專利名稱：發(fā)光二極管晶粒及其制造方法、發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一般需要打金線以將發(fā)光二極管晶粒的電極與基板的焊墊電連接，發(fā)光二極管晶粒的出光一側(cè)需要設(shè)置相應(yīng)的厚金屬電極及焊球以與金線連接。然而，焊球及厚金屬電極會遮擋光線，從而降低發(fā)光二極管晶粒及整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種出光效率較高的發(fā)光二極管晶粒。一種發(fā)光二極管晶粒，包括基板、半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)、透明導(dǎo)電層及絕緣層，基板包括相互絕緣的第一導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)為垂直電導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電襯底及P型三族氮化物半導(dǎo)體層，導(dǎo)電襯底及P型三族氮化物半導(dǎo)體層分別位于半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的兩端，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電襯底固定于基板的第二導(dǎo)電區(qū)上，透明導(dǎo)電層連接基板的第一導(dǎo)電區(qū)與P型三族氮化物半導(dǎo)體層，透明導(dǎo)電層與基板的第二導(dǎo)電區(qū)電絕緣，該絕緣層使得透明導(dǎo)電層與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的除P型三族氮化物半導(dǎo)體層以外的其他部分絕緣。上述發(fā)光二極管晶粒的出光一側(cè)不必設(shè)置遮光的厚金屬電極及焊球，從而提高發(fā)光二極管晶粒的出光效率。下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。


圖1為本發(fā)明實施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明的一較佳實施方式中半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)固定在基板后的剖面示意圖。圖3為圖2中形成絕緣層后的剖面示意圖。圖4為圖3中形成第一窗口和第二窗口后的剖面示意圖。圖5為圖4中形成透明導(dǎo)電層后的剖面示意圖。圖6為本發(fā)明另一實施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明的另一較佳實施方式中半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)固定在基板后的剖面示意圖。圖8為圖7中形成絕緣層后的剖面示意圖。圖9為圖8中形成第一窗口和第二窗口后的剖面示意圖。圖10為圖9中形成透明導(dǎo)電層后的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明另一較佳實施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。主要元件符號說明
發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10,20
基座11,21
第一焊墊111,211
第二焊墊112,212
發(fā)光二極管晶粒12,22
封裝體13
基板14,24
第一導(dǎo)電區(qū)141,241
第二導(dǎo)電區(qū)142,242
絕緣材料143
半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15,25
導(dǎo)電襯底151,251
布拉格反射層152,252
N型三族氮化物半導(dǎo)體層153,253
有源層154,254
P型氮化鎵層156
P型氮化鋁鎵層155
P型三族氮化物半導(dǎo)體層157,257
絕緣層16,26
第一窗口161,261
第二窗口162,262
透明導(dǎo)電層17,27
第一覆蓋部171,271
連接部172,272
第二覆蓋部173,273
第三焊墊213
第三導(dǎo)電區(qū)24具體實施例方式下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請參閱圖1，本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10包括基座11、發(fā)光二極管晶粒12及封裝體13。基座11上設(shè)置相互絕緣的第一焊墊111與第二焊墊112。請一并參閱圖5，發(fā)光二極管晶粒12包括基板14、半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15、絕緣層16及透明導(dǎo)電層17?；?4包括相互絕緣的第一導(dǎo)電區(qū)141與第二導(dǎo)電區(qū)142，第一導(dǎo)電區(qū)141與第二導(dǎo)電區(qū)142通過絕緣材料143連接。