專(zhuān)利名稱(chēng)：畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制作方法
畫(huà)素結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，尤指一種具有防止靜電荷累積功能設(shè)計(jì)的畫(huà)素結(jié)
構(gòu)，屬于液晶顯示器制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
液晶顯示器已被廣泛地應(yīng)用在各式電子產(chǎn)品，如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)及 筆記型計(jì)算機(jī)(notebook)等，且隨著大小尺寸平面顯示器市場(chǎng)的快速發(fā)展，具有輕薄短小 特性的液晶顯示器更是扮演著相當(dāng)重要的角色，而逐漸取代陰極射線(xiàn)管(CRT)顯示器成 為市場(chǎng)主流。請(qǐng)參考圖1，圖1是傳統(tǒng)電容耦合式(Capacitance Coupling Type, C-C type)畫(huà)素
結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖1所示，傳統(tǒng)電容耦合式畫(huà)素結(jié)構(gòu)100主要包含一掃描線(xiàn)102、 一 數(shù)據(jù)線(xiàn)104、 一共通線(xiàn)106、 一薄膜晶體管108、 一第一畫(huà)素電容110、 一第二畫(huà)素電容 112、 一儲(chǔ)存電容114、 一調(diào)整電容116、 一第一區(qū)域118以及一第二區(qū)域120。其中，第 一畫(huà)素電容110與薄膜晶體管108直接電性連接，而調(diào)整電容116設(shè)置于薄膜晶體管108 與第二畫(huà)素電容112之間。當(dāng)電容耦合式畫(huà)素結(jié)構(gòu)100內(nèi)的薄膜晶體管108對(duì)第一區(qū)域 118以及第二區(qū)域120進(jìn)行充放電時(shí)，由于調(diào)整電容116的設(shè)置使得第一區(qū)域118與第二 區(qū)域120內(nèi)具有不同的等效電容效應(yīng)，使第一區(qū)域118與第二區(qū)域120內(nèi)具有不同驅(qū)動(dòng)電 壓與不同輝度。然而，在組件實(shí)際操作上，傳統(tǒng)電容耦合式畫(huà)素結(jié)構(gòu)100的靜電荷容易 累積于第二畫(huà)素電容112與調(diào)整電容116之間而無(wú)法釋放而產(chǎn)生靜電場(chǎng)，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?使液晶受離子污染，而使顯示畫(huà)面有燒付問(wèn)題。因此，如何發(fā)展具有防止靜電荷累積功 能的畫(huà)素結(jié)構(gòu)以解決傳統(tǒng)電容耦合式技術(shù)無(wú)法克服的缺點(diǎn)，乃是目前業(yè)界努力之重要目 標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，以解決傳統(tǒng)畫(huà)素靜電荷累 積的問(wèn)題。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明揭露一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其包含一掃描線(xiàn)、 一數(shù)據(jù) 線(xiàn)、 一訊號(hào)線(xiàn)、 一儲(chǔ)存電容包含一第一端與一第二端、 一第一薄膜晶體管包含一第一閘 極電極端、 一第一源極電極端以及一第一汲極電極端、 一第一畫(huà)素電容包含一第一端與 一第二端、 一調(diào)整電容包含一第一端與一第二端、 一第二畫(huà)素電容包含一第一端與一第 二端，以及一第二薄膜晶體管包含一第二閘極電極端、 一第二源極電極端以及一第二汲 極電極端。第一閘極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，第一源極電極端與數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且 第一汲極電極端與儲(chǔ)存電容的第一端電性連接。第一畫(huà)素電容的第一端與第一汲極電極 端電性連接，且第一畫(huà)素電容的第二端與一共通電位電性連接。調(diào)整電容的第一端與第 一汲極電極端電性連接。第二畫(huà)素電容的第一端與調(diào)整電容的第二端電性連接，且第二 畫(huà)素電容的第二端與共通電位電性連接。第二源極電極端與調(diào)整電容的第二端以及第二
7畫(huà)素電容的第一端電性連接，第二閘極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，且第二汲極電極端與 訊號(hào)線(xiàn)電性連接。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還揭露一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其包含一掃描線(xiàn)、 一數(shù)據(jù) 線(xiàn)、 一第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)、 一第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)、 一第一區(qū)域、 一第二區(qū)域、 一第一儲(chǔ)存電 容、 一第一薄膜晶體管、 一第一畫(huà)素電容、 一第一調(diào)整電容、 一第二畫(huà)素電容、 一第二 薄膜晶體管、 一第二儲(chǔ)存電容、 一第三薄膜晶體管、 一第三畫(huà)素電容、 一第二調(diào)整電 容、 一第四畫(huà)素電容，以及一第四薄膜晶體管。所述第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)，具有一第一時(shí) 變周期性訊號(hào)。所述第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)，具有一第二時(shí)變周期性訊號(hào)，且第一時(shí)變周期 性訊號(hào)不同于第二時(shí)變周期性訊號(hào)。所述第一區(qū)域，位于第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)與掃描線(xiàn)之 間。所述第二區(qū)域，位于第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)與掃描線(xiàn)之間。所述第一儲(chǔ)存電容，位于第 一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，且第一儲(chǔ)存電容的第二端與第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連 接。所述第一薄膜晶體管，位于第一區(qū)域，包含一第一閘極電極端、 一第一源極電極端 以及一第一汲極電極端，其中第一閘極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，第一源極電極端與數(shù) 據(jù)線(xiàn)電性連接，且第一汲極電極端與第一儲(chǔ)存電容的第一端電性連接。所述第一畫(huà)素電 容，位于第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第一畫(huà)素電容的第一端與第一汲極 電極端電性連接，且第一畫(huà)素電容的第二端與一共通電位電性連接。第一調(diào)整電容，位 于第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第一調(diào)整電容的第一端與第一汲極電極端 電性連接。第二畫(huà)素電容，位于第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第二畫(huà)素電 容的第一端與第一調(diào)整電容之第二端電性連接，且第二畫(huà)素電容的第二端與共通電位電 性連接。所述第二薄膜晶體管，位于第一區(qū)域，包含一第二閘極電極端、 一第二源極電 極端以及一第二汲極電極端，其中第二源極電極端與第一調(diào)整電容的第二端以及第二畫(huà) 素電容的第一端電性連接，第二閘極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，且第二汲極電極端與第 一振蕩訊線(xiàn)電性連接。