專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明所描述的技術(shù)總體上涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。更具體地說，所描述的技術(shù)總體上涉及采用薄膜封裝(TFE)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括具有空穴注入電極(陽極)、有機(jī)發(fā)射層和電子注入電極(陰極)的有機(jī)發(fā)光元件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，其具有薄膜封裝層，用于保護(hù)免受外部環(huán)境之害，并抑制有機(jī)發(fā)光元件的惡化。另一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，包括基板，該基板包括有機(jī)發(fā)光元件；以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件且與所述基板相結(jié)合的封裝部。該封裝部具有沉積有有機(jī)層和無機(jī)層的結(jié)構(gòu)，所述無機(jī)層和所述有機(jī)層的各個(gè)端部直接接觸所述基板，并且其中所述有機(jī)層比所述無機(jī)層厚。可以提供一個(gè)以上無機(jī)層和有機(jī)層，并可以使它們交替沉積。所述封裝部中布置得離所述有機(jī)發(fā)光元件最近的第一層和所述封裝部中布置得離所述有機(jī)發(fā)光元件最遠(yuǎn)的第η層可以是無機(jī)層。無機(jī)層和有機(jī)層可以作為一對(duì)形成子封裝部，并且沉積了 η個(gè)子封裝部(最好，η =2)。在η個(gè)子封裝部中，第η子封裝部的無機(jī)層的面積可以大于第η_1子封裝部的無機(jī)層的面積。在η個(gè)子封裝部中，第η子封裝部的有機(jī)層的面積可以大于第η_1子封裝部的有機(jī)層的面積。可以進(jìn)一步包括布置在所述有機(jī)發(fā)光元件與所述封裝部之間的光功能層，并且所述光功能層可以是紫外(UV)射線阻擋層。所述光功能層的厚度可以在20nm到200nm之間的范圍內(nèi)，并且所述光功能層的厚度可以在40nm到150nm之間的范圍內(nèi)。所述光功能層可以包括選自三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力 (photoacryl)、BaF2, CsF、Na5Al3F14, KCl 和 SiO2 中的一種材料。所述光功能層可以是沉積有具有不同折射率的第一層和第二層的反射層。所述有機(jī)層可以是紫外(UV)硬化材料，并且所述第一層和所述第二層的光學(xué)厚度是用于硬化所述有機(jī)層的紫外(UV)波長的λ/4。第一層可以包括選自三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力、BaF2、CsF、 Na5Al3F14^KCl 和 SiO2 中的一種材料。第二層可以包括選自氮化硅(SiN)、Cu20、Fe203、TiO2和ZnSe中的一種材料。
所述有機(jī)層的厚度可以至少是所述無機(jī)層的厚度的5倍。另一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，包括形成在基板上方的有機(jī)發(fā)光元件；以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件的封裝部，其中所述封裝部包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層，其中所述有機(jī)層具有端部，其中所述無機(jī)層具有端部，其中所述有機(jī)層和所述無機(jī)層的端部直接接觸所述基板，并且其中所述有機(jī)層比所述無機(jī)層厚。在上述顯示器中，封裝部包括多個(gè)有機(jī)層和相對(duì)于所述有機(jī)層交替形成的多個(gè)無機(jī)層。在上述顯示器中，所述封裝部包括形成得離所述有機(jī)發(fā)光元件最近的第一層和形成得離所述有機(jī)發(fā)光元件最遠(yuǎn)的第η層，并且其中所述第一層和第η層由無機(jī)材料形成。在上述顯示器中，一個(gè)無機(jī)層和一個(gè)有機(jī)層彼此接觸，成一對(duì)地形成子封裝部，其中所述封裝部包括η個(gè)子封裝部，并且其中所述第η子封裝部比第η-1子封裝部離所述有機(jī)發(fā)光元件遠(yuǎn)。在上述顯示器中，所述第η子封裝部的無機(jī)層的面積大于所述第η-1子封裝部的無機(jī)層的面積。在上述顯示器中，所述第η子封裝部的有機(jī)層的面積大于所述第η-1子封裝部的有機(jī)層的面積。上述顯示器進(jìn)一步包括插置于所述有機(jī)發(fā)光元件與所述封裝部之間的光功能層。在上述顯示器中，所述光功能層是紫外(UV)輻射阻擋層。在上述顯示器中，光功能層的厚度在約20nm到約200nm的范圍之內(nèi)。在上述顯示器中，光功能層的厚度在約40nm到150nm的范圍之內(nèi)。在上述顯示器中，所述光功能層由下列至少一種形成三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力、 BaF2XsF^Na5Al3F14,KCl和Si02。