專利名稱：用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體元件領域，具體講是一種用于制造半導體分立器件的引線 框架。
技術背景引線框架是制造半導體分立器件的基本部件，如行業(yè)通用型號為T0-3P，T0-220, T0-25LT0-126的引線框架。如圖1所示，現(xiàn)有技術的引線框架包括載片部1’和多個管腳 2’，所述的引線框架為一整體，部分型號的引線框架還包括有散熱固定部3’(如T0-220)。 引線框架的基材為銅合金、鋁合金或者鐵合金。在產品使用過程中，需要在載片部上安裝芯 片，一般在載片部上加上液態(tài)的錫鉛溶料，行業(yè)稱為點錫工藝，用以載片部和芯片粘結。但 在上述過程中，錫鉛溶料在載片部上擴散很難完全并覆蓋裝載芯片所需要的面積，尤其當 載片部上帶有金屬表面氧化物或有機沾染物時，就更容易發(fā)生錫鉛溶料鋪展不開(會導致 虛焊)和鋪展不均勻(會導致芯片粘結不平整)的情況，影響到引線框架和芯片間的牢固 結合，并最終影響分立器件的生產效率和合格率
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是，提供一種能使引線框架與芯片結合更牢固的用 于制造半導體分立器件的引線框架。本實用新型的技術解決方案是，提供以下結構的用于制造半導體分立器件的引線 框架，包括載片部和多個管腳，所述的載片部上設有凹槽，在所述的凹槽內嵌入錫鉛箔片。采用以上結構后與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下優(yōu)點采用本實用新型結 構，在使用中節(jié)省了點錫的整個工藝，其載片部上的錫鉛箔片在安裝芯片的過程中受熱即 能熔化，且均勻的分布在凹槽內，此時再將芯片置于凹槽上方，載片部就能和芯片進行良好 的結合，錫鉛溶料能鋪展并充滿整個凹槽，而且分布均勻，提升了成品的合格率，同時提高 了半導體分立器件的生產效率。作為改進，所述的錫鉛箔片與凹槽大小相同，這樣，在安裝芯片時，錫鉛箔片熔化 后既足以能夠牢固地結合芯片，也不會從凹槽中溢出。作為改進，所述的凹槽的底面上設有網狀刻線，因為錫鉛箔片一般是通過沖壓工 藝嵌入凹槽中的，在底面增加網狀刻線后，能夠使錫鉛箔片部分擠壓入網狀刻線，使二者能 更牢固結合，防止錫鉛箔片脫落；另外在安裝芯片的過程中，對凹槽內的錫鉛箔片加熱后， 錫鉛溶料通過網狀刻線能夠快速、均勻地布滿凹槽，而且連接芯片后，硬化后的錫溶料嵌入 網狀刻線，使得載片部與芯片連接更為牢固。作為改進，所述的網狀刻線的網格為平行四邊形，這種形狀的網格更容易加工，也 方便錫鉛溶料快速擴散并布滿整個凹槽。作為改進，所述的嵌入凹槽內的錫鉛箔片的上表面高于載片部的表面，這樣，由于 在沖壓時，將錫鉛箔片嵌入凹槽所用的沖壓的力量不宜過大，否則會損壞載片部的背面，此時錫鉛箔片的上表面一般都略高于載片部的表面。作為改進，所述的載片部上還設有位于凹槽外側的環(huán)狀刻線，這樣，在已經嵌入錫 鉛箔片的凹槽外側設有環(huán)狀刻線，可以在沖壓環(huán)狀刻線的時候對凹槽和錫鉛箔片產生擠 壓，使凹槽和錫鉛箔片內凹，使錫鉛箔片牢牢地嵌在凹槽內。作為改進，所述的凹槽為方形，環(huán)狀刻線也為方形，因為芯片一般是方形的，錫鉛 溶料布滿方形凹槽后，能使載片部與芯片結合更為飽滿。

圖1為現(xiàn)有技術的用于制造半導體分立器件的引線框架的結構示意圖。圖2為本實用新型的用于制造半導體分立器件的功率引線框架的結構示意圖(未 裝錫鉛箔片)。圖3為圖2中A-A剖面放大圖。圖4為本實用新型的用于制造半導體分立器件的功率引線框架的結構示意圖(裝 上錫鉛箔片后)。圖5為圖4中A-A剖面放大圖。圖6為本實用新型的用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法的工序圖。圖7為圖6中B的放大圖。圖8為沖壓錫鉛箔片的沖頭、錫鉛材料薄片和引線框架本體的位置關系圖。圖中所示1’、載片部，2’、管腳，3’、散熱固定部，1、載片部，2、管腳，3、散熱固定 部，4、凹槽，5、錫鉛箔片，6、網狀刻線，7、環(huán)狀刻線，8、沖頭，9、錫鉛材料薄片，10、引線框架本體。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步說明如圖2、圖3所示，本實用新型的用于制造半導體分立器件的引線框架，包括載片 部1、多個管腳2以及散熱固定部3。上述為以T0-220型號為基礎的現(xiàn)有技術，還有一些型 號是沒有散熱固定部3的。