所述第二儲(chǔ)存電容，位于第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端， 且第二儲(chǔ)存電容的第二端與第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接。所述第三薄膜晶體管，位于第二 區(qū)域，包含一第三閘極電極端、 一第三源極電極端以及一第三汲極電極端，其中第三閘 極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，第三源極電極端與數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且第三汲極電極端與 第二儲(chǔ)存電容的第一端電性連接。所述第三畫(huà)素電容，位于第二區(qū)域，包含一第一端與 一第二端，其中第三畫(huà)素電容的第一端與第三汲極電極端電性連接，且第三畫(huà)素電容的 第二端與一共通電位電性連接。所述第二調(diào)整電容，位于第二區(qū)域，包含一第一端與 一第二端，其中第二調(diào)整電容的第一端與第三汲極電極端電性連接。所述第四畫(huà)素電 容，位于第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第四畫(huà)素電容的第一端與第二調(diào)整 電容的第二端電性連接，且第四畫(huà)素電容的第二端與共通電位電性連接。所述第四薄膜 晶體管，位于第二區(qū)域，包含一第四閘極電極端、 一第四源極電極端以及一第四汲極電 極端，其中第四源極電極端與第二調(diào)整電容的第二端以及第四畫(huà)素電容的第一端電性連 接，第四閘極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，且第四汲極電極端與第二振蕩訊線(xiàn)電性連接。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明再揭露一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其包含一掃描線(xiàn)、 一數(shù)據(jù) 線(xiàn)、 一訊號(hào)線(xiàn)、 一儲(chǔ)存電容、 一第一薄膜晶體管、 一第一畫(huà)素電容、 一調(diào)整電容、 一第 二畫(huà)素電容，以及一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)。所述儲(chǔ)存電容，包含一第一端與一第二端。所述第 一薄膜晶體管，包含一第一閘極電極端、 一第一源極電極端以及一第一汲極電極端，其中第一閘極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，第一源極電極端與數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且第一汲極 電極端與儲(chǔ)存電容的第一端電性連接。第一畫(huà)素電容，包含一第一端與一第二端，其中 第一畫(huà)素電容的第一端與第一汲極電極端電性連接，且第一畫(huà)素電容的第二端與一共通 電位電性連接。所述調(diào)整電容，包含一第一端與一第二端，其中調(diào)整電容的第一端與第 一汲極電極端電性連接。所述第二畫(huà)素電容，包含一第一端與一第二端，其中第二畫(huà)素 電容的第一端與調(diào)整電容的第二端電性連接，且第二畫(huà)素電容的第二端與共通電位電性 連接。所述雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)，包含一第一端與一第二端，其中雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第一端與調(diào) 整電容的第二端以及第二畫(huà)素電容的第一端電性連接。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明又揭露一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其包含一掃描線(xiàn)、 一數(shù)據(jù) 線(xiàn)、 一第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)、 一第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)、 一第一區(qū)域、 一第二區(qū)域、 一第一儲(chǔ)存電 容、 一第一薄膜晶體管、 一第一畫(huà)素電容、 一第一調(diào)整電容、 一第一調(diào)整電容、 一第二 畫(huà)素電容、 一第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)、 一第二儲(chǔ)存電容、 一第三薄膜晶體管、 一第三畫(huà)素電 容、 一第二調(diào)整電容、 一第四畫(huà)素電容，以及一第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)。所述第一振蕩訊號(hào) 線(xiàn)，具有一第一時(shí)變周期性訊號(hào)。所述第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)，具有一第二時(shí)變周期性訊號(hào)， 且第一時(shí)變周期性訊號(hào)不同于第二時(shí)變周期性訊號(hào)。所述第一區(qū)域，位于第一振蕩訊號(hào) 線(xiàn)與掃描線(xiàn)之間。所述第二區(qū)域，位于第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)與掃描線(xiàn)之間。所述第一儲(chǔ)存 電容，位于第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，且第一儲(chǔ)存電容的第二端與第一振蕩 訊號(hào)線(xiàn)電性連接。所述第一薄膜晶體管，位于第一區(qū)域，包含一第一閘極電極端、 一第 一源極電極端以及一第一汲極電極端，其中第一閘極電極端與掃描線(xiàn)電性連接，第一源 極電極端與數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且第一汲極電極端與第一儲(chǔ)存電容的第一端電性連接。所 述第一畫(huà)素電容，位于第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第一畫(huà)素電容的第一 端與第一汲極電極端電性連接，且第一畫(huà)素電容的第二端與一共通電位電性連接。所述 第一調(diào)整電容，位于第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第一調(diào)整電容的第一端 與第一汲極電極端電性連接。所述第二畫(huà)素電容，位于第一區(qū)域，包含一第一端與一第 二端，其中第二畫(huà)素電容的第一端與第一調(diào)整電容的第二端電性連接，且第二畫(huà)素電容 的第二端與共通電位電性連接。所述第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)，位于第一區(qū)域，包含一第一端 與一第二端，其中第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第一端與第一調(diào)整電容的第二端以及第二畫(huà)素電 容的第一端電性連接。第二儲(chǔ)存電容，位于第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，且第 二儲(chǔ)存電容的第二端與第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接。所述第三薄膜晶體管，位于第二區(qū) 域，包含一第三閘極電極端、 一第三源極電極端以及一第三汲極電極端，其中第三閘極 電極端與掃描線(xiàn)電性連接，第三源極電極端與數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且第三汲極電極端與第 二儲(chǔ)存電容的第一端電性連接。所述第三畫(huà)素電容，位于第二區(qū)域，包含一第一端與一 第二端，其中第三畫(huà)素電容的第一端與第三汲極電極端電性連接，且第三畫(huà)素電容的第 二端與一共通電位電性連接。