專利名稱：半導(dǎo)體封裝件的制造方法及制造其的封裝模具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法及制造其的封裝模具，且特別是有 關(guān)于一種具有散熱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法及制造其的封裝模具。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參照?qǐng)DIA至IE(已知技術(shù))，其繪示傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。首先，如 圖IA所示，提供一待封裝元件12，待封裝元件12包括基板14及多個(gè)晶片16，晶片16設(shè)于 基板14上。然后，如圖IB所示，粘貼多個(gè)散熱結(jié)構(gòu)18于對(duì)應(yīng)的晶片16的頂面22上。然 后，如圖IC所示，形成封裝體(molding compound)沈覆蓋晶片16的側(cè)面觀及散熱結(jié)構(gòu)18 的側(cè)面30而露出散熱結(jié)構(gòu)18的頂面24。然后，如圖ID所示，形成多個(gè)焊球20于基板14 上。然后，如圖IE所示，切割基板14及封裝體26，以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件10。然而，如圖IE所示的切割步驟中，切割后的半導(dǎo)體封裝件10在切割面Sl遺留毛 邊(burr)，故需再對(duì)切割完成的半導(dǎo)體封裝件10進(jìn)行去毛邊處理，徒增生產(chǎn)耗時(shí)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法及制造其的封裝模具，可減少甚至消 除切割后的半導(dǎo)體封裝件的毛邊量，增進(jìn)半導(dǎo)體封裝件的品質(zhì)以及提升半導(dǎo)體封裝件的生
產(chǎn)速率。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下 步驟。提供一散熱片；提供一待封裝元件，待封裝元件包括一基板及數(shù)個(gè)半導(dǎo)體元件，半導(dǎo) 體元件設(shè)于基板上；形成一封裝體于散熱片與待封裝元件之間，其中封裝體包覆半導(dǎo)體元 件；形成數(shù)道第一切割狹縫，其中第一切割狹縫經(jīng)過散熱片及封裝體的一部分；形成數(shù)道 第二切割狹縫，其中第二切割狹縫經(jīng)過基板及封裝體的其余部分并延伸至對(duì)應(yīng)的第一切割 狹縫。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下 步驟。提供一散熱片；提供一封裝模具，其中封裝模具具有一模穴及第一定位件；設(shè)置散熱 片至模穴內(nèi)；設(shè)置一待封裝元件至封裝模具的模穴內(nèi)，其中待封裝元件包括一基板及數(shù)個(gè) 半導(dǎo)體元件，半導(dǎo)體元件設(shè)于基板上，待封裝元件并具有第二定位件，待封裝元件藉由該第 一定位件與第二定位件的結(jié)合而定位于封裝模具；形成一封裝體于散熱片與待封裝元件之 間，以使封裝體包覆半導(dǎo)體元件；形成數(shù)道第一切割狹縫，其中第一切割狹縫經(jīng)過散熱片及 封裝體的一部分；形成數(shù)道第二切割狹縫，其中第二切割狹縫經(jīng)過基板及封裝體的其余部 分并延伸至對(duì)應(yīng)的第一切割狹縫。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提出一種封裝模具。封裝模具適用于封裝一待封裝元件， 待封裝元件具有第二定位件。封裝模具包括一模具本體及第一定位件。模具本體具有一模 穴。第一定位件設(shè)于模具本體上。其中，待封裝元件藉由第一定位件與第二定位件的結(jié)合 而定位于封裝模具。
為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，作詳細(xì)說明如下