在上述顯示器中，所述光功能層是包括具有不同折射率的第一層和第二層的反射層。在上述顯示器中，所述有機(jī)層由紫外(UV)硬化材料形成，并且其中所述第一層和所述第二層的光學(xué)厚度約為用于硬化所述有機(jī)層的紫外(UV)輻射的波長的λ/4。在上述顯示器中，所述第一層由下列至少一種形成三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力、BaF2, CsF, Na5Al3F14, KCl和SiO2,并且其中所述第二層由下列至少一種形成氮化硅 (SiN)、Cu20、Fe203、Ti02和ZnSe。在上述顯示器中，所述有機(jī)層的厚度至少是所述無機(jī)層的厚度的5倍。再一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，包括形成在基板上方的有機(jī)發(fā)光元件；以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件的封裝層，其中所述封裝層包括多個(gè)有機(jī)層和與所述有機(jī)層交替形成的多個(gè)無機(jī)層，其中各個(gè)有機(jī)層具有兩個(gè)對(duì)立的端部，其中各個(gè)無機(jī)層具有兩個(gè)對(duì)立的端部，其中所述有機(jī)層和所述無機(jī)層的端部是非直線的，并接觸所述基板，并且其中所述無機(jī)層之一形成得最接近且直接接觸所述有機(jī)發(fā)光元件。在上述顯示器中，其中所述封裝層包括離所述有機(jī)發(fā)光元件最遠(yuǎn)的無機(jī)層。上述顯示器進(jìn)一步包括插置于所述有機(jī)發(fā)光元件與所述封裝層之間的光功能層，其中所述光功能層接觸所述基板以及所述有機(jī)層和所述無機(jī)層的端部。在上述顯示器中，所述光功能層的厚度在約20nm到約200nm之間的范圍內(nèi)。在上述顯示器中，所述光功能層具有形成為與所述有機(jī)層和所述無機(jī)層的 端部相鄰的非直線部。


圖1是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的透視圖。
圖2是沿圖1的線II-II截取的剖視圖。圖3是圖1中所示的面板組件的子像素電路結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4是圖1的面板組件的局部放大剖視圖。圖5是顯示根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的照片。圖6是顯示根據(jù)對(duì)比例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的照片。圖7是根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的剖視圖。
具體實(shí)施例方式總體上，有機(jī)發(fā)光元件設(shè)置在一塊由例如玻璃制成的基板上，并且為另一塊基板所覆蓋以防止該元件因從環(huán)境滲入的水汽和氧氣而劣化。近來，根據(jù)用戶的偏好減小OLED顯示器面板的尺寸和厚度以及提高清晰度業(yè)已成為一種趨勢(shì)。此外，薄膜封裝(TFE)層被用來覆蓋OLED器件的有機(jī)發(fā)光元件。在薄膜封裝結(jié)構(gòu)中，在形成于基板的顯示區(qū)域中的有機(jī)發(fā)光元件上分別地并交替地沉積有機(jī)層和無機(jī)層這二者中的至少一個(gè)，以覆蓋顯示區(qū)域從而保護(hù)有機(jī)發(fā)光元件。所沉積的有機(jī)層和無機(jī)層通常被稱為薄膜封裝層。因薄膜封裝層和基板通常具有柔性特性，故包括這種柔性元件的OLED顯示器提高了整個(gè)器件的柔性。此外，使用薄膜封裝層降低了 OLED器件的厚度。進(jìn)一步，OLED顯示器可用在多種顯示應(yīng)用(例如，折疊型)中。然而，OLED顯示器技術(shù)通常在基板所用的薄膜封裝層的邊緣具有薄弱的封裝結(jié)構(gòu)，這使得有機(jī)發(fā)光元件因從環(huán)境滲入的水汽和氧氣而劣化。下文中，將參照示出了示例性實(shí)施例的附圖更加詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到的那樣，所描述的實(shí)施例可按各種不同方式進(jìn)行修改而均不違背本發(fā)明的精神或者范圍。此外，這些示例性實(shí)施例中具有相同構(gòu)造的組成元件，在第一示例性實(shí)施例中利用相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行了示例性的描述，而在其他示例性實(shí)施例中僅會(huì)對(duì)不同于第一示例性實(shí)施例中的構(gòu)造加以描述。為清楚地解釋示例性實(shí)施例，省略了與解釋說明無關(guān)的部分，且在整套申請(qǐng)文件中相同或者類似的組成元件被標(biāo)注以相同的附圖標(biāo)記。為更好、更容易地理解說明書，附圖中各元件的尺寸和厚度皆為大致地顯示。因此，示例性實(shí)施例并不受限于附圖。為清楚起見，附圖中的層、膜、面板、區(qū)域等的厚度皆有所夸大。應(yīng)理解，當(dāng)諸如層、 膜、區(qū)域或者基板之類的元件被稱之為在另一元件“上”時(shí)，可能是此元件直接在該另一元件上，也可能存在中間元件。與此形成對(duì)照的是，如果某一元件被稱為“直接”在另一元件 “上”，則不存在中間元件。圖1是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的透視圖，而圖2 是沿圖1的線II-II截取的剖視圖。參見圖1和圖2，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器101包括1)面板組件12，該面板組件12 具有顯示區(qū)域AlO和焊盤區(qū)域A20，且該面板組件12在顯示區(qū)域AlO處顯示預(yù)定圖像；和 2)通過柔性電路板14電連接到面板組件12的印刷電路板 16。