所述第二調(diào)整電容，位于第二區(qū)域，包含一第一端與一第 二端，其中第二調(diào)整電容的第一端與第三汲極電極端電性連接。所述第四畫(huà)素電容，位 于第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第四畫(huà)素電容的第一端與第二調(diào)整電容的 第二端電性連接，且第四畫(huà)素電容的第二端與共通電位電性連接。所述第二雙向觸發(fā)開(kāi) 關(guān)，位于第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第一端與第二 調(diào)整電容的第二端以及第四畫(huà)素電容的第一端電性連接。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)設(shè)置調(diào)整電容，以于畫(huà)素結(jié)構(gòu)內(nèi)各不同位 置形成不同等效電容，使畫(huà)素結(jié)構(gòu)內(nèi)各位置呈現(xiàn)不同輝度，以展現(xiàn)更優(yōu)質(zhì)的廣視角顯示 技術(shù)。此外，本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)利用靜電釋放組件釋放累積于調(diào)整電容與畫(huà)素電容之間的 靜電荷，因此可降低顯示畫(huà)面的燒付問(wèn)題。


下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。 圖1為傳統(tǒng)電容耦合式畫(huà)素的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第一較佳實(shí)施例等效電路示意圖。 圖3繪示了圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖4為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第二較佳實(shí)施例等效電路示意圖。 圖5為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第三較佳實(shí)施例等效電路示意圖。 圖6為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第四較佳實(shí)施例等效電路示意圖。 圖7為圖6本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第四較佳實(shí)施例部份結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖8繪示了圖7雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的俯視圖。 圖9為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)第五較佳實(shí)施例等效電路示意圖。 圖10為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)第六較佳實(shí)施例等效電路示意圖。 圖11為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)第七較佳實(shí)施例等效電路示意圖。
具體實(shí)施方式

請(qǐng)參考圖2與圖3。圖2為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第一較佳實(shí)施例等效電路示意圖， 圖3繪示了圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖2所示，本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)200包含一 掃描線(xiàn)201、 一數(shù)據(jù)線(xiàn)202、 一訊號(hào)線(xiàn)204、 一儲(chǔ)存電容206、 一第一薄膜晶體管208、 一 第一畫(huà)素電容210、 一調(diào)整電容212、 一第二畫(huà)素電容214，以及一第二薄膜晶體管216。 儲(chǔ)存電容206包含一第一端206a與一第二端206b ;第一薄膜晶體管208包含一第一閘極 電極端208a、 一第一源極電極端208b以及一第一汲極電極端208c，其中第一閘極電極端 208a與掃描線(xiàn)201電性連接，第一源極電極端208b與數(shù)據(jù)線(xiàn)202電性連接，且第一汲極 電極端208c與儲(chǔ)存電容206的第一端206a電性連接。第一畫(huà)素電容210，包含一第一端 210a與一第二端210b，其中第一畫(huà)素電容210的第一端210a與第一汲極電極端208c電性 連接，且第一畫(huà)素電容210的第二端210b與訊號(hào)線(xiàn)204電性連接。調(diào)整電容212包含一 第一端212a與一第二端212b，其中調(diào)整電容212的第一端212a與第一汲極電極端208c 電性連接。第二畫(huà)素電容214，包含一第一端214a與一第二端214b，其中第二畫(huà)素電容 214的第一端214a與調(diào)整電容212的第二端212b電性連接，且第二畫(huà)素電容214的第二 端214b與訊號(hào)線(xiàn)204電性連接。第二薄膜晶體管216，包含一第二閘極電極端216a、 一 第二源極電極端216b以及一第二汲極電極端216c，其中第二源極電極端216b與調(diào)整電容 212的第二端212b以及第二畫(huà)素電容214的第一端214a電性連接，第二閘極電極端216a 與掃描線(xiàn)201電性連接，且第二汲極電極端216c與訊號(hào)線(xiàn)204電性連接。在本實(shí)施例 中，訊號(hào)線(xiàn)204為一共通線(xiàn)，且共通線(xiàn)具有一共通電位，但不以此為限，例如訊號(hào)線(xiàn)204 亦可以是一振蕩訊號(hào)線(xiàn)而具有一時(shí)變周期性訊號(hào)。同樣地，儲(chǔ)存電容206的第二端206b
10與共通線(xiàn)電性連接，但不以此為限，亦可與例如是振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接。
另外，如圖3所示，本實(shí)施例的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200包含一薄膜晶體管基板(或稱(chēng)為數(shù)組基板)300、 一液晶層301，以及一透明導(dǎo)電膜基板(或稱(chēng)為彩色濾光片基板)302。薄膜晶體管基板300上設(shè)置有一第一薄膜晶體管208、 一訊號(hào)線(xiàn)204、 一金屬電極304、 一第二薄膜晶體管216、 一介電層306、 一絕緣保護(hù)層308，以及一第一透明導(dǎo)電層310。在本實(shí)施例中，第一透明導(dǎo)電層310為畫(huà)素電極，第一透明導(dǎo)電層310包含有一第一部分310a與一第二部分310b，且第一部分310a與第二部分310b彼此電性分離。第一透明導(dǎo)電層310的第一部分310a與第一薄膜晶體管208的第一汲極電極端208c電性連接，由此可接收第一汲極電極208c傳送的數(shù)據(jù)訊號(hào)。另一方面，第一透明導(dǎo)電層310的第一部分310a與金屬電極304電性連接，而第一透明導(dǎo)電層310的第二部分310b與金屬電極304耦合，且該第二部分310b還與第二薄膜晶體管216的第二源極電極端216b電性連接。另外，透明導(dǎo)電膜基板302具有一第二透明導(dǎo)電層312。值得說(shuō)明的是，第一透明導(dǎo)電層310第一部分310a與訊號(hào)線(xiàn)204形成儲(chǔ)存電容206，第一透明導(dǎo)電層310第二部分310b與金屬電極304形成調(diào)整電容212，且該第一部分310a還與第二透明導(dǎo)電層312形成第一畫(huà)素電容210。此外，第一透明導(dǎo)電層310的第二部分310b則與第二透明導(dǎo)電層312形成第二畫(huà)素電容214。 在本實(shí)施例中，第一薄膜晶體管208作為畫(huà)素結(jié)構(gòu)200的開(kāi)關(guān)組件，其可直接對(duì)儲(chǔ)存電容206、第一畫(huà)素電容210與調(diào)整電容212進(jìn)行充電，而第一薄膜晶體管208可透過(guò)調(diào)整電容212與第二畫(huà)素電容214的耦合而對(duì)第二畫(huà)素電容214進(jìn)行充電。