間，通過將薄膜導(dǎo)電層兩側(cè)為規(guī)則鋸齒形狀的結(jié)構(gòu)
設(shè)計，將可降低薄膜導(dǎo)電層與資料線發(fā)生對位誤差過大所導(dǎo)致邊際電容不對稱的現(xiàn)象。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對發(fā)明進(jìn)一步說明； 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置的結(jié)構(gòu)立體圖； 圖2為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置對位誤差過大的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)剖視圖； 圖5為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置的結(jié)構(gòu)立體圖； 圖6為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置對位誤差過大的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖8為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)立體圖； 圖9為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖10為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置另一實(shí)施例對位誤差過大的結(jié)構(gòu)
示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提出一種下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其薄膜導(dǎo)電層兩側(cè)將為規(guī)則鋸齒形狀，且于兩 相鄰的薄膜導(dǎo)電層之間將對應(yīng)第二金屬層設(shè)置數(shù)據(jù)線，當(dāng)薄膜導(dǎo)電層與資料線發(fā)生對位誤 差過大時，薄膜導(dǎo)電層兩側(cè)鋸齒形狀的設(shè)計，將可有效降低數(shù)據(jù)線與相鄰膜導(dǎo)電層之間邊 際電容值不對稱的比例，底下則將以較佳實(shí)施例來詳述本發(fā)明的技術(shù)特征。
圖4所示為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)剖視圖，如圖所示，一第一金屬層10是做為閘極電極，于 第一金屬層IO上將形成一非晶硅層12 ;—第二金屬層14位于非晶硅層12上，此第二金屬 層14將具有多個汲極電極(圖中未示)、多個源極電極(圖中未示)及多條為直線對稱設(shè) 計的數(shù)據(jù)線(圖中未示)；于此第二金屬層14上將再形成材質(zhì)為銦錫氧化物的多個薄膜導(dǎo) 電層16，此薄膜導(dǎo)電層16將做為薄膜晶體管液晶顯示面板下導(dǎo)板電極層；此外，第一金屬 層IO及非晶硅層12之間與第二金屬層14及薄膜導(dǎo)電層16之間分別利用材質(zhì)為氧化硅、 氧化鉭或氮化硅的一絕緣層18加以隔絕。 底下將針對薄膜導(dǎo)電層16結(jié)構(gòu)以及其與直線對稱設(shè)計的數(shù)據(jù)線的相對位置的結(jié) 構(gòu)加以說明。 如圖5所示，薄膜導(dǎo)電層16兩側(cè)分別具有多個凸起部22與多個凹陷部24，凹陷部 24位于兩相鄰的凸起部22之間，凸起部22與凹陷部24排列呈現(xiàn)規(guī)則鋸齒形狀；并且于兩 相鄰的薄膜導(dǎo)電層16之間對應(yīng)于第二金屬層14設(shè)置一資料線20 ;此外，每一薄膜導(dǎo)電層 16的凸起部22可與相鄰的薄膜導(dǎo)電層16的凸起部22相對，使兩相鄰薄膜導(dǎo)電層16呈現(xiàn) 相對稱對應(yīng)。 由于第二金屬層14及薄膜導(dǎo)電層16之間具有絕緣層18，因此，數(shù)據(jù)線20與相鄰 兩薄膜導(dǎo)電層16之間將有邊際電容26的形成，如圖6所示，請同時參閱圖5的結(jié)構(gòu)立體圖， 數(shù)據(jù)線20設(shè)置于相鄰兩薄膜導(dǎo)電層16之間，且數(shù)據(jù)線20與薄膜導(dǎo)電層16的凸起部22相 距較近，進(jìn)而所形成的邊寄電容26將較大；反觀，資料線20與薄膜導(dǎo)電層16的凹陷部24 相距較遠(yuǎn)，進(jìn)而所產(chǎn)生的邊寄電容26則將較??；此外，數(shù)據(jù)線20與薄膜導(dǎo)電層16之間的邊際電容26總值為數(shù)據(jù)線20與薄膜導(dǎo)電層16的凸起部22及凹陷部24所形成的多個大小 的邊寄電容26并聯(lián)而成；且由于數(shù)據(jù)線20位于相鄰兩薄膜導(dǎo)電層16的中央位置，使得數(shù) 據(jù)線20與左側(cè)薄膜導(dǎo)電層16形成的邊際電容26總值將等同為資料線20與右側(cè)薄膜導(dǎo)電 層16形成之邊際電容26總值。 當(dāng)發(fā)生薄膜導(dǎo)電層16與資料線20發(fā)生對位誤差過大情況時，如圖7所示，數(shù)據(jù)線 20較為靠近右側(cè)的薄膜導(dǎo)電層16，因此，數(shù)據(jù)線20與右側(cè)薄膜導(dǎo)電層16的凸起部22及凹 陷部24分別形成的邊際電容26，將較大于數(shù)據(jù)線20與左側(cè)薄膜導(dǎo)電層16的凸起部22及 凹陷部24分別形成的邊際電容26 ;然而，由于數(shù)據(jù)線20與薄膜導(dǎo)電層16的凸起部22所 產(chǎn)生的邊寄電容26與數(shù)據(jù)線20與薄膜導(dǎo)電層16的凹陷部24所產(chǎn)生的邊寄電容26將相 并聯(lián)，透過此并聯(lián)的效果，使得數(shù)據(jù)線20與右側(cè)薄膜導(dǎo)電層16形成的邊際電容26總值，將 可接近于資料線20與左側(cè)薄膜導(dǎo)電層16形成的邊際電容26總值，進(jìn)而有效降低數(shù)據(jù)線20 與相鄰兩薄膜導(dǎo)電層16之間發(fā)生邊際電容26比例不對稱的情況。 