專利名稱：顯示面板的陣列基板及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板的陣列基板及其修補(bǔ)方法，尤其涉及一種具有低電阻電 容負(fù)載與高顯示品質(zhì)的顯示面板的陣列基板及其修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
顯示面板，例如液晶顯示面板主要由陣列基板(array substrate)、彩色濾光片 基板(CF substrate)、以及填充于兩基板之間的液晶分子所組成，其中陣列基板上設(shè)有多 個(gè)呈陣列狀排列的像素區(qū)，以及柵極線、數(shù)據(jù)線、共通線與薄膜晶體管等元件。隨著液晶顯 示器的應(yīng)用日漸普及，消費(fèi)者對(duì)于液晶顯示器的解析度與像素開口率的要求也不斷向上提 升，而為了滿足高解析度與高像素開口率的規(guī)格，導(dǎo)線的線寬必須縮減，且導(dǎo)線的密度必須 提高。在上述情況下，在制作陣列基板上的柵極線、數(shù)據(jù)線或其它導(dǎo)線圖案時(shí)，缺陷產(chǎn)生的 機(jī)率也會(huì)隨之增加。在成本考量下，若此缺陷在可修補(bǔ)的范圍內(nèi)，一般會(huì)于陣列基板的周邊 區(qū)先行布設(shè)用來修補(bǔ)數(shù)據(jù)線或柵極線的修補(bǔ)線路，借此當(dāng)數(shù)據(jù)線或柵極線上產(chǎn)生斷線缺陷 時(shí)，可使用修補(bǔ)線路作為替代線路。然而，由于修補(bǔ)線路布設(shè)于陣列基板的周邊區(qū)，因此修 補(bǔ)線路的電阻電容負(fù)載會(huì)因其路徑過長(zhǎng)而增加，一旦作為替代線路時(shí)會(huì)造成信號(hào)延遲而使 得像素充電時(shí)間不足，而影響顯示品質(zhì)。此外，陣列基板的周邊區(qū)必須保留足夠空間以布設(shè) 修補(bǔ)線路，使得公知液晶顯示面板無法具有窄邊框的設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種顯示面板的陣列基板及其修補(bǔ)方法，以減少陣列 基板的修補(bǔ)線路的電阻電容負(fù)載。本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例提供一種顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，包括下列步 驟。提供一陣列基板，其中陣列基板包括一基板、一第一圖案化導(dǎo)電層、一第二圖案化導(dǎo)電 層，以及多個(gè)修補(bǔ)線段。第一圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于基板上，且第一圖案化導(dǎo)電層包括多條柵 極線。第二圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于基板上，且第二圖案化導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線與多條共通 線。柵極線與數(shù)據(jù)線呈交叉設(shè)置并定義出多個(gè)像素區(qū)，數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線，共通線包 括一第一共通線，且像素區(qū)包括一第一像素區(qū)、一第二像素區(qū)與一第三像素區(qū)。第一像素 區(qū)、第二像素區(qū)與第三像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的同一側(cè)，第一像素區(qū)位于第二像素區(qū)與第 三像素區(qū)之間，第一共通線穿越第一像素區(qū)、第二像素區(qū)與第三像素區(qū)，且第一數(shù)據(jù)線具有 一斷線缺陷位于第一像素區(qū)的一側(cè)。修補(bǔ)線段分別設(shè)置于各像素區(qū)內(nèi)。進(jìn)行一切割工藝， 于第二像素區(qū)內(nèi)的第一共通線形成一第一切斷處，以及于第三像素區(qū)內(nèi)的第一共通線形成 一第二切斷處，以使第一切斷處與第二切斷處之間的第一共通線形成一浮置的共通修補(bǔ)線 段。進(jìn)行一連接工藝，電性連接第二像素區(qū)的修補(bǔ)線段、第一數(shù)據(jù)線與共通修補(bǔ)線段，以及 電性連接第三像素區(qū)的修補(bǔ)線段、第一數(shù)據(jù)線與共通修補(bǔ)線段，以使得共通修補(bǔ)線段作為 第一數(shù)據(jù)線的一替代線路。本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例提供一種顯示面板的陣列基板。