半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15為垂直電導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，包括依次層疊的導(dǎo)電襯底151、布拉格反射層152、N型三族氮化物半導(dǎo)體層153、有源層巧4及P型三族氮化物半導(dǎo)體層157，導(dǎo)電襯底151與P型三族氮化物半導(dǎo)體層157分別位于半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15的兩端。導(dǎo)電襯底151固定于基板14的第二導(dǎo)電區(qū)142上。布拉格反射層152將有源層154向下射向?qū)щ娨r底151的光線向上反射至P型三族氮化物半導(dǎo)體層157—側(cè)，從而提高出光效率。在本實施方式中，P型三族氮化物半導(dǎo)體層157包括P型氮化鎵層156及P型氮化鋁鎵層155，N型三族氮化物半導(dǎo)體層153為N型氮化鎵。 透明導(dǎo)電層17連接基板14的第一導(dǎo)電區(qū)141與P型三族氮化物半導(dǎo)體層157之間。絕緣層16使得透明導(dǎo)電層17與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15的任一側(cè)壁絕緣，即絕緣層16使得透明導(dǎo)電層17與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15除P型三族氮化物半導(dǎo)體層157以外的其他部分絕緣。進(jìn)一步而言，絕緣層16使得透明導(dǎo)電層17與基板14的第二導(dǎo)電區(qū)142絕緣。在本實施方式中，透明導(dǎo)電層17采用透明金屬、銦錫金屬氧化物或者碳納米管薄膜其中一種；絕緣層16采用二氧化硅或者氮化硅，絕緣層16優(yōu)選采用透明電絕緣材料。
絕緣層16覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15及基板14，絕緣層16具有第一窗口 161及第二窗口 162，第一窗口 161位于P型三族氮化物半導(dǎo)體層157且使得部分P型三族氮化物半導(dǎo)體層157裸露，第二窗口 162位于基板14的第一導(dǎo)電區(qū)141且使得第一導(dǎo)電區(qū)141裸露。透明導(dǎo)電層17包括第一覆蓋部171、連接部172及第二覆蓋部173，第一覆蓋部171覆蓋絕緣層16的第一窗口 161，第二覆蓋部173覆蓋絕緣層16的第二窗口 162，連接部172連接于第一覆蓋部171與第二覆蓋部173之間。發(fā)光二極管晶粒12固定在基座11上，封裝體13包覆發(fā)光二極管晶粒12。在本實施方式中，發(fā)光二極管晶粒12的基板14的第一導(dǎo)電區(qū)141固定在基座11的第一焊墊111上，基板14的第二導(dǎo)電區(qū)142固定在基座11的第二焊墊112上，外部電源向第一焊墊111及第二焊墊112施加電壓，發(fā)光二極管晶粒12即可發(fā)光。上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10無須打金線，發(fā)光二極管晶粒12的P型三族氮化物半導(dǎo)體層157上不必設(shè)置遮光的厚金屬電極及焊球，即發(fā)光二極管晶粒12的出光一側(cè)不必設(shè)置遮光的厚金屬電極及焊球，更多的光線可以射出發(fā)光二極管晶粒12，從而提高發(fā)光二極管晶粒12及整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的出光效率。進(jìn)一步而言，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10沒有金線，從而避免在使用過程中金線崩斷，延長發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的使用壽命并提高其使用可靠度。更進(jìn)一步而言，發(fā)光二極管晶粒12通過導(dǎo)熱性能較佳的金屬材料直接與基座11的焊墊連接，發(fā)光二極管晶粒12所產(chǎn)生的熱量可以更快的被散發(fā)到外界空氣中。請一并參閱圖2至圖5，本發(fā)明實施方式提供的一種發(fā)光二極管晶粒12的制造方法包括以下幾個步驟提供基板14，該基板14包括相互絕緣的第一導(dǎo)電區(qū)141與第二導(dǎo)電區(qū)142。提供半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15，該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15為垂直電導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15包括依次層疊的導(dǎo)電襯底151、布拉格反射層152、N型三族氮化物半導(dǎo)體層153、有源層巧4及P型三族氮化物半導(dǎo)體層157，將半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15的導(dǎo)電襯底151固定于基板14的第二導(dǎo)電區(qū)142上。