專利名稱：測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法和裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display)具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點，已經(jīng)逐漸成為平板顯示器的主流產(chǎn)品。 TFT-LCD由陣列基板和彩膜基板對盒而形成，陣列基板和彩膜基板之間滴注有液晶。其中， 陣列基板上形成有柵極線和數(shù)據(jù)線，柵級線和數(shù)據(jù)線交叉定義出若干像素區(qū)域，像素區(qū)域形成有TFT和像素電極，而彩膜基板上形成有公共電極。TFT-LCD利用彩膜基板上的公共電極與陣列基板上的像素電極之間的電場強度變化控制液晶分子的取向，從而控制透光的強弱以進行圖像顯示。而像素電極上的電壓通斷及大小由TFT的柵極和源極信號控制，因此，TFT是TFT-IXD的重要組成部分，TFT的輸出和轉(zhuǎn)移等特性對TFT-IXD的正常工作具有決定性作用。在TFT-IXD的設(shè)計和制作過程中，形成陣列基板后，需要對陣列基板上的TFT的特性進行相關(guān)測試，以獲得TFT的特性參數(shù)及技術(shù)數(shù)據(jù)，對TFT-LCD進行設(shè)計驗證和質(zhì)量驗證，并為查找不良原因、優(yōu)化陣列基板的設(shè)計和印刷電路板(PCB)信號設(shè)計提供參考和數(shù)據(jù)支持。圖1為TFT的器件結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，每個TFT均包括柵極G、源極S和漏極D，在陣列基板上，柵極G連接到柵極線上，源極S連接在數(shù)據(jù)線上，漏極D與像素電極相連接?，F(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)對陣列基板上的TFT特性進行測試時，一般是使陣列基板上的數(shù)據(jù)線 (源級幻和像素電極(漏極D)間保持一定的電壓差，采用在陣列基板的柵極線(柵極G) 施加階梯狀電壓的掃描方式，測試信號線與像素電極間的電流(Id)及該電流的變化。這種測試方法，施加到TFT各電極的電壓信號均為直流信號，其中，施加到柵極線的電壓波形如圖2所示。當(dāng)同一信號長時間作用于TFT上時，將產(chǎn)生時間應(yīng)力效應(yīng)，進而影響TFT的相關(guān)特性。而由于現(xiàn)有技術(shù)中，對TFT特性進行測試時，施加到TFT各電極的電壓信號均為直流信號，且柵極G采用圖2所示的階梯狀電壓的掃描方式，因此，容易產(chǎn)生時間應(yīng)力效應(yīng)，進而導(dǎo)致測試結(jié)果不準(zhǔn)確，與真實特性偏離較大，無法反映出TFT的真實特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，提供一種測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法和裝置，能夠提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案一種測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法，包括確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，其中，所述柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號均為交流電壓信號；按照所述柵極測試電壓信號和源漏極測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，在所述薄膜晶體管的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號；獲取所述待測特性對應(yīng)的、所述薄膜晶體管的輸出信號。一種測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法，包括控制單元，用于確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，其中，所述柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號均為交流電壓信號；信號發(fā)生單元，用于按照所述柵極測試電壓信號和源漏極測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，在所述薄膜晶體管的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號；測量單元，用于獲取所述待測特性對應(yīng)的、所述薄膜晶體管的輸出信號。采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明提供的測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法和裝置，對薄膜晶體管的特性進行測試時，各測試電壓信號均采用交流電壓信號，能夠避免同一信號長時間作用于TFT器件而產(chǎn)生的時間應(yīng)力效應(yīng)，而且，交流電壓信號更接近于TFT的實際驅(qū)動電壓，因此，測試結(jié)果將更加準(zhǔn)確，能夠精確獲得TFT工作時的相關(guān)特性，有利于縮短TFT-IXD的設(shè)計和質(zhì)量的驗證時間。