專利名稱：具有多單元陣列的半導體發(fā)光器件、發(fā)光模塊和照明設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光器件，更具體地說，涉及一種具有發(fā)光單元的陣列的半導體發(fā)光器件，包括該半導體發(fā)光器件的發(fā)光模塊，以及包括該發(fā)光模塊的照明設備。
背景技術：
通常，半導體發(fā)光二極管(LED)作為光源在功率、效率和可靠性方面具有優(yōu)點。因此，積極地開發(fā)作為用于各種照明設備以及用于顯示裝置的背光單元的大功率、高效率的光源的半導體LED。為了這種作為照明光源的半導體LED的商品化，需要提高它們的光效率并降低生產成本，同時將它們的功率增大到期望水平。然而，與使用小額定電流的小功率LED相比，使用大額定電流的大功率LED會由于高的電流密度而具有低的光效率。具體地說，如果在同樣面積的LED芯片中增大額定電流來獲得高流明，則會由于電流密度增大而使光效率劣化。另外，會由于器件產生的熱而加快光效率的劣化。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一方面提供一種半導體發(fā)光器件，該半導體發(fā)光器件使每單位面積的電流密度增大來提高光效率及其光提取效率。本發(fā)明的另一方面提供一種半導體發(fā)光器件，該半導體發(fā)光器件使每單位面積的電流密度增大來提高光效率并使用反射結構來改善光路。本發(fā)明的另一方面提供一種半導體發(fā)光器件，該半導體發(fā)光器件使每單位面積的電流密度增大來提高光效率并改善焊盤的結構和位置來實現在所有單元上的均勻的電流分布。本發(fā)明的另一方面提供一種包括上述半導體發(fā)光器件的發(fā)光模塊和包括該發(fā)光模塊的照明設備。根據本發(fā)明的一方面，提供一種半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件包括基底；多個發(fā)光單元，布置在基底的頂表面上，發(fā)光單元均具有順序地堆疊在基底的頂表面上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；連接部分，被形成為串聯、并聯或串并聯地連接發(fā)光單元；凹凸部分，形成在基底的底表面和發(fā)光單元之間的隔離區(qū)的頂表面的至少一個表面中。隔離區(qū)可包括暴露基底的區(qū)域，凹凸部分可形成在基底的被暴露的區(qū)域中。隔離區(qū)可包括暴露第一導電類型半導體層的區(qū)域，凹凸部分可形成在第一導電類型半導體層的被暴露的區(qū)域中。
凹凸部分可形成在基底的頂表面的多數區(qū)域中。凹凸部分可形成在基底的底表面中。在基底的底表面上的凹凸部分可由具有朝形成有發(fā)光單元的頂部傾斜的側表面的槽部分形成。半導體發(fā)光器件還可包括形成在基底的底表面上的反射金屬層。半導體發(fā)光器件還可包括形成在反射金屬層和基底的后表面之間的介電層，并且介電層的折射率可以小于基底的折射率。凹凸部分可包括第一凹凸部分，形成在隔離區(qū)的頂表面上；第二凹凸部分，形成在基底的底表面上。在本發(fā)明中使用的發(fā)光單元陣列可具有不同的連接，例如串聯連接、并聯連接和串并聯連接。因此，可以以不同類型實施連接部分。每個發(fā)光單元可包括由兩個或多個發(fā)光單元分割的多個組。連接部分可包括多個互連部分，形成在相鄰的發(fā)光單元之間，以使同一組的發(fā)光單元串聯連接；至少一個第一連接部分，連接到位于所述組的一端的發(fā)光單元的第一導電類型半導體層；至少一個第二連接部分，連接到位于所述組的另一端的發(fā)光單元的第二導電類型半導體層。所述組可具有相同數量的發(fā)光單元。連接部分可包括至少一個第一連接部分，連接到發(fā)光單元的第一導電類型半導體層；至少一個第二連接部分，連接到發(fā)光單元的第二導電類型半導體層。根據本發(fā)明的另一方面，提供一種半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件包括基底；多個發(fā)光單元，布置在基底上，發(fā)光單元均具有順序地堆疊在基底上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；連接部分，被形成為使發(fā)光單元串聯連接、并聯連接或串并聯連接；反射構件，形成在發(fā)光單元之間的隔離區(qū)上。隔離區(qū)可包括暴露基底的區(qū)域，反射構件可形成在基底的被暴露的區(qū)域中。隔離區(qū)可包括暴露第一導電類型半導體層的區(qū)域，反射構件可形成在第一導電類型半導體層的被暴露的區(qū)域中。反射構件可以是被形成為與連接部分電隔離的反射金屬層。反射金屬層可被形成在隔離區(qū)上的與連接部分分隔開的區(qū)域中。反射金屬層可被形成在連接部分上，在連接部分與反射金屬層之間具有絕緣構件。