由上述配置，第一畫(huà)素電容210與第二畫(huà)素電容214可具有不同的電容值，使畫(huà)素結(jié)構(gòu)200內(nèi)各位置呈現(xiàn)不同輝度以實(shí)現(xiàn)廣視角顯示效果。本實(shí)施例的第二薄膜晶體管216作為靜電釋放組件，可將于充放電過(guò)程中累積于調(diào)整電容212的第二端212b與第二畫(huà)素電容214的第一端214a之間過(guò)多的靜電荷以周期性開(kāi)關(guān)動(dòng)作引導(dǎo)進(jìn)入訊號(hào)線(xiàn)204而移除，大幅降低畫(huà)素結(jié)構(gòu)200內(nèi)因累積過(guò)多靜電荷所造成的顯示畫(huà)面燒付風(fēng)險(xiǎn)。在本實(shí)施例中，本發(fā)明第一薄膜晶體管208作為驅(qū)動(dòng)畫(huà)素的開(kāi)關(guān)組件，且第二薄膜晶體管216作為靜電釋放開(kāi)關(guān)，其負(fù)責(zé)將靜電荷導(dǎo)引散去，故較佳的，本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)考慮上應(yīng)滿(mǎn)足第一薄膜晶體管208的信道寬度與信道長(zhǎng)度之比值大于第二薄膜晶體管216的信道寬度與信道長(zhǎng)度之比值的條件。換句話(huà)說(shuō)，第一薄膜晶體管208需具有比第二薄膜晶體管216高的導(dǎo)通工作電流。 請(qǐng)參考圖4與圖5。圖4為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第二較佳實(shí)施例等效電路示意圖。圖5為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第三較佳實(shí)施例等效電路示意圖。由于本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第三較佳實(shí)施例是由畫(huà)素結(jié)構(gòu)第二較佳實(shí)施例的主架構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，故以下先敘明圖4再比較說(shuō)明圖5。如圖4所示，本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)400包含一掃描線(xiàn)401、 一數(shù)據(jù)線(xiàn)402、 一第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)403a、 一第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)403b、 一第一共通線(xiàn)404a、 一第二共通線(xiàn)404b、 一第一區(qū)域430、 一第二區(qū)域432、 一第一儲(chǔ)存電容406、 一第一薄膜晶體管408、 一第一畫(huà)素電容410、 一第一調(diào)整電容412、 一第二畫(huà)素電容414、 一第二薄膜晶體管416、 一第二儲(chǔ)存電容418、 一第三薄膜晶體管420、 一第三畫(huà)素電容422、 一第二調(diào)整電容424、 一第四畫(huà)素電容426，以及一第四薄膜晶體管428。其中，第一區(qū)域430，位于第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)403a與掃描線(xiàn)401之間，且第二區(qū)域432，位于第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)403b與掃描線(xiàn)401之間。第一儲(chǔ)存電容406、第一薄膜晶體管408、第一畫(huà)素電容410、第一調(diào)整電容412、第二畫(huà)素電容414以及第二薄膜晶體管416位于第一區(qū)域430。第二儲(chǔ)存電容418、第三薄膜晶體管420、第三畫(huà)素電容422、第二調(diào)整電容424、第四畫(huà)素電容426以及第四薄膜晶體管428位于第二區(qū)域432。 關(guān)于第一區(qū)域430內(nèi)部組件配置與連接方式說(shuō)明如下。第一儲(chǔ)存電容406包含一第一端406a與一第二端406b，且第一儲(chǔ)存電容406的第二端406b與第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)403a電性連接，使第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)403a可對(duì)第一儲(chǔ)存電容406進(jìn)行訊號(hào)調(diào)變。第一薄膜晶體管408包含一第一閘極電極端408a、 一第一源極電極端408b以及一第一汲極電極端408c，其中第一閘極電極端408a與掃描線(xiàn)401電性連接，第一源極電極端408b與數(shù)據(jù)線(xiàn)402電性連接，且第一汲極電極端408c與第一儲(chǔ)存電容406的第一端406a電性連接。第一畫(huà)素電容410包含一第一端410a與一第二端410b，其中第一畫(huà)素電容410的第一端410a與第一汲極電極端408c電性連接，且第一畫(huà)素電容410的第二端410b與第一共通線(xiàn)404a電性連接，并可接收第一共通線(xiàn)404a的共通電位。第一調(diào)整電容412包含一第一端412a與一第二端412b，其中第一調(diào)整電容412的第一端412a與第一汲極電極端408c電性連接；第二畫(huà)素電容414包含一第一端414a與一第二端414b，其中第二畫(huà)素電容414的第一端414a與第一調(diào)整電容412的第二端412b電性連接，且第二畫(huà)素電容414的第二端414b與第一共通線(xiàn)404a的共通電位電性連接。第二薄膜晶體管416包含一第二閘極電極端416a、 一第二源極電極端416b以及一第二汲極電極端416c，其中第二源極電極端416b與第一調(diào)整電容412的第二端412b以及第二畫(huà)素電容414的第一端414a電性連接，第二閘極電極端416a與掃描線(xiàn)401電性連接，且第二汲極電極端416c與第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性403a連接。另外，關(guān)于第二區(qū)域432內(nèi)部組件配置與連接方式，與第一區(qū)域430類(lèi)似，因此請(qǐng)參考上文的敘述并配合參考圖4，不再贅述。 本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)將振蕩訊號(hào)線(xiàn)整合于電容耦合式畫(huà)素結(jié)構(gòu)內(nèi)。其中，第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)403a具有一第一時(shí)變周期性訊號(hào)，第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)403b具有一第二時(shí)變周期性訊號(hào)，且第一時(shí)變周期性訊號(hào)不同于第二時(shí)變周期性訊號(hào)，舉例來(lái)說(shuō)，第一時(shí)變周期性訊號(hào)與第二時(shí)變周期性訊號(hào)可以具有不同相位、頻率、波形以及振福，使第一區(qū)域430與第二區(qū)域432的第一儲(chǔ)存電容408以及第二儲(chǔ)存電容418因接收訊號(hào)不同而使得儲(chǔ)存電容值有所不同，而進(jìn)一步使第一畫(huà)素電容410與第三畫(huà)素電容422具有不同液晶電容值，以使得第一區(qū)域430與第二區(qū)域432實(shí)質(zhì)上可具有不同輝度。又，第一時(shí)變周期性訊號(hào)的相位與第二時(shí)變周期性訊號(hào)的相位相反以便使第一區(qū)域430與第二區(qū)域432的輝度產(chǎn)生差異，但不以此為限，且第一時(shí)變周期性訊號(hào)與第二時(shí)變周期性訊號(hào)包含直流訊號(hào)與交流訊號(hào)。在本實(shí)施例中，本發(fā)明薄膜晶體管設(shè)置考慮上需滿(mǎn)足第一及第三薄膜晶體管408、 420的信道寬度與信道長(zhǎng)度之比值分別大于第二及第四薄膜晶體管416、 428的信道寬度與信道長(zhǎng)度之比值。換句話(huà)說(shuō)，即第一及第三薄膜晶體管408、 420分別具有比第二及第四薄膜晶體管416、 428較高的導(dǎo)通工作電流。在本實(shí)施例中，值得注意的是，為了使各位置的等效電容彈性調(diào)整，第一儲(chǔ)存電容406、第二儲(chǔ)存電容418、 一第一調(diào)整電容412、 一第二調(diào)整電容424、第一畫(huà)素電容410、第二畫(huà)素電容414、 一第三畫(huà)素電容422、 一第二調(diào)整電容424，以及一第四畫(huà)素電容426可以分別具有不同電容值，但不以為限。
