專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明各實施方式涉及有機(jī)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)為自發(fā)光裝置，具有例如寬視角、優(yōu)異的對比度、快速響應(yīng)、 高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動電壓特性等優(yōu)點(diǎn)，并能夠提供多色圖像。OLED具有包括例如基板，以及依次堆疊在該基板上的陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā) 光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極。在此，HTL、EML和ETL可為例如由有機(jī)化合物形成 的有機(jī)薄膜。具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的操作原理如下。在對陽極和陰極施加電壓時，由陽極注入的空穴可通過HTL移動到EML ；且由陰極 注入的電子可通過ETL移動到EML?？昭ê碗娮訒贓ML再結(jié)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子由激 發(fā)態(tài)下降至基態(tài)時，會發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各實施方式涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置基本上克服了因 現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而造成的一個或多個問題。本發(fā)明實施方式的特點(diǎn)在于提供具有優(yōu)異的驅(qū)動電壓特性和優(yōu)異的功率效率特 性的有機(jī)發(fā)光裝置。以上和其他特征及優(yōu)點(diǎn)中的至少一個可通過提供有機(jī)發(fā)光裝置來實現(xiàn)，所述有機(jī) 發(fā)光裝置包括基板；在所述基板上的第一電極；第二電極；在所述第一電極和第二電極之 間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層；和包括含氰基的化合物的第一層，所述第一層在所述 第一電極和所述發(fā)光層之間，其中所述第一電極包括依次堆疊在所述基板上的Al類反射 層和透明導(dǎo)電層，所述Al類反射層包括第一元素和鎳(Ni)，且所述第一元素包括鑭(La)、 鈰(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩 (Tm)、鐿( )和镥(Lu)中的至少一種。所述第一電極可進(jìn)一步包括含第二元素的氧化鋅層，所述第二元素包括鋁(Al)、 銦an)、鎵(( )、鍺(Ge)、釓(Gd)、鋯⑶、銷(Mo)和鎳(Ni)中的至少一種。所述Al類反射層、所述透明導(dǎo)電層和所述含第二元素的氧化鋅層可以此順序依 次堆疊在所述基板上?；?00重量份的所述含第二元素的氧化鋅層，所述第二元素的含量可為約0. 5 至約10重量份。所述Al類反射層可包括La、Ni和Al。所述含氰基的化合物可包括由通式1至20表示的化合物中的任何一種通式1 通式2 通式權(quán)利要求
通式10 通式11 通式12
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括 基板；在所述基板上的第一電極； 第二電極；在所述第一電極和第二電極之間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層；和 包括含氰基的化合物的第一層，所述第一層在所述第一電極和所述發(fā)光層之間， 其中所述第一電極包括依次堆疊在所述基板上的Al類反射層和透明導(dǎo)電層，所述Al類反 射層包括第一元素和鎳，且所述第一元素包括鑭、鈰、鐠、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿和镥中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一電極進(jìn)一步包括含第二元素的 氧化鋅層，所述第二元素包括鋁、銦、鎵、鍺、釓、鋯、鉬和鎳中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層、所述透明導(dǎo)電層和所 述含第二元素的氧化鋅層以此順序依次堆疊在所述基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述含第二元素的氧 化鋅層，所述第二元素的含量為0. 5至10重量份。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層包括La、Ni和Al。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述含氰基的化合物包括由通式1至20 表示的化合物中的任何一種通式1 通式2 通式3
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中X1至\各自獨(dú)立地由通式30A或30D表
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中Rltl3為氫原子，鹵素原子，氰基，C1 C 的烷基，C1 Cltl的烷氧基，被鹵素原子、氰基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基、苯硫基和苯并苯硫 基中的至少一種取代的Ci Ci(i的烷基或Ci Ci(i的烷氧基，或者-N(Rici7) (R108)的一種，且 其中Rltl7和I^ltl8各自獨(dú)立地為氫原子、C1 Cltl的烷基、苯基或聯(lián)苯基。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中Rltll和Rltl2各自獨(dú)立地為氰基、