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為TFT的器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中測試TFT特性時，施加到柵極線的電壓波形；圖3為本發(fā)明實施例的測試陣列基板上TFT特性的方法的流程圖；圖4本發(fā)明實施例中柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的時序關(guān)系示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的測試陣列基板上TFT特性的方法的另一個流程圖；圖6為圖5所示實施例中柵極測試電壓信號的波形圖；圖7為圖5所示實施例中漏源極間測試電壓信號的波形圖；圖8為本發(fā)明實施例的測試陣列基板上TFT特性的方法的另一個流程圖；圖9為本發(fā)明實施例的測試陣列基板上TFT特性的裝置的結(jié)構(gòu)框圖；圖10為本發(fā)明實施例的測試陣列基板上TFT特性的裝置的另一結(jié)構(gòu)框圖；圖11為本發(fā)明實施例的測試陣列基板上TFT特性的裝置的另一結(jié)構(gòu)框圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖3所示，本發(fā)明實施例提供的測試陣列基板上薄膜晶體管的方法，包括步驟101，確定TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度。其中，所述柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號均為交流電壓信號。使用交流電壓信號能夠避免直流電壓信號作用于TFT器件而產(chǎn)生的時間應(yīng)力效應(yīng)，而且，交流電壓信號更接近于TFT的實際驅(qū)動電壓，因此，測試結(jié)果將更加準(zhǔn)確，能夠精確獲得TFT工作時的相關(guān)特性，有利于縮短TFT-LCD的設(shè)計和質(zhì)量的驗證時間。需要指出的是，本發(fā)明實施例中，TFT的待測特性包括TFT的轉(zhuǎn)移特性、輸出特性以及相關(guān)的其他特性。具體的，本步驟中，確定對TFT測試時所采用的柵極電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度可包括以下幾種方式其一，根據(jù)用戶指令，確定TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度；亦即，測試時采用的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度由用戶指令所指定。其二，根據(jù)TFT所在陣列基板的分辨率，確定TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期；例如，分辨率是10M*768的陣列基板，正常使用時，陣列基板上TFT的柵極電壓信號的周期為l/60s，漏源極間電壓信號的周期與柵極電壓信號的周期相適應(yīng)，因此，對該陣列基板上的某個TFT進行測試時，可根據(jù)陣列基板的分辨率，確定柵極電壓測試信號和漏源極間測試電壓信號的周期為l/60s。根據(jù)設(shè)計TFT時所采用的設(shè)計參數(shù)，確定TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號在每個周期內(nèi)的信號幅度，所述設(shè)計參數(shù)包括柵極電壓值和漏源極間電壓值。例如，根據(jù)進行陣列基板的設(shè)計時，所采用的TFT的VgH(柵極最高電壓) 和VgL(柵極最低電壓)電壓值確定柵極測試電壓信號在每個周期的幅度，根據(jù)進行設(shè)計時采用的TFT的漏源極間電壓確定漏源極間測試電壓信號在每個周期的幅度。優(yōu)選的，本發(fā)明實施例所采用的各測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號與 TFT-IXD實際工作時TFT的電壓信號相同或相近。步驟102，按照所述柵極測試電壓信號和源漏極測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，在TFT的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在TFT的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號；本步驟需要注意的是，根據(jù)TFT的工作原理，簡單的講，柵極電壓信號用于在柵極下的有源層積累載流子而形成導(dǎo)電溝道，漏源極間電壓信號用于使導(dǎo)電溝道導(dǎo)通，形成電流。因此，優(yōu)選的，柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號需要滿足一定的時序關(guān)系， 以滿足導(dǎo)電溝道的形成和導(dǎo)通的時序關(guān)系，保證TFT工作的穩(wěn)定性。具體的時序關(guān)系可如圖4所示，即在所述漏源極間測試電壓信號施加到所述所述TFT的源極和漏極之間之前， 在所述TFT的柵極施加?xùn)艠O測試電壓信號。
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步驟103，獲取所述待測特性對應(yīng)的、所述TFT的輸出信號。需要指出的是，只有施加有輸入信號，才會有相應(yīng)的輸出信號，因此，在本步驟進行的同時，步驟102也在持續(xù)進行著。進一步的，獲取TFT的輸出信號后，本發(fā)明實施例提供的測試陣列基板上TFT的特性的方法還包括根據(jù)所述輸出信號，獲得所述TFT的待測特性的特性曲線，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠根據(jù)所示特性曲線，進行相關(guān)特性的分析和驗證。另外，本發(fā)明實施例提供的測試陣列基板上TFT的特性的方法，在步驟102之前， 還可進一步包括控制所述TFT所處的環(huán)境溫度，使所述環(huán)境溫度與所述TFT實際工作時的溫度相同或近似相同；通過光照射所述TFT，所述光的亮度與所述TFT實際工作時的背光燈亮度相同或近似相同。這樣，可以使TFT的測試環(huán)境更加接近于TFT實際的工作環(huán)境，能夠進一步提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性，更加易于發(fā)現(xiàn)TFT實際工作時可能出現(xiàn)的問題。而且，當(dāng)進行不良分析時，這樣就可以重現(xiàn)不良發(fā)生時的環(huán)境條件，測試結(jié)果更加有利于不良原因的判斷。如圖5所示，下面具體說明本發(fā)明實施例提供的測試測試陣列基板上TFT的特性的方法，其中，TFT的待測特性為TFT的轉(zhuǎn)移特性，TFT所在陣列基板的分辨率為10M*768， 柵極測試電壓信號為\，源極電壓為Vs，漏極電壓為VD，漏源極間測試電壓信號為Vds，包括下列步驟步驟201，根據(jù)用戶指令，確定待測TFT的Ve和Vds的周期和在每個周期內(nèi)的幅度；