請(qǐng)?jiān)俦容^圖4以及圖5，其中圖5第三較佳實(shí)施例具有與圖4第二較佳實(shí)施例不同處在于第二薄膜晶體管416的第二汲極電極端416c與第一共通線(xiàn)404a的共通電位電性連接，且第四薄膜晶體管428的第二汲極電極端428c與第二共通線(xiàn)404b的共通電位電性連接。 請(qǐng)參考圖6與圖7。圖6為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第四較佳實(shí)施例等效電路示意圖。圖7為圖6本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)的第四較佳實(shí)施例部份結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖6所示，本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)600包含一掃描線(xiàn)601、 一數(shù)據(jù)線(xiàn)602、 一訊號(hào)線(xiàn)604、 一儲(chǔ)存電容606、 一第一薄膜晶體管608、 一第一畫(huà)素電容610、 一調(diào)整電容612、 一第二畫(huà)素電容614，以及一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)616。儲(chǔ)存電容606包含一第一端606a與一第二端606b。第一薄膜晶體管608包含一第一閘極電極端608a、 一第一源極電極端608b以及一第一汲極電極端608c，其中第一閘極電極端608a與掃描線(xiàn)601電性連接，第一源極電極端608b與數(shù)據(jù)線(xiàn)602電性連接，且第一汲極電極端608c與儲(chǔ)存電容606的第一端606a電性連接。第一畫(huà)素電容610，包含一第一端610a與一第二端610b，其中第一畫(huà)素電容610的第一端610a與第一汲極電極端608c電性連接，且第一畫(huà)素電容610的第二端610b與訊號(hào)線(xiàn)604電性連接。調(diào)整電容612，包含一第一端612a與一第二端612b，其中調(diào)整電容612的第一端612a與第一汲極電極端608c電性連接；第二畫(huà)素電容614，包含一第一端614a與一第二端614b，其中第二畫(huà)素電容614的第一端614a與調(diào)整電容612的第二端612b電性連接，且第二畫(huà)素電容614的第二端614b與訊號(hào)線(xiàn)604電性連接。雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)616作為靜電釋放組件，包含一第一端616a與一第二端616b，其中雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)616的第一端616a與調(diào)整電容612的第二端612b以及第二畫(huà)素電容614的第一端614a電性連接，且雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)616的第二端616b與訊號(hào)線(xiàn)604電性連接。上述描述是針對(duì)畫(huà)素結(jié)構(gòu)內(nèi)各組件間的相互配置關(guān)系作說(shuō)明，但值得注意的是，訊號(hào)線(xiàn)604為一共通線(xiàn)具有共通電位，儲(chǔ)存電容606的第二端606b與共通線(xiàn)電性連接，但不以此為限，舉例來(lái)說(shuō)，訊號(hào)線(xiàn)604亦可為一振蕩訊號(hào)線(xiàn)，故儲(chǔ)存電容606的第二端606b亦可與振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接，且此振蕩訊號(hào)線(xiàn)具有一時(shí)變周期性訊號(hào)。又，此時(shí)變周期性訊號(hào)包含直流訊號(hào)與交流訊號(hào)。請(qǐng)參考圖7。圖7是依據(jù)圖6第四較佳實(shí)施例所繪示的畫(huà)素結(jié)構(gòu)剖面示意圖。為了清楚對(duì)照本發(fā)明較佳實(shí)施例的等效電路與部份結(jié)構(gòu)剖面的關(guān)系，請(qǐng)一并參照?qǐng)D6，如圖7所示，本發(fā)明素結(jié)構(gòu)包含一薄膜晶體管基板700、 一液晶層701，以及一透明導(dǎo)電膜基板702。其中，薄膜晶體管基板700上設(shè)置一第一薄膜晶體管608、 一訊號(hào)線(xiàn)604、 一金屬電極704、 一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)616、 一介電層706、 一絕緣保護(hù)層708，以及一第一透明導(dǎo)電層710。在本實(shí)施例中，第一透明導(dǎo)電層710包含有一第一部分710a與一第二部分710b，且第一部分710a與第二部分710b彼此電性分離。第一透明導(dǎo)電層710的第一部分710a與第一薄膜晶體管608的第一汲極電極端608c與金屬電極704電性連接，而第一透明導(dǎo)電層710的第一部分710b則與雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)616的第一端616a電性連接。又，透明導(dǎo)電膜基板702具有一第二透明導(dǎo)電層712。值得說(shuō)明的是，第一透明導(dǎo)電層710的第一部分710a與訊號(hào)線(xiàn)604形成一儲(chǔ)存電容606，而第一透明導(dǎo)電層710的第二部分710b及金屬電極704間形成一調(diào)整電容612。同樣地，第一透明導(dǎo)電層710的第一部分710a與第二透明導(dǎo)電層712間形成一第一畫(huà)素電容610，而第一透明導(dǎo)電層710的第二部分710b與第二透明導(dǎo)電層712間形成一第二畫(huà)素電容614。
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不同于前述實(shí)施例，本實(shí)施例是以雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)作為靜電釋放組件，因此以下 針對(duì)本實(shí)施例的雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)進(jìn)行說(shuō)明。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D8。圖8繪示了圖7的雙向觸發(fā)開(kāi) 關(guān)616的俯視示意圖。如圖8所示，雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)800包含二閘極電極802、 804設(shè)置 于薄膜晶體管基板700上、 一半導(dǎo)體層806設(shè)置于二閘極電極802、 804上、二汲極電極 808、 810設(shè)置于半導(dǎo)體層806上，以及設(shè)置一透明導(dǎo)電層812并通過(guò)孔洞制程使各汲極電 極808、 810分別與二閘極電極802、 804電性連接。在本實(shí)施例中，雙向二極管開(kāi)關(guān)制 程包含五道光罩，乃利用制作兩薄膜晶體管開(kāi)關(guān)架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)，但不以為限。
