專利名稱：降低背溝道刻蝕型tft漏電率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT的制作，尤其涉及一種降低背溝道刻蝕型TFT漏電率的方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管TFT(Thin Film Transistor)液晶顯示器在現(xiàn)代生活中有著廣泛的應(yīng) 用，如手機(jī)顯示屏、電腦的顯示器、MP3、MP4顯示屏等等，其中顯示畫面均勻、高解析度、無(wú)竄 擾等是高品質(zhì)TFT-LCD的關(guān)鍵要求，而與此有關(guān)的是TFT的電性參數(shù)-漏電流(Ioff)，漏 電流是薄膜三極管TFT的一個(gè)重要電性參數(shù)，若其過(guò)大，則影響TFT的開(kāi)關(guān)特性，從而導(dǎo)致 TFT-IXD出現(xiàn)顯示不均、發(fā)白、竄擾等顯示類缺陷。針對(duì)于傳統(tǒng)的背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)的TFT而言，其漏電流相對(duì)于溝道保護(hù)型結(jié)構(gòu)的 要偏高，主要是與溝道保護(hù)型相比，其非晶硅的厚度偏厚，另外，在制造過(guò)程中，由于背溝道 刻蝕型TFT在溝道刻蝕中受到等離子的損傷，以及因暴露在后續(xù)制程中導(dǎo)致溝道內(nèi)有雜質(zhì) 污染，這些均會(huì)導(dǎo)致漏電流偏高。若能有效降低背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)TFT漏電流，可以較大幅 度的提高TFT-LCD的品質(zhì)，提高其競(jìng)爭(zhēng)力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種降低背溝道刻蝕 型TFT漏電流的方法，能夠有效降低背溝道刻蝕型TFT的漏電流。本發(fā)明提供的一種降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，在經(jīng)過(guò)溝道成型制程、 溝道區(qū)保護(hù)層制程后，在溝道區(qū)保護(hù)層上增設(shè)一附加保護(hù)層，所述附加保護(hù)層將TFT溝道
區(qū)覆蓋。其中，所述附加保護(hù)層圖形制作為涂布、曝光、顯影的方式。其中，所述附加保護(hù)層圖形制作也可以為涂布、激光照射、顯影的方式。其中，所述附加保護(hù)層圖形制作還可采用掩模蒸鍍或噴墨印刷的方式。優(yōu)選地，所述附加保護(hù)層的制作過(guò)程包括以狹縫涂布的方式在溝道區(qū)保護(hù)層上 涂布光刻膠，而后熱烘、曝光，再用進(jìn)行顯影，最后進(jìn)行后烘。優(yōu)選地，所述光刻膠為正性光刻膠，采用質(zhì)量百分比為2. 38%的TMAH進(jìn)行顯影。優(yōu)選地，所述光刻膠為負(fù)性光刻膠，采用質(zhì)量百分比為0. 4%的TMAH進(jìn)行顯影。優(yōu)選地，所述附加保護(hù)層所用材料為光刻膠。優(yōu)選地，所述溝道區(qū)保護(hù)層的材料選自SiNx或SiOx、SiNxOy中的任一種或者兩種 或兩種以上的組合。優(yōu)選地，所述附加保護(hù)層至少應(yīng)該保留到制程中所有種類的金屬薄膜制作完成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，由于在經(jīng)過(guò)溝道成型制程、 溝道區(qū)保護(hù)層制程后，在TFT溝道區(qū)保護(hù)層上增加一附加保護(hù)層，覆蓋TFT溝道區(qū)域，因此， 可以阻擋后續(xù)金屬類薄膜制作時(shí)一些導(dǎo)電粒子注入或擴(kuò)散進(jìn)入到TFT溝道上方的溝道區(qū)保護(hù)層中，避免引起“浮柵”效應(yīng)，從而有效降低TFT漏電流，能夠提高TFT-LCD的品質(zhì)，避 免出現(xiàn)顯示不均、發(fā)白、竄擾等顯示類缺陷。本發(fā)明提供的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的 方法，可使TFT-array (TFT陣列)漏電流降低約一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的基本構(gòu)思是，提供一種降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，在經(jīng)過(guò)溝 道成型制程、溝道區(qū)保護(hù)層制程后，在TFT的溝道區(qū)保護(hù)層上增加一附加保護(hù)層，用以阻擋 后續(xù)金屬類薄膜制作時(shí)一些導(dǎo)電粒子注入或擴(kuò)散進(jìn)入到TFT溝道上方的溝道區(qū)保護(hù)層中， 避免引起“浮柵”效應(yīng)，從而有效降低TFT漏電流。