專利名稱：使用具有對稱電學(xué)特性的物理上非對稱半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及集成電路設(shè)計。更確切地說，本發(fā)明涉及在集成電路內(nèi)使用結(jié)構(gòu)的局部非対稱放置的電路設(shè)計。
背景技術(shù)：
用于設(shè)計集成電路的常規(guī)工具在布局設(shè)計中的組件時使用特定柵格。舉例來說，ー些較舊柵格使用IOOnm単元間隔，而較新柵格使用5nm和Inm間隔。柵格包含關(guān)于可在何處放置結(jié)構(gòu)的嚴(yán)格規(guī)則。舉例來說，當(dāng)使用5nm柵格時，僅可每隔5nm放置線和點。因此，使用較精細(xì)柵格可向設(shè)計者提供在結(jié)構(gòu)的放置方面的靈活性。然而，靈活性的折衷是數(shù)據(jù)量，所述數(shù)據(jù)量隨著柵格變得愈來愈精細(xì)而顯著地増加。此外，在一些情況下，不良的是將不同大小的柵格(例如，5nm柵格和Inm柵格)用于在同一裝置中放置在一起的組件(例如，在存儲器電路中放置在一起的字線驅(qū)動器和存儲器陣列)，這是因為在兩組件的邊界處可能會出現(xiàn)意外的定大小問題。圖I圖示使用常規(guī)方法和5nm柵格的實例設(shè)計100。設(shè)計100具有柵極長度為35nm的柵極101、柵極102和接點103。柵極間距為135nm，且在柵極101與102之間的空間的長度為lOOnm。接點103經(jīng)放置成與每ー柵極101和102相隔30nm，此情形符合5nm柵格、物理上對稱且因此導(dǎo)致總對稱特性。ー些高性能電路(例如，字線驅(qū)動器)使用具有30nm柵極長度的柵極，如果將保持柵極間距，那么所述柵極在應(yīng)用到設(shè)計100時產(chǎn)生顯著改變。通常，字線驅(qū)動器中的柵極間距優(yōu)選與存儲器陣列中的字線間距匹配。舉例來說，柵極101與102之間的距離從IOOnm增加到105nm。為了實現(xiàn)對稱特性，兩柵極101與102之間的中點(其為52. 5nm)是通常將定位有接點之處。然而，此位置不符合5nm制造柵格，甚至也不符合Inm柵格。當(dāng)前，不存 在可用于重新定位設(shè)計100中的電路結(jié)構(gòu)以容納30nm柵極長度而無需切換到更精細(xì)柵格且放棄設(shè)計規(guī)則的技木。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)ー個實施例，ー種集成電路裝置包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)經(jīng)布置成彼此緊接且在其之間界定空間；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分布在所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的所述空間中。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)經(jīng)放置成相較于所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更接近于所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)經(jīng)放置成相較于所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更接近于所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一群組具有從所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的對稱線的第一偏移，且所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二群組具有從所述對稱線的第二偏移。所述第一與第二偏移實質(zhì)上抵消。根據(jù)另ー實施例，ー種集成電路裝置包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)經(jīng)布置成彼此緊接且在其之間界定空間。還包含用于傳導(dǎo)電荷的多個裝置，且傳導(dǎo)裝置中的相應(yīng)傳導(dǎo)裝置布置在所述空間內(nèi)，且具有從所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的對稱線的相應(yīng)非零偏移。所述相應(yīng)偏移具有實質(zhì)上加到零的非對稱電阻電容(RC)效應(yīng)。在另ー實施例中，一種用于制造集成電路的方法包含在半導(dǎo)體襯底上形成第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)經(jīng)布置成彼此緊接。所述方法還包含在所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)經(jīng)非対稱地且在偏移RC特性的情況下布置。前文已相當(dāng)廣泛地概述本發(fā)明的特征和技術(shù)優(yōu)勢，以便可更好地理解以下的詳細(xì)描述。下文將描述形成本發(fā)明的權(quán)利要求書的主題的額外特征和優(yōu)勢。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，所掲示的概念和特定實施例可容易地用作修改或設(shè)計用于進(jìn)行本發(fā)明的相同目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識到，此些等效構(gòu)造不脫離在附加權(quán)利要求書中所陳述的本發(fā)明的技木。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，從以下描述將更好地理解被認(rèn)為本發(fā)明所特有的新穎特征(關(guān)于其組織和操作方法兩者)，以及其它目標(biāo)和優(yōu)勢。然而，應(yīng)明確地理解，諸圖中的每ー者僅出于說明和描述的目的而被提供，且不希望界定本發(fā)明的限制。