請(qǐng)參考圖9至圖11。圖9為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)第五較佳實(shí)施例等效電路示意圖。 圖10為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)第六較佳實(shí)施例等效電路示意圖。圖11為本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)第七 較佳實(shí)施例等效電路示意圖。由于本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)第六以及第七較佳實(shí)施例由畫(huà)素結(jié)構(gòu) 第五較佳實(shí)施例的主架構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，故以下先敘明圖9再比較圖10以及圖11，如圖9所 示，本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)900包含一掃描線(xiàn)901、 一數(shù)據(jù)線(xiàn)902、 一第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)903a、 一 第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)903b、 一第一共通線(xiàn)904a、 一第二共通線(xiàn)904b、 一第一區(qū)域930、 一第 二區(qū)域932、 一第一儲(chǔ)存電容906、 一第一薄膜晶體管908、 一第一畫(huà)素電容910、 一第一 調(diào)整電容912、 一第二畫(huà)素電容914、 一第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)916、 一第二儲(chǔ)存電容918、 一 第三薄膜晶體管920、 一第三畫(huà)素電容922、 一第二調(diào)整電容924、 一第四畫(huà)素電容926， 以及一第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)928。其中，第一區(qū)域930，位于第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)903a與掃描 線(xiàn)901之間，且第二區(qū)域932，位于第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)903b與掃描線(xiàn)901之間。
關(guān)于第一區(qū)域930內(nèi)部組件配置與連接方式說(shuō)明如下。第一儲(chǔ)存電容906包含一 第一端906a與一第二端906b，且第一儲(chǔ)存電容906的第二端906b與第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)903a 電性連接，藉此使第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)903a可對(duì)第一儲(chǔ)存電容906進(jìn)行訊號(hào)調(diào)變。第一薄膜 晶體管908包含一第一閘極電極端908a、 一第一源極電極端908b以及一第一汲極電極端 908c，其中第一閘極電極端908a與掃描線(xiàn)901電性連接，第一源極電極端908b與數(shù)據(jù)線(xiàn) 902電性連接，且第一汲極電極端908c與第一儲(chǔ)存電容906的第一端906a電性連接。第 一畫(huà)素電容910包含一第一端910a與一第二端910b，其中第一畫(huà)素電容910第一端910a 與第一汲極電極端908c電性連接，且第一畫(huà)素電容910的第二端910b與一共通電位電性 連接。第一調(diào)整電容912包含一第一端912a與一第二端912b，其中第一調(diào)整電容912的 第一端912a與第一汲極電極端908c電性連接。第二畫(huà)素電容914包含一第一端914a與 一第二端914b，其中第二畫(huà)素電容914的第一端914a與第一調(diào)整電容912的第二端912b 電性連接，且第二畫(huà)素電容914的第二端914b與共通電位電性連接。第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān) 916包含一第一端916a以及一第二端916b，其中第一端916a與第一調(diào)整電容912的第二 端912b以及第二畫(huà)素電容914的第一端914a電性連接，第二端916a與第一振蕩訊號(hào)線(xiàn) 903a電性連接。關(guān)于第二區(qū)域932內(nèi)部組件配置與連接方式，與第一區(qū)域930類(lèi)似，因 此請(qǐng)參考上文的敘述并配合參考第9圖，在此不再贅述。值得說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)903a具有一第一時(shí)變周期性訊 號(hào)，第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)903b具有一第二時(shí)變周期性訊號(hào)，且第一時(shí)變周期性訊號(hào)之相位、 頻率、波形以及振?？刹煌诘诙r(shí)變周期性訊號(hào)，但不以此為限。此外，第一時(shí)變周 期性訊號(hào)之相位與第二時(shí)變周期性訊號(hào)之相位相反，但不以此為限，且第一時(shí)變周期性 訊號(hào)與第二時(shí)變周期性訊號(hào)包含直流訊號(hào)與交流訊號(hào)。請(qǐng)先比較圖9以及圖10，其中圖10第六較佳實(shí)施例與圖9第五較佳實(shí)施例不同處在于本實(shí)施例畫(huà)素結(jié)構(gòu)1000的第一雙向 觸發(fā)開(kāi)關(guān)916的第二端916b與第一共通線(xiàn)904a電性連接的共通電位電性連接，且第二雙 向觸發(fā)開(kāi)關(guān)928的第二端928b與第二共通線(xiàn)904b的共通電位電性連接。最后請(qǐng)?jiān)俦容^ 圖9以及圖11，其中圖11第七較佳實(shí)施例與圖9第五較佳實(shí)施例不同處在于本實(shí)施例畫(huà) 素結(jié)構(gòu)1100的第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)916的第二端916b與第一汲極電極端908c電性連接， 且第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)928的第二端928b與第三汲極電極端920c電性連接。
綜上所述，本發(fā)明畫(huà)素結(jié)構(gòu)利用設(shè)置靜電釋放組件釋放累積于電容耦合式畫(huà)素 的調(diào)整電容與畫(huà)素電容之間的靜電荷，以降低顯示畫(huà)面的燒付問(wèn)題。
權(quán)利要求
一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線(xiàn)、一儲(chǔ)存電容、一第一畫(huà)素電容、一調(diào)整電容、一第二畫(huà)素電容，其特征在于還包括一資料線(xiàn)、一訊號(hào)線(xiàn)、一第一薄膜晶體管以及一第二薄膜晶體管；其中，所述儲(chǔ)存電容，包含一第一端與一第二端；所述第一薄膜晶體管，包含一第一閘極電極端、一第一源極電極端以及一第一汲極電極端，其中該第一閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，該第一源極電極端與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且該第一汲極電極端與所述儲(chǔ)存電容的第一端電性連接；所述第一畫(huà)素電容，包含一第一端與一第二端，其中該第一畫(huà)素電容的第一端與所述第一汲極電極端電性連接，且該第一畫(huà)素電容的第二端與一共通電位電性連接；所述調(diào)整電容，包含一第一端與一第二端，其中該調(diào)整電容的第一端與所述第一汲極電極端電性連接；所述第二畫(huà)素電容，包含一第一端與一第二端，其中該第二畫(huà)素電容的第一端與所述調(diào)整電容的第二端電性連接，且該第二畫(huà)素電容的第二端與所述共通電位電性連接；所述第二薄膜晶體管，包含一第二閘極電極端、一第二源極電極端以及一第二汲極電極端，其中第二源極電極端與所述調(diào)整電容的第二端以及所述第二畫(huà)素電容的第一端電性連接，該第二閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，且該第二汲極電極端與所述訊號(hào)線(xiàn)電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述訊號(hào)線(xiàn)為一共通線(xiàn)，且該共通 線(xiàn)具有所述共通電位。
