專利名稱：薄膜基板的制造方法及使用該基板的半導(dǎo)體元件、顯示裝置和電子裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器、控制器等的IC呈倒焊安裝的結(jié)構(gòu)的便攜裝置等的電子裝置。具體地說(shuō)，涉及用于電子裝置的IC的安裝方法及可安裝IC的薄膜基板的制造方法，以及具有采用這些方法安裝的半導(dǎo)體裝置的電子裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，例如當(dāng)用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置的IC進(jìn)行倒焊安裝時(shí)，或是在IC的墊片上形成電鍍凸起及雙頭凸起，再在將聚酰亞胺作為基板的薄膜基板上以各向異性導(dǎo)電膜進(jìn)行粘接并保持連接；或是將銀膏復(fù)制在凸起上再與薄膜基板連接，其間將欠缺進(jìn)行充填并保持連接。
另外，在采用金屬擴(kuò)散進(jìn)行連接時(shí)，實(shí)行將IC的焊錫凸起與薄膜基板的電極進(jìn)行連接，再將欠缺進(jìn)行充填的方法和對(duì)薄膜基板側(cè)的電極進(jìn)行Sn電鍍，再在IC的Au凸起之間進(jìn)行由Au-Sn共晶結(jié)合的連接，最后將欠缺進(jìn)行充填的方法。
近年來(lái)驅(qū)動(dòng)顯示面板的IC中使用的是凸起間距45μm、電極數(shù)900的IC。通常，為了安裝45μm間距，常采用Au-Sn共晶連接。為了制作薄膜基板，在形成基材的聚酰亞胺薄膜上將由鎳等組成的籽晶層進(jìn)行30噴鍍，接著將銅進(jìn)行2000噴鍍。此處，籽晶層為粘合銅而設(shè)。進(jìn)而，實(shí)施電解電鍍，使導(dǎo)體的總厚度呈約8μm。通過光刻法將這樣的導(dǎo)體圖形化后形成電極，再在其上通過無(wú)電解鍍錫形成約0.15～0.25μm純錫。進(jìn)而形成焊料抗蝕層后制成薄膜基板。在這樣制作的薄膜基板上的電極上將IC加熱加壓后就完成了倒焊連接。進(jìn)而，為了確保連接的可靠性，將欠缺進(jìn)行注入，使之硬化。有時(shí)還接著進(jìn)行電阻、電容的表面安裝。進(jìn)而再用各向異性導(dǎo)電膜將此薄膜基板連接在顯示面板上。此時(shí)，由于連接聚酰亞胺薄膜時(shí)所加的熱而引起延展，因而顯示面板與薄膜基板的連接端子會(huì)發(fā)生位移。為防止這種位移，采用了將一并進(jìn)行的熱壓接進(jìn)行分解的方法(例如特開平05-249479號(hào)公報(bào))、以及預(yù)先將薄膜基板的間距進(jìn)行校正的方法(例如特開2000-312070號(hào)公報(bào))。
隨著IC逐年小型化的推進(jìn)，開始進(jìn)行40μm間距的IC和薄膜基板安裝的批量生產(chǎn)。由于IC面積縮小、價(jià)格降低，推進(jìn)了更微細(xì)間距的研究。另一方面，在形成直凸起時(shí)，間隔13μm、凸起寬度15～17μm是能夠穩(wěn)定批量生產(chǎn)的界限。因此，目前可批量生產(chǎn)的IC的底座間距為30μm。但是，如果超過1000個(gè)電極數(shù)的IC的話，即使配置30μm間距的凸起仍將產(chǎn)生與薄膜基板的安裝位移。此位移是IC與薄膜基板的累積間距不合的表現(xiàn)，也是將IC與薄膜基板在中心處端子吻合后，端部的端子發(fā)生大的位移的表現(xiàn)。其原因之一認(rèn)為是由于安裝時(shí)的熱引起薄膜基板熱變形所至。尤其當(dāng)Au-Sn共晶連接時(shí)，因?yàn)閷⑦B接部溫度加熱到350～380℃，即使使用耐熱性高的聚酰亞胺也會(huì)產(chǎn)生位移。作為位移的對(duì)策，在薄膜基板的總體圖形或只在IC安裝部以一定倍率進(jìn)行了用于校正伸展量的圖形縮小。進(jìn)行了校正后的圖形雖減小了位移的程度，但因存在伸展的偏差，此種方法只能治標(biāo)不能治本。