為了更完整地理解本發(fā)明，現(xiàn)參考結(jié)合隨附圖式所考慮的以下描述。圖I圖示常規(guī)電路設(shè)計。圖2圖示可有利地使用本發(fā)明的實施例的示范性無線通信系統(tǒng)。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的示范性電路的說明。圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路的俯視圖。圖4B和圖4C是圖4A所示的電路的剖示圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路的俯視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路的俯視圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路的俯視圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的示范性存儲器電路的說明。圖9是用于制造電路(例如，圖3-8所示的電路中的任一者)的示范性方法的說明。
具體實施例方式圖2圖示可有利地使用本發(fā)明的實施例的示范性無線通信系統(tǒng)200。出于說明的目的，圖2圖示三遠(yuǎn)程單元220、230和240，以及兩基站250和260。應(yīng)認(rèn)識到，無線通信系統(tǒng)可具有更多遠(yuǎn)程單元和基站。遠(yuǎn)程單元220、230和240分別包含改善式半導(dǎo)體電路225A、225B和225C，半導(dǎo)體電路225A、225B和225C包含如下文進(jìn)ー步所論述的本發(fā)明的實施例。圖2圖示從基站250和260到遠(yuǎn)程單元220、230和240的前向鏈路信號280，以及從遠(yuǎn)程單 元220,230和240到基站250和260的反向鏈路信號290。在圖2中，遠(yuǎn)程單元220被圖示為移動電話，遠(yuǎn)程單元230被圖示為便攜式計算機，且遠(yuǎn)程単元240被圖示為在無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的計算機。舉例來說，所述遠(yuǎn)程単元可以是移動電話、手持型個人通信系統(tǒng)(PCS)単元、例如個人數(shù)據(jù)助理的便攜式數(shù)據(jù)單元、具備GPS功能的裝置、導(dǎo)航裝置、機頂盒、例如音樂播放器、視頻播放器和娛樂單元的媒體播放器、例如儀表讀取設(shè)備的固定位置數(shù)據(jù)單元，或存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其它裝置，或其任何組合。雖然圖2說明根據(jù)本發(fā)明的教示的遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明不限于這些示范性說明単元。本發(fā)明可適當(dāng)?shù)赜糜诎呻娐返娜魏窝b置中。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的示范性電路300的說明。電路300包含柵極301和302，以及接點303-306。在一個實例中，接點303,304用作源極，且接點305、306用作漏極(或接點303、304用作漏極，且接點305、306用作源極)。柵極301和302具有30nm的柵極長度，且柵極間距為135nm。電路300包含非対稱的接點303和304的配置。在此情況下，每ー接點303和304從對稱線310稍微偏移，對稱線310平行于柵極301和302。電路300改善了在將30nm柵極長度應(yīng)用到圖I的設(shè)計時出現(xiàn)的許多擔(dān)憂。具體來說，電路300符合5nm柵格且不放棄傳統(tǒng)設(shè)計規(guī)則。
由于對非対稱RC特性的擔(dān)憂，結(jié)構(gòu)的非対稱配置在產(chǎn)業(yè)中通常受到輕視。具體來說，使用電路300作為實例，在柵極301與接點303和304之間存在電容，且隨著電流從柵極301流動到接點303和304 (或電流從接點303和304流動到柵極301)而存在電阻。類似地，在接點303和304與柵極302之間也存在電阻和電容。電阻和電容兩者皆受到每一接點303和304到柵極301和302的距離影響。因為接點303和304具有到柵極301和302的不同距離，所以接點303和304的相應(yīng)RC特性不同。電路300通過將接點303和304放置成使得其相應(yīng)非對稱RC特性相互抵消來減少或消除非対稱RC特性的效應(yīng)。在此實例中，接點304在線310的一側(cè)上的偏移距離由接點303在線310的另ー側(cè)上的偏移距離加以平衡。因此，可歸因于接點303的放置的非對稱RC效應(yīng)通過可歸因于接點304的放置的非対稱RC效應(yīng)而取消。在此實例中，應(yīng)理解，仍可能會存在某一量的非対稱RC特性，但此非対稱RC特性被實質(zhì)上消除，使得其不會影響電路300的功能性。與電路300電通信的裝置(本文中出于方便起見而未圖示)經(jīng)歷如同接點303和304是對稱地布置的相同功能性。因此，當(dāng)相應(yīng)接點303、304和305、306傳遞電流時，與接點303、304通信和與接點305、306通信的裝置應(yīng)經(jīng)歷來自接點303和304的相同量的電流，接點305和306的情況也是一祥。因此，電路300局部地非対稱，但對于其它裝置而言整體上看似對稱。雖然圖3圖示柵極和接點，但應(yīng)理解，圖3所說明的概念可適用于其它電路結(jié)構(gòu)。