專利名稱：吸附晶片裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體為一種吸附晶片裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體制程中對 晶片吸附傳遞。
背景技術(shù)：
以真空吸附為代表的傳統(tǒng)吸附方式基本為單點(I型機械手指)，吸附面積小，導(dǎo) 致吸附晶片不牢固，傳遞過程中由于真空低導(dǎo)致晶片脫落破碎。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種吸附晶片裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的晶片傳遞 過程中，吸附晶片不牢固等問題。本實用新型的技術(shù)方案是一種吸附晶片裝置，該裝置設(shè)有機械手指、吸附槽，吸附槽與真空孔連通，吸附槽 與真空孔均嵌入機械手指表面，真空孔與機械手指內(nèi)的真空通道連接，晶片放在機械手指 上。所述的吸附晶片裝置，吸附槽為對稱結(jié)構(gòu)或?qū)ΨQ設(shè)置的槽形結(jié)構(gòu)。所述的吸附晶片裝置，吸附槽為對稱設(shè)置的E字吸附槽。所述的吸附晶片裝置，吸附槽為對稱設(shè)置的土字形吸附槽、對稱設(shè)置的一字形吸 附槽、對稱設(shè)置的弧形吸附槽或米字形吸附槽。所述的吸附晶片裝置，機械手指上開有透氣孔于晶片下方，透氣孔穿透機械手指。本實用新型的有益效果是1、以單孔吸真空的方式吸附力量小，加上廠務(wù)真空管路及設(shè)備真空管路有衰減， 影響真空吸附晶片的穩(wěn)定傳遞。本實用新型裝置設(shè)有透氣孔、E字吸附槽，通過設(shè)于真空孔 旁連接的E字吸附槽加大對晶片的真空吸附力，同時增加透氣孔可減小晶片與手指接觸的 阻力，可增大真空吸附力，增加晶片傳遞穩(wěn)定性。2、根據(jù)F 10-2 (101-P) S，F(xiàn)為吸附力，P為絕對壓力，S為吸盤面積，加大真空吸 附面積是提高真空吸附力的直接手段，同時增加透氣孔，緩解晶片阻力。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的側(cè)視旋轉(zhuǎn)示意圖。圖中，1、機械手指；2、透氣孔；3、吸附槽；4、真空孔；5、晶片；6真空通道。
具體實施方式
如圖1-2所示，本實用新型吸附晶片裝置主要包括機械手指1、透氣孔2、E字吸 附槽3、真空孔4、晶片5等，具體結(jié)構(gòu)如下[0017]兩個對稱設(shè)置的E字吸附槽3與真空孔4連通，增大真空吸附面積。E字吸附槽 3與真空孔4均嵌入機械手指1表面，機械手指1表面平滑可承接吸附晶片5。機械手指1 上開有透氣孔2于晶片5下方，透氣孔2穿透機械手指1，目的為減小吸附空氣阻力，幫助晶 片5平穩(wěn)落在機械手指1上。真空孔4與機械手指1內(nèi)的真空通道6連接，機械手指1上 的真空接頭同外部真空管路連接，實現(xiàn)真空供應(yīng)。工作時，晶片5放在機械手指1上，真空 打開。另外，本實用新型的吸附槽還可以采用其他對稱結(jié)構(gòu)或?qū)ΨQ設(shè)置的槽形結(jié)構(gòu)，如 兩個對稱設(shè)置的土字形吸附槽、兩個對稱設(shè)置的一字形吸附槽、兩個對稱設(shè)置的弧形吸附 槽或米字形吸附槽等。
權(quán)利要求1.一種吸附晶片裝置，其特征在于該裝置設(shè)有機械手指、吸附槽，吸附槽與真空孔連 通，吸附槽與真空孔均嵌入機械手指表面，真空孔與機械手指內(nèi)的真空通道連接，晶片放在 機械手指上。
2.按照權(quán)利要求1所述的吸附晶片裝置，其特征在于吸附槽為對稱結(jié)構(gòu)或?qū)ΨQ設(shè)置 的槽形結(jié)構(gòu)。
3.按照權(quán)利要求1所述的吸附晶片裝置，其特征在于吸附槽為對稱設(shè)置的E字吸附槽。
4.按照權(quán)利要求1所述的吸附晶片裝置，其特征在于吸附槽為對稱設(shè)置的土字形吸 附槽、對稱設(shè)置的一字形吸附槽、對稱設(shè)置的弧形吸附槽或米字形吸附槽。
5.按照權(quán)利要求1所述的吸附晶片裝置，其特征在于機械手指上開有透氣孔于晶片 下方，透氣孔穿透機械手指。
專利摘要本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體為一種吸附晶片裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體制程中對晶片吸附傳遞，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的晶片傳遞過程中，吸附晶片不牢固等問題。該裝置設(shè)有機械手指、吸附槽，吸附槽與真空孔連通，吸附槽與真空孔均嵌入機械手指表面，真空孔與機械手指內(nèi)的真空通道連接，晶片放在機械手指上。以單孔吸真空的方式吸附力量小，加上廠務(wù)真空管路及設(shè)備真空管路有衰減，影響真空吸附晶片的穩(wěn)定傳遞。本實用新型裝置設(shè)有透氣孔、E字吸附槽，通過設(shè)于真空孔旁連接的E字吸附槽加大對晶片的真空吸附力，同時增加透氣孔可減小晶片與手指接觸的阻力，可增大真空吸附力，增加晶片傳遞穩(wěn)定性。
文檔編號H01L21/677GK201868408SQ20102063379
公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者孫東豐 申請人:沈陽芯源微電子設(shè)備有限公司