步驟202，在待測TFT的柵極施加Ve，在待測TFT的漏極施加VD，使TFT的源極接地。具體的，本實施例中，Ve和Vd均為交流電壓信號。Ve的周期為l/60s，Ve從-20V到 20V掃描，波形如圖6所示；VS接地，即Vs為OV ；Vd的波形如圖7所示，為15V的脈沖方波， 周期與\相同；Vds等于VD，為15V的脈沖方波。其中，Vg和Vd滿足圖4所示的時序關(guān)系。步驟203，獲取待測TFT的轉(zhuǎn)移特性對應(yīng)的輸出信號一漏極電流(Id)，并根據(jù)ID， 得到待測TFT的轉(zhuǎn)移特性曲線。如圖8所示，下面具體說明本發(fā)明實施例提供的測試測試陣列基板上TFT的特性的方法，其中，TFT的待測特性為TFT的輸出特性，TFT所在陣列基板的分辨率為10M*768， 包括下列步驟步驟301，根據(jù)用戶指令，確定待測TFT的輸出特性對應(yīng)的Ve和Vds的周期和在每個周期內(nèi)的幅度；步驟302，在待測TFT的柵極施加Ve，在待測TFT的漏極施加VD，使TFT的源極接地。具體的，本實施例中，Ve和Vd均為交流電壓信號。Ve的周期為l/60s，Ve從OV到 25V掃描，波形如圖6所示；VS接地，即Vs為OV ；Vd的波形如圖6所示，從0到15V掃描，周期與Ve相同;VDS等于VD。
其中，Ve和Vd滿足圖4所示的時序關(guān)系。步驟303，獲取待測TFT的轉(zhuǎn)移特性對應(yīng)的輸出信號__ID，并根據(jù)ID，得到待測TFT 的輸出特性曲線。相應(yīng)的，本發(fā)明的實施例還提供了一種測試陣列基板上TFT特性的裝置，如圖9所示，包括控制單元10，用于確定TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，其中，所述柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號均為交流電壓信號；信號發(fā)生單元11，用于按照所述柵極測試電壓信號和源漏極測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，在所述TFT的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在所述TFT的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號；測量單元12，用于獲取所述待測特性對應(yīng)的、所述TFT的輸出信號。本發(fā)明提供的測試陣列基板上TFT特性的裝置，對TFT的特性進行測試時，各測試電壓信號均采用交流電壓信號，能夠避免同一信號長時間作用于TFT器件而產(chǎn)生的時間應(yīng)力效應(yīng)，而且，交流電壓信號更接近于TFT的實際驅(qū)動電壓，因此，測試結(jié)果將更加準(zhǔn)確，能夠精確獲得TFT工作時的相關(guān)特性，有利于縮短TFT-LCD的設(shè)計和質(zhì)量的驗證時間。本發(fā)明實施例提供的裝置，所能夠測試的TFT的特性包括TFT的轉(zhuǎn)移特性、輸出特性以及相關(guān)的其他特性。其中，控制單元10具體用于根據(jù)用戶指令，確定TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度；或者根據(jù)TFT所在陣列基板的分辨率，確定所述TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期；根據(jù)設(shè)計所述TFT時所采用的設(shè)計參數(shù)，確定所述TFT的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號在每個周期內(nèi)的信號幅度，所述設(shè)計參數(shù)包括柵極電壓值和漏源極間電壓值。另外，控制單元10還可用于控制施加信號時，柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號之間的時序關(guān)系，兩者的時序關(guān)系可如圖4所示，以滿足導(dǎo)電溝道的形成和導(dǎo)通的時序關(guān)系，具體的，控制單元10控制信號發(fā)生單元11在所述漏源極間測試電壓信號施加到所述所述TFT的源極和漏極之間之前，在所述TFT的柵極施加?xùn)艠O測試電壓信號。進一步的，本發(fā)明實施例提供的裝置，如圖10所示，還可進一步包括 溫控單元13，用于控制所述TFT所處的環(huán)境溫度，使所述環(huán)境溫度與所述TFT實際工作時的溫度相同或近似相同；背光燈14，用于通過光照射所述TFT，所述光的亮度與所述TFT實際工作時的背光燈亮度相同或近似相同。這樣，可以使TFT的測試環(huán)境更加接近于TFT實際的工作環(huán)境，能夠進一步提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性，更加易于發(fā)現(xiàn)TFT實際工作時可能出現(xiàn)的問題。而且，當(dāng)進行不良分析時，這樣就可以重現(xiàn)不良發(fā)生時的環(huán)境條件，測試結(jié)果更加有利于不良原因的判斷。如圖11所示，下面具體說明本發(fā)明實施例提供的測試陣列基板上TFT特性的裝置，包括探針臺20，用于連接TFT的各個電極，使信號能夠輸入和輸出；
