專利名稱：一種貼片式高分子靜電放電保護元件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及靜電放電(Electrostatic Discharge，縮略詞為ESD)保護，特別是涉及一種貼片式高分子ESD保護元件。
背景技術：
在信號傳輸端口 HDMI、HDMI1. 3、USB3. 0、IEEE1394B、低電壓差分訊號 (Low-voltage differential signaling，縮略詞為LVDS采用的ESD保護元件本身有一定的電容，其中壓敏電阻、瞬態(tài)二極管CTransiem VoltageSuppressor，縮略詞為TVS)本身的電容無法降低至足夠小，導致在高速信號傳輸線路中造成信號的衰減及失真?，F(xiàn)有采用高分子壓敏材料制造的ESD防護元件有效電容非常小，都是以無機陶瓷或者覆銅層壓板作為上下基板，需要高端的切割設備，成本較高，且內(nèi)外電極連接及外端電極引出方式較為復雜，難以制造。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是彌補上述現(xiàn)有技術的缺陷，提供一種貼片式高分子靜電放電保護元件。本實用新型的技術問題通過以下技術方案予以解決。這種貼片式高分子靜電放電保護元件，包括兩個內(nèi)電極、芯材、分別與兩個內(nèi)電極連接的兩個端電極、分別在兩個端電極表面的兩個電鍍層，以及覆蓋在所述兩個內(nèi)電極、所述芯材外面起保護作用的下基板和上基板。這種高分子貼片式靜電放電保護元件的特點是所述兩個內(nèi)電極是所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極、所述在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極中的一種。所述芯材是填充在所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材、填充在所述在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材，以及填充在所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙中通孔的芯材的一種。本實用新型的技術問題通過以下進一步的技術方案予以解決。如果是填充在所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材和所述在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材，其外面的所述下基板是有機硅樹脂板和環(huán)氧樹脂板中的一種，其外面的所述上基板是有機硅樹脂板和環(huán)氧樹脂板中的一種。如果是在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙中通孔的芯材，其外面的所述下基板是氧化鋁陶瓷板和微晶玻璃板中的一種，其外面的所述上基板是有機硅樹脂板和環(huán)氧樹脂板中的一種。所述兩個內(nèi)電極之間間隙為50 500微米，通過調節(jié)間隙寬度改變觸發(fā)電壓值。本實用新型與現(xiàn)有技術對比的有益效果是本實用新型基于高分子聚合物的固有介電常數(shù)非常小，摻入一定比例的導體、半導體及絕緣體無機粉粒制成芯材，可制造出尺寸小且有效電容非常小的貼片式ESD防護器件，足以滿足高速信號傳輸設備的ESD防護要求，內(nèi)電極和端電極的連接以及端電極的引出比較簡單，易于制造。內(nèi)電極之間的間隙可以根據(jù)設計的觸發(fā)電壓值相應調整。此外，所使用的內(nèi)電極導電銀漿便于電極圖形設計，端電極導電銀漿固化后與基材的附著以及與內(nèi)電極的連接良好，且適合于電鍍和采用表面貼裝技術(surface mounttechnology，縮略詞為 SMT)。

圖1是本實用新型具體實施方式
一的立體結構圖；圖2是圖1的部分解體結構圖；圖3是圖1的縱向剖視圖；圖4是本實用新型具體實施方式
二的縱向剖視圖；圖5是本實用新型具體實施方式
三的縱向剖視圖；圖6是圖5的部分解體結構圖。
具體實施方式下面結合具體實施方式
并對照附圖對本實用新型進行說明。
具體實施方式
一一種如圖1 3所示的貼片式高分子靜電放電保護元件，包括上基板1、下基板6、 芯材2、兩個內(nèi)電極3、兩個端電極4及兩個電鍍層5。兩個內(nèi)電極3是在長度方向相對的兩個內(nèi)電極，芯材2是填充在在長度方向相對的兩個內(nèi)電極3之間間隙的芯材。芯材2為復合材料，組分包括高分子聚合物、導體粒子、半導體粒子及絕緣粒子。內(nèi)電極3是采用印刷方式將導電銀漿印制在基板上后固化成型，內(nèi)電極3之間間隙寬度為50 500微米，通過調節(jié)間隙寬度改變觸發(fā)電壓值。端電極4是采用沾銀方式制造端頭，并在固化成型后先電鍍鎳層再電鍍錫層，以便于貼片焊接。其制造方法依次有以下步驟1)制備芯材漿料；2)制備下基板；3)制備內(nèi)電極；4)制備芯材；5)制備上基板；6)切割芯片；7)制備端電極；8)電鍍；9)外觀檢測、電性分選和編帶。本具體實施方式