反射構件可包括包含高反射率粉末的絕緣樹脂。高反射率粉末可包括陶瓷粉末。 高反射率粉末可以是從由Ti02、Al203、Mg0及其混合物組成的組中選擇的一種。根據本發(fā)明的另一方面，提供一種半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件包括基底；多個發(fā)光單元，所述多個發(fā)光單元均具有順序地堆疊在基底的頂表面上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，發(fā)光單元被通過去除有源層的至少一部分形成的隔離區(qū)分割開；至少一個第一連接部分和至少一個第二連接部分，被形成為使發(fā)光單元串聯連接、并聯連接或串并聯連接，第一連接部分電連接到發(fā)光單元的第一導電類型半導體層，第二連接部分電連接到發(fā)光單元的第二導電類型半導體層；至少一個第一結合焊盤和至少一個第二結合焊盤，形成在鄰近基底的頂表面的區(qū)域上，或者在半導體多層結構的不參與發(fā)光的部分上，第一結合焊盤連接到第一連接部分，第二結合焊盤連接到第二連接部分。第一連接部分或第二連接部分可形成在頂表面的鄰近一個邊緣的區(qū)域上，第一結合焊盤或第二結合焊盤形成在所述區(qū)域中。發(fā)光單元可具有幾乎相同的有源層面積。發(fā)光單元可具有第一導電類型半導體暴露區(qū)，所述第一導電類型半導體暴露區(qū)比另一發(fā)光單元的第一導電類型半導體暴露區(qū)大， 第一結合焊盤可形成在所述發(fā)光單元的第一導電類型半導體暴露區(qū)上。第二結合焊盤可被形成在基底的頂表面的鄰近一個邊緣的區(qū)域中，第二結合焊盤可形成在半導體多層結構的位于基底的頂表面的一個邊緣處并且不參與發(fā)光的一部分上。第一連接部分或第二連接部分可形成在所述頂表面的鄰近所述邊緣的區(qū)域中，第二結合焊盤形成在所述區(qū)域中。第一結合焊盤和第二結合焊盤可分別形成在基底的頂表面上的彼此相對的區(qū)域中。根據本發(fā)明的一方面，提供一種發(fā)光模塊，所述發(fā)光模塊具有根據本發(fā)明其它方面的半導體發(fā)光器件。根據本發(fā)明的一方面，提供一種照明設備，所述照明設備具有根據本發(fā)明其它方面的發(fā)光模塊。根據本發(fā)明的一方面，提供一種照明設備，所述照明設備具有根據本發(fā)明其它方面的半導體發(fā)光器件。


通過下面結合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特征和其它優(yōu)點將被更清楚地理解，在附圖中圖1是示出根據本發(fā)明第一實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的示例(單元之間完全隔離)的俯視圖；圖2是圖1中示出的半導體發(fā)光器件的多單元陣列的等效電路圖；圖3A和圖;3B是沿圖1中的線Α1-ΑΓ和A2-A2'截取的圖1中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的側視剖視圖；圖4A和圖4B是示出根據本發(fā)明第一實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的另一示例的剖視圖；圖5是示出在圖4B中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件中使用的反射結構的示例性條件和效果的示意圖；圖6是示出在圖5中示出的反射結構中的反射率根據入射角而變化的曲線圖；圖7是示出根據本發(fā)明第一實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的另一示例的剖視圖；圖8A和圖8B是示出根據本發(fā)明第二實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的不同的示例(單元之間完全隔離)的剖視圖；圖9是示出根據本發(fā)明第一實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的另一示例(單元之間部分隔離)的俯視圖；圖10是圖9中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的等效電路圖；圖11A、圖IlB和圖IlC是沿圖9的線Bl-Bl'、B2_B2'和B3-B3'截取的圖9中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的側視剖視圖；圖12是示出根據本發(fā)明第三實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的示例的俯視圖；圖13是圖12中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