事實上，非対稱地但在取消非対稱RC特性的情況下可經(jīng)布置的集成電路中的任何導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可用于各種實施例中。此些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的實例包含(但不限干)金屬導(dǎo)通孔、用于電阻器和電容裝置的接點，及其類似物。此外，還可使用除了柵極以外的多種伸長結(jié)構(gòu)，例如，金屬線、導(dǎo)電板及其類似物。圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路400的俯視圖。圖4B和圖4C是電路400的剖示圖。電路400包含建置在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)溝道411和412中的柵極401和402。電路400還包含電接點403-406。雖然圖4A圖示四個接點403-406，但可按比例調(diào)整各種實施例以包含任何數(shù)目的非対稱放置的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。此外，雖然圖4A-C被圖示為使用硅和MOS技術(shù)，但其它實施例可使用不同材料和技術(shù)，例如，GaAs, AlGaAs和/或其類似物。如在圖3中，電路400局部地非対稱，但對于其它電路而言看似對稱。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路500的俯視圖。電路500類似于電路400 (圖4)，但包含第二行接點503-506。接點503-506還被非対稱地放置，且符合與接點403-406的放置圖案相同的放置圖案。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路600的俯視圖。電路600包含第二行接點603-606，接點603-606具有是接點403-406的圖案的圖像的鏡像的非對稱圖案。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的電路700的俯視圖。電路700包含第二行接點703-706，接點703-706被相對于平行于溝道412所繪制的線對稱地放置。圖5-7說明可按比例調(diào)整實施例以包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的其它分組(例如， 接點的行或列)，且各種分組根據(jù)多種圖案中的任一者可非対稱，或甚至可對稱。上文和在圖3-7中所說明的概念可并入到多種設(shè)計組件中的任一者中，例如，導(dǎo)通孔和導(dǎo)電金屬線、熔絲、電阻器、電容器及其類似物。在一個實例中，例如圖3所示的電路的電路放置在為存儲器電路的部分的字線驅(qū)動器中。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所調(diào)適的示范性存儲器電路800的說明。存儲器電路800包含局部非対稱字線驅(qū)動器801和存儲器陣列802。在此實例中，存儲器陣列802具有5nm柵極間距。通常，在字線驅(qū)動器和鄰近存儲器陣列具有不同大小的柵格的情況下，可在兩電路放置在一起的邊界處導(dǎo)致意外的間隔問題。相反地，字線驅(qū)動器801可使用(例如)30nm柵極長度，而同時使用5nm柵格，如上文關(guān)于圖3所解釋。以此方式，設(shè)計者可使字線驅(qū)動器801的5nm柵格匹配于存儲器陣列802的5nm柵格。因此，本文中所示的各種實施例包含優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)方法的優(yōu)勢。一種此類優(yōu)勢在于在一些情況下，結(jié)構(gòu)的非対稱放置可允許設(shè)計者使用所要柵格且避免必須借助于使用較小柵格。通常，轉(zhuǎn)向較小柵格會由于增加的數(shù)據(jù)量而向設(shè)計添加増加的成本，且邊界處添加意外的間隔誤差。另外，各種實施例減少或消除對放棄傳統(tǒng)設(shè)計規(guī)則的需要。一些實施例包含用于制造具有結(jié)構(gòu)的非対稱布置的集成電路的方法。圖9是用于制造電路(例如，圖3-8所示的電路中的任一者)的示范性方法900的說明。在框901中，在半導(dǎo)體襯底上形成第一和第二伸長結(jié)構(gòu)，所述第一和第二伸長結(jié)構(gòu)經(jīng)布置成彼此平行。伸長結(jié)構(gòu)的一些實例包含圖4的溝道和柵極。在框902中，在第一與第二伸長結(jié)構(gòu)之間形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)經(jīng)非對稱地且在偏移RC特性的情況下布置。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的實例包含圖4的接點?？墒褂矛F(xiàn)在已知或以后開發(fā)的多種技術(shù)中的任一者(包含(但不限干)蝕刻和沉積技木)而在半導(dǎo)體襯底上形成框902的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和框901的伸長結(jié)構(gòu)。在框903中，將集成電路并入到選自由音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機組成的群組的裝置中。舉例來說，在集成電路用于存儲器電路中的實施例中，存儲器可以是計算裝置中的隨機存取存儲器(RAM)以保持指令和/或數(shù)據(jù)。雖然方法900被圖示為一系列離散框，但各種實施例并不如此受限制。舉例來說，在一些實施例中，框901和902的過程可同時被執(zhí)行或各自作為一系列子過程(例如，沉積)被執(zhí)行，一些子過程為框901和902兩者所共有。圖10是說明用于如上文所掲示的半導(dǎo)體零件的電路布局和晶片與裸片設(shè)計的設(shè)計工作站的框圖。