圖IA至1E(已知技術(shù))繪示傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。圖2繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。圖3A至3L繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。圖4A至4C繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的封裝體的形成示意圖。圖5繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中所使用的散熱片 上視圖。主要元件符號(hào)說明10、100 半導(dǎo)體封裝件12、112、212 待封裝元件14、116、216 基板16:晶片18:散熱結(jié)構(gòu)20 焊球22、撾頂面26、126 封裝體28、30 側(cè)面108、308 散熱片108a 第一面108b 第二面108c,308c 散熱單元108d 側(cè)面108s 外側(cè)面116a:第一基板表面116b:第二基板表面118、218 半導(dǎo)體元件120:電性接點(diǎn)122、222 封裝模具122a 段差結(jié)構(gòu)124、224 模穴124a 第一子模穴124b 第二子模穴126a 一部分126b 其余部分128:第一定位件130、230 另一模具
132,232 模穴底面134:模穴開口136 第二定位件140 模具本體142 已封裝元件144 刀具146 噴砂工具148、150:通道238 封裝粉末310 切槽310a 第一切槽310b 第二切槽310al 第一子切槽310bl 第二子切槽Al 壓力氣體F1、F2、F3 真空吸力L1、L2:長(zhǎng)度Si、S2、S3:切割面SP:填膠空間P1、P11、P12 第一切割狹縫P2 第二切割狹縫S102-S120 步驟Tl 厚度W1、W2、W3、W4 寬度
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D2及圖3A至3L，圖2繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造 方法流程圖，圖3A至3L繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。于步驟S102中，如圖3A所示，提供散熱片108。散熱片108單片的散熱片，其具有 相對(duì)的第一面108a與第二面108b并定義多個(gè)散熱單元108c，其具有一突起結(jié)構(gòu)。該突起 結(jié)構(gòu)的外形例如是圓形、矩形或其它外形，本實(shí)施例的散熱單元108c的外形以圓形為例說 明。藉由該突起結(jié)構(gòu)，可縮短半導(dǎo)體元件118與散熱單元108c之間的距離，使半導(dǎo)體元件 118的產(chǎn)熱可更快速地傳導(dǎo)至散熱單元108c。然后，于步驟S104中，如圖;3B所示，以噴砂工具146，對(duì)散熱片108的第一面108a 及第二面10 進(jìn)行一噴砂(Pumice)作業(yè)，使散熱片108的第一面108a及第二面10 形成 粗糙化表面，藉此使后續(xù)步驟S114中形成的封裝體1 與散熱片108之間的結(jié)合性更佳。 另一實(shí)施態(tài)樣中，不需同時(shí)對(duì)散熱片108的第一面108a及第二面108b進(jìn)行噴砂作業(yè)，可僅 對(duì)散熱片108中與后續(xù)步驟S114中形成的封裝體1 接觸的表面(例如是第一面108a)進(jìn)行噴砂作業(yè)即可。較佳但非限定地，粗糙化后的第一面108a的中心線平均粗糙度(Ra)大于2微米 (μ m)，如此使后續(xù)步驟S114中形成之封裝體126與散熱片108的第一面108a之間的結(jié) 合性更佳。此處的中心線平均粗糙度值Ra指的是以中心線平均粗糙度法(Center line average roughness)測(cè)量所得的粗糙度。然后，于步驟S106中，如圖3C所示，提供待封裝元件112。其中，待封裝元件112 包括基板116及多個(gè)半導(dǎo)體元件118?；?16具有相對(duì)的第一基板表面116a及第二基板 表面116b，半導(dǎo)體元件118設(shè)于且電性連接于基板116的第一基板表面116a上。接著，形成如圖31所示的封裝體1 于散熱片108與待封裝元件112之間。