的等效電路圖；圖14A和圖14B是沿圖12的線Υ1-ΥΓ和Y2-Y2'截取的圖12中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的側視剖視圖；圖15是示出根據本發(fā)明第三實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的另一示例的側視剖視圖；圖16是示出根據本發(fā)明第三實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的另一示例的俯視圖；圖17是示出根據本發(fā)明第三實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的另一示例 (凹凸部分的組合)的俯視圖；圖18是圖17中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的等效電路圖；圖19A和圖19B是沿圖17的線Χ1-ΧΓ和X2-X2'截取的圖17中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的側視剖視圖；圖20A至圖20F是示出根據本發(fā)明實施例的制造多單元陣列半導體發(fā)光器件的工藝的示例的剖視圖；圖21A和圖21B分別是根據本發(fā)明實施例的包括多單元陣列半導體發(fā)光器件的照明設備分解透視圖和示意性透視圖。
具體實施例方式現在將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應理解為局限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完全的，并將把本發(fā)明的范圍充分傳達給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度。在附圖中，相同的標號指示相同的元件，因此將省略它們的描述。圖1是示出根據本發(fā)明第一實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的示例(單元之間完全隔離)的俯視圖。圖2是圖1中示出的半導體發(fā)光器件的多單元陣列的單元之間的連接的等效電路圖。圖3A和圖;3B是沿圖1中的線Al-Al'和A2-A2'截取的圖1中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件的側視剖視圖。參照圖1至圖3A，根據本發(fā)明第一實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件10包括基底11和排列在基底11的頂表面上的多個發(fā)光單元C。通過隔離工藝分割半導體多層結構12來獲得發(fā)光單元C，半導體多層結構12具有順序地堆疊在基底11的頂表面上的第一導電類型半導體層12a、有源層12c和第二導電類型半導體層12b。在本說明書中，術語“發(fā)光單元”表示具有與另一單元區(qū)分的有源區(qū)的半導體多層結構的一部分。術語“隔離區(qū)”表示通過部分地去除半導體多層結構(例如，通過臺面蝕刻工藝部分隔離)或通過去除半導體多層結構直至暴露基底(例如，通過隔離工藝完全隔離) 來形成單元的區(qū)域，隔離區(qū)包括限定在單元之間的區(qū)域。在本實施例中，用于形成發(fā)光單元的隔離工藝是通過暴露直至基底11的表面(下文中稱作完全隔離)的隔離的隔離工藝。即，在限定在發(fā)光單元C之間的隔離區(qū)中，可將半導體多層結構12完全去除來暴露基底11的表面，如圖1所示。如圖1、圖3A和圖:3B所示，每個發(fā)光單元C具有通過臺面蝕刻工藝部分地暴露第一導電類型半導體層12a的區(qū)域?？稍诿總€發(fā)光單元C的第二導電類型半導體層的暴露區(qū)域中形成單獨的電極。然而，在本實施例中，可通過連接單元的連接部分(而不使用單獨的電極)將功率施加到每個單元?？稍诘诙щ婎愋桶雽w層12b的頂表面上形成透明電極13。這里，透明電極可由諸如ITO和SiO的透明導電材料形成。在本實施例中，發(fā)光單元C串聯連接以形成圖2中示出的線?？煞謩e在位于所述線的兩端的發(fā)光單元上形成第一結合焊盤19a和第二結合焊盤19b。對于該串聯連接，可形成連接部分15來連接相鄰的發(fā)光單元C的相反導電類型的半導體層(即，不同極性的電極)。雖然未在圖1中示出，但是可通過連接相鄰的發(fā)光單元C1、C2和C3的相反極性的電極來實現該串聯連接，如圖2所示。另外，為了防止與對應的發(fā)光單元C的不期望的區(qū)域連接，可在發(fā)光單元C的側表面上形成絕緣層14。如在附圖中所示，絕緣層14可被用作設置在每個發(fā)光單元C的幾乎整個側表面上的鈍化層。在本實施例中，如圖1所示，在被限定為發(fā)光單元C之間的區(qū)域的隔離區(qū)的表面上形成凹凸部分P1。