所制造的高分子ESD防護元件泄露電流小，響應時間短至Ins以內(nèi)，箝位電壓低至數(shù)十伏到數(shù)百伏，電容量小至0. 25pF以內(nèi)，且所承受的ESD脈沖沖擊能力能夠滿足IEC6100-4-2標準，器件經(jīng)受數(shù)千次的ESD脈沖沖擊，仍然具有靜電保護功能。
具體實施方式
二一種如圖4所示的貼片式高分子靜電放電保護元件，包括上基板1、下基板6、芯材 2、兩個內(nèi)電極3、兩個端電極4及兩個電鍍層5。器件組成結構與具體實施方式
一基本相同，其區(qū)別是兩個內(nèi)電極3是在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極，芯材2是填充在在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材。其制造方法與具體實施方式
一基本相同，其區(qū)別是先制備一個內(nèi)電極3，然后制備芯材2，再制備另一個內(nèi)電極3。
具體實施方式
三—種如圖5、6所示的貼片式高分子靜電放電保護元件，包括上基板1、下基板6、芯材2、兩個內(nèi)電極3、兩個端電極4及兩個電鍍層5。器件組成結構與具體實施方式
一基本相同，其區(qū)別是芯材2是填充在在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙中通孔的芯材。其制造方法與具體實施方式
一基本相同，其區(qū)別是采用劃片切割機將微晶玻璃板按照設計形狀與尺寸切割成下基板6，并在下基板 6上開孔，然后制備內(nèi)電極3，制備芯材2時，芯材2填充于下基板6的空隙之中。以上內(nèi)容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進一步詳細說明，不能認定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新型所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應當視為屬于本實用新型由所提交的權利要求書確定的專利保護范圍。
權利要求1.一種貼片式高分子靜電放電保護元件，包括兩個內(nèi)電極、芯材、分別與兩個內(nèi)電極連接的兩個端電極、分別在兩個端電極表面的兩個電鍍層，以及覆蓋在所述兩個內(nèi)電極、所述芯材外面起保護作用的下基板和上基板，其特征在于所述兩個內(nèi)電極是所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極、所述在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極中的一種；所述芯材是填充在所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材、填充在所述在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材，以及填充在所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙中通孔的芯材的一種。
2.如權利要求1所述的貼片式高分子靜電放電保護元件，其特征在于如果是填充在所述在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材和所述在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材，其外面的所述下基板是有機硅樹脂板和環(huán)氧樹脂板中的一種，其外面的所述上基板是有機硅樹脂板和環(huán)氧樹脂板中的一種；如果是在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙中通孔的芯材，其外面的所述下基板是氧化鋁陶瓷板和微晶玻璃板中的一種，其外面的所述上基板是有機硅樹脂板和環(huán)氧樹脂板中的一種。
3.如權利要求1或2所述的貼片式高分子靜電放電保護元件，其特征在于所述兩個內(nèi)電極之間間隙為50 500微米。
專利摘要一種貼片式高分子靜電放電保護元件，內(nèi)電極是在長度方向相對的兩個內(nèi)電極和在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極中的一種；芯材是填充在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材和填充在長度方向相互交錯的兩個內(nèi)電極之間間隙的芯材，以及填充在長度方向相對的兩個內(nèi)電極之間間隙中通孔的芯材的一種。制造方法依次有以下制備步驟1)芯材漿料；2)下基板；3)內(nèi)電極；4)芯材；5)上基板；6)切割芯片；7)端電極；8)電鍍?？芍圃斐龀叽缧∏矣行щ娙莘浅Ｐ〉馁N片式ESD防護器件，足以滿足高速信號傳輸設備的ESD防護要求，內(nèi)電極和端電極的連接以及端電極的引出比較簡單，易于制造。內(nèi)電極之間的間隙可以根據(jù)設計的觸發(fā)電壓值相應調整。
文檔編號H01L23/60GK201936878SQ20102068072
公開日2011年8月17日 申請日期2010年12月24日 優(yōu)先權日2010年12月24日
發(fā)明者馮志剛, 師習恩, 毛海波, 潘士賓, 王小波, 賈廣平 申請人:深圳順絡電子股份有限公司