散熱 片108的材質(zhì)可為一散熱性較佳的金屬，例如鎳、錫、銅、鐵、鋅或鋁。其中，可在散熱片108 表面覆蓋上鎳層、鎳鈀層或鎳鈀金層以避免氧化。有多種方法可完成此封裝體126形成步驟，以下以其中一種方法轉(zhuǎn)注成型 (Transfer molding)技術(shù)為例說明。然后，于步驟S108中，如圖3D所示，提供封裝模具122。其中，封裝模具122具有模 具本體140及第一定位件128。模具本體140具有模穴124、模穴底面132、模穴開口 134及 段差結(jié)構(gòu)122a，第一定位件1 設(shè)于模具本體140的段差結(jié)構(gòu)12 的上表面上，此處的第 一定位件1 例如是定位銷(pin)。段差結(jié)構(gòu)12 與模穴底面132定義第一子模穴IMa。 段差結(jié)構(gòu)12 與模穴開口 134則定義第二子模穴124b，第一定位件1 即位于第二子模穴 124b 內(nèi)。然后，于步驟SllO中，如圖3E所示，設(shè)置圖3A的散熱片108至封裝模具122的第 一子模穴12 內(nèi)，散熱片108的第二面108b設(shè)置于模穴底面132上。其中，散熱片108的 長(zhǎng)度Ll大致上等于第一子模穴12 的寬度W1，然此非用以限制本發(fā)明。由于散熱片108由多個(gè)散熱單元108c形成的單片形式，故在本步驟SllO中僅需 對(duì)散熱片108進(jìn)行一次性的設(shè)置動(dòng)作，即可使定義于散熱片108上的多個(gè)散熱單元108c — 次設(shè)置于模穴124內(nèi)，可大幅節(jié)省設(shè)置時(shí)間，提升生產(chǎn)效率。然后，于步驟S112中，如圖3F所示，設(shè)置待封裝元件112至封裝模具122的第二 子模穴124b內(nèi)。其中，待封裝元件112以半導(dǎo)體元件118朝向模穴124的方式定位于封裝 模具122的段差結(jié)構(gòu)12 上。當(dāng)待封裝元件112定位于封裝模具122的段差結(jié)構(gòu)12 上 時(shí)，該些散熱單元108c的位置對(duì)應(yīng)于該些半導(dǎo)體元件118。此外，如圖3F中放大示意圖所示，待封裝元件112具有第二定位件136，例如是定 位孔。待封裝元件112藉由第一定位件128與第二定位件136的結(jié)合而定位于封裝模具 122上。透過第一定位件1 與第二定位件136精準(zhǔn)地結(jié)合，半導(dǎo)體元件118可精確地對(duì)應(yīng) 于散熱單元108c ；或者，于其它實(shí)施態(tài)樣的位方式中，封裝模具122及待封裝元件112亦可 省略第一定位件1 及第二定位件136，在此情況下，可使待封裝元件112的長(zhǎng)度L2大致上 等于第二子模穴124b的寬度W2，或者長(zhǎng)度L2與寬度W2之間的尺寸差介于一可接受之定位 誤差范圍內(nèi)，如此一來，待封裝元件112亦可精確地定位于第二子模穴124b內(nèi)，使待封裝元 件112的半導(dǎo)體元件118與散熱單元108c之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系較精確。此外，在其它實(shí)施態(tài)樣中，第一定位件1 亦可為定位孔，而第二定位件136為定 位銷。
當(dāng)待封裝元件112定位于封裝模具122上時(shí)，待封裝元件112與散熱片108之間 以一填膠空間SP(第一子模穴IMa)相隔，填膠空間SP用以容納后續(xù)形成的封裝體126。然后，如圖3G所示，進(jìn)行一合模作業(yè)。以另一模具130抵壓待封裝元件112上，另 一模具130并與封裝模具122呈一合模狀態(tài)。然后，進(jìn)行一抽真空作業(yè)。從另一模具130，以真空吸力F3吸附圖3G所示的待封 裝元件112，以固定待封裝元件112的位置。透過真空吸力F3，使待封裝元件112緊貼于另 一模具130上。相似地，從封裝模具122，以真空吸力F2吸附圖3G所示的散熱片108，以固 定散熱片108的位置。透過真空吸力F2，使散熱片108緊貼于封裝模具122上。由于散熱 片108及待封裝元件112緊貼于模具上，于后續(xù)封裝步驟(步驟S114)中，可減少已封裝元 件142(已封裝元件142繪示于圖31)的翹曲量。