如上所述，本實施例的隔離區(qū)被設置到基底11的表面。參照圖3B，凹凸部分Pl形成在基底11的由發(fā)光單元C4、C5和C6之間的隔離區(qū)暴露的表面上。凹凸部分Pi用于沿向上方向(即，有效發(fā)射方向)有效地提取可由于被限定在基底11中或發(fā)射到基底11的側部而被浪費的光L。在本實施例中，可通過濕蝕刻工藝、干蝕刻工藝或使用公知的光刻工藝的蝕刻工藝來形成凹凸部分P1。雖然圖1示出了僅在其中未形成連接部分15的隔離區(qū)中形成凹凸部分P1，但是凹凸部分Pl也可形成在形成有連接部分15的區(qū)域中。另外，凹凸部分Pl可不僅形成在屬于隔離區(qū)的表面中，也可以形成在臨近基底的邊緣的頂表面的區(qū)域中?？稍谟糜谛纬筛綦x區(qū)的隔離工藝之后執(zhí)行用于形成凹凸部分的工藝。然而，根據另一實施例，用于形成凹凸部分的工藝可與用于形成隔離區(qū)的隔離工藝組合地同時執(zhí)行。與此不同，具有形成在其頂表面上的凹凸部分的基底可被用于在隔離區(qū)中形成期望的凹凸部分。這將在下面參照圖17和圖19詳細描述。在上面的實施例中，諸如藍寶石基底的絕緣基底可被用作基底11。然而，在其它實施例中，基底11可以是例如GaN、SiC和鍍層的導電基底。如果使用導電基底，可通過導電基底連接用于驅動每個發(fā)光單元的電極，并且可通過在單元的頂表面上形成互連件來使具有相反極性的另一電極互連。因此，可減少形成在發(fā)光單元的表面上的互連線的數量，因而提高光提取效率。在上面的半導體發(fā)光器件中，凹凸部分Pl形成在基底11的頂表面上，即，在隔離區(qū)中。然而，還可在基底的后表面上形成相似的凹凸部分來提高其光提取效率。圖4A和圖4B是示出根據本發(fā)明第一實施例的多單元陣列半導體發(fā)光器件的另一示例的剖視圖。
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圖4A和圖4B示出了改善了基底的后表面的另一實施例。在圖4A和圖4B中示出的半導體發(fā)光器件中的發(fā)光單元的陣列和連接與圖1中示出的半導體發(fā)光器件的發(fā)光單元的陣列和連接相似。 參照圖4A，半導體發(fā)光器件40包括基底41和形成在基底41上的具有半導體多層結構42的發(fā)光單元。半導體多層結構42具有順序地堆疊在基底41上的第一導電類型半導體層42a、有源層42c和第二導電類型半導體層42b。在本實施例中，每個發(fā)光單元可具有透明電極43。相鄰的單元可通過連接部分45 連接。通過絕緣層44，可防止連接部分45與發(fā)光單元的側部不期望地連接?；?1可以是例如藍寶石基底的透明基底。凹凸部分P2可被應用到基底的后表面。如果發(fā)光表面是形成有半導體多層結構42的表面，則應用到基底的后表面的凹凸部分 P2可由具有傾斜側壁S的槽部分形成，如附圖所示。傾斜側壁S可沿向上方向(即，有效發(fā)射方向)引導可由于被限定在基底中或傳播到基底的側部而被浪費的光L。在本實施例中，槽部分可形成在與發(fā)光單元之間的隔離區(qū)對應的區(qū)域中；然而，本發(fā)明不限于此。另外，根據實施例，槽部分的尺寸和間隔可被實施為各種類型。參照圖4B，半導體發(fā)光器件50包括基底51以及形成在基底51上的具有半導體多層結構52的發(fā)光單元。半導體多層結構52具有順序地堆疊在基底51上的第一導電類型半導體層52a、有源層52c和第二導電類型半導體層52b。在本實施例中，每個發(fā)光單元可具有透明電極53。相鄰的單元可通過連接部分55 連接。絕緣層M可形成在連接部分55和發(fā)光單元的側表面之間。與圖4A中示出的實施例相似，凹凸部分P2被應用到基底51的后表面。在本實施例中，將額外的反射結構設置到基底的后表面。額外的反射結構可包括反射金屬層57和設置在反射金屬層57和基底51之間的介電層56。反射金屬層57可以是由從由Ag、Al、Rh, Cr、Pd和Ni組成的組中選擇的材料形成的單層膜，可以是例如Ti/Ag、Ti/Al、Ni/Ag、Ni/Au和Pt/他的多層膜，或者可以是例如 AgAl、AlCuSi、Ni/AgAl和Ti/AgCu的合金層或含合金多層膜。介電層56可由具有比基底51的折射率低的折射率的材料形成。在這種情況下， 可使在反射金屬層57處的吸收導致的損失最小化，并且與僅使用反射金屬層57的情況相比，能夠顯著地提高折射率。圖5是示出在圖4B中示出的多單元陣列半導體發(fā)光器件中使用的反射結構的示例性條件和效果的示意圖。參照圖5，藍寶石基底71具有順序地形成在底表面上的SW2膜76 (即，介電層) 和Al反射金屬層77。當Al反射金屬層77的厚度為2000 A時，測量根據SW2膜76的厚度的反射率的差異。圖6是示出在圖5中示出的反射結構中的反射率根據入射角而變化的曲線圖。圖6示出了在S^2膜的厚度條件下的光的反射率根據入射角的變化。基于圖6中示出的根據入射角的反射率來計算根據S^2膜76的厚度變化的平均反射率，結果在表1中示出。