信號發(fā)生器21 (信號發(fā)生單元)，包括柵極信號發(fā)生器211，用于提供測試用的交流柵極測試電壓信號；漏源極間信號發(fā)生器212，用于提供測試用的交流漏源極間測試電壓信號；其中，探針臺20與TFT的柵極連接的探針與柵極信號發(fā)生器211連接，探針臺20 與TFT的漏極連接的探針與漏源級間信號發(fā)生器212相連，探針臺20與TFT的源極連接的探針接地。中央處理器22(控制單元)，與信號發(fā)生器21相連，用于確定各測試信號的周期和幅度，以及控制各測試信號之間的時序關(guān)系；半導(dǎo)體參數(shù)測量儀23 (測量單元)，測量TFT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性時，與探針臺 20上與TFT的漏極相連接的探針相連，以獲得漏極電流ID。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分流程可以通過計算機程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中， 該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法，其特征在于，包括確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，其中，所述柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號均為交流電壓信號；按照所述柵極測試電壓信號和源漏極測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，在所述薄膜晶體管的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號；獲取所述待測特性對應(yīng)的、所述薄膜晶體管的輸出信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度包括根據(jù)用戶指令，確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度；或者根據(jù)薄膜晶體管所在陣列基板的分辨率，確定所述薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期；根據(jù)設(shè)計所述薄膜晶體管時所采用的設(shè)計參數(shù)，確定所述薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號在每個周期內(nèi)的信號幅度，所述設(shè)計參數(shù)包括柵極電壓值和漏源極間電壓值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述漏源極間測試電壓信號施加到所述所述薄膜晶體管的源極和漏極之間之前，在所述薄膜晶體管的柵極施加?xùn)艠O測試電壓信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶體管的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號前，所述方法還包括控制所述薄膜晶體管所處的環(huán)境溫度，使所述環(huán)境溫度與所述薄膜晶體管實際工作時的溫度相同或近似相同；通過光照射所述薄膜晶體管，所述光的亮度與所述薄膜晶體管實際工作時的背光燈亮度相同或近似相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的待測特性包括薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性或輸出特性。
6.一種測試陣列基板上薄膜晶體管特性的裝置，其特征在于，包括控制單元，用于確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，其中，所述柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號均為交流電壓信號；信號發(fā)生單元，用于按照所述柵極測試電壓信號和源漏極測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，在所述薄膜晶體管的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號；測量單元，用于獲取所述待測特性對應(yīng)的、所述薄膜晶體管的輸出信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述控制單元具體用于根據(jù)用戶指令，確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度； 或者根據(jù)薄膜晶體管所在陣列基板的分辨率，確定所述薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期；根據(jù)設(shè)計所述薄膜晶體管時所采用的設(shè)計參數(shù)，確定所述薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號在每個周期內(nèi)的信號幅度，所述設(shè)計參數(shù)包括柵極電壓值和漏源極間電壓值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述控制單元還用于控制所述信號發(fā)生單元在所述漏源極間測試電壓信號施加到所述所述薄膜晶體管的源極和漏極之間之前，在所述薄膜晶體管的柵極施加?xùn)艠O測試電壓信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括溫控單元，用于控制所述薄膜晶體管所處的環(huán)境溫度，使所述環(huán)境溫度與所述薄膜晶體管實際工作時的溫度相同或近似相同；背光燈，用于通過光照射所述薄膜晶體管，所述光的亮度與所述薄膜晶體管實際工作時的背光燈亮度相同或近似相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法和裝置，涉及液晶顯示器領(lǐng)域，為提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性而發(fā)明。所述測試陣列基板上薄膜晶體管特性的方法，包括確定薄膜晶體管的待測特性所對應(yīng)的柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號的周期和在每個周期內(nèi)的信號幅度，其中，所述柵極測試電壓信號和漏源極間測試電壓信號均為交流電壓信號；在所述薄膜晶體管的柵極施加所述柵極測試電壓信號，在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間施加所述漏源極間測試電壓信號；獲取所述待測特性對應(yīng)的、所述薄膜晶體管的輸出信號。本發(fā)明可用于薄膜晶體管液晶顯示器的設(shè)計驗證和質(zhì)量驗證過程中。
文檔編號H01L21/66GK102456592SQ20101051776
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者于洪俊 申請人:北京京東方光電科技有限公司