作為其他原因，認(rèn)為在于薄膜基板是以滾軋方式制作所至。此種場(chǎng)合，使用200～500寬的金屬版進(jìn)行制造。制品在金屬版上呈0°、90°、180°、270°狀自由配置，并使制品旋轉(zhuǎn)180度交互配置，制造中以達(dá)到處理數(shù)量最多為目的來(lái)配置制品。薄膜基板的金屬版因以單軸壓延聚酰亞胺，故流動(dòng)方向(MDMachine-Direction)與寬度方向(TDTransfer-Direction)的特性不同。盡管薄膜制造廠家公示的物理特性中強(qiáng)度、延伸度、拉伸彈性模量、熱收縮率、熱膨脹系數(shù)、濕度膨脹系數(shù)的特性在MD和TD上為同樣的特性值，但實(shí)際上MD和TD的尺寸變化特性不同。另外，由于在金屬版薄膜基板上的制品的配置不同，IC的連接邊或?yàn)镸D方向或?yàn)門D方向。
另外，薄膜基板的初始尺寸偏差也是一大原因之一。通常，使用在聚酰亞胺薄膜上噴鍍金屬薄膜并以電鍍法形成銅的材料的薄膜基板的初始尺寸偏差對(duì)應(yīng)長(zhǎng)度方向存在±0.06％的偏差。雖說(shuō)薄膜基板的圖形掩模是固定條件，理應(yīng)毫無(wú)偏差，但制品的尺寸仍不穩(wěn)定。究其原因，在于由薄膜基板的聚酰亞胺薄膜的特性、溫度引起的尺寸變化和由吸水及干燥后的狀態(tài)引起的尺寸變化。例如東麗杜邦(東レデュポン)股份有限公司的聚酰亞胺薄膜(カプトン)100EN，熱膨脹系數(shù)MD及TD皆為16ppm/℃、濕度膨脹系數(shù)MD及TD皆為15ppm/％RH。這一影響成為薄膜基板的尺寸偏差的原因。
目前的薄膜基板的累積間距尺寸偏差，即使在尺寸精度高的TD方向安裝前也是為±0.06％，金錫共晶連接后產(chǎn)生±0.10％的偏差。若進(jìn)行30μm間距的安裝，如17mm長(zhǎng)尺寸的IC芯片時(shí)，安裝后的凸起和薄膜基板的圖形的允許誤差量為±10μm。
然而，由安裝裝置造成的偏差約為±5μm，目前的薄膜基板安裝前的累積間距偏差約為±10μm，安裝后產(chǎn)生±17μm。安裝后的IC和薄膜基板的位移量，由于安裝后的薄膜的尺寸偏差以中心為基準(zhǔn)向兩端平分，故偏差為一半即±8.5μm，安裝裝置的合計(jì)偏差最大為±13.5μm。因此，17mm長(zhǎng)尺寸的IC芯片的30μm間距的安裝，最終成為廢品多的高價(jià)產(chǎn)品。
要進(jìn)行采用了17mm的IC的30μm間距的安裝，薄膜基板所要求的尺寸精度必須在初始時(shí)累積間距偏差為±3μm，安裝后的累積間距偏差為±10μm?；宓某叽缇扰c安裝裝置的安裝位置偏差相加，能做到各電極的連接允許值的偏差在±10μm以內(nèi)。為此，薄膜基板的初始尺寸偏差必須做到為以往偏差的一半以下即約±0.02％，金錫共晶安裝后的精度必須做到約±0.05％。
薄膜基板的尺寸偏差的主要原因在與顯示面板的連接上也是一樣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)IC與薄膜基板的高密度安裝，通過提高薄膜基板的累積圖形間距精度以及減少由安裝產(chǎn)生的延伸量、提高安裝后的薄膜基板的尺寸精度，提供一種提高安裝合格率、價(jià)格便宜的電子裝置及顯示裝置。
為解決上述課題，本發(fā)明的電子裝置的制造方法具有減少薄膜基板中所含水分的工序和在此薄膜基板上安裝IC的工序。也就是說(shuō)，在將薄膜基板處理成大致無(wú)水分的狀態(tài)后，將IC進(jìn)行倒焊安裝。薄膜基板的吸水是偏差的主要原因，通過去除水分后形成干燥狀態(tài)，能使?jié)穸扰蛎浗跤诹?。因而安裝前的薄膜基板形成非常穩(wěn)定的尺寸。這里所謂干燥狀態(tài)，是指薄膜基板中所含水分的量在0.1Wt％以下的狀態(tài)。
在將IC安裝于薄膜基板上時(shí)，因加熱溫度在100℃以上，所以造成薄膜基板溫度的急劇升高。因此薄膜基板中所含的水分在瞬間蒸發(fā)。這是薄膜延伸進(jìn)一步增加的一大原因，因此通過將薄膜基板在安裝IC前預(yù)先進(jìn)行干燥處理，將薄膜基板中所含的水分減少或完全去除，能夠大大減小IC安裝時(shí)薄膜基板的尺寸偏差。
還有，本發(fā)明的電子裝置的制造方法是將薄膜基板在一定的溫濕度環(huán)境下至少放置一定時(shí)間后再進(jìn)行IC倒焊安裝，與干燥狀態(tài)相比，雖精度差，但生產(chǎn)性方面無(wú)需從干燥狀態(tài)到安裝的時(shí)間管理。
另外，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法是將薄膜基板形成干燥狀態(tài)后再進(jìn)行IC倒焊安裝，進(jìn)而將上述安裝了IC的薄膜基板在干燥狀態(tài)通過各向異性導(dǎo)電膜等與顯示面板進(jìn)行連接。