上述顯示面板的陣列基板包括一基板、一第一圖案化導(dǎo)電層、一第二圖案化導(dǎo)電層，以及多個(gè)修補(bǔ)線段。第一圖案 化導(dǎo)電層設(shè)置于基板上，且第一圖案化導(dǎo)電層包括多條柵極線。第二圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于 基板上，且第二圖案化導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線與多條共通線。柵極線與數(shù)據(jù)線呈交叉設(shè)置 并定義出多個(gè)像素區(qū)，數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線，共通線包括一第一共通線，且像素區(qū)包括 一第一像素區(qū)、一第二像素區(qū)與一第三像素區(qū)。第一像素區(qū)、第二像素區(qū)與第三像素區(qū)位于 第一數(shù)據(jù)線的同一側(cè)，第一像素區(qū)位于第二像素區(qū)與第三像素區(qū)之間，第一共通線穿越第 一像素區(qū)、第二像素區(qū)與第三像素區(qū)，且第一數(shù)據(jù)線具有一斷線缺陷位于第一像素區(qū)的一 側(cè)。修補(bǔ)線段分別設(shè)置于各像素區(qū)內(nèi)。第一共通線具有一第一切斷處位于第二像素區(qū)內(nèi)， 以及一第二切斷處位于第三像素區(qū)內(nèi)，且第一切斷處與第二切斷處之間的第一共通線形成 一浮置的共通修補(bǔ)線段。于第二像素區(qū)內(nèi)，第一數(shù)據(jù)線與共通修補(bǔ)線段借由修補(bǔ)線段電性 連接，于第三像素區(qū)內(nèi)，第一數(shù)據(jù)線與共通修補(bǔ)線段借由修補(bǔ)線段電性連接，借此使得共通 修補(bǔ)線段形成第一數(shù)據(jù)線的一替代線路。 本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法使用共通線的一部分作為具斷線缺陷 的數(shù)據(jù)線的替代線路，因此不會(huì)造成電阻電容負(fù)載增加，而可有效提升修補(bǔ)后的顯示面板 的顯示品質(zhì)。此外，由于不需于周邊區(qū)預(yù)留修補(bǔ)線路的布設(shè)空間，因此可實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè) 計(jì)。


圖1至圖4示出了本發(fā)明的第一-優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的修補(bǔ)方法的示意圖。
圖5至圖8示出了本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的修補(bǔ)方法的示意圖。
圖9與圖10示出了本發(fā)明的第_三優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的修補(bǔ)方法的示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
10陣列基板10，修補(bǔ)后的陣列基板
12基板14第一圖案化導(dǎo)電層
14G柵極16絕緣層
17圖案化半導(dǎo)體層18第二圖案化導(dǎo)電層
18S源極18D漏極
20修補(bǔ)線段22保護(hù)層
221第一開222第二開口
24第三圖案化導(dǎo)電層26橋接共通線
GL柵極線DL數(shù)據(jù)線
DLl第一數(shù)據(jù)線DL2第二數(shù)據(jù)線
CL共通線CLl第一共通線
P像素區(qū)Pl第一像素區(qū)
P2第二像素區(qū)P3第三像素區(qū)
P4第四像素區(qū)CL2第二共通線
L長(zhǎng)軸S短軸
Xl第一交叉點(diǎn)X2第二交叉點(diǎn)
X3第三交叉點(diǎn)X4第四交叉點(diǎn)
Y 斷線缺陷
Cl 第一切斷處 C3 第三切斷處C2第二切斷處C4第四切斷處CR共通修補(bǔ)線段Z2第二連接點(diǎn)TA第四連接點(diǎn)
C5第五切斷處
Zl第一連接點(diǎn)
Z3第三連接點(diǎn)
PE像素電極