表 權利要求
1.半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件包括 基底；多個發(fā)光單元，布置在基底的頂表面上，發(fā)光單元均具有順序地堆疊在基底的頂表面上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；連接部分，被形成為將發(fā)光單元串聯連接、并聯連接或串并聯連接；凹凸部分，形成在基底的底表面和發(fā)光單元之間的隔離區(qū)的頂表面的至少一個表面中。
2.如權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，隔離區(qū)包括暴露基底的區(qū)域， 凹凸部分形成在基底的被暴露的區(qū)域中。
3.如權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，隔離區(qū)包括暴露第一導電類型半導體層的區(qū)域，凹凸部分形成在第一導電類型半導體層的被暴露的區(qū)域中。
4.如權利要求3所述的半導體發(fā)光器件，其中，凹凸部分形成在基底的頂表面的大部分區(qū)域中。
5.如權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，凹凸部分形成在基底的底表面中。
6.如權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，凹凸部分由具有傾斜的側表面的槽部分形成。
7.如權利要求5所述的半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件還包括形成在基底的底表面上的反射金屬層。
8.如權利要求7所述的半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件還包括形成在反射金屬層和基底的后表面之間的介電層，并且介電層的折射率小于基底的折射率。
9.如權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，凹凸部分包括 第一凹凸部分，形成在隔離區(qū)的頂表面上；第二凹凸部分，形成在基底的底表面上。
10.如權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，發(fā)光單元被分為多個組，每個組包括兩個或更多個發(fā)光單元，連接部分包括多個互連部分，形成在相鄰的發(fā)光單元之間，以使同一組的發(fā)光單元串聯連接； 至少一個第一連接部分，連接到位于每個組的一端的發(fā)光單元的第一導電類型半導體層；至少一個第二連接部分，連接到位于每個組的另一端的發(fā)光單元的第二導電類型半導體層。
11.如權利要求10所述的半導體發(fā)光器件，其中，組具有相同數量的發(fā)光單元。
12.如權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，連接部分包括 至少一個第一連接部分，連接到發(fā)光單元的第一導電類型半導體層； 至少一個第二連接部分，連接到發(fā)光單元的第二導電類型半導體層。
13.如權利要求12所述的半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件還包括 至少一個第一結合焊盤，連接到第一連接部分；至少一個第二結合焊盤，連接到第二連接部分。
14.如權利要求12所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述至少一個第一結合焊盤和所述至少一個第二結合焊盤中的至少一種位于基底的頂表面的鄰近一個邊緣的區(qū)域中，連接部分形成在所述頂表面的鄰近所述邊緣的形成有第一結合焊盤或第二結合焊盤的區(qū)域中。
15.如權利要求12所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述至少一個第一結合焊盤和所述至少一個第二結合焊盤中的至少一種形成在發(fā)光單元中的位于基底的頂表面的鄰近一個邊緣并且不參與發(fā)光的區(qū)域中的一個上。
16.如權利要求12所述的半導體發(fā)光器件，其中，發(fā)光單元具有幾乎相同的有源層面積。
17.如權利要求16所述的半導體發(fā)光器件，其中，發(fā)光單元具有第一導電類型半導體暴露區(qū)，所述第一導電類型半導體暴露區(qū)比另一發(fā)光單元的第一導電類型半導體暴露區(qū)大，第一結合焊盤形成在所述發(fā)光單元的第一導電類型半導體暴露區(qū)上。
18.如權利要求17所述的半導體發(fā)光器件，其中，第二結合焊盤位于基底的鄰近一個邊緣的頂表面的區(qū)域中，連接部分形成在頂表面的鄰近所述邊緣的形成有第二結合焊盤的區(qū)域中。