另外，根據(jù)本發(fā)明在高分子薄膜上設(shè)有金屬布線的薄膜基板的制造方法通過在高分子薄膜上形成金屬后再進(jìn)入干燥狀態(tài)之后形成蝕刻圖形，提高了薄膜基板的累積圖形精度。
此外，由IC安裝造成的薄膜基板的尺寸偏差，從干燥狀態(tài)如安裝的凈化室的環(huán)境為25℃60％的場(chǎng)合達(dá)到干燥后的狀態(tài)為17062.9±6.8μm的基板在上述環(huán)境下放置24小時(shí)，變?yōu)?7065.1±3.5μm。長(zhǎng)度約延伸2μ，偏差約減少50％。


圖1(a)～圖1(e)為說(shuō)明液晶顯示裝置的制造方法的模式圖；圖2為模式化表示薄膜基板的圖形配置的上視圖；圖3為模式化表示IC電路面的凸起配置的上視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的電子裝置、半導(dǎo)體元件及顯示裝置的制造方法為了薄膜基板的圖形間距的穩(wěn)定化，通過去除薄膜中吸收的水分、達(dá)到干燥狀態(tài)，將累積圖形間距穩(wěn)定化，在該狀態(tài)下進(jìn)行了安裝作業(yè)。另外，本發(fā)明的薄膜基板的制造方法為了薄膜基板的圖形間距的穩(wěn)定化，在去除薄膜中吸收的水分、干燥狀態(tài)之后進(jìn)行了圖形形成。
也就是說(shuō)，本發(fā)明的表面設(shè)有可安裝IC的薄膜基板的電子裝置的制造方法具有將薄膜基板中所含水分減少的工序和此后在薄膜基板上安裝IC的工序。這里，在將薄膜基板中所含水分減少的工序中，將薄膜基板中所含水分的量減少到了0.1Wt％以下?；蛘弑景l(fā)明具有將薄膜基板在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的工序；此后在薄膜基板上安裝IC的工序。這里，一定溫濕度的環(huán)境是與其后進(jìn)行安裝IC的工序的環(huán)境一致的環(huán)境。
另外，根據(jù)本發(fā)明在高分子薄膜上設(shè)置金屬布線的薄膜基板的制造方法具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為將高分子薄膜中所含水分減少、進(jìn)行干燥處理的工序；在干燥處理后將金屬布線形成圖形的工序?；蛘弑景l(fā)明具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的第二工序；在第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
薄膜基板貼有工序搬運(yùn)用的包裝膜時(shí)，或即使未貼包裝膜時(shí)，因在圖形形成之前形成干燥狀態(tài)，所以不存在因圖形形成產(chǎn)生基材卷曲的影響，能夠提高圖形累積精度。
另外，根據(jù)本發(fā)明在設(shè)于薄膜上的布線上安裝IC芯片的半導(dǎo)體元件的制造方法具有在薄膜上形成布線的第一工序；形成布線后的薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下的第二工序；第二工序之后將IC芯片與布線接合的工序。或者本發(fā)明具有在薄膜上形成布線的第一工序；將形成布線后的薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的第二工序；第二工序之后將IC芯片與布線接合的工序。
進(jìn)而，此第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；將薄膜中所含水分的量達(dá)到0.1Wt％以下的干燥處理工序；干燥處理工序后將布線通過圖形化形成的工序?；蛘撸说谝还ば虬ㄔ诒∧ど闲纬山饘俦∧さ墓ば?；將高分子薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的調(diào)濕處理工序；調(diào)濕處理工序后將布線通過圖形化形成的工序。