面板組件12包括基板18和封裝部20，顯示區(qū)域AlO和焊盤區(qū)域20限定在基板 18的頂面上，封裝部20形成在基板18上以覆蓋顯示區(qū)域AlO。在一個(gè)實(shí)施例中，封裝部20 在面積上比顯示區(qū)域AlO大，并覆蓋顯示區(qū)域AlO以及基板18的位于顯示區(qū)域AlO之外的頂面從而保護(hù)顯示區(qū)域AlO以及基板18的位于顯示區(qū)域AlO之外的頂面。在一個(gè)實(shí)施例中，焊盤區(qū)域A20未被封裝部20覆蓋，并且暴露于環(huán)境中。在一個(gè)實(shí)施例中，在基板18的顯示區(qū)域AlO處以矩陣的形式布置子像素，且在顯示區(qū)域AlO外部設(shè)置掃描驅(qū)動(dòng)器(未示出)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)以驅(qū)動(dòng)這些子像素。 可在基板18的焊盤區(qū)域A20處布置焊盤電極(未示出)以便將電信號(hào)傳輸給掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。圖3是圖1中所示的面板組件的子像素電路結(jié)構(gòu)的示意圖，且圖4是圖1的面板組件的局部放大剖視圖。參見圖3和圖4，面板組件12的子像素由有機(jī)發(fā)光二極管Ll和驅(qū)動(dòng)電路單元形成。有機(jī)發(fā)光二極管Ll包括第一像素電極(或者說，空穴注入電極(陽極))22、有機(jī)發(fā)射層24以及第二像素電極(或者說，電子注入電極(陰極))26。有機(jī)發(fā)射層24可進(jìn)一步包括實(shí)際發(fā)光的發(fā)射層(未示出)和有效傳送空穴或者電子的載流子(carrier)給發(fā)射層的有機(jī)層(未示出)。有機(jī)層可包括位于第一像素電極 22和發(fā)射層之間的空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)以及位于第二像素電極26和發(fā)射層之間的電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路單元包括至少兩個(gè)薄膜晶體管Tl和T2以及至少一個(gè)存儲(chǔ)電容器Cl。該薄膜晶體管基 本上包括開關(guān)晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)晶體管T2。開關(guān)晶體管Tl連接到掃描線SLl和數(shù)據(jù)線DLl，并根據(jù)輸入到掃描線SLl的開關(guān)電壓將輸入到數(shù)據(jù)線DLl的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管T2。存儲(chǔ)電容器Cl連接到開關(guān)晶體管Tl和電源線VDD，并存儲(chǔ)一個(gè)其值對(duì)應(yīng)于從開關(guān)晶體管Tl傳輸?shù)碾妷号c供應(yīng)給電源線 VDD的電壓之間的差值的電壓。 驅(qū)動(dòng)晶體管T2連接到電源線VDD和存儲(chǔ)電容器Cl，以便供應(yīng)輸出電流IOLED給有機(jī)發(fā)光二極管Ll，輸出電流IOLED正比于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cl的電壓與閾值電壓之差的平方。有機(jī)發(fā)光二極管Ll以輸出電流IOLED的形式發(fā)光。驅(qū)動(dòng)晶體管T2包括柵電極28、源電極30和漏電極32。有機(jī)發(fā)光二極管Ll的第一像素電極22可連接到驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏電極32。子像素的結(jié)構(gòu)不限于以上所述，而是可以按各種方式加以改變。參見圖1，集成電路芯片34以玻璃上芯片(chip-on-glass)的類型安裝在面板組件12的焊盤區(qū)域A20上，并且柔性電路板14以膜上芯片(chip-on-film)的類型安裝在其上。保護(hù)層36形成在集成電路芯片34和柔性電路板14的周圍以覆蓋和保護(hù)形成在焊盤區(qū)域A20處的焊盤電極。電子器件(未示出)安裝在印刷電路板16上以處理驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并且連接器38安裝在其上以將外部信號(hào)傳輸給印刷電路板16。震動(dòng)吸收帶(未示出)或溝緣(未示出)可設(shè)在面板組件12的背側(cè)以增加面板組件12的抗沖擊能力。在一個(gè)實(shí)施例中，柔性電路板14折疊到面板組件12的背側(cè)，使得印刷電路板16面向面板組件12的后面。