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例，并配合所附附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。請(qǐng)參考圖1至圖4。圖1至圖4示出了本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的陣 列基板的修補(bǔ)方法的示意圖，其中圖1與圖3以俯視圖的形式示出，圖2為沿圖1的剖線 A-A’、B-B’與C-C’所示出的剖面示意圖，圖4為沿圖3的剖線A_A’、B-B’與C-C’所示出 的剖面示意圖。在本發(fā)明中，顯示面板可為各種類型的液晶顯示面板。如圖1與圖2所示， 首先，提供一陣列基板(也稱為薄膜晶體管基板)10。陣列基板10包括一基板12、一第一 圖案化導(dǎo)電層14、一絕緣層16(圖1未示)、多個(gè)圖案化半導(dǎo)體層17、一第二圖案化導(dǎo)電層 18、多個(gè)修補(bǔ)線段20、一保護(hù)層22(圖1未示)與一第三圖案化導(dǎo)電層M。基板12可為一 透明基板，例如玻璃基板、石英基板或塑膠基板，但不以此為限。第一圖案化導(dǎo)電層14可為 一圖案化金屬層，其材料可為例如鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、銅或是上述金屬的合金。第一圖案化導(dǎo) 電層14設(shè)置于基板12上，且第一圖案化導(dǎo)電層14包括多條柵極線GL大體上彼此互相平 行設(shè)置，以及多個(gè)柵極14G分別與對(duì)應(yīng)的柵極線GL電性連接。絕緣層16，例如氧化硅層、氮 化硅層或氮氧化硅層，覆蓋于基板12以及第一圖案化導(dǎo)電層14上。圖案化半導(dǎo)體層17，例 如非晶硅層，設(shè)置于絕緣層16上并對(duì)應(yīng)柵極14G。第二圖案化導(dǎo)電層18可為一圖案化金 屬層，其材料可為例如鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、銅或是上述金屬的合金。第二圖案化導(dǎo)電層18設(shè) 置于基板12、絕緣層16與圖案化半導(dǎo)體層17上，且第二圖案化導(dǎo)電層18包括多條數(shù)據(jù)線 DL、多條共通線CL、多個(gè)源極18S與多個(gè)漏極18D。數(shù)據(jù)線DL大體上彼此互相平行設(shè)置，且 數(shù)據(jù)線DL與柵極線GL呈交叉設(shè)置并定義出多個(gè)像素區(qū)P。另外，各源極18S與各漏極18D 位于一對(duì)應(yīng)的柵極14G的上方并對(duì)應(yīng)于柵極14G的相對(duì)兩側(cè)，而形成一薄膜晶體管。數(shù)據(jù) 線DL包括一第一數(shù)據(jù)線DLl與一第二數(shù)據(jù)線DL2，且共通線CL包括一第一共通線CLl。像 素區(qū)P包括一第一像素區(qū)P1、一第二像素區(qū)P2與一第三像素區(qū)P3，其中第一像素區(qū)P1、第 二像素區(qū)P2與第三像素區(qū)P3位于第一數(shù)據(jù)線DLl的同一側(cè)，第一像素區(qū)Pl位于第二像素 區(qū)P2與第三像素區(qū)P3之間。精確地說，第一像素區(qū)P1、第二像素區(qū)P2與第三像素區(qū)P3位 于第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2之間，且第一像素區(qū)Pl受第一數(shù)據(jù)線DLl的驅(qū)動(dòng)，而 第二像素區(qū)P2與第三像素區(qū)P3則受第二數(shù)據(jù)線DL2的驅(qū)動(dòng)。此外，第一共通線CLl穿越 第一像素區(qū)P1、第二像素區(qū)P2與第三像素區(qū)P3。在本實(shí)施例中，陣列基板10選用一具有三柵型(tri-gate)像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示 面板的陣列基板為例說明本發(fā)明的修補(bǔ)方法，但本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法 并不以此為限，而可用于修補(bǔ)各種類型的液晶顯示面板的陣列基板。三柵型像素結(jié)構(gòu)是指 當(dāng)顯示面板的解析度為n*m，則數(shù)據(jù)線DL的數(shù)目為m，而柵極線GL的數(shù)目為3η，相較于具有單柵型(single-gate)像素結(jié)構(gòu)的顯示面板，具有三柵型像素結(jié)構(gòu)的顯示面板使用較多的 柵極線與較少的數(shù)據(jù)線，此一作法可減少高成本與高耗電的源極驅(qū)動(dòng)晶片的數(shù)量。此外，在 本實(shí)施例中，各像素區(qū)P為一長(zhǎng)方形區(qū)域，其具有一長(zhǎng)軸L與一短軸S，且柵極線GL大體上 平行于各像素區(qū)P的長(zhǎng)軸L，而數(shù)據(jù)線DL大體上平行于各像素區(qū)P的短軸S。在本實(shí)施例中，所有的共通線CL形成一彼此互相連接的網(wǎng)狀圖案，因此像素區(qū)P 另包括一第四像素區(qū)P4，其中第四像素區(qū)P4位于第一像素區(qū)Pl的一側(cè)并與第一像素區(qū)Pl 相鄰。