于基板14及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)15上形成絕緣層16，形成絕緣層16的方法可以采用物理蒸鍍或者化學(xué)蒸鍍。絕緣層16上形成第一窗口 161及第二窗口 162，第一窗口 161位于P型三族氮化物半導(dǎo)體層157且使得P型三族氮化物半導(dǎo)體層157裸露，第二窗口 162位于基板14的第一導(dǎo)電區(qū)141且使得第一導(dǎo)電區(qū)141裸露。去除絕緣層16的方法可以采用干蝕刻或者濕蝕刻。形成透明導(dǎo)電層17，透明導(dǎo)電層17連接基板14的第一導(dǎo)電區(qū)141與P型三族氮化物半導(dǎo)體層157。該透明導(dǎo)電層17包括第一覆蓋部171、連接部172及第二覆蓋部173，第一覆蓋部171覆蓋絕緣層16的第一窗口 161，第二覆蓋部173覆蓋絕緣層16的第二窗口162，連接部172連接于第一覆蓋部171與第二覆蓋部173之間。形成透明導(dǎo)電層17的方法可采用電鍍、化鍍、濺鍍、電子束或者蒸鍍等方法。請參閱圖6及圖10，本發(fā)明另一較佳實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20，與上一實施方式不同之處在于，基座21上設(shè)置相互絕緣的第一焊墊211、第二焊墊212及第三焊墊213，基板M包括相互絕緣的第一導(dǎo)電區(qū)Ml、第二導(dǎo)電區(qū)242及第三導(dǎo)電區(qū)M3。半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25的導(dǎo)電襯底251固定于基板M的第二導(dǎo)電區(qū)242上。透明導(dǎo)電層27連接基板M的第一導(dǎo)電區(qū)241與P型三族氮化物半導(dǎo)體層257，并且透明導(dǎo)電層27連接基板M的第三導(dǎo)電區(qū)243與P型三族氮化物半導(dǎo)體層257。絕緣層沈使得透明導(dǎo)電層27與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25的任一側(cè)壁絕緣，即絕緣層沈使得透明導(dǎo)電層27與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25除P型三族氮化物半導(dǎo)體層257以外的其他部分絕緣，并且絕緣層沈使得透明導(dǎo)電層27與基板M的第二導(dǎo)電區(qū)242絕緣。絕緣層沈覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25及基板24，絕緣層沈具有第一窗口 261及第二窗口沈2，第一窗口261位于P型三族氮化物半導(dǎo)體層257且使得部分P型三族氮化物半導(dǎo)體層257裸露，第二窗口 262位于基板M的第一導(dǎo)電區(qū)241及第三導(dǎo)電區(qū)M3，第二窗口 262使得第一導(dǎo)電區(qū)241及第三導(dǎo)電區(qū)243裸露。透明導(dǎo)電層27包括第一覆蓋部271、連接部272及第二覆蓋部273，第一覆蓋部271覆蓋絕緣層沈的第一窗口沈1，第二覆蓋部273覆蓋絕緣層沈的第二窗口沈2，連接部272連接于第一覆蓋部271與第二覆蓋部273之間。發(fā)光二極管晶粒22的基板M的第一導(dǎo)電區(qū)Ml固定在基座21的第一焊墊211上，基板M的第二導(dǎo)電區(qū)242固定在基座21的第二焊墊212上，基板M的第三導(dǎo)電區(qū)243固定在基座21的第三焊墊213上。請一并參閱圖7至圖10，本發(fā)明另一較佳實施方式提供的一種發(fā)光二極管晶粒22的制造方法包括以下幾個步驟提供基板24，該基板M包括第一導(dǎo)電區(qū)Ml、第二導(dǎo)電區(qū)M2與第三導(dǎo)電區(qū)M3，其中第二導(dǎo)電區(qū)242分別與第一導(dǎo)電區(qū)Ml、第三導(dǎo)電區(qū)243絕緣，第一導(dǎo)電區(qū)Ml與第三導(dǎo)電區(qū)M3電導(dǎo)通。提供半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25，該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25為垂直電導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25包括依次層疊的導(dǎo)電襯底251、布拉格反射層252、N型三族氮化物半導(dǎo)體層253、有源層2M及P型三族氮化物半導(dǎo)體層257，將半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25的導(dǎo)電襯底251固定于基板對的第二導(dǎo)電區(qū)242上。于基板M及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)25上形成絕緣層沈，形成絕緣層沈的方法可以采用物理蒸鍍或者化學(xué)蒸鍍。絕緣層沈上形成第一窗口 261及第二窗口沈2，第一窗口 261位于P型三族氮化物半導(dǎo)體層257且使得P型三族氮化物半導(dǎo)體層257裸露，第二窗口 262位于基板M的第一導(dǎo)電區(qū)241及第三導(dǎo)電區(qū)M3，第二窗口 262使得第一導(dǎo)電區(qū)241及第三導(dǎo)電區(qū)243裸露。