本發(fā)明的具體方法如下Si、背溝道刻蝕型TFT完成必要制程_溝道區(qū)形成并在溝道區(qū)覆蓋溝道區(qū)保護(hù) 層；S2、在溝道區(qū)保護(hù)層上再增設(shè)一附加保護(hù)層；其中，附加保護(hù)層的材料、圖形制作及位置說(shuō)明如下1)附加保護(hù)層的材料選用應(yīng)該至少具備如下條件①不會(huì)引入新的金屬粒子；②有利于附加保護(hù)層圖形的制作；③附加保護(hù)層材料應(yīng)在其圖形制作完成和金屬成膜之間的制程中不被刻蝕、溶解 等；除了滿足上述條件，附加保護(hù)層的材料還要根據(jù)不同的制作方法選擇不同的材 料，如采用涂布、曝光、顯影的方式或涂布、激光照射、顯影的方式時(shí)，可選用有機(jī)物如光刻 膠等材料，如采用掩模蒸鍍、噴墨印刷等方法時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的材料。2)附加保護(hù)層圖形的制作方法、位置及面積大?、俑郊颖Ｗo(hù)層圖形的制作方法；附加保護(hù)層圖形的制作方法可以為涂布、曝光、顯影；也可以采用涂布、激光照射、 顯影的方式，或者采用掩模蒸鍍、噴墨印刷等方法；當(dāng)然，在實(shí)際制作中并不限定于以上的制作方法。②附加保護(hù)層圖形的位置附加保護(hù)層圖形位置應(yīng)該位于溝道區(qū)保護(hù)層之上，且在TFT溝道的正上方；③附加保護(hù)層圖形的面積附加保護(hù)層圖形的面積應(yīng)該至少要大于溝道區(qū)的面積，即應(yīng)能夠覆蓋溝道區(qū)；3)附加保護(hù)層圖形的保留時(shí)間完成附加保護(hù)層的圖形制作后，其圖形應(yīng)該至少保留到整個(gè)TFT-array金屬薄膜 制作完成；也即在整個(gè)TFT-array金屬薄膜制作過(guò)程中，附加保護(hù)層一直不能去掉，在整個(gè) TFT-array金屬薄膜制作完成后，才可以去掉附加保護(hù)層或仍然保留之，這樣才能防止溝道 區(qū)上的溝道保護(hù)層內(nèi)受到金屬雜質(zhì)的污染。其中，金屬薄膜的作用不限于作為導(dǎo)電層、反射層等。以下通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法進(jìn)行詳 細(xì)說(shuō)明。
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實(shí)施例一本實(shí)施例中，采用先涂布、再曝光、顯影的方式來(lái)制作附加保護(hù)層圖形，具體如 下背溝道刻蝕型TFT完成必要制程_溝道區(qū)形成并在其上覆蓋溝道區(qū)保護(hù)層；而后 在溝道區(qū)上的溝道區(qū)保護(hù)層再增加一附加保護(hù)層，具體步驟為采用正性光刻膠以狹縫涂布的方式在溝道區(qū)保護(hù)層上涂布，之后熱烘、曝光，再用 質(zhì)量百分比濃度為2. 38%的TMAH(四甲基氫氧化氨)進(jìn)行顯影，最后進(jìn)行后烘，這樣就完成 附加保護(hù)層圖形的制作；本實(shí)施例中附加保護(hù)層圖形的面積與Island圖形的面積相同，從而將溝道區(qū)保 護(hù)層完全覆蓋。實(shí)施例二本實(shí)施例中，采用先涂布、再曝光、顯影的方式來(lái)制作附加保護(hù)層圖形，具體如 下背溝道刻蝕型TFT完成必要制程_溝道區(qū)形成并在其上覆蓋溝道區(qū)保護(hù)層；而后 在溝道區(qū)上的溝道區(qū)保護(hù)層再增加一附加保護(hù)層，具體步驟為采用負(fù)性光刻膠以狹縫涂布的方式在溝道區(qū)保護(hù)層上涂布，之后熱烘、曝光，再用 質(zhì)量百分比濃度為0. 4%的TMAH(四甲基氫氧化氨)進(jìn)行顯影，最后進(jìn)行后烘，這樣就完成 附加保護(hù)層圖形的制作；本實(shí)施例中附加保護(hù)層圖形的面積與Island圖形的面積相同，從而將溝道區(qū)保