承上所述，相鄰薄膜導(dǎo)電層16之間為相對稱對應(yīng)的實(shí)施例。另外，相鄰薄膜導(dǎo)電 層16之間可為相互補(bǔ)對應(yīng)，如圖8與圖9所示為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位置另 一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)立體圖與結(jié)構(gòu)示意圖，每一薄膜導(dǎo)電層16的凸起部22與相鄰的薄膜導(dǎo)電 層16的凹陷部24相對，呈現(xiàn)為相互補(bǔ)對應(yīng)。圖10為本發(fā)明的薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線相對位 置另一實(shí)施例對位誤差過大的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，數(shù)據(jù)線20與薄膜導(dǎo)電層16的凸起部 22所產(chǎn)生的邊寄電容26與數(shù)據(jù)線20與薄膜導(dǎo)電層16的凹陷部24所產(chǎn)生的邊寄電容26 將相并聯(lián)，使得數(shù)據(jù)線20與右左兩側(cè)薄膜導(dǎo)電層16分別形成的邊際電容26總值為相趨 近，使得數(shù)據(jù)線20與相鄰兩薄膜導(dǎo)電層16之間發(fā)生邊際電容26比例不對稱的情況將大幅 改善。 經(jīng)由上述實(shí)施例說明可知本發(fā)明是將通過薄膜導(dǎo)電層16兩側(cè)具有鋸齒形狀的凸 起部22與凹陷部24的設(shè)計，使得數(shù)據(jù)線20分別與相鄰兩薄膜導(dǎo)電層16之間形成的邊際 電容能夠于發(fā)生對位誤差過大時，尚能保持對稱比例，進(jìn)而降低液晶顯示面板在特定畫面 時發(fā)生的畫面不均現(xiàn)象。 以上所述者，僅為本發(fā)明一較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，故 凡依本發(fā)明申請專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括 于本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于包括，一第一金屬層；一非晶硅層，位于該第一金屬層上；一第二金屬層，位于該非晶硅層上，且具有多條數(shù)據(jù)線；以及多個薄膜導(dǎo)電層，設(shè)置該第二金屬層上，每一該薄膜導(dǎo)電層之兩側(cè)分別具有多個凸起部與多個凹陷部，且兩相鄰之該薄膜導(dǎo)電層之間對應(yīng)設(shè)置有該數(shù)據(jù)線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一絕緣層，設(shè)置于該第 一金屬層與該非晶硅層之間及該第二金屬層與該薄膜導(dǎo)電層之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該凹陷部位于兩相鄰的該凸 起部之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該凸起部與該凹陷部組成規(guī) 則鋸齒形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于每一該薄膜導(dǎo)電層之該凸起 部與相鄰的該薄膜導(dǎo)電層的該凸起部相對應(yīng)或與相鄰的該薄膜導(dǎo)電層的該凹陷部相對應(yīng)， 使兩相鄰的該薄膜導(dǎo)電層的該凸起部與凹陷部為相對稱對應(yīng)或?yàn)橄嗷パa(bǔ)對應(yīng)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一金屬層作為一閘極電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二金屬層具有多個汲極 電極與源極電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該絕緣層為氧化硅、氧化鉭或 氮化硅等材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一金屬層與該第二金屬 層為銅、鋁或鎳等材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該薄膜導(dǎo)電層為銦錫氧化物。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該薄膜導(dǎo)電層為可透光。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該薄膜導(dǎo)電層為薄膜晶體管 液晶顯示面板下導(dǎo)板電極層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種下導(dǎo)板畫素結(jié)構(gòu)，其將改良薄膜導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，將薄膜導(dǎo)電層兩側(cè)設(shè)計成具有凸起部與凹陷部的鋸齒形狀，當(dāng)薄膜導(dǎo)電層與位于第二金屬層的資料線發(fā)生對位誤差過大時，此兩側(cè)凸起部與凹陷部的結(jié)構(gòu)設(shè)計，將可使薄膜導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線之間形成的邊際電容不對稱的比例大幅降低，如此將可有效改善薄膜晶體管液晶顯示面板發(fā)生畫面不均勻的現(xiàn)象。
文檔編號H01L23/522GK101707201SQ20091003678
公開日2010年5月12日 申請日期2009年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月19日
發(fā)明者邱昌明, 鐘明達(dá) 申請人:深超光電(深圳)有限公司