此外，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法具有形成設(shè)有布線的薄膜基板的工序；在布線上接合IC后形成半導(dǎo)體元件的工序；通過將薄膜基板中所含水分的量達(dá)到0.1Wt％以下的工序再將薄膜基板與顯示元件連接的工序。或者本發(fā)明具有形成設(shè)有布線的薄膜基板的工序；在布線上接合IC后形成半導(dǎo)體元件的工序；通過將薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的工序后將薄膜基板與顯示面板連接的工序。進(jìn)一步，使在此使用的半導(dǎo)體元件為前述的各半導(dǎo)體元件的制造方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件?；蛘?，使在此使用的薄膜基板為前述各薄膜基板的制造方法生產(chǎn)的薄膜基板。
上述各方法中，以干燥狀態(tài)在25℃60％的環(huán)境中放置后，聚酰亞胺薄膜(カプトン)EN的濕度而引起尺寸變化引起的延伸率為30分鐘0.025％；1小時(shí)0.04％；100小時(shí)0.05％以下大致穩(wěn)定。因此，從干燥狀態(tài)到加工處理的時(shí)間越短越好。
另外，在去除薄膜中吸收的水分、形成大致干燥狀態(tài)后，也可將薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下進(jìn)行保管，之后，再移至下一處理工序。通過將薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下進(jìn)行保管，使薄膜中的水分的吸收狀態(tài)穩(wěn)定化。由此，在該環(huán)境中的累積圖形間距保持穩(wěn)定化，以此狀態(tài)移至下一處理工序。此時(shí)的一定的溫濕度條件最好與下一處理工序的處理環(huán)境相同。
下面根據(jù)附圖就本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施例1圖1(a)～1(e)為說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的模式圖。圖1(a)為薄膜基板的初始狀態(tài)。是在厚度25μm的聚酰亞胺薄膜1上形成圖形2后的薄膜基板。本實(shí)施例中，在薄膜上形成圖形前，先進(jìn)行去除薄膜中吸收的水分、形成大致干燥狀態(tài)的處理。
為達(dá)到大致干燥狀態(tài)，將薄膜基板和硅膠放入密封袋或保管庫(kù)等中，保持24小時(shí)或原樣將薄膜基板和硅膠共同放入冰柜中保持24小時(shí)。放入冰柜中時(shí)，要十分注意開封后可能結(jié)露。另外，在為去除薄膜中吸收的水分而進(jìn)行加溫處理時(shí)，以80℃·30分鐘～100℃·15分鐘的敞開方式進(jìn)行加溫處理。
這里，圖形由設(shè)于聚酰亞胺薄膜上的30的Ni合金、設(shè)于此Ni合金層上的由噴鍍和電解電鍍形成的4～8μm厚的Cu、和表面的0.15～0.25μm厚的無(wú)電解鍍錫形成。圖形形成方法有減色法；半添加法；添加法等。也可根據(jù)需要形成焊錫抗蝕層。此時(shí)，通常在形成抗蝕層后進(jìn)行鍍錫，也可在抗蝕層形成前預(yù)先將薄膜進(jìn)行鍍錫，在抗蝕層形成后形成0.15～0.25μm的純錫層。
圖2為簡(jiǎn)略化表示用于安裝在薄膜基板上形成的IC的圖形的上視圖，IC的長(zhǎng)邊方向?yàn)楸∧さ腡D方向，短邊方向?yàn)镸D方向。也可在圖形中與IC連接的內(nèi)側(cè)設(shè)置矩形等圖形。在長(zhǎng)邊方向可以30μm間距形成572個(gè)電極，在短邊方向可以30μm間距形成140個(gè)電極，4個(gè)邊一共形成1424個(gè)電極。電極的寬度為10±2μm。
本實(shí)施例中，在薄膜上形成圖像后，進(jìn)行去除薄膜中吸收的水分、以此形成大致干燥狀態(tài)的處理。為達(dá)到大致干燥狀態(tài)，將薄膜基板和硅膠放入密封袋或保管庫(kù)等中，保持24小時(shí)或原樣將薄膜基板和硅膠共同放入冰柜中保持24小時(shí)。放入冰柜中后，要十分注意開封后可能結(jié)露。另外，在為去除薄膜中吸收的水分而進(jìn)行加溫處理時(shí)，以80℃·30分鐘～100℃·15分鐘的敞開方式進(jìn)行加溫處理。