在一個(gè)實(shí)施例中，封裝部20直接形成在基板18的有機(jī)發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)電路單元上，以便將它們密封起來，防護(hù)它們免受外界之害。該封裝部20可以由薄膜制成，并被稱為薄膜封裝層。在一個(gè)實(shí)施例中，薄膜封裝層20利用至少一個(gè)無機(jī)層201和至少一個(gè)有機(jī)層202形成，無機(jī)層201和有機(jī)層202彼此交替地逐個(gè)沉積。在沉積結(jié)構(gòu)中，一對(duì)無機(jī)層201和有機(jī)層202形成子封裝部203，并且該子封裝部203的沉積數(shù)可以為η (最好，η = 2)。在一個(gè)實(shí)施例中，封裝部20包括沉積數(shù)為三的子封裝部203。也就是說，三個(gè)無機(jī)層201和三個(gè)有機(jī)層202交替沉積。例如，在基板18上涂覆(或形成)覆蓋有機(jī)發(fā)光元件 Ll的無機(jī)層201，上面涂覆有機(jī)層202，接著上面涂覆另一無機(jī)層201，接著上面涂覆另一有機(jī)層202，最后在最上面的有機(jī)層202上涂覆無機(jī)層201，從而形成封裝部20。在該實(shí)施例中，覆蓋有機(jī)發(fā)光元件Ll且設(shè)置得離有機(jī)發(fā)光元件Ll最近的第一層和設(shè)置得離有機(jī)發(fā)光元件Ll最遠(yuǎn)且位于顯示區(qū)域AlO的封裝部20最外部的最終層(第η層)為無機(jī)層。在另一實(shí)施例中，可以采用各種方式修改有機(jī)層和無機(jī)層的堆疊順序和個(gè)數(shù)(例如4個(gè)以上或 2個(gè)以下)，只要有機(jī)層202和無機(jī)層201交替形成即可。無機(jī)層201可以通過濺射、CVD或離子束輔助沉積(IBAD)由金屬氧化物或氮化物制成。例如，無機(jī)層201可以由選自氧化鈣、鋁、硅、鈦、氧化銦、氧化錫、氧化硅、氮化硅以及氮化鋁中的至少一種的材料制成，但是不限于此。有機(jī)層202可以通過沉積液體或蒸發(fā)的單體而后通過輻射紫外(UV)射線進(jìn)行烘焙的工藝來形成。有機(jī)層202的材料的示例可以由選擇自丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、PET、 聚乙烯、聚丙烯或其混合物中的一種制成。在一個(gè)實(shí)施例中，無機(jī)層201的厚度不同于有機(jī)層202的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中， 有機(jī)層202的厚度(d2)大于無機(jī)層201的厚度(dl)。例如，厚度d2可以約為厚度dl的5 倍。再如，厚度d2可以比厚度dl的5倍小或比厚度dl的5倍大。針對(duì)基板18的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，可以相同地維持無機(jī)層201和有機(jī)層202的厚度關(guān)系。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，每個(gè)無機(jī)層201的端部和每個(gè)有機(jī)層202的端部直接接觸基板18。有機(jī)層的端部和無機(jī)層的端部可以是非直線的，例如，每個(gè)有機(jī)層202的端部和每個(gè)無機(jī)層201的端部可以被彎曲以便接觸基板18。由于所有的端部都接觸基板18， 因此薄膜封裝層20可以更有效地防止?jié)駳饣蜓跬ㄟ^有機(jī)發(fā)光元件Ll的側(cè)部滲入。無機(jī)層201的厚度dl可以約為lOOnm，有機(jī)層202的厚度d2可以約為500nm。在另一實(shí)施例中，無機(jī)層201的厚度dl可以小于約lOOnm，有機(jī)層202的厚度d2可以大于約 500nmo在一個(gè)實(shí)施例中，第η子封裝部中包括的有機(jī)層的面積大于第η-1子封裝部中包括的有機(jī)層的面積，并且第η子封裝部中包括的無機(jī)層的面積也大于第η-1子封裝部中包括的無機(jī)層的面積。圖5是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的照片，圖6是示出根據(jù)對(duì)比例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的照片。在對(duì)比例中，封裝部的無機(jī)層的厚度為lOOnm，有機(jī)層的厚度為70nm，其比無機(jī)層的厚度薄。其他情況，例如無機(jī)層的端部和有機(jī)層的端部直接接觸基板的情況與示例性實(shí)施例中的情況相同。圖5和圖6分別示出將根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的OLED設(shè)備和根據(jù)對(duì)比例的OLED設(shè)備放在85度高溫和85%的高相對(duì)濕度的環(huán)境下300小時(shí)后的結(jié)果。
