專利名稱：基島埋入芯片正裝帶倒t型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封 裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的芯片封裝形式的散熱方式，主要是采用了芯片下方的金屬基島作為散熱傳 導(dǎo)工具或途徑，而這種傳統(tǒng)封裝方式的散熱傳導(dǎo)存在以下的不足點(diǎn)1、金屬基島體積太小金屬基島在傳統(tǒng)封裝形式中，為了追求封裝體的可靠性安全，幾乎都采用了金屬 基島埋入在封裝體內(nèi)，而在有限的封裝體內(nèi)，同時(shí)要埋入金屬基島及信號(hào)、電源傳導(dǎo)用的金 屬內(nèi)腳(如圖1及圖2所示)，所以金屬基島的有效面積與體積就顯得非常的小，而同時(shí)金 屬基島還要來(lái)?yè)?dān)任高熱量的散熱的功能，就會(huì)顯得更為的不足了。2、埋入型金屬基島(如圖1及圖2所示)金屬基島在傳統(tǒng)封裝形式中，為了追求封裝體的可靠性安全，幾乎都采用了金屬 基島埋入在封裝體內(nèi)，而金屬基島是依靠左右或是四個(gè)角落細(xì)細(xì)的支撐桿來(lái)固定或支撐金 屬基島，也因?yàn)檫@細(xì)細(xì)的支撐桿的特性，導(dǎo)致了金屬基島從芯片上所吸收到的熱量，無(wú)法快 速的從細(xì)細(xì)的支撐桿傳導(dǎo)出來(lái)，所以芯片的熱量無(wú)法或快速的傳導(dǎo)到封裝體外界，導(dǎo)致了 芯片的壽命快速老化甚至燒傷或燒壞。3、金屬基島露出型(如圖3及圖4所示)雖然金屬基島是露出的，可以提供比埋入型的散熱功能還要好的散熱能力，但是 因?yàn)榻饘倩鶏u的體積及面積在封裝體內(nèi)還是非常的小，所以能夠提供散熱的能力，還是非 常有限。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種能夠提供散熱的能力強(qiáng)的基島埋 入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié) 構(gòu)，包含有芯片、芯片下方的所承載的金屬基島、金屬內(nèi)腳、芯片到金屬內(nèi)腳的信號(hào)互連的 金屬絲、芯片與金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I和塑封體，所述金屬基島 埋入塑封體，在所述芯片上方設(shè)置有散熱塊，該散熱塊與所述芯片之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo) 電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II ；該散熱塊呈倒置的“T”型結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型通過(guò)在芯片上方增置散熱塊，來(lái)?yè)?dān)任高熱量的散熱的功能，能夠提供 散熱的能力強(qiáng)，使芯片的熱量能快速的傳導(dǎo)到封裝體外界?？梢詰?yīng)用在一般的封裝形式的 封裝體及封裝工藝上使其成為高或是超高散熱(High Thermal or Super High Thermal) 能力，如FBP可以成為SHT-FBP/QFN可以成為SHT-QFN/BGA可以成為SHT-BGA/CSP可以成為SHT-CSP……。避免了芯片的壽命快速老化甚至燒傷或燒壞。

圖1為以往金屬基島埋入型芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的俯視圖。圖3為以往金屬基島露出型芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為圖3的俯視圖。圖5為本實(shí)用新型基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖中附圖標(biāo)記金屬基島1、導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I 2、芯片3、金屬內(nèi)腳4、金屬絲5、導(dǎo)電 或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II 6、散熱塊7、塑封體8。
具體實(shí)施方式
參見圖5，圖5為本實(shí)用新型基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)示意圖。 由圖5可以看出，本實(shí)用新型基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)，包含有芯片3、芯 片下方的所承載的金屬基島1、金屬內(nèi)腳4、芯片到金屬內(nèi)腳的信號(hào)互連的金屬絲5、芯片與 金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I 2和塑封體8，所述金屬基島1埋入塑封 體8，在所述芯片3上方設(shè)置有散熱塊7，該散熱塊7與所述芯片3之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo) 電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II 6 ；該散熱塊7呈倒置的“T”型結(jié)構(gòu)。所述散熱塊7的材質(zhì)可以是銅、鋁、陶瓷或合金等。
權(quán)利要求一種基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)，包含有芯片(3)、芯片下方的所承載的金屬基島(1)、金屬內(nèi)腳(4)、芯片到金屬內(nèi)腳的信號(hào)互連的金屬絲(5)、芯片與金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I(2)和塑封體(8)，所述金屬基島(1)埋入塑封體(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方設(shè)置有散熱塊(7)，該散熱塊(7)與所述芯片(3)之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II(6)；該散熱塊(7)呈倒置的“T”型結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述散熱塊(7)的材質(zhì)是銅、鋁、陶瓷或合金。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種基島埋入芯片正裝帶倒T型散熱塊封裝結(jié)構(gòu)，包含有芯片(3)、芯片下方的所承載的金屬基島(1)、金屬內(nèi)腳(4)、芯片到金屬內(nèi)腳的信號(hào)互連的金屬絲(5)、芯片與金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I(2)和塑封體(8)，所述金屬基島(1)埋入塑封體(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方設(shè)置有散熱塊(7)，該散熱塊(7)與所述芯片(3)之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II(6)；該散熱塊(7)呈倒置的“T”型結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型通過(guò)在芯片上方增置散熱塊，來(lái)?yè)?dān)任高熱量的散熱的功能，能夠提供散熱的能力強(qiáng)，使芯片的熱量能快速的傳導(dǎo)到封裝體外界。
文檔編號(hào)H01L23/367GK201623058SQ201020117938
公開日2010年11月3日 申請(qǐng)日期2010年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司