圖1(b)為在干燥狀態(tài)后的薄膜基板上將IC3進(jìn)行倒焊安裝的側(cè)面圖。IC3上形成硅0.5mm、Au凸起高度17μm。凸起通過光刻膠將形成的區(qū)域進(jìn)行開口后以電解電鍍形成。形成之后除去光刻膠。圖3為從上面看的IC3的電路面的圖。IC3為長(zhǎng)片形狀，外形尺寸為17.48×4.5mm。凸起在長(zhǎng)邊方向與薄膜基板相同，為572個(gè)，短邊方向?yàn)?40個(gè)，合計(jì)形成1424個(gè)凸起。凸起的寬度以17μm的凸起間的間距形成為13μm。將此凸起通過金—錫共晶結(jié)合與薄膜基板的電極進(jìn)行連接。此時(shí)的連接條件為，以440℃的工具從IC3側(cè)施加13kg的負(fù)荷并保持2秒鐘。
從干燥的環(huán)境中取出的薄膜基板必須迅速用于安裝工序。用時(shí)間計(jì)算，必須在大致60分鐘以內(nèi)進(jìn)行安裝。在進(jìn)行加熱處理并安裝時(shí)，由于金—錫共晶連接，薄膜基板的鍍錫會(huì)因熱處理?xiàng)l件產(chǎn)生擴(kuò)散，所以要預(yù)先附以厚于通常的鍍錫。
干燥處理后的薄膜基板的尺寸精度，在銅厚8μm時(shí)，薄膜基板的17.130mm的長(zhǎng)邊方向(TD)的安裝前偏差為±0.04％，安裝后的尺寸偏差為±0.046％；薄膜基板的4.17mm的短邊方向(MD)的安裝前偏差為±0.086％，安裝后的尺寸偏差為±0.0771％，同以往薄膜基板相比有所改善。另外，在銅厚4μm時(shí)，薄膜基板的長(zhǎng)邊方向(TD)的安裝前偏差為±0.036％，安裝后為±0.0145％；短邊方向(MD)的安裝前偏差為±0.1176％，安裝后為±0.0802％，銅薄時(shí)更為穩(wěn)定。
本實(shí)施例中，因?yàn)樵诟稍锾幚砗笤?3℃55％的環(huán)境中取出并進(jìn)行IC倒焊安裝，加重了薄膜基板的吸水。為了盡量減少薄膜基板的吸水，不僅是從取出到安裝的時(shí)間，盡量減小安裝環(huán)境的濕度也很重要。另外，作為即使在IC安裝中也不使薄膜吸水的安裝方法，即在薄膜基板干燥處理后以真空狀態(tài)安裝IC的方法，最理想的是在薄膜基板干燥處理后接著在氮?dú)鈨艋沫h(huán)境中進(jìn)行IC安裝的方法。
IC的安裝方法不僅有金-錫共晶連接，還有金-金熱壓接、超聲波連接及各向異性導(dǎo)電膜、NCP等，但無(wú)論采用哪種方法連接，都同樣能縮小偏差。
圖1(c)所示為注入填充劑并硬化后的狀態(tài)的側(cè)面圖。填充劑從IC3的側(cè)面進(jìn)行點(diǎn)狀或線狀涂布填充，之后通過加熱進(jìn)行硬化。圖1(d)為焊錫安裝后的側(cè)面圖，芯片電阻5靠焊錫連接。安裝部件中除芯片電阻外，還有電容器、封裝IC、線圈、連接器等。
圖1(e)為將圖1(d)所示的撓性基板安裝在顯示面板7上后的側(cè)面圖。在顯示面板7的端子部粘貼各向異性導(dǎo)電膜8，并進(jìn)行薄膜基板對(duì)位。在對(duì)位后進(jìn)行保持的狀態(tài)下，以常溫或不使各向異性導(dǎo)電膜8硬化的溫度進(jìn)行點(diǎn)固。之后，施加打破各向異性導(dǎo)電膜樹脂的硬化溫度條件和各向異性導(dǎo)電膜的連接微粒使之接觸的負(fù)荷條件，將顯示面板與薄膜基板進(jìn)行連接。根據(jù)不同情況，也可省略點(diǎn)固工序。
另外，在顯示面板上連接薄膜基板時(shí)也一樣，通過將薄膜基板形成大致干燥狀態(tài)后進(jìn)行對(duì)位連接，能獲得穩(wěn)定的尺寸精度。
本實(shí)施例中，在薄膜基板上形成圖形之前和在薄膜基板的圖形上安裝IC之前，進(jìn)行用于將薄膜基板形成大致干燥狀態(tài)的處理，也可在兩者中任意一個(gè)時(shí)間進(jìn)行處理，能獲得某種程度的效果。