19.如權利要求17所述的半導體發(fā)光器件，其中，第二結合焊盤形成在發(fā)光單元中的位于基底的頂表面的一個邊緣處并且不參與發(fā)光的一個上。
20.一種半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件包括基底；多個發(fā)光單元，布置在基底上，發(fā)光單元均具有順序地堆疊在基底上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；連接部分，被形成為將發(fā)光單元串聯連接、并聯連接或串并聯連接；反射構件，形成在發(fā)光單元之間的隔離區(qū)上。
21.如權利要求20所述的半導體發(fā)光器件，其中，隔離區(qū)包括暴露基底的區(qū)域，反射構件形成在基底的被暴露的區(qū)域中。
22.如權利要求20所述的半導體發(fā)光器件，其中，隔離區(qū)包括暴露第一導電類型半導體層的區(qū)域，反射構件形成在第一導電類型半導體層的被暴露的區(qū)域中。
23.如權利要求20所述的半導體發(fā)光器件，其中，反射構件是被形成為與連接部分電絕緣的反射金屬層。
24.如權利要求23所述的半導體發(fā)光器件，其中，反射金屬層位于隔離區(qū)上的與連接部分分隔開的區(qū)域中。
25.如權利要求23所述的半導體發(fā)光器件，其中，反射金屬層形成在連接部分上，所述半導體發(fā)光器件還包括形成在反射金屬層和連接部分之間的絕緣構件。
26.如權利要求20所述的半導體發(fā)光器件，其中，反射構件包括包含高反射率粉末的絕緣樹脂。
27.如權利要求沈所述的半導體發(fā)光器件，其中，高反射率粉末包括陶瓷粉末。
28.一種半導體發(fā)光器件，所述半導體發(fā)光器件包括基底；多個發(fā)光單元，所述多個發(fā)光單元均具有順序地堆疊在基底的頂表面上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，發(fā)光單元被通過去除有源層的至少一部分形成的隔離區(qū)分開；至少一個第一連接部分和至少一個第二連接部分，被形成為使發(fā)光單元串聯連接、并聯連接或串并聯連接，第一連接部分電連接到發(fā)光單元的第一導電類型半導體層，第二連接部分電連接到發(fā)光單元的第二導電類型半導體層；至少一個第一結合焊盤和至少一個第二結合焊盤，形成在鄰近基底的頂表面的區(qū)域上，或者在發(fā)光單元中的不參與發(fā)光的一個上，第一結合焊盤連接到第一連接部分，第二結合焊盤連接到第二連接部分。
29.如權利要求觀所述的半導體發(fā)光器件，其中，第一連接部分或第二連接部分形成在頂表面的鄰近邊緣的區(qū)域上，第一結合焊盤或第二結合焊盤形成在所述區(qū)域中。
30.如權利要求觀所述的半導體發(fā)光器件，其中，發(fā)光單元具有幾乎相同的有源層面積。
31.如權利要求30所述的半導體發(fā)光器件，其中，發(fā)光單元具有第一導電類型半導體暴露區(qū)，所述第一導電類型半導體暴露區(qū)比另一發(fā)光單元的第一導電類型半導體暴露區(qū)大，第一結合焊盤形成在所述發(fā)光單元的第一導電類型半導體暴露區(qū)上。
32.如權利要求31所述的半導體發(fā)光器件，其中，第二結合焊盤位于基底的頂表面的鄰近一個邊緣的區(qū)域中，第一連接部分或第二連接部分形成在所述頂表面的鄰近所述邊緣的形成有第二結合焊盤的區(qū)域中。
33.如權利要求31所述的半導體發(fā)光器件，其中，第二結合焊盤形成在發(fā)光單元中的位于基底的頂表面的一個邊緣處并且不參與發(fā)光的一個上。
34.一種發(fā)光模塊，所述發(fā)光模塊包括根據權利要求1至權利要求33中的任意一項的至少一種半導體發(fā)光器件。
35.一種照明設備，所述照明設備包括根據權利要求34的發(fā)光模塊。
36.一種照明設備，所述照明設備包括根據權利要求1至權利要求33中的任意一項的至少一種半導體發(fā)光器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體發(fā)光器件、發(fā)光模塊和照明設備。所述半導體發(fā)光器件包括基底、多個發(fā)光單元、連接部分和凹凸部分。發(fā)光單元布置在基底的頂表面上。每個發(fā)光單元具有順序地堆疊在基底的頂表面上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層。連接部分被形成為使發(fā)光單元串聯連接、并聯連接或串并聯連接。凹凸部分形成在基底的底表面和發(fā)光單元之間的隔離區(qū)的頂表面的至少一個表面中。
文檔編號H01L33/62GK102169933SQ201110048129
公開日2011年8月31日 申請日期2011年2月21日 優(yōu)先權日2010年2月19日
發(fā)明者河海秀, 金臺勛, 金晟泰, 金載潤 申請人:三星Led株式會社