3. 如權(quán)利要求2所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述儲(chǔ)存電容的第二端與所述共通 線(xiàn)電性連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一薄膜晶體管的信道寬度與 信道長(zhǎng)度之比值大于所述第二薄膜晶體管的信道寬度與信道長(zhǎng)度之比值。
5. 如權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一薄膜晶體管具有比所述第 二薄膜晶體管較高的導(dǎo)通工作電流。
6. —種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線(xiàn)和一資料線(xiàn)；其特征在于還包括 一第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)，具有一第一時(shí)變周期性訊號(hào)；一第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)，具有一第二時(shí)變周期性訊號(hào)，且所述第一時(shí)變周期性訊號(hào)不同 于該第二時(shí)變周期性訊號(hào)；一第一區(qū)域，位于所述第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)之間； 一第二區(qū)域，位于所述第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)之間；一第一儲(chǔ)存電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，且該第一儲(chǔ)存電 容的第二端與所述第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接；一第一薄膜晶體管，位于所述第一區(qū)域，包含一第一閘極電極端、 一第一源極電極 端以及一第一汲極電極端，其中該第一閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，該第一源極 電極端與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且該第一汲極電極端與所述第一儲(chǔ)存電容的第一端電性 連接；一第一畫(huà)素電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第一畫(huà)素 電容的第一端與所述第一汲極電極端電性連接，且該第一畫(huà)素電容的第二端與一共通電位電性連接；一第一調(diào)整電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第一調(diào)整 電容的第一端與所述第一汲極電極端電性連接；一第二畫(huà)素電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第二畫(huà)素 電容的第一端與所述第一調(diào)整電容的第二端電性連接，且該第二畫(huà)素電容的第二端與所 述共通電位電性連接；一第二薄膜晶體管，位于所述第一區(qū)域，包含一第二閘極電極端、 一第二源極電極 端以及一第二汲極電極端，其中第二源極電極端與所述第一調(diào)整電容的第二端以及所述 第二畫(huà)素電容的第一端電性連接，該第二閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，且該第二 汲極電極端與所述第一振蕩訊線(xiàn)電性連接；一第二儲(chǔ)存電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，且該第二儲(chǔ)存電 容的第二端與所述第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接；一第三薄膜晶體管，位于所述第二區(qū)域，包含一第三閘極電極端、 一第三源極電極 端以及一第三汲極電極端，其中該第三閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，該第三源極 電極端與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且該第三汲極電極端與所述第二儲(chǔ)存電容的第一端電性 連接；一第三畫(huà)素電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第三畫(huà)素 電容的第一端與所述第三汲極電極端電性連接，且該第三畫(huà)素電容的第二端與所述共通 電位電性連接；一第二調(diào)整電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第二調(diào)整 電容的第一端與所述第三汲極電極端電性連接；一第四畫(huà)素電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第四畫(huà)素 電容的第一端與所述第二調(diào)整電容的第二端電性連接，且該第四畫(huà)素電容的第二端與所 述共通電位電性連接；以及一第四薄膜晶體管，位于所述第二區(qū)域，包含一第四閘極電極端、 一第四源極電極 端以及一第四汲極電極端，其中該第四源極電極端與所述第二調(diào)整電容的第二端以及所 述第四畫(huà)素電容的第一端電性連接，該第四閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，且該第 四汲極電極端與所述第二振蕩訊線(xiàn)電性連接。
7. 如權(quán)利要求6所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一時(shí)變周期性訊號(hào)的相位與 所述第二時(shí)變周期性訊號(hào)的相位相反。
8. 如權(quán)利要求6所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一時(shí)變周期性訊號(hào)與所述第 二時(shí)變周期性訊號(hào)包含直流訊號(hào)與交流訊號(hào)。
9. 如權(quán)利要求6所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一薄膜晶體管的信道寬度與 信道長(zhǎng)度之比值大于所述第二薄膜晶體管的信道寬度與信道長(zhǎng)度之比值，且所述第三薄 膜晶體管的信道寬度與信道長(zhǎng)度之比值大于所述第四薄膜晶體管的信道寬度與信道長(zhǎng)度 之比值。
10. 如權(quán)利要求6所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一薄膜晶體管具有比所述第 二薄膜晶體管較高的導(dǎo)通工作電流，且所述第三薄膜晶體管具有比所述第四薄膜晶體管 較高的導(dǎo)通工作電流。
11. 一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線(xiàn)、 一資料線(xiàn)、 一儲(chǔ)存電容、 一第一畫(huà)素電容、 一調(diào) 整電容以及一第二畫(huà)素電容，其特征在于還包括一訊號(hào)線(xiàn)、 一數(shù)據(jù)線(xiàn)、 一第一薄膜晶 體管和一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)；其中，所述儲(chǔ)存電容，包含一第一端與一第二端；所述第一薄膜晶體管，包含一第一閘極電極端、 一第一源極電極端以及一第一汲極 電極端，其中該第一閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，該第一源極電極端與所述數(shù)據(jù) 線(xiàn)電性連接，且該第一汲極電極端與所述儲(chǔ)存電容的第一端電性連接；所述第一畫(huà)素電容，包含一第一端與一第二端，其中該第一畫(huà)素電容的第一端與所 述第一汲極電極端電性連接，且該第一畫(huà)素電容的第二端與一共通電位電性連接；所述調(diào)整電容，包含一第一端與一第二端，其中該調(diào)整電容的第一端與所述第一汲 極電極端電性連接；所述第二畫(huà)素電容，包含一第一端與一第二端，其中該第二畫(huà)素電容的第一端與所 述調(diào)整電容的第二端電性連接，且所述第二畫(huà)素電容的第二端與該共通電位電性連接；所述雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)，包含一第一端與一第二端，其中該雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第一端與所 述調(diào)整電容的第二端以及所述第二畫(huà)素電容的第一端電性連接。