實(shí)施例2下面將本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例將薄膜中所含水分的量進(jìn)行調(diào)節(jié)的方法不同于實(shí)施例1，而其余的制造方法基本上與實(shí)施例1相同，因此加以適當(dāng)省略后進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施例1中進(jìn)行了將薄膜中吸收的水分去除并形成大致干燥狀態(tài)的處理，本實(shí)施例中則采用如下的方法。也就是說(shuō)，進(jìn)行了將薄膜基板在與進(jìn)行安裝的環(huán)境下相同的環(huán)境下放置24小時(shí)的處理。例如本實(shí)施例的環(huán)境為22℃60％。進(jìn)行了此處理時(shí)，就無(wú)需進(jìn)行薄膜基板的加工時(shí)間前的時(shí)間管理。根據(jù)本實(shí)施例中采用的聚酰亞胺薄膜(カプトン)EN的濕度的25℃中的尺寸變化率，30分鐘為0.025％；1小時(shí)為0.04％；100小時(shí)為0.05％以下大致穩(wěn)定化。由上述處理?xiàng)l件將薄膜基板進(jìn)行調(diào)濕處理后的薄膜基板的尺寸精度在銅箔8μm厚時(shí)，薄膜基板的長(zhǎng)邊方向(TD)上安裝前為±0.02％，安裝后為±0.053％；薄膜基板的短邊方向(MD)上安裝前為±0.0713％，安裝后為±0.0998％，比以往的薄膜基板有所改善。另外，在使用4μm厚銅箔時(shí)，長(zhǎng)邊方向(TD)上安裝前為±0.031％，安裝后為±0.024％；短邊方向(MD)上安裝前為±0.1056％，安裝后為±0.1023％，銅箔薄的一方更為穩(wěn)定。
根據(jù)本實(shí)施例的調(diào)濕處理與實(shí)施例1的干燥處理相比，薄膜基板的尺寸穩(wěn)定，但安裝后的尺寸精度以干燥處理一方為好，原因認(rèn)為是由于實(shí)裝時(shí)的熱影響和薄膜內(nèi)的水分的影響。另外，銅箔薄的一方尺寸穩(wěn)定性高，在此兩處理法的傾向一致。
另外，在顯示面板上連接薄膜基板時(shí)也一樣，通過進(jìn)行將薄膜基板與進(jìn)行安裝的環(huán)境相同的環(huán)境下放置的調(diào)濕處理后進(jìn)行對(duì)位連接，能獲得穩(wěn)定的尺寸精度。
實(shí)施例3下面就可倒焊安裝IC的薄膜基板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)在聚酰亞胺薄膜上設(shè)置金屬薄膜的金屬版厚度，使用貼有搬運(yùn)用包裝膜的結(jié)構(gòu)的薄膜基板。在此薄膜基板上進(jìn)行圖形抗蝕層形成，然后曝光、顯像之后，用刻蝕液形成圖形，最后去除圖形抗蝕層。這樣就能完成薄膜基板的圖形形成。本發(fā)明中，在此曝光之前，進(jìn)行薄膜干燥處理或調(diào)濕處理。本實(shí)施例中，將150℃30分的加溫處理作為干燥處理的條件，將23℃55％在一定環(huán)境下放置24小時(shí)作為調(diào)濕處理的條件。
下面，將貼有搬運(yùn)用內(nèi)襯包裝膜的薄膜基板和沒貼搬運(yùn)用內(nèi)襯包裝膜的薄膜基板在曝光工序前進(jìn)行了放置在一定環(huán)境下的調(diào)濕處理或干燥處理時(shí)、將薄膜基板的TD方向的尺寸變化率進(jìn)行了測(cè)定。其結(jié)果如表1所示。這里用的薄膜基板的金屬版采用以低CTE、厚度25μm的東麗杜邦(東レデュポン)股份有限公司制的聚酰亞胺薄膜(カプトン)EN作為聚酰亞胺薄膜使用，將在鎳特殊合金蒸鍍了數(shù)10后接著噴鍍銅，最終由電解電鍍形成8μm厚的銅作為金屬薄膜使用。
(表1)

由表1的測(cè)定結(jié)果可知，尺寸變化率不受有無(wú)搬運(yùn)用包裝膜的影響。另外，以往的薄膜基板的累積間距尺寸的偏差即使在尺寸精度好的TD方向也有±0.06％，本實(shí)施例的任意一種處理都能減少尺寸變化。此外，曝光前進(jìn)行干燥處理的一方與23℃55％·24小時(shí)放置的一方相比，尺寸變化能減少約50％，效果更顯著。
實(shí)施例4下面將本發(fā)明的顯示裝置的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)施例以將前述各實(shí)施例加以適當(dāng)組合后實(shí)現(xiàn)的顯示裝置的制造方法為例進(jìn)行說(shuō)明。
首先，通過用薄膜基板的金屬版在聚酰亞胺薄膜上形成金屬薄膜構(gòu)成的圖形之前，進(jìn)行薄膜基板的干燥處理。由此提高圖形形成的尺寸精度。曝光前進(jìn)行干燥處理是有效的。作為干燥處理的條件，例如，可進(jìn)行150℃30分鐘的加溫處理。