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中A1和A2均為-S-。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中( 1(ι1和( 1(ι2各自獨(dú)立地為亞乙基，亞丙 基，亞乙烯基，亞丙烯基，被鹵素原子、氰基、羥基中的至少一種取代的亞乙基，被鹵素原子、 氰基、羥基中的至少一種取代的亞丙基，被鹵素原子、氰基、羥基中的至少一種取代的亞乙 烯基，或被鹵素原子、氰基、羥基中的至少一種取代的亞丙烯基。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中T1和T2各自獨(dú)立地為苯，萘，蒽，噻吩， 噻重氮，噁二唑，或者為被鹵素原子、氰基、C1 Cltl的烷基和C1 Cltl的烷氧基中的至少一 種取代的苯、萘、蒽、噻吩、噻重氮或噁二唑。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中ρ為1。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中q為0、1或2。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中Lltll為亞苯硫基，苯并亞苯硫基，被鹵素原子、氰基和C1-的烷基中的至少-C10的烷基中的至少一種取代的亞苯硫基，和被鹵素原子、氰基和C1 C 4中取代的苯并亞苯硫基中的一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述含氰基的化合物為由以下通式IA 至20B中的任何一種表示的化合物
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一層進(jìn)一步包括空穴傳輸化合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸化合物包括由以下通式 41或42表示的化合物通式41
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中Ar1和Ar11各自獨(dú)立地為C1 Cltl的亞 烷基，亞苯基，亞萘基，亞蒽基，亞芴基，亞咔唑基，亞吡唑基，亞吡啶基，亞三嗪基，-N(Q1)-； 或者被鹵素原子、氰基、羥基、C1 Cltl的烷基、C1 Cltl的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至 少一種取代的C1 Cltl的亞烷基、亞苯基、亞萘基、亞蒽基、亞芴基、亞咔唑基、亞吡唑基、亞 吡啶基或亞三嗪基，其中A為氫原子，C1 Cltl的烷基，C1 Cltl的烷氧基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基， 用選自由鹵素原子、氰基、羥基、C1 Cltl的烷基、C1 Cltl的烷氧基、苯基、萘基和蒽基組成 的組中的至少一種取代基取代的C1 Cltl的烷基、Ci Cltl的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴 基或芘基，或-N(Q2) (Q3)中的一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中Ar2和Ar12各自獨(dú)立地為氫原子，C1 C10的烷基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，被 素原子、氰基、羥基、C1 Cltl的烷基、C1 C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一種取代的C1 Cltl的烷基、Ci Cltl的烷氧基、苯 基、萘基、咔唑基、芴基或芘基，或-N(A) 0 )，且其中A和A各自獨(dú)立地為氫原子、甲基、乙基、苯基、甲苯基、聯(lián)苯基、萘基或甲萘基。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中η和m各自獨(dú)立地為0、1、2、3、4、5或6。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述第一層，所述第一層中所述含氰基的化合物的含量為0. 1至20重量份。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一層具有10人至2100A的厚度。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一層和所述發(fā)光層之間的距離 為50人或更大。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中在所述第一層和所述發(fā)光層之間進(jìn)一 步包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層包括AlxNi相，且χ為 2. 5 3. 5 ο
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層包括AlxNi相并接觸 所述透明導(dǎo)電層，其中所述AlxNi相中χ為2. 5至3. 5。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中χ為3。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中在所述Al類反射層面向所述透明導(dǎo)電 層的表面上進(jìn)一步包括富鎳氧化物層。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述Al類反射層，所 述Al類反射層中鎳的含量為0. 6wt%至5wt%。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一元素包括鑭。
32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述Al類反射層，所 述Al類反射層中所述第一元素的含量為0. 至3wt%。
33.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫或氧化錫。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括基板；在所述基板上的第一電極；第二電極；在所述第一電極和第二電極之間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層；和包括含氰基的化合物的第一層，所述第一層在所述第一電極和所述發(fā)光層之間，其中所述第一電極包括依次堆疊在所述基板上的Al類反射層和透明導(dǎo)電層，所述Al類反射層包括第一元素和鎳(Ni)，且所述第一元素包括鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)和镥(Lu)中的至少一種。
文檔編號H01L51/50GK102097594SQ20101051307
公開日2011年6月15日 申請日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月12日
發(fā)明者千民承, 李寬熙, 金東憲, 金怠植, 金美更 申請人:三星移動顯示器株式會社