去除絕緣層沈的方法可以采用干蝕刻或者濕蝕刻。形成透明導(dǎo)電層27，透明導(dǎo)電層27連接基板M的第一導(dǎo)電區(qū)241與P型三族氮化物半導(dǎo)體層257，并且透明導(dǎo)電層27連接基板M的第三導(dǎo)電區(qū)243與P型三族氮化物半導(dǎo)體層257。該透明導(dǎo)電層27包括第一覆蓋部271、連接部272及第二覆蓋部273，第一覆蓋部271覆蓋絕緣層沈的第一窗口沈1，第二覆蓋部273覆蓋絕緣層沈的第二窗口沈2，連接部272連接于第一覆蓋部271與第二覆蓋部273之間。形成透明導(dǎo)電層27的方法可采用電鍍、化鍍、濺鍍、電子束或者蒸鍍等方法。圖11示出本發(fā)明另一較佳實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30。與上一實施方式不同之處在于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30包括發(fā)光二極管晶粒32及封裝體33，封裝體33位于發(fā)光二極管晶粒32的基板34上且直接包覆該發(fā)光二極管晶粒32的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)35、絕緣層36及透明導(dǎo)電層37。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管晶粒，包括半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及透明導(dǎo)電層，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)為垂直電導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電襯底及P型三族氮化物半導(dǎo)體層，導(dǎo)電襯底及P型三族氮化物半導(dǎo)體層分別位于半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的兩端，其特征在于還包括基板及絕緣層，基板包括相互絕緣的第一導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電襯底固定于基板的第二導(dǎo)電區(qū)上，透明導(dǎo)電層連接基板的第一導(dǎo)電區(qū)與P型三族氮化物半導(dǎo)體層，透明導(dǎo)電層與基板的第二導(dǎo)電區(qū)電絕緣，該絕緣層使得透明導(dǎo)電層與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的除P型三族氮化物半導(dǎo)體層以外的其他部分絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于絕緣層覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及基板，絕緣層具有第一窗口及第二窗口，第一窗口位于P型三族氮化物半導(dǎo)體層且使得P型三族氮化物半導(dǎo)體層裸露，第二窗口位于基板的第一導(dǎo)電區(qū)且使得第一導(dǎo)電區(qū)裸露，透明導(dǎo)電層包括第一覆蓋部、連接部及第二覆蓋部，第一覆蓋部覆蓋絕緣層的第一窗口，第二覆蓋部覆蓋絕緣層的第二窗口，連接部連接于第一覆蓋部與第二覆蓋部之間。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括布拉格反射層、N型三族氮化物半導(dǎo)體層及有源層，導(dǎo)電襯底、布拉格反射層、N型三族氮化物半導(dǎo)體層、有源層及P型三族氮化物半導(dǎo)體層依次層疊。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于該絕緣層使得透明導(dǎo)電層與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁絕緣。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于該導(dǎo)電襯底的材料為碳化硅或者娃。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于基板還包括第三導(dǎo)電區(qū)，第三導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)電絕緣，透明導(dǎo)電層連接基板的第三導(dǎo)電區(qū)與P型三族氮化物半導(dǎo)體層。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于絕緣層覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及基板，絕緣層具有第一窗口及第二窗口，第一窗口位于P型三族氮化物半導(dǎo)體層且使得P型三族氮化物半導(dǎo)體層裸露，第二窗口位于基板的第一導(dǎo)電區(qū)及第三導(dǎo)電區(qū)且使得第一導(dǎo)電區(qū)及第三導(dǎo)電區(qū)裸露，透明導(dǎo)電層包括第一覆蓋部、連接部及第二覆蓋部，第一覆蓋部覆蓋絕緣層的第一窗口，第二覆蓋部覆蓋絕緣層的第二窗口，連接部連接于第一覆蓋部與第二覆蓋部之間。