接著，或接著在此薄膜基板上或在進(jìn)行調(diào)濕處理后，將IC連接(安裝)、密封在此薄膜基板上，形成半導(dǎo)體元件。接著，對(duì)此半導(dǎo)體元件做進(jìn)一步調(diào)濕處理，將半導(dǎo)體元件與顯示元件的圖形(端子)進(jìn)行對(duì)位并連接。調(diào)濕處理環(huán)境最好與進(jìn)行下一工序的環(huán)境相近，例如可以溫度23℃、濕度55％放置24小時(shí)作為具體條件。通過這樣的作法，能提高圖形精度，減小偏差及位移量，并能穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)微細(xì)連接。
根據(jù)本發(fā)明，對(duì)應(yīng)IC芯片的高密度化，通過穩(wěn)定的成品率和降低小型化的IC的成本，能夠提供一種價(jià)格便宜的電子裝置及顯示裝置。并能提供一種尺寸偏差小的薄膜基板。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置的制造方法，該方法是具有表面上安裝了IC的薄膜基板的電子裝置的制造方法，其特征在于具有使薄膜基板中所含水分減少的工序；在所述薄膜基板上安裝IC的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，在使薄膜基板中所含水分減少的工序中使薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下。
3.一種電子裝置的制造方法，該方法是具有表面上安裝了IC的薄膜基板的電子裝置的制造方法，其特征在于具有將薄膜基板在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的工序；在所述薄膜基板上安裝IC的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，所述一定的溫濕度環(huán)境是與進(jìn)行所述安裝IC的工序環(huán)境相同的環(huán)境。
5.一種薄膜基板的制造方法，該方法是一種在高分子薄膜上設(shè)有金屬布線的薄膜基板的制造方法，其特征在于具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為使所述高分子薄膜中所含水分減少而進(jìn)行干燥處理的工序；在進(jìn)行干燥處理之后制作所述金屬布線的工序。
6.一種薄膜基板的制造方法，該方法是一種在高分子薄膜上設(shè)有金屬布線的薄膜基板的制造方法，其特征在于具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將所述高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的第二工序；在所述第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
7.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，該方法是一種在設(shè)于薄膜上的布線上安裝IC芯片的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于具有在薄膜上形成布線的第一工序；使形成布線后的薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序之后將IC芯片與所述布線接合的工序。
8.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，該方法是一種在設(shè)于薄膜上的布線上安裝IC芯片的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于具有在薄膜上形成布線的第一工序；將形成布線后的薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的第二工序；在所述第二工序之后將IC芯片與所述布線接合的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；使所述薄膜中所含水分的量達(dá)到0.1Wt％以下的干燥處理工序；在所述干燥處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；使所述薄膜中所含水分的量達(dá)到0.1Wt％以下的干燥處理工序；在所述干燥處