護(hù)層完全覆蓋。由上述實(shí)施例可見(jiàn)，本發(fā)明提供的一種降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，由 于在經(jīng)過(guò)溝道成型制程、溝道區(qū)保護(hù)層制程后，在TFT溝道區(qū)保護(hù)層上增加一附加保護(hù)層， 覆蓋TFT溝道區(qū)域，因此，可以阻擋后續(xù)金屬類薄膜制作時(shí)一些導(dǎo)電粒子注入或擴(kuò)散進(jìn)入 到TFT溝道上方的溝道區(qū)保護(hù)層中，避免引起“浮柵”效應(yīng)，從而有效降低TFT漏電流，本發(fā) 明提供的制作方法，可使TFT-array漏電流降低約一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。采用本發(fā)明背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，不會(huì)影響TFT的開(kāi)關(guān)特性，避免 TFT-IXD出現(xiàn)顯示不均、發(fā)白、竄擾等顯示類缺陷。以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出的是，上述優(yōu)選實(shí)施方式不應(yīng)視為對(duì) 本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改 進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，在經(jīng)過(guò)溝道成型制程、溝道 區(qū)保護(hù)層制程后，在溝道區(qū)保護(hù)層上增設(shè)一附加保護(hù)層，所述附加保護(hù)層將TFT溝道區(qū)覆蓋，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述附加 保護(hù)層的圖形制作包括涂布、曝光、顯影的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述附加 保護(hù)層的圖形制作包括涂布、激光照射、顯影的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述附加 保護(hù)層的圖形制作采用掩模蒸鍍或噴墨印刷的方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述附 加保護(hù)層的制作過(guò)程包括以狹縫涂布的方式在溝道區(qū)保護(hù)層上涂布光刻膠，而后熱烘、曝 光，再進(jìn)行顯影，最后進(jìn)行后烘。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述光刻 膠為正性光刻膠，采用質(zhì)量百分比為2. 38%的TMAH進(jìn)行顯影。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述光刻 膠為負(fù)性光刻膠，采用質(zhì)量百分比為0. 4%的TMAH進(jìn)行顯影。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述附加 保護(hù)層所用材料為光刻膠。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述溝道 區(qū)保護(hù)層的材料選自SiNx、Si0x、SiNxOy中的任一種或兩種或兩種以上的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，其特征在于，所述附 加保護(hù)層至少應(yīng)該保留到制程中所有種類的金屬薄膜制作完成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種降低背溝道刻蝕型TFT漏電流的方法，在經(jīng)過(guò)溝道成型制程、溝道區(qū)保護(hù)層制程后，在溝道區(qū)保護(hù)層上增設(shè)一附加保護(hù)層，所述附加保護(hù)層將TFT溝道區(qū)覆蓋。本發(fā)明由于在經(jīng)過(guò)溝道成型制程、溝道區(qū)保護(hù)層制程后，在TFT的溝道區(qū)保護(hù)層上增加一附加保護(hù)層，覆蓋TFT溝道區(qū)域，因此，可以阻擋后續(xù)金屬類薄膜制作時(shí)一些導(dǎo)電粒子注入或擴(kuò)散進(jìn)入到TFT溝道上方的溝道區(qū)保護(hù)層中，避免引起“浮柵”效應(yīng)，從而有效降低TFT漏電流，本發(fā)明提供的制作方法，可使TFT-array漏電流降低約一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。
文檔編號(hào)H01L21/312GK102005389SQ201010509490
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者于春崎, 何基強(qiáng), 何瑞鋤, 王文偉, 覃事建, 謝凡, 郝付潑 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司