精確地說，第四像素區(qū)P4位于第二數(shù)據(jù)線DL2相對(duì)于第一像素區(qū)Pl的另一側(cè)。共 通線CL另包括一第二共通線CL2位于第四像素區(qū)P4內(nèi)。此外，由于數(shù)據(jù)線DL與共通線CL 均為第二圖案化導(dǎo)電層18的一部分，因此位于數(shù)據(jù)線DL的相對(duì)兩側(cè)的第一共通線CLl與 第二共通線CL2利用由另一導(dǎo)電層所構(gòu)成的橋接共通線沈加以電性連接。修補(bǔ)線段20分別設(shè)置于各像素區(qū)P內(nèi)。在本實(shí)施例中，修補(bǔ)線段20為第一圖案 化導(dǎo)電層14的一部分，也即修補(bǔ)線段20與柵極線GL、柵極14G由相同的導(dǎo)電層所構(gòu)成，且 修補(bǔ)線段20與柵極線GL電性分離，但不以此為限。舉例而言，各修補(bǔ)線段20也可與對(duì)應(yīng) 的柵極線GL電性連接，或是修補(bǔ)線段20可不為第一圖案化導(dǎo)電層14的一部分，而由另一 層不同于第一圖案化導(dǎo)電層14與第二圖案化導(dǎo)電層18的導(dǎo)電層所構(gòu)成，例如修補(bǔ)線段20 可為第三圖案化導(dǎo)電層M的一部分。此外，在本實(shí)施例中，連接于同一條數(shù)據(jù)線DL且相鄰 的任兩薄膜晶體管分別用以驅(qū)動(dòng)位于該數(shù)據(jù)線DL的相對(duì)兩側(cè)的像素區(qū)P，但不以此為限。 舉例而言，連接于同一條數(shù)據(jù)線DL的所有薄膜晶體管可用以驅(qū)動(dòng)位于該數(shù)據(jù)線DL的同一 側(cè)的各像素區(qū)P。在本實(shí)施例中，第二像素區(qū)P2的修補(bǔ)線段20較佳可與第一數(shù)據(jù)線DL部分重疊而 形成一第一交叉點(diǎn)XI，以及與第一共通線CLl部分重疊而形成一第二交叉點(diǎn)X2，第三像素 區(qū)P3的修補(bǔ)線段20較佳可與第一數(shù)據(jù)線DLl部分重疊而形成一第三交叉點(diǎn)X3，以及與第 一共通線CLl部分重疊而形成一第四交叉點(diǎn)X4。借由上述交叉點(diǎn)的設(shè)計(jì)，有利于第一數(shù)據(jù) 線DLl的修補(bǔ)，關(guān)于此部分將于下文中詳述。保護(hù)層22位于第二圖案化導(dǎo)電層18上，且保護(hù)層22具有多個(gè)第一開口 221與多 個(gè)第二開口 222，其中各第一開口 221分別部分暴露出各漏極18D，而各第二開口 222則分 別部分暴露出部分共通線CL。第三圖案化導(dǎo)電層對(duì)可為一圖案化透明導(dǎo)電層，其材料可 為例如氧化銦錫或氧化銦鋅等。第三圖案化導(dǎo)電層M位于保護(hù)層22上，且第三圖案化導(dǎo) 電層M包括多個(gè)像素電極PE，分別位于各像素區(qū)P內(nèi)，并通過對(duì)應(yīng)的第一開口 221與漏極 18D電性連接。在本實(shí)施例中，用以連接相鄰的共通線CL的橋接共通線沈可為第三圖案化 導(dǎo)電層M的一部分，也即橋接共通線沈?yàn)橐煌该鳂蚪庸餐ň€，且經(jīng)由第二開口 222與對(duì)應(yīng) 的共通線CL電性連接。接著，對(duì)陣列基板10進(jìn)行一檢測(cè)工藝，以確認(rèn)陣列基板10是否具有缺陷，若無缺 陷存在則進(jìn)行后續(xù)工藝，若有缺陷存在則進(jìn)行后續(xù)修補(bǔ)工藝。值得說明的是，本發(fā)明的陣列 基板的修補(bǔ)方法主要是用以修補(bǔ)斷線缺陷，因此若檢測(cè)出的缺陷為斷線缺陷，則可直接進(jìn) 行本發(fā)明的修補(bǔ)方法，而若檢測(cè)出的缺陷為短路缺陷，則可先將短路缺陷先切斷為斷路缺 陷，再進(jìn)行本發(fā)明的修補(bǔ)方法。以下將位于第一像素區(qū)Pl的一側(cè)的第一數(shù)據(jù)線DLl被檢測(cè) 出一斷線缺陷Y的狀況為例，說明本發(fā)明的陣列基板的修補(bǔ)方法。如圖3與圖4所示，當(dāng)位于第一像素區(qū)Pl的一側(cè)的第一數(shù)據(jù)線DL被檢測(cè)出具有斷線缺陷Y，則進(jìn)行一修補(bǔ)工藝，其包括切割工藝與連接工藝兩步驟。進(jìn)行一切割工藝，于 第二像素區(qū)P2內(nèi)的第一共通線CLl形成一第一切斷處Cl，以及于第三像素區(qū)P3內(nèi)的第一 共通線CL形成一第二切斷處C2，此外，于橋接共通線沈形成一第三切斷處C3，以切斷第一 共通線CLl與第二共通線CL2之間的電性連接，以使第一切斷處Cl與第二切斷處C2之間 的第一共通線CLl形成一浮置的共通修補(bǔ)線段CR，也即共通修補(bǔ)線段CR與第一共通線CLl 以及第二共通線CL2電性分離。在本實(shí)施例中，切割工藝可為激光切割工藝，其可利用激光 光束形成切斷處，但不以此為限。