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；將所述高分子薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的調(diào)濕處理工序；在所述調(diào)濕處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；將所述高分子薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的調(diào)濕處理工序；在所述調(diào)濕處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
13.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于具有形成設(shè)有布線的薄膜基板的工序；通過在所述布線上接合IC形成半導(dǎo)體元件的工序；通過使所述薄膜中所含水分的量達(dá)到0.1Wt％以下的工序?qū)⑺霰∧せ迮c顯示元件連接的工序。
14.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有形成設(shè)有布線的薄膜基板的工序；通過在所述布線上接合IC形成半導(dǎo)體元件的工序；通過將所述薄膜基板在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的工序，將所述薄膜基板與顯示面板連接的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件采用下列工序形成，即在薄膜上形成布線的第一工序；使形成布線后的薄膜中所含水分的量達(dá)到0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序后將IC芯片與所述布線接合的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件采用下列工序形成，即在薄膜上形成布線的第一工序；使形成布線后的薄膜中所含水分的量達(dá)到0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序后將IC芯片與所述布線接合的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為使所述高分子薄膜中所含水分減少而進(jìn)行干燥處理的工序；在進(jìn)行干燥處理之后制作所述金屬布線的工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為使所述高分子薄膜中所含水分減少而進(jìn)行干燥處理的工序；在進(jìn)行干燥處理之后制作所述金屬布線的工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將所述高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的第二工序；在所述第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將所述高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時(shí)間以上的第二工序；在所述第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種無(wú)安裝時(shí)的位移、并能穩(wěn)定進(jìn)行30μm間距程度的微細(xì)連接的制造方法。由此，通過伴隨IC小型化的成本下降獲得價(jià)格便宜的裝置。在此，或是將薄膜基板的聚酰亞胺薄膜的水分以大致干燥后的狀態(tài)進(jìn)行安裝，或是在一定環(huán)境下調(diào)濕后進(jìn)行安裝。另外，或是將薄膜基板同樣進(jìn)行干燥處理，或是調(diào)濕后形成圖形。
文檔編號(hào)H05K3/32GK1758423SQ20041010057
公開日2006年4月12日 申請(qǐng)日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月8日
發(fā)明者松平努, 足立英明, 林惠一郎, 西川忠寬, 小泉信和 申請(qǐng)人:精工電子有限公司, 東麗薄膜加工有限公司, 丸和制作所有限公司