從圖5和圖6中可以認(rèn)識(shí)到，圖5所示的一個(gè)創(chuàng)造性實(shí)施例與圖6所示的對(duì)比例相比的優(yōu)勢(shì)在于，圖5的實(shí)施例中沒有產(chǎn)生黑點(diǎn)或黑斑，或者產(chǎn)生得少得多。因此，可以顯著提高壽命或效率特性。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，封裝部的總厚度是均勻的，并且封裝部是密集的。因而可以預(yù)先防止污染材料或濕氣從有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的外部滲入。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，在形成封裝部時(shí)，無機(jī)層和有機(jī)層的所有端部直接接觸基板，從而可以進(jìn)一步有效地阻止可能滲入到基板與封裝部之間的界面的不期望的材料。圖7是根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的剖面圖。如所示的那樣，該有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器與根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)顯示器具有相同的基本結(jié)構(gòu)，并且進(jìn)一步包括形成在封裝部20與有機(jī)發(fā)光元件Ll 之間的光功能層400。在一個(gè)實(shí)施例中，光功能層400具有形成為與有機(jī)層202端部和無機(jī)層201的端部相鄰的非直線部，例如，與有機(jī)層202端部和無機(jī)層201的端部相鄰的光功能層可以被彎曲。光功能層400可以由紫外(UV)阻擋層制成，以阻擋對(duì)有機(jī)發(fā)光元件Ll有不利影響的紫外(UV)輻射。該光功能層400可以制成單層，然而，它也可以形成為包括至少兩層的多層結(jié)構(gòu)。光功能層400的厚度可以維持在約20nm到約200nm的范圍之內(nèi)。以上范圍對(duì)有機(jī)發(fā)光元件Ll的保護(hù)、OLED顯示器的光提取效率比率或色純度特性有益。進(jìn)一步，將光功能層400的厚度設(shè)在約50nm到150nm之間對(duì)OLED顯示器的增強(qiáng)的效率特性是有益的。 然而，根據(jù)實(shí)施例，光功能層400的厚度可以小于約20nm或大于約200nm。光功能層400可以由包括選自三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力、 BaF2, CsF, Na5Al3F14, KCl 和 SiO2 中的至少一種制成。另一方面，當(dāng)光功能層400由多層結(jié)構(gòu)制成時(shí)，實(shí)質(zhì)配置可以具有反射層結(jié)構(gòu)，在該反射層結(jié)構(gòu)中沉積有具有不同折射率的第一層和第二層。當(dāng)封裝部20的有機(jī)層202由可以被紫外(UV)輻射硬化的材料制成時(shí)，第一層和第二層的每個(gè)光學(xué)厚度可以具有用于硬化有機(jī)層202的紫外(UV)輻射的波長的λ/4。作為第一層和第二層的材料的示例，第一層可以三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力、BaF2、CsF, Na5Al3F14, KCl和SiO2中的至少一種，第二層可以包括氮化硅 (SiN)、Cu20、Fe203、TiO2 和 ZnSe 中的至少一種。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器可以有效地阻擋不期望的材料從環(huán)境中滲入。相應(yīng)地，可以預(yù)先防止黑點(diǎn)和黑斑，從而可以改進(jìn)產(chǎn)品特性，并且可以延長壽命。盡管已結(jié)合目前認(rèn)為的實(shí)用示例性實(shí)施例對(duì)本公開進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解， 本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反，意在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍之內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括形成在基板上方的有機(jī)發(fā)光元件；以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件的封裝部，其中該封裝部包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層，其中所述無機(jī)層和所述有機(jī)層的各個(gè)端部直接接觸所述基板，并且其中所述有機(jī)層比所述無機(jī)層厚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述封裝部包括多個(gè)有機(jī)層和相對(duì)于所述有機(jī)層交替形成的多個(gè)無機(jī)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述封裝部包括形成得離所述有機(jī)發(fā)光元件最近的第一層和形成得離所述有機(jī)發(fā)光元件最遠(yuǎn)的第η層，并且其中所述第一層和所述第η層由無機(jī)材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中彼此接觸