設(shè)計工作站1000包含硬盤1001，硬盤1001含有操作系統(tǒng)軟件、支持文件，和例如Cadence或OrCAD等設(shè)計軟件。設(shè)計工作站1000還包含用以促進(jìn)對可包含半導(dǎo)體晶片和/或半導(dǎo)體裸片的半導(dǎo)體零件1010進(jìn)行設(shè)計的顯示器。提供存儲媒體1004以用于有形地存儲半導(dǎo)體零件1010的設(shè)計。半導(dǎo)體零件1010的設(shè)計可以例如⑶SII或GERBER等文件格式存儲在存儲媒體1004上。存儲媒體1004可以是CD-ROM、DVD、硬盤、快閃存儲器，或其它適當(dāng)裝置。此外，設(shè)計工作站1000包含用于從存儲媒體1004接受輸入或?qū)⑤敵鰧懭氲酱鎯γ襟w1004的驅(qū)動設(shè)備1003。記錄在存儲媒體1004上的數(shù)據(jù)可規(guī)定配置、用于光刻掩模的圖案數(shù)據(jù)，或用于例如電子束光刻等串行寫入工具的掩模圖案數(shù)據(jù)。在存儲媒體1004上提供數(shù)據(jù)通過減少用于制造和/或設(shè)計半導(dǎo)體晶片和/或半導(dǎo)體裸片的過程的數(shù)目來促進(jìn)半導(dǎo)體零件1010的設(shè)計。雖然已陳述了特定電路，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，并非需要所有所掲示電路來實踐本發(fā)明。此外，尚未描述某些熟知電路，以集中精力于本發(fā)明。
雖然已詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢，但應(yīng)理解，可在本文中進(jìn)行各種改變、取代和更改，而不脫離由附加權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的技術(shù)。此外，本申請案的范圍不希望限于本說明書中所描述的過程、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法和步驟的特定實施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于從本發(fā)明了解，可根據(jù)本發(fā)明利用目前存在或以后待開發(fā)的執(zhí)行與本文中所描述的相應(yīng)實施例實質(zhì)上相同的功能或?qū)崿F(xiàn)實質(zhì)上相同的結(jié)果的過程、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。因此，附加權(quán)利要求書希望在其范圍內(nèi)包含此些過程、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.ー種集成電路裝置，其包括 第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被布置成彼此緊接且在其之間界定空間； 多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分布于所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的所述空間中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被放置成相較于所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更接近于所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被放置成相較于所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更接近于所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一群組具有從所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的對稱線的第一偏移，且所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二群組具有從所述對稱線的第二偏移，所述第一與第二偏移實質(zhì)上抵消。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路裝置，其中所述第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括金屬氧化物半導(dǎo)體MOS溝道。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路裝置，其中所述第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)電柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路裝置，其中所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括接點。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路裝置，其中所述集成電路裝置包含在半導(dǎo)體裸片中。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路裝置，其包括字線驅(qū)動器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其進(jìn)ー步包括與所述字線驅(qū)動器通信的存儲器陣列。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路裝置，其并入到選自由音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機組成的群組的裝置中。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路裝置，其中所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一伸長半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第二伸長半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