封裝模具122的模具本體140具有一通道148，通道148連接模穴124與一真空 吸力裝置(未繪示)。此外，另一模具130亦具有通道150，其相似于模具本體140的通道 148。真空吸力F2及F3分別藉由通道148及150吸附散熱片108及待封裝元件112。然后，于步驟S114中，如圖3H所示，以例如灌入方式，形成封裝體1 填滿散熱 片108與待封裝元件112之間的填膠空間SP，使封裝體1 包覆半導(dǎo)體元件118。封裝體 126、待封裝元件112及散熱片108形成一如圖31所示已封裝元件142。由于散熱片108的 長(zhǎng)度Ll大致上等于第一子模穴12 的寬度Wl (如圖3E所示)，故封裝體1 無法覆蓋散 熱片108的側(cè)面108d或僅能覆蓋散熱片108之側(cè)面108d的甚少部分。其中，封裝體1 例如是封膠(molding compound)，其可包括酚醛基樹脂(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹 脂(印oxy-based resin)、硅基樹脂(silicone-based resin)或其他適當(dāng)?shù)陌矂?。封裝 體1 亦可包括適當(dāng)?shù)奶畛鋭?，例如是粉狀的二氧化硅。可利用?shù)種封裝技術(shù)涂布封裝體 126，例如是壓縮成型(compression molding)、或注射成型(injection molding)。當(dāng)然， 封裝體126亦可為其它介電材質(zhì)，例如是光阻劑。然后，進(jìn)行一脫模作業(yè)。例如，移開另一模具130，以露出圖3H的待封裝元件112。然后，分離已封裝元件142與封裝模具122。例如，以頂出桿(未繪示)頂出已封 裝元件142。與封裝模具122分離后的已封裝元件142繪示于圖31。然后，于步驟S116中，如圖3J所示，以刀具或激光切割技術(shù)，從散熱片108往封裝 體126的方向，形成數(shù)道第一切割狹縫P1。其中，第一切割狹縫Pl依序切穿散熱片108及 封裝體1 的一部分U6a，如圖3J中局部Jl的放大圖所示。較佳但非限定地，第一切割狹 縫Pl的深度到達(dá)封裝體126的厚度Tl的一半。該些第一切割狹縫Pl沿著該些散熱單元108c的邊緣形成。進(jìn)一步地說，如圖3J 中局部J2的放大上視圖所示，相鄰二道第一切割狹縫Pll沿第一方向延伸，另相鄰二道第 一切割狹縫P12沿第二方向延伸，該第一方向大致上垂直于該第二方向。該相鄰二道第一 切割狹縫Pll與該另相鄰二道第一切割狹縫P12分離對(duì)應(yīng)的散熱單元108c。依此，在多道 第一切割狹縫Pl形成后，該些散熱單元108c完全分離。由于第一切割狹縫Pl經(jīng)過散熱片108，故使散熱單元108c的外側(cè)面108s外露，如 此可增加散熱單元108c露出的散熱面積，提升散熱單元108c的散熱效率。由于第一切割狹縫Pl不需完全切穿已封裝元件142，故第一切割狹縫Pl在形成過 程中，已封裝元件142較不會(huì)受到強(qiáng)烈的撕裂破壞(撕裂現(xiàn)象下容易產(chǎn)生毛邊)，因此，對(duì)應(yīng)第一切割狹縫Pl形成的切割面S2所產(chǎn)生的毛邊甚少、甚至不會(huì)產(chǎn)生毛邊，或是產(chǎn)生可容許 的毛邊。于另一實(shí)施態(tài)樣中，在步驟S116之后，可應(yīng)用圖案化技術(shù)，形成一圖案于散熱單 元108c。例如，以激光于散熱單元108c的第二面108b切割出商標(biāo)圖案或產(chǎn)品型號(hào)。然后，于步驟Sl 18中，如圖I所示，形成多個(gè)電性接點(diǎn)120于基板116的第二基板 表面116b。此處的電性接點(diǎn)120例如是焊球(solder ball)、導(dǎo)電柱(conductive pillar) 或凸塊(bump)，本實(shí)施例以焊球?yàn)槔f明。于步驟Sl 18之前，可倒置(invert)待封裝元件112，使基板116的第二基板表面 116b朝上或朝向方便形成電性接點(diǎn)120的方位，然此倒置步驟并非用以限制本發(fā)明。在其 它實(shí)施態(tài)樣中，若不倒置即能形成電性接點(diǎn)120，則不需倒置步驟。然后，于步驟S120中，如圖3L所示，以刀具144或激光切割技術(shù)，從基板116往封 裝體126的方向，形成數(shù)道第二切割狹縫P2。