技術(shù)編號：6818247
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及TFT的制作，尤其涉及一種降低背溝道刻蝕型TFT漏電率的方法。 背景技術(shù)薄膜晶體管TFT(Thin Film Transistor)液晶顯示器在現(xiàn)代生活中有著廣泛的應(yīng) 用，如手機顯示屏、電腦的顯示器、MP3、MP4顯示屏等等，其中顯示畫面均勻、高解析度、無竄 擾等是高品質(zhì)TFT-LCD的關(guān)鍵要求，而與此有關(guān)的是TFT的電性參數(shù)-漏電流(Ioff)，漏 電流是薄膜三極管TFT的一個重要電性參數(shù)，若其過大，則影響TFT的開關(guān)特性，從而導(dǎo)致 TFT-I...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。