專(zhuān)利名稱(chēng):一種貼片式發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光元件,具體涉及一種貼片式發(fā)光二極管。
背景技術(shù):
貼片式發(fā)光二極管具有發(fā)光角度大,生產(chǎn)效率高,精密性好,虛焊率低,質(zhì)量輕,體 積小等優(yōu)點(diǎn),所以得到了非常廣泛的應(yīng)用。
圖1和圖2所示的是一種常見(jiàn)的現(xiàn)有技術(shù)的貼 片式發(fā)光二極管,包括基板1、發(fā)光芯片2、金線3和封裝膠體5,基板1上表面電鍍有PCB線 路層4,發(fā)光芯片2設(shè)置在PCB線路層4上,但現(xiàn)有技術(shù)中基板1上表面電鍍的PCB線路層 4均為鍍金層41,鍍金層41的顏色為金黃色,由于金黃色對(duì)光的反射率低,所以發(fā)光芯片2 發(fā)出來(lái)的光相當(dāng)多的一部分無(wú)法通過(guò)鍍金層41反射出來(lái),導(dǎo)致貼片式發(fā)光二極管整體上 出光效率低,亮度也低。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種出光效率高、更高亮度的貼片式發(fā)光
二極管。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是提供一種貼片式發(fā)光二極 管,包括基板、發(fā)光芯片和金線,所述基板上表面電鍍有PCB線路層,發(fā)光芯片設(shè)置在PCB線 路層上,所述發(fā)光芯片下方的PCB線路層為鍍銀層。所述鍍銀層的面積大于發(fā)光芯片的面 積。其中,所述鍍銀層的面積大于發(fā)光芯片的面積。其中,所述PCB線路層除鍍銀層外均為鍍金層。其中,所述封裝膠體的上表面為平面型、凹透鏡或凸透鏡。其中,所述封裝膠體覆蓋一個(gè)或一個(gè)以上的發(fā)光芯片。本實(shí)用新型的有益效果是由于在貼片式發(fā)光二極管的發(fā)光芯片下方的PCB線路 層為鍍銀層,鍍銀層的顏色為銀白色,對(duì)光的反射率非常高,所以發(fā)光芯片發(fā)出來(lái)的光能夠 最大程度地被反射出來(lái),從而提高貼片式發(fā)光二極管整體上的出光效率,并提高貼片式發(fā) 光二極管的亮度。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的貼片式發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的貼片式發(fā)光二極管的基板及PCB線路層的示意圖;圖3是本實(shí)用新型所述貼片式發(fā)光二極管的基板及PCB線路層的示意圖。其中,1、基板;2、發(fā)光芯片;3、金線;4、PCB線路層;41、鍍金層;42、鍍銀層;5、封 裝膠體。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果,以下結(jié)合實(shí)施 方式并配合附圖詳予說(shuō)明。作為本實(shí)用新型貼片式發(fā)光二極管的實(shí)施例,請(qǐng)參閱圖1和圖3,包括基板1、發(fā) 光芯片2、金線3和封裝膠體5,所述基板1上表面電鍍有PCB線路層4,發(fā)光芯片2設(shè)置在 PCB線路層4上,所述發(fā)光芯片2下方的PCB線路層4為鍍銀層42,作為較佳設(shè)計(jì),鍍銀層 42的面積大于發(fā)光芯片2的面積。由于在貼片式發(fā)光二極管的發(fā)光芯片2下方的PCB線路層4為鍍銀層42,鍍銀層 42的顏色為銀白色,對(duì)光的反射率非常高,所以發(fā)光芯片2發(fā)出來(lái)的光能夠最大程度地被 反射出來(lái),從而提高貼片式發(fā)光二極管整體上的出光效率,并提高貼片式發(fā)光二極管的亮度。由于在發(fā)光芯片發(fā)出的光主要是由其下方的PCB線路層反射的,所以只要發(fā)光芯 片下方的PCB線路層為鍍銀層就可達(dá)到比較滿意的效果,其它部分的PCB線路層仍可沿用 原來(lái)的鍍金層設(shè)計(jì)。在上述實(shí)施例中,所述封裝膠體5的上表面可以為平面型、凹透鏡或凸透鏡,以形 成不同形狀的光斑,滿足不同情況對(duì)光斑不同需求;另外每個(gè)基板1上可以設(shè)置一個(gè)以上 的發(fā)光芯片2,所述封裝膠體5可以只覆蓋一個(gè)發(fā)光芯片2,也可以覆蓋一個(gè)以上的發(fā)光芯 片2。以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專(zhuān)利范圍,凡是 利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu),或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù) 領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種貼片式發(fā)光二極管,包括基板、發(fā)光芯片、金線和封裝膠體,所述基板上表面電鍍有PCB線路層,發(fā)光芯片設(shè)置在PCB線路層上,其特征在于所述發(fā)光芯片下方的PCB線路層為鍍銀層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片式發(fā)光二極管,其特征在于所述鍍銀層的面積大于發(fā) 光芯片的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片式發(fā)光二極管,其特征在于所述PCB線路層除鍍銀層 外均為鍍金層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片式發(fā)光二極管,其特征在于所述封裝膠體的上表面為 平面型、凹透鏡或凸透鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片式發(fā)光二極管,其特征在于所述封裝膠體覆蓋一個(gè)或 一個(gè)以上的發(fā)光芯片。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光元件,具體涉及一種貼片式發(fā)光二極管,包括基板、發(fā)光芯片、金線和封裝膠體,所述基板上表面電鍍有PCB線路層,發(fā)光芯片設(shè)置在PCB線路層上,所述發(fā)光芯片下方的PCB線路層為鍍銀層。由于在貼片式發(fā)光二極管的發(fā)光芯片下方的PCB線路層為鍍銀層,鍍銀層的顏色為銀白色,對(duì)光的反射率非常高,所以發(fā)光芯片發(fā)出來(lái)的光能夠最大程度地被反射出來(lái),從而提高貼片式發(fā)光二極管整體上的出光效率,并提高貼片式發(fā)光二極管的亮度。
文檔編號(hào)H01L33/60GK201749875SQ20102026458
公開(kāi)日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月20日
發(fā)明者劉平, 李志江 申請(qǐng)人:深圳萬(wàn)潤(rùn)科技股份有限公司