其中，第二切割狹縫P2依序經(jīng)過待封裝元件 112的基板116及封裝體126的其余部分126b并延伸至對(duì)應(yīng)的第一切割狹縫Pl，以完全分 離半導(dǎo)體元件118，以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件100。由于第二切割狹縫P2不需經(jīng)過整個(gè)封裝體1 及散熱片108的厚度Tl (因?yàn)榈谝?切割狹縫Pl已經(jīng)過散熱片108及封裝體1 的一部分)，故第二切割狹縫P2的切割深度較 淺，使得對(duì)應(yīng)第二切割狹縫P2所形成的切割面S3的毛邊甚少，甚至不會(huì)產(chǎn)生毛邊。此外， 當(dāng)對(duì)應(yīng)第一切割狹縫Pl (于步驟S116)所形成的切割面S2產(chǎn)生毛邊時(shí)，藉由本步驟S120 中第二切割狹縫P2的形成亦可將對(duì)應(yīng)第一切割狹縫Pl所產(chǎn)生的毛邊切除，如此一來，在切 割制程中就完成了去毛邊處理，因此后續(xù)便不需額外的去毛邊處理。此外，第一切割狹縫Pl的寬度W3與第二切割狹縫P2的寬度W4系相異，例如，第 一切割狹縫Pl的寬度W3大于第二切割狹縫P2的寬度W4，然于一實(shí)施態(tài)樣中，第一切割狹 縫Pl的寬度W3可小于第二切割狹縫P2的寬度W4。于其它實(shí)施態(tài)樣中，第一切割狹縫Pl 的寬度W3與第二切割狹縫P2的寬度W4亦可大致上相等。雖然本實(shí)施例形成封裝體126以轉(zhuǎn)注成型技術(shù)為例說明，然于其它實(shí)施例中的封 裝體可以另一種技術(shù)壓縮成型(Compression molding)技術(shù)完成。請(qǐng)參照?qǐng)D4A至4C，其 繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的封裝體的形成示意圖。如圖4A所示，設(shè)置散熱片108于封裝模具222的模穴224內(nèi)，其中散熱片108的 第一面108a設(shè)于封裝模具222的模穴底面232上。此外，散熱片108受到真空吸力Fl的 吸附而緊附于模穴底面232上。然后，鋪撒封裝粉末(powder) 238于散熱片108的第二面 10 上。然后，壓入位于待封裝元件212上的半導(dǎo)體元件218于封裝粉末238內(nèi)。此外，雖然圖4A未繪示，然封裝模具222及待封裝元件212可分別具有相似于前 述的第一定位件1 及第二定位件136。然后，如圖4B所示，進(jìn)行一合模作業(yè)。例如，以另一模具230抵壓待封裝元件212 的基板216并與封裝模具222呈一合模狀態(tài)。之后，加熱封裝粉末238，使封裝粉末238熔 化后呈流動(dòng)狀態(tài)而均勻地包覆半導(dǎo)體元件218。高溫流動(dòng)的封裝粉末238于冷卻凝固后形 成封裝體。然后，如圖4C所示，進(jìn)行一脫模作業(yè)。例如，移開另一模具230，以露出待封裝元件 212。
然后，分離待封裝元件212與封裝模具222。例如，以一壓力氣體Al推出待封裝元 件212。之后，可執(zhí)行步驟S116至S120以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。第二實(shí)施例第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方 法不同之處在于，半導(dǎo)體封裝件在制造過程中所使用的散熱片308具有多個(gè)切槽。以下以圖2的流程圖來說明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。于步驟S102中，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5，其繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件 的制造方法中所使用的散熱片上視圖。提供散熱片308，其中，散熱片308以機(jī)械、激光或 蝕刻方式形成多個(gè)切槽310，該些切槽310定義多個(gè)散熱單元308c。