另外，進(jìn)行一連接工藝，電性連接第二像素區(qū)P2的修補(bǔ)線 段20、第一數(shù)據(jù)線DLl與共通修補(bǔ)線段CR，以及電性連接第三像素區(qū)P3的修補(bǔ)線段20、第 一數(shù)據(jù)線DLl與共通修補(bǔ)線段CR。如前所述，由于各修補(bǔ)線段20均分別與數(shù)據(jù)線DL以及 共通線CL部分重疊，因此連接工藝可為激光熔接工藝，其可利用激光光束分別熔接位于第 一交叉點(diǎn)Xl的修補(bǔ)線段20與第一數(shù)據(jù)線DLl以形成一第一連接點(diǎn)Z1、位于第二交叉點(diǎn)X2 的修補(bǔ)線段20與第一共通線CLl以形成一第二連接點(diǎn)Z2、位于第三交叉點(diǎn)X3的修補(bǔ)線段 20與第一數(shù)據(jù)線DLl以形成一第三連接點(diǎn)Z3，以及位于第四交叉點(diǎn)X4的修補(bǔ)線段20與第 一共通線CLl以形成一第四連接點(diǎn)Z4。值得說明的是，在其它實(shí)施方式中，各修補(bǔ)線段20 并不限定于與數(shù)據(jù)線DL以及共通線CL部分重疊，且在此狀況下，連接工藝可為例如激光氣 相沉積工藝，其可沉積導(dǎo)電圖案以連接修補(bǔ)線段20與第一數(shù)據(jù)線DL1，以及連接修補(bǔ)線段 20與第一共通線CLl。借由上述修補(bǔ)方法，修補(bǔ)后的陣列基板10’即可發(fā)揮正常功能，并將修補(bǔ)后的陣列 基板10’與另一基板(圖未示)例如彩色濾光片基板組裝，并于兩基板之間填入液晶層(圖 未示)，即形成本實(shí)施例的顯示面板。在進(jìn)行完修補(bǔ)之后，共通修補(bǔ)線段CR即可作為第一數(shù) 據(jù)線DLl的替代線路(如圖3的箭頭所示)，據(jù)此當(dāng)進(jìn)行顯示時(shí)，第一數(shù)據(jù)線DLl的數(shù)據(jù)信 號(hào)可經(jīng)由共通修補(bǔ)線段CR形成的替代線路順利傳遞，而發(fā)揮正常顯示作用。本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法及修補(bǔ)后的顯示面板的陣列基板并不 以上述實(shí)施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的陣列基板的修 補(bǔ)方法及修補(bǔ)后的顯示面板陣列基板，且為了便于比較各實(shí)施例的相異處并簡(jiǎn)化說明，在 下文的各實(shí)施例中使用相同的符號(hào)標(biāo)注相同的元件，且主要針對(duì)各實(shí)施例的相異處進(jìn)行說 明，而不再對(duì)重復(fù)部分進(jìn)行贅述。請(qǐng)參考圖5至圖8。圖5至圖8示出了本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的陣列 基板的修補(bǔ)方法的示意圖，其中圖5與圖7以俯視圖形式示出，圖6為沿圖5的剖線A-A’、 B-B'與C-C’所示出的剖面示意圖，圖8為沿圖7的剖線A-A’、B-B’與C-C’所示出的剖面 示意圖。如圖5與圖6所示，提供一陣列基板10，且與第一優(yōu)選實(shí)施例不同之處在于，本實(shí) 施例的各修補(bǔ)線段20為第一圖案化導(dǎo)電層14的一部分，且分別與對(duì)應(yīng)的柵極線GL電性連 接。如圖7與圖8所示，在本實(shí)施例中，由于修補(bǔ)線段20與柵極線GL電性連接，因此除了 形成第一切斷處Cl、第二切斷處C2與第三切斷處C3之外，切割工藝另包括形成一第四切斷 處C4以切斷第二像素區(qū)P2的修補(bǔ)線段20與相對(duì)應(yīng)的柵極線GL之間的電性連接，以及形 成一第五切斷處C5以切斷第三像素區(qū)P3的修補(bǔ)線段20與相對(duì)應(yīng)的柵極線GL之間的電性 連接。同樣地，借由上述修補(bǔ)方法，即形成本實(shí)施例的修補(bǔ)后的陣列基板10’，其中在修 補(bǔ)后，共通修補(bǔ)線段CR即可作為第一數(shù)據(jù)線DLl的替代線路，據(jù)此當(dāng)進(jìn)行顯示時(shí)，第一數(shù)據(jù)線DLl的數(shù)據(jù)信號(hào)可經(jīng)由共通修補(bǔ)線段CR形成的替代線路順利傳遞，而發(fā)揮正常顯示作用。在上述兩實(shí)施例中，連接于同一條數(shù)據(jù)線DL且相鄰的任兩薄膜晶體管分別用以 驅(qū)動(dòng)位于該數(shù)據(jù)線DL的相對(duì)兩側(cè)的像素區(qū)P，且共通線CL形成彼此互相連接的網(wǎng)狀圖案， 但本發(fā)明的應(yīng)用并不以此為限。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D9與圖10。