專利名稱：3.5μm電容薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電容材料，尤其為一種3. 5μπι電容薄膜。
背景技術(shù)：
薄膜電容器具有無極性，絕緣阻抗高，頻率特性優(yōu)異，介質(zhì)損失小等優(yōu)點(diǎn)而得到了 越來越廣泛的應(yīng)用。它是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等 制成的電容薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀而形成的電容器。由于電容薄膜上沒有參考 線或刻度線，進(jìn)行剪切、切割時不容精確量取，并且在卷繞過程中不易校準(zhǔn)，給生產(chǎn)加工帶 來了不便。

實(shí)用新型內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種新型的3. 5μπι電容薄膜。為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型是采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種3. 5 μ m電容 薄膜，包括一個膜體，其特征在于膜體的厚度為3. 5μπι，膜體內(nèi)面設(shè)有以厘米為單位的刻度線。本實(shí)用新型和以往技術(shù)相比，具有以下有益效果電容薄膜表面上設(shè)有刻度線，在 剪切、切割時方便量取，在卷繞過程中可通過刻度來控制電容薄膜的長度，為生產(chǎn)加工帶來 了方便。

附圖為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1、膜體，2、刻度線。
具體實(shí)施方式
參看附圖，一種3. 5μπι電容薄膜，包括一個膜體1，其特征在于膜體1的厚度為 3. 5 μ m，膜體1內(nèi)面設(shè)有以厘米為單位的刻度線2。
權(quán)利要求1. 一種3. 5 μ m電容薄膜，包括一個膜體，其特征在于膜體的厚度為3. 5 μ m，膜體內(nèi)面 設(shè)有以厘米為單位的刻度線。
專利摘要本實(shí)用新型涉及電容材料，尤其為一種3.5μm電容薄膜，其方案為膜體的厚度為3.5μm，膜體內(nèi)面設(shè)有以厘米為單位的刻度線。電容薄膜表面上設(shè)有刻度線，在剪切、切割時方便量取，在卷繞過程中可通過刻度來控制卷繞的電容薄膜的長度。
文檔編號H01G4/14GK201898034SQ20102067646
公開日2011年7月13日 申請日期2010年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月23日
發(fā)明者尹朝前, 張廣志, 林志強(qiáng), 薛江華, 辛秀梅, 郭金華 申請人:河北海偉集團(tuán)電子材料有限公司