由于切槽310之間仍 以散熱單元308c的材料連接，故散熱片308 —整片形式，其具有相似于第一實(shí)施例散熱片 108的”一次設(shè)置完成”(步驟S110)的特征。切槽310例如是貫穿槽，其貫穿散熱片308，然，在另一實(shí)施態(tài)樣中(未繪示)，切 槽310亦可為凹槽而不貫穿散熱片308。切槽310由多道第一切槽310a及多道第二切槽 310b所組成。每條第一切槽310a包括多個(gè)第一子切槽310al，其大致上沿第三方向延伸且 分離地設(shè)置，而每條第二切槽310b包括多個(gè)第二子切槽310bl，其大致上沿第四方向延伸 且分離地設(shè)置，其中第三方向大致上垂直于第四方向。相對(duì)且相鄰二第一子切槽310al與 相對(duì)且相鄰二第二子切槽310bl圍繞出單個(gè)散熱單元308c的范圍。接下來的步驟S104至S114以及步驟Sl 18相似于第一實(shí)施例，在此不重復(fù)說明。 以下說明步驟S116及S120。于步驟S116中，以刀具或激光切割技術(shù)，沿著第一切槽310a的延伸方向形成第一 切割狹縫(未繪示)。由于本實(shí)施例的散熱片308具有鏤空的第一切槽310a，故切割刀具 需切除的散熱片材料減少，如此一來，可省力、快速地完成對(duì)散熱片308的切割，此外，并可 減少刀具磨耗，延長(zhǎng)刀具的使用壽命。于步驟S120中，沿著第二切槽310b的延伸方向形成第二切割狹縫(未繪示)。相 似于第一子切槽310al的特征，由于第二子切槽310bl的設(shè)計(jì)，故可省力、快速地完成對(duì)散 熱片308的切割，以及減少刀具磨耗，延長(zhǎng)刀具的使用壽命。本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，可減少甚至消除切割后 的半導(dǎo)體封裝件的毛邊量，增進(jìn)半導(dǎo)體封裝件的品質(zhì)以及提升半導(dǎo)體封裝件的生產(chǎn)速率。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng) 與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)由權(quán)利要求書界定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括 提供一散熱片；提供一待封裝元件，該待封裝元件包括一基板及多個(gè)半導(dǎo)體元件，該些半導(dǎo)體元件設(shè) 于該基板上；形成一封裝體于該散熱片與該待封裝元件之間，其中該封裝體包覆該些半導(dǎo)體元件； 形成多道第一切割狹縫，其中該些第一切割狹縫經(jīng)過該散熱片及該封裝體的一部分；以及形成多道第二切割狹縫，其中該些第二切割狹縫經(jīng)過該基板及該封裝體的其余部分并 延伸至對(duì)應(yīng)的該第一切割狹縫。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在提供該散熱片的該步驟之后，該制造 方法還包括對(duì)該散熱片進(jìn)行一噴砂作業(yè)，以使該散熱片形成一粗糙化表面。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括 提供一封裝模具，其中該封裝模具具有一模穴；設(shè)置該散熱片至該模穴內(nèi)，其中，該散熱片受到一真空吸力的吸附而固定于該模穴內(nèi)；以及設(shè)置該待封裝元件至該封裝模具的該模穴內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，于提供該散熱片的該步驟中，該散熱片 定義多個(gè)散熱單元；于設(shè)置該待封裝元件至該封裝模具的該模穴內(nèi)的該步驟中，該些散熱 單元的位置對(duì)應(yīng)于該些半導(dǎo)體元件；于形成該些第一切割狹縫的該步驟中，該些第一切割 狹縫沿著該些散熱單元的邊緣形成。
5.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，于提供該散熱片的該步驟中，該散熱片 具有多個(gè)切槽，該些切槽的分布定義該些散熱單元；于形成該些第一切割狹縫的該步驟中， 該些第一切割狹縫沿著該些切槽的延伸方向形成。