的一個(gè)無機(jī)層和一個(gè)有機(jī)層成一對(duì)地形成子封裝部，其中所述封裝部包括η個(gè)子封裝部，并且其中第η子封裝部比第η-1子封裝部離所述有機(jī)發(fā)光元件遠(yuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第η子封裝部的無機(jī)層的面積大于所述第η-1子封裝部的無機(jī)層的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第η子封裝部的有機(jī)層的面積大于所述第η-1子封裝部的有機(jī)層的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括插置于所述有機(jī)發(fā)光元件與所述封裝部之間的光功能層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述光功能層是紫外輻射阻擋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述光功能層的厚度在20nm到 200nm的范圍之內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述光功能層的厚度在40nm 到150nm的范圍之內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述光功能層由下列至少一種材料形成三-8-羥基喹啉鋁、二苯甲酮、光壓克力、83&、08 、妝#1丨14、1((1和Si02。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述光功能層是包括具有不同折射率的第一層和第二層的反射層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)層由紫外硬化材料形成，并且其中所述第一層和所述第二層的光學(xué)厚度為用于硬化所述有機(jī)層的紫外輻射的波長的λ/4。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一層由下列至少一種形成三-8-羥基喹啉鋁、二苯甲酮、光壓克力、BaF2, CsF、Na5Al3F14, KCl和SiO2,并且其中所述第二層由下列至少一種形成氮化硅、Cu2OJe2Oy TW2和&iSe。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)層的厚度至少是所述無機(jī)層的厚度的5倍。
16.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括形成在基板上方的有機(jī)發(fā)光元件；以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件的封裝層，其中所述封裝層包括多個(gè)有機(jī)層和相對(duì)于所述有機(jī)層交替形成的多個(gè)無機(jī)層，其中各個(gè)有機(jī)層具有兩個(gè)對(duì)立的端部，其中各個(gè)無機(jī)層具有兩個(gè)對(duì)立的端部，其中所述有機(jī)層和所述無機(jī)層的端部是非直線的并接觸所述基板，并且其中所述無機(jī)層之一形成得最接近且直接接觸所述有機(jī)發(fā)光元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述封裝層包括離所述有機(jī)發(fā)光元件最遠(yuǎn)的無機(jī)層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括插置于所述有機(jī)發(fā)光元件與所述封裝層之間的光功能層，其中所述光功能層接觸所述基板以及所述有機(jī)層的端部和所述無機(jī)層的端部。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述光功能層的厚度在20nm 到200nm之間的范圍內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述光功能層具有形成為與所述有機(jī)層的端部和所述無機(jī)層的端部相鄰的非直線部。
全文摘要
公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。在一個(gè)實(shí)施例中，該OLED顯示器包括形成在基板上方的有機(jī)發(fā)光元件以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件的封裝部。進(jìn)一步，該封裝部可以包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層，其中所述無機(jī)層和所述有機(jī)層的各個(gè)端部直接接觸所述基板，并且其中所述有機(jī)層比所述無機(jī)層厚。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102157543SQ20111000426
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月4日
發(fā)明者郭鎮(zhèn)浩, 金孝真, 金素延, 韓東垣, 韓盛旭 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社