所述的載片部1上設有凹槽4，所述的凹槽4內嵌入與凹槽4大小相同的錫鉛箔片 5，所述的凹槽深度為0. 05mm，錫鉛箔片5的厚度0. 1mm。所述的凹槽4的底面上設有網狀刻線6，所述的網狀刻線6的截面為V型，不僅加 強了錫鉛箔片5和凹槽4的結合力，在安裝芯片時，錫鉛箔片5受熱熔化后，更能順利進入 V型網狀刻線6，也便于擴散至整個凹槽。所述的載片部1上還設有位于凹槽4外側的環(huán)狀刻線7，所述的環(huán)狀刻線7將整個 凹槽4圍住。所述的凹槽4為方形凹槽，環(huán)狀刻線7也為方形。所述的網狀刻線6的網格為正方形，正方形是平行四邊形的一種。本實用新型的用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法，所述的引線框架 包括包括載片部和多個管腳，所述的制作方法包括以下步驟(a)采用沖壓工藝，在載片部上沖壓出一個凹槽4，在加工過程中，一般采用整排加工的，即多個引線框架本體是并排在一起的，沖壓時將引線框架固定，然后采用與引線框 架一一對應的沖頭對載片部進行沖壓；所述的凹槽為方形凹槽；(b)將錫鉛材料薄片覆蓋在凹槽4上，在凹槽4的正上方對錫鉛材料薄片沖壓，使 和凹槽大小相同的錫鉛箔片5與錫鉛材料薄片相脫離并嵌入凹槽4中；所述的錫鉛材料薄 片為錫鉛箔片的原材料，由于多個引線框架本體是整排放置的，相互之間有一定的間隔，可 以將條狀錫鉛材料薄片覆蓋在整排引線框架本體的凹槽上方，然后對錫鉛材料薄片進行沖 壓，使與凹槽尺寸相同的錫鉛箔片5與錫鉛材料薄片相脫離并嵌入凹槽4中；為了充分利用 錫鉛材料薄片，一次沖壓完成后，可以將加工好的引線框架拿出，然后放入未加工的一排引 線框架，之后，調節(jié)錫鉛材料薄片的位置，使未被沖壓的部分覆蓋在凹槽上方，這樣，充分有 效地利用了錫鉛材料薄片；沖壓錫鉛箔片5所用的沖頭8的下表面的邊緣設有下凸環(huán)，在沖 壓的過程中，能夠有效沖壓錫鉛箔片的周邊，使其周邊下陷牢牢嵌入凹槽內。步驟(a)之后，可以增加一道工序，在凹槽的底面沖壓出網狀刻線6，所述的網狀 刻線6的網格為平行四邊形。步驟(b)之后，可以增加一道工序，在載片部上、已經嵌入錫鉛箔片的凹槽的外側 沖壓出環(huán)狀刻線；在沖壓環(huán)狀刻線時，對凹槽和錫鉛箔片產生擠壓，使凹槽和錫鉛箔片內 凹，使錫鉛箔片牢牢地嵌在凹槽內。以上僅就本實用新型較佳的實施例作了說明，但不能理解為是對權利要求的限 制。本實用新型不僅局限于以上實施例，其具體結構和步驟允許有變化，總之，凡在本實用 新型獨立權利要求的保護范圍內所作的各種變化均在本實用新型的保護范圍內。
權利要求1.一種用于制造半導體分立器件的引線框架，包括載片部(1)和多個管腳0)，其特征 在于所述的載片部(1)上設有凹槽G)，在所述的凹槽內嵌入錫鉛箔片(5)。
2.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 錫鉛箔片(5)與凹槽大小相同。
3.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 凹槽的底面上設有網狀刻線(6)。
4.根據權利要求3所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 網狀刻線(6)的網格為平行四邊形。
5.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 嵌入凹槽內的錫鉛箔片( 的上表面與載片部(1)的表面位于同一水平面上。
6.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 載片部(1)上還設有位于凹槽(4)外側的環(huán)狀刻線(7)。
7.根據權利要求6所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 凹槽(4)為方形，所述的環(huán)狀刻線(7)也為方形。
專利摘要本實用新型公開了一種用于制造半導體分立器件的引線框架，包括載片部(1)和多個管腳(2)，所述的載片部(1)上設有凹槽(4)，在所述的凹槽(4)內嵌入錫鉛箔片(5)；采用本實用新型，在使用中節(jié)省了點錫的整個工藝，錫鉛箔片熔化能鋪展并充滿整個凹槽，而且分布均勻，提升了成品的合格率，同時提高了半導體分立器件的生產效率。
文檔編號H01L23/495GK201868419SQ20102060847
公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月8日 優(yōu)先權日2010年11月8日
發(fā)明者曹光偉 申請人:寧波康強電子股份有限公司