6.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，于設(shè)置該待封裝元件至該封裝模具的 該模穴內(nèi)的該步驟中，該封裝模具具有一第一定位件，該待封裝元件具有一第二定位件，該 待封裝元件藉由該第一定位件與該第二定位件的結(jié)合而定位于該封裝模具。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，該第一定位件與該第二定位件中的一 者定位銷，該第一定位件與該第二定位件中的另一者是定位孔。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，各該第一切割狹縫的寬度與對(duì)應(yīng)的該 第二切割狹縫的寬度相異。
9.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括 提供一散熱片；提供一封裝模具，其中該封裝模具具有一模穴及一第一定位件； 設(shè)置該散熱片至該模穴內(nèi)；設(shè)置一待封裝元件至該封裝模具的該模穴內(nèi)，其中該待封裝元件包括一基板及多個(gè)半 導(dǎo)體元件，該些半導(dǎo)體元件設(shè)于該基板上，該待封裝元件并具有一第二定位件，該待封裝元 件藉由該第一定位件與該第二定位件的結(jié)合而定位于該封裝模具；形成一封裝體于該散熱片與該待封裝元件之間，其中該封裝體包覆該些半導(dǎo)體元件；形成多道第一切割狹縫，其中該些第一切割狹縫經(jīng)過該散熱片及該封裝體的一部分；形成多道第二切割狹縫，其中該些第二切割狹縫經(jīng)過該基板及該封裝體的其余部分并 延伸至對(duì)應(yīng)的該第一切割狹縫。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，于提供該散熱片的該步驟之后，該制 造方法還包括對(duì)該散熱片進(jìn)行一噴砂作業(yè)，以使該散熱片形成一粗糙化表面。
11.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，于提供該散熱片的該步驟中，該散熱 片定義多個(gè)散熱單元；于設(shè)置該待封裝元件至該封裝模具的該模穴內(nèi)的該步驟中，該些散 熱單元的位置對(duì)應(yīng)于該些半導(dǎo)體元件。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，于提供該散熱片的該步驟中，該散熱 片系具有多個(gè)切槽，該些切槽的分布定義該些散熱單元；于形成該些第一切割狹縫的該步 驟中，該些第一切割狹縫系沿著該些切槽往該封裝體的延伸方向形成。
13.一種封裝模具，適用于封裝一待封裝元件，該待封裝元件具有一第二定位件，該封 裝模具包括一模具本體，具有一模穴；以及一第一定位件，設(shè)于該模具本體上；其中，該待封裝元件藉由該第一定位件與該第二定位件的結(jié)合而定位于該封裝模具。
14.如權(quán)利要求13所述的封裝模具，其特征在于，該第一定位件與該第二定位件中之 一者是定位銷，該第一定位件與該第二定位件中之另一者是定位孔。
15.如權(quán)利要求13所述的封裝模具，其特征在于，該模具本體還具有一通道，該通道連 接該模穴與一真空吸力裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法及制造其的封裝模具，制造方法包括以下步驟。首先，提供散熱片。然后，提供待封裝元件，待封裝元件包括基板及數(shù)個(gè)半導(dǎo)體元件，半導(dǎo)體元件設(shè)于基板上。然后，形成封裝體于散熱片與待封裝元件之間，其中封裝體包覆半導(dǎo)體元件。然后，形成數(shù)道第一切割狹縫，其中第一切割狹縫經(jīng)過散熱片及封裝體的一部分。然后，形成數(shù)道第二切割狹縫，其中第二切割狹縫經(jīng)過基板及封裝體的其余部分并延伸至第一切割狹縫。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102064118SQ20101056454
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者馮相銘, 李育穎, 王圣民, 鄭秉昀, 陳光雄, 陳天賜 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司