圖9與圖10示出了本發(fā)明的第三 優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法的示意圖。如圖9所示，首先，提供一陣列基 板10，且與前述第一優(yōu)選實(shí)施例與第二優(yōu)選實(shí)施例不同之處在于，在本實(shí)施例中，連接于同 一條數(shù)據(jù)線DL的所有薄膜晶體管用以驅(qū)動(dòng)位于該數(shù)據(jù)線DL的同一側(cè)的各像素區(qū)P。舉例 而言，用以驅(qū)動(dòng)第一像素區(qū)P1、第二像素區(qū)P2與第三像素區(qū)P3的三個(gè)薄膜晶體管均電性 連接于第一數(shù)據(jù)線DL1。此外，于各像素區(qū)P內(nèi)，共通線CL具有一 C形圖案，且位于同一行 的共通線CL在像素區(qū)P內(nèi)并未與位于相鄰行的共通線CL電性連接，但不以此為限。值得 說明的是，在本實(shí)施例中，各修補(bǔ)線段20為第一圖案化導(dǎo)電層14的一部分，且未與柵極線 GL電性連接(也即類似于第一實(shí)施例的作法)，但并不以此為限。例如，各修補(bǔ)線段20也 可分別與對(duì)應(yīng)的柵極線GL電性連接(也即類似于第二實(shí)施例的作法)。如圖10所示，當(dāng)位于第一像素區(qū)Pl的一側(cè)的第一數(shù)據(jù)線DL被檢測(cè)出具有斷線缺 陷Y，則進(jìn)行一修補(bǔ)工藝，其包括切割工藝與連接工藝兩步驟。進(jìn)行一切割工藝，于第二像素 區(qū)P2內(nèi)的第一共通線CLl形成一第一切斷處Cl，以及于第三像素區(qū)P3內(nèi)的第一共通線CL 形成一第二切斷處C2，以使第一切斷處Cl與第二切斷處C2之間的第一共通線CLl形成一 浮置的共通修補(bǔ)線段CR。在本實(shí)施例中，由于共通線CL并未形成網(wǎng)狀圖案，因此不需形成 第三切斷處。另外，進(jìn)行一連接工藝，電性連接第二像素區(qū)P2的修補(bǔ)線段20、第一數(shù)據(jù)線 DLl與共通修補(bǔ)線段CR，以及電性連接第三像素區(qū)P3的修補(bǔ)線段20、第一數(shù)據(jù)線DLl與共 通修補(bǔ)線段CR。借由上述修補(bǔ)方法，即形成本實(shí)施例的修補(bǔ)后的陣列基板10’，其中在修補(bǔ)后，共 通修補(bǔ)線段CR即可作為第一數(shù)據(jù)線DLl的替代線路，據(jù)此當(dāng)進(jìn)行顯示時(shí)，第一數(shù)據(jù)線DLl 的數(shù)據(jù)信號(hào)可經(jīng)由共通修補(bǔ)線段CR形成的替代線路順利傳遞，而發(fā)揮正常顯示作用。綜上所述，本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法是使用共通線的一部分作為 具斷線缺陷的數(shù)據(jù)線的替代線路，因此不會(huì)造成電阻電容負(fù)載增加，而可有效提升修補(bǔ)后 的顯示面板的顯示品質(zhì)。此外，由于不需于周邊區(qū)預(yù)留修補(bǔ)線路的布設(shè)空間，因此可實(shí)現(xiàn)窄 邊框的設(shè)計(jì)。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，包括提供一陣列基板，該陣列基板包括一基板；一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該基板上，該第一圖案化導(dǎo)電層包括多條柵極線；一第二圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該基板上，該第二圖案化導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線與多條 共通線，其中所述多條柵極線與所述多條數(shù)據(jù)線呈交叉設(shè)置并定義出多個(gè)像素區(qū)，所述多 條數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線，所述多條共通線包括一第一共通線，所述多個(gè)像素區(qū)包括一 第一像素區(qū)、一第二像素區(qū)與一第三像素區(qū)，該第一像素區(qū)、該第二像素區(qū)與該第三像素區(qū) 位于該第一數(shù)據(jù)線的同一側(cè)，該第一像素區(qū)位于該第二像素區(qū)與該第三像素區(qū)之間，該第 一共通線穿越該第一像素區(qū)、該第二像素區(qū)與該第三像素區(qū)，且該第一數(shù)據(jù)線具有一斷線 缺陷位于該第一像素區(qū)的一側(cè)；以及多個(gè)修補(bǔ)線段，設(shè)置于各該像素區(qū)內(nèi)；進(jìn)行一切割工藝，于該第二像素區(qū)內(nèi)的該第一共通線形成一第一切斷處，以及于該第 三像素區(qū)內(nèi)的該第一共通線形成一第二切斷處，以使該第一切斷處與該第二切斷處之間的 該第一共通線形成一浮置的共通修補(bǔ)線段；以及進(jìn)行一連接工藝，電性連接該第二像素區(qū)的該修補(bǔ)線段、該第一數(shù)據(jù)線與該共通修補(bǔ) 線段，以及電性連接該第三像素區(qū)的該修補(bǔ)線段、該第一數(shù)據(jù)線與該共通修補(bǔ)線段，以使得 該共通修補(bǔ)線段作為該第一數(shù)據(jù)線的一替代線路。