10.ー種集成電路裝置，其包括 第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被布置成彼此緊接且在其之間界定空間；以及 多個用于傳導(dǎo)電荷的裝置，所述多個傳導(dǎo)裝置中的相應(yīng)傳導(dǎo)裝置布置在所述空間內(nèi)且具有從所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的對稱線的相應(yīng)非零偏移，所述相應(yīng)偏移具有實質(zhì)上加到零的非對稱電阻電容Re效應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路裝置，其中所述多個傳導(dǎo)裝置中的所述相應(yīng)傳導(dǎo)裝置圍繞所述對稱線非對稱地布置。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路裝置，其中所述多個傳導(dǎo)裝置中的所述相應(yīng)傳導(dǎo)裝置圍繞所述對稱線而交錯。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路裝置，其中所述集成電路裝置包含在半導(dǎo)體裸片中。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路裝置，其包括字線驅(qū)動器。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路裝置，其進(jìn)ー步包括與所述字線驅(qū)動器通信的存儲器陣列。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路裝置，其中所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一伸長半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第二伸長半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路裝置，其并入到選自由音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機組成的群組的裝置中。
18.一種用于制造集成電路的方法，所述方法包括 在半導(dǎo)體襯底上形成第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被布置成彼此緊接；以及 在所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)非對稱地且在偏移電阻電容RC特性的情況下布置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其進(jìn)一步包括 將所述集成電路并入到選自由音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機組成的群組的裝置中。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述集成電路包括 字線驅(qū)動器。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述集成電路進(jìn)一步包括 與所述字線驅(qū)動器通信的存儲器陣列。
22.一種用于制造集成電路的方法，所述方法包括以下步驟 在半導(dǎo)體襯底上形成第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被布置成彼此平行；以及 在所述第一與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)非對稱地且在偏移電阻電容RC特性的情況下布置。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟 將所述集成電路并入到選自由音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機組成的群組的裝置中。
全文摘要
一種集成電路裝置包括第一伸長結(jié)構(gòu)和第二伸長結(jié)構(gòu)，所述第一伸長結(jié)構(gòu)和所述第二伸長結(jié)構(gòu)被布置成彼此平行且在其之間界定空間。所述集成電路裝置還包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分布于所述第一與第二伸長結(jié)構(gòu)之間的所述空間中。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被放置成相較于所述第二伸長結(jié)構(gòu)更接近于所述第一伸長結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被放置成相較于所述第一伸長結(jié)構(gòu)更接近于所述第二伸長結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L27/02GK102714178SQ201080061270
公開日2012年10月3日 申請日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者海寧·楊, 王忠澤, 肖克·H·甘, 韓秉莫 申請人:高通股份有限公司