8.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基座、發(fā)光二極管晶粒及封裝體，發(fā)光二極管晶粒固定于基座上，封裝體包覆該發(fā)光二極管晶粒，其特征在于該發(fā)光二極管晶粒為權(quán)利要求1至7中任意一項所述的發(fā)光二極管晶粒。
9.一種發(fā)光二極管晶粒制造方法，其包括以下步驟提供基板，該基板包括相互絕緣的第一導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)；提供半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)為垂直電導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電襯底及P型三族氮化物半導(dǎo)體層，導(dǎo)電襯底及P型三族氮化物半導(dǎo)體層分別位于半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的兩端，將半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電襯底固定于基板的第二導(dǎo)電區(qū)上；于基板及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成絕緣層；絕緣層上形成第一窗口及第二窗口，第一窗口位于P型三族氮化物半導(dǎo)體層且使得P型三族氮化物半導(dǎo)體層裸露，第二窗口位于基板的第一導(dǎo)電區(qū)且使得第一導(dǎo)電區(qū)裸露；形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層連接基板的第一導(dǎo)電區(qū)與P型三族氮化物半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管晶粒制造方法，其特征在于該透明導(dǎo)電層包括第一覆蓋部、連接部及第二覆蓋部，第一覆蓋部覆蓋絕緣層的第一窗口，第二覆蓋部覆蓋絕緣層的第二窗口，連接部連接于第一覆蓋部與第二覆蓋部之間。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管晶粒制造方法，其特征在于基板還包括第三導(dǎo)電區(qū)，第三導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)電絕緣，第二窗口位于基板的第三導(dǎo)電區(qū)且使得第三導(dǎo)電區(qū)裸露，透明導(dǎo)電層連接基板的第三導(dǎo)電區(qū)與P型三族氮化物半導(dǎo)體層，透明導(dǎo)電層包括第一覆蓋部、連接部及第二覆蓋部，第一覆蓋部覆蓋絕緣層的第一窗口，第二覆蓋部覆蓋絕緣層的第二窗口，連接部連接于第一覆蓋部與第二覆蓋部之間。
12.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光二極管晶粒及封裝體，其特征在于該發(fā)光二極管晶粒為權(quán)利要求1至7中任意一項所述的發(fā)光二極管晶粒，封裝體位于發(fā)光二極管晶粒的基板上且包覆該發(fā)光二極管晶粒的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)、絕緣層及透明導(dǎo)電層。
全文摘要
一種發(fā)光二極管晶粒，包括基板、半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)、透明導(dǎo)電層及絕緣層，基板包括相互絕緣的第一導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電襯底及P型三族氮化物半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電襯底固定于基板的第二導(dǎo)電區(qū)上，透明導(dǎo)電層連接基板的第一導(dǎo)電區(qū)與P型三族氮化物半導(dǎo)體層，透明導(dǎo)電層與基板的第二導(dǎo)電區(qū)電絕緣，該絕緣層使得透明導(dǎo)電層與半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的除P型三族氮化物半導(dǎo)體層以外的其他部分絕緣。上述發(fā)光二極管晶粒的出光一側(cè)不必設(shè)置遮光的厚金屬電極及焊球，從而提高發(fā)光二極管晶粒的出光效率。本發(fā)明還公開一種發(fā)光二極管晶粒制造方法及發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L33/64GK102593306SQ20111000414
公開日2012年7月18日 申請日期2011年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月10日
發(fā)明者凃博閔, 林雅雯, 黃世晟 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司