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述多個(gè)像素區(qū)另包 括一第四像素區(qū)，該第四像素區(qū)與該第一像素區(qū)相鄰且未與該第一像素區(qū)共用該第一數(shù)據(jù) 線，所述多條共通線另包括一第二共通線位于該第四像素區(qū)內(nèi)，以及一橋接共通線電性連 接該第一像素區(qū)的該第一共通線與該第四像素區(qū)的該第二共通線，且該切割工藝另包括于 該橋接共通線形成一第三切斷處，以切斷該第一共通線與該第二共通線之間的電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中該橋接共通線包括一透 明橋接共通線。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述多個(gè)修補(bǔ)線段為該 第一圖案化導(dǎo)電層的一部分。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中各該修補(bǔ)線段與所述多 條柵極線的其中之一電性連接，且該切割工藝另包括形成一第四切斷處以切斷該第二像素 區(qū)的該修補(bǔ)線段與相對(duì)應(yīng)的該柵極線之間的電性連接，以及形成一第五切斷處以切斷該第 三像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與相對(duì)應(yīng)的該柵極線之間的電性連接。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中該切割工藝包括一激光 切割工藝。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中該第二像素區(qū)的該修補(bǔ) 線段與該第一數(shù)據(jù)線部分重疊而形成一第一交叉點(diǎn)，該第二像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與該第一 共通線部分重疊而形成一第二交叉點(diǎn)，該第三像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與該第一數(shù)據(jù)線部分重 疊而形成一第三交叉點(diǎn)，該第三像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與該第一共通線部分重疊而形成一第 四交叉點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中該連接工藝包括進(jìn)行一激光熔接工藝，以分別熔接位于該第一交叉點(diǎn)的該修補(bǔ)線段與該第一數(shù)據(jù)線以形成一第一 連接點(diǎn)、位于該第二交叉點(diǎn)的該修補(bǔ)線段與該第一共通線以形成一第二連接點(diǎn)、位于該第 三交叉點(diǎn)的該修補(bǔ)線段與該第一數(shù)據(jù)線以形成一第三連接點(diǎn)，以及位于該第四交叉點(diǎn)的該 修補(bǔ)線段與該第一共通線以形成一第四連接點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的陣列基板的修補(bǔ)方法，其中各該像素區(qū)為一長(zhǎng)方形 區(qū)域，其具有一長(zhǎng)軸與一短軸，且所述多條柵極線大體上平行于各該像素區(qū)的該長(zhǎng)軸。