12. 如權(quán)利要求11所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端與所 述第一汲極電極端電性連接。
13. 如權(quán)利要求11所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端與所 述訊號(hào)線(xiàn)電性連接。
14. 如權(quán)利要求13所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述訊號(hào)線(xiàn)為一共通線(xiàn)，且該共 通線(xiàn)具有所述共通電位。
15. 如權(quán)利要求14所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述儲(chǔ)存電容的第二端與所述共 通線(xiàn)電性連接。
16. —種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線(xiàn)和一資料線(xiàn)，其特征在于還包括 一第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)，具有一第一時(shí)變周期性訊號(hào)；一第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)，具有一第二時(shí)變周期性訊號(hào)，且該第一時(shí)變周期性訊號(hào)不同于 所述第二時(shí)變周期性訊號(hào)；一第一區(qū)域，位于所述第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)之間； 一第二區(qū)域，位于所述第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)之間；一第一儲(chǔ)存電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，且該第一儲(chǔ)存電 容的第二端與所述第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接；一第一薄膜晶體管，位于所述第一區(qū)域，包含一第一閘極電極端、 一第一源極電極 端以及一第一汲極電極端，其中該第一閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，該第一源極 電極端與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且該第一汲極電極端與所述第一儲(chǔ)存電容的第一端電性 連接；一第一畫(huà)素電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第一畫(huà)素 電容的第一端與所述第一汲極電極端電性連接，且該第一畫(huà)素電容的第二端與一共通電 位電性連接；一第一調(diào)整電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第一調(diào)整電容的第一端與所述第一汲極電極端電性連接；一第二畫(huà)素電容，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第二畫(huà)素 電容的第一端與所述第一調(diào)整電容的第二端電性連接，且該第二畫(huà)素電容的第二端與所 述共通電位電性連接；一第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)，位于所述第一區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第一 雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第一端與所述第一調(diào)整電容的第二端以及該第二畫(huà)素電容的第一端電性 連接；一第二儲(chǔ)存電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，且該第二儲(chǔ)存電 容的第二端與所述第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接；一第三薄膜晶體管，位于所述第二區(qū)域，包含一第三閘極電極端、 一第三源極電極 端以及一第三汲極電極端，其中該第三閘極電極端與所述掃描線(xiàn)電性連接，該第三源極 電極端與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接，且該第三汲極電極端與所述第二儲(chǔ)存電容的第一端電性 連接；一第三畫(huà)素電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第三畫(huà)素 電容的第一端與該第三汲極電極端電性連接，且所述第三畫(huà)素電容的第二端與所述共通 電位電性連接；一第二調(diào)整電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第二調(diào)整 電容的第一端與所述第三汲極電極端電性連接；一第四畫(huà)素電容，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第四畫(huà)素 電容的第一端與所述第二調(diào)整電容的第二端電性連接，且該第四畫(huà)素電容的第二端與所 述共通電位電性連接；以及一第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)，位于所述第二區(qū)域，包含一第一端與一第二端，其中該第二 雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第一端與所述第二調(diào)整電容的第二端以及所述第四畫(huà)素電容的第一端電 性連接。
17. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端 與所述第一振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接。
18. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端 與所述第二振蕩訊號(hào)線(xiàn)電性連接。
19. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一時(shí)變周期性訊號(hào)的相位 與所述第二時(shí)變周期性訊號(hào)的相位相反。
20. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一時(shí)變周期性訊號(hào)與所述 第二時(shí)變周期性訊號(hào)包含直流訊號(hào)與交流訊號(hào)。
21. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端 與所述共通電位電性連接。
22. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端 與所述共通電位電性連接。
23. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端與所述第一汲極電極端電性連接。
24. 如權(quán)利要求16所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)的第二端與所述第三汲極電極端電性連接c
全文摘要
本發(fā)明屬于液晶顯示器的制造領(lǐng)域，具體是提供一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其包含有設(shè)置于調(diào)整電容與畫(huà)素電容之間的一靜電釋放組件，用以釋放累積于調(diào)整電容與畫(huà)素電容之間的靜電荷，因此可降低顯示畫(huà)面的燒付問(wèn)題。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101692146SQ200910112488
公開(kāi)日2010年4月7日 申請(qǐng)日期2009年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月10日
發(fā)明者康良豪, 蔡乙誠(chéng) 申請(qǐng)人:福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司