10.一種顯示面板的陣列基板，包括一基板；一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該基板上，該第一圖案化導(dǎo)電層包括多條柵極線；一第二圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該基板上，該第二圖案化導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線與多條 共通線，其中所述多條柵極線與所述多條數(shù)據(jù)線呈交叉設(shè)置并定義出多個(gè)像素區(qū)，所述多 條數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線，所述多條共通線包括一第一共通線，所述多個(gè)像素區(qū)包括一 第一像素區(qū)、一第二像素區(qū)與一第三像素區(qū)，該第一像素區(qū)、該第二像素區(qū)與該第三像素區(qū) 位于該第一數(shù)據(jù)線的同一側(cè)，該第一像素區(qū)位于該第二像素區(qū)與該第三像素區(qū)之間，該第 一共通線穿越該第一像素區(qū)、該第二像素區(qū)與該第三像素區(qū)，且該第一數(shù)據(jù)線具有一斷線 缺陷位于該第一像素區(qū)的一側(cè)；以及多個(gè)修補(bǔ)線段，設(shè)置于各該像素區(qū)內(nèi)；其中該第一共通線具有一第一切斷處位于該第二像素區(qū)內(nèi)，以及一第二切斷處位于該 第三像素區(qū)內(nèi)，且該第一切斷處與該第二切斷處之間的該第一共通線形成一浮置的共通修 補(bǔ)線段；以及其中于該第二像素區(qū)內(nèi)，該第一數(shù)據(jù)線與該共通修補(bǔ)線段借由該修補(bǔ)線段電性連接， 于該第三像素區(qū)內(nèi)，該第一數(shù)據(jù)線與該共通修補(bǔ)線段借由該修補(bǔ)線段電性連接，借此使得 該共通修補(bǔ)線段形成該第一數(shù)據(jù)線的一替代線路。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示面板的陣列基板，其中所述多個(gè)像素區(qū)另包括一第四像 素區(qū)，該第四像素區(qū)與該第一像素區(qū)相鄰且未與該第一像素區(qū)共用該第一數(shù)據(jù)線，所述多 條共通線另包括一第二共通線位于該第四像素區(qū)內(nèi)，以及一橋接共通線連接該第一像素區(qū) 的該第一共通線與該第四像素區(qū)的該第二共通線，該橋接共通線另具有一第三切斷處切斷 該第一共通線與該第二共通線之間的電性連接。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示面板的陣列基板，其中該橋接共通線包括一透明橋接共 通線。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示面板的陣列基板，其中所述多個(gè)修補(bǔ)線段為該第一圖案 化導(dǎo)電層的一部分。
14.如權(quán)利要求10所述的顯示面板的陣列基板，其中該第二像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與 該第一數(shù)據(jù)線部分重疊而形成一第一連接點(diǎn)，該第二像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與該第一共通線 部分重疊而形成一第二連接點(diǎn)，該第三像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與該第一數(shù)據(jù)線部分重疊而形 成一第三連接點(diǎn)，該第三像素區(qū)的該修補(bǔ)線段與該第一共通線部分重疊而形成一第四連接點(diǎn)ο
15.如權(quán)利要求10所述的顯示面板的陣列基板，其中各該像素區(qū)為一長(zhǎng)方形區(qū)域，其 具有一長(zhǎng)軸與一短軸，且所述多條柵極線大體上平行于各該像素區(qū)的該長(zhǎng)軸。
全文摘要
一種顯示面板的陣列基板及其修補(bǔ)方法，該方法包括下列步驟。提供一陣列基板，其包括基板、柵極線、數(shù)據(jù)線、共通線與修補(bǔ)線段。柵極線與數(shù)據(jù)線呈交叉設(shè)置并定義出多個(gè)像素區(qū)，數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線，共通線包括一第一共通線。第一數(shù)據(jù)線具有一斷線缺陷。進(jìn)行一切割工藝，于第一共通線形成一第一切斷處與一第二切斷處，以使第一切斷處與第二切斷處之間的第一共通線形成一浮置的共通修補(bǔ)線段。進(jìn)行一連接工藝，電性連接修補(bǔ)線段、第一數(shù)據(jù)線與共通修補(bǔ)線段，以使得共通修補(bǔ)線段作為第一數(shù)據(jù)線的一替代線路。本發(fā)明可有效提升修補(bǔ)后的顯示面板的顯示品質(zhì)，并可實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102074503SQ20101051629
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者吳彥鋒 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司