薄膜晶體管陣列基板、發(fā)光面板及其制造方法和電子設備的制作方法

文檔序號：6953831閱讀：174來源：國知局

專利名稱：薄膜晶體管陣列基板、發(fā)光面板及其制造方法和電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管陣列基板、發(fā)光面板及其制造方法和電子設備。
背景技術：
近年來，作為便攜式電話機或便攜式音樂播放器等電子設備的顯示裝置，廣為人知的有應用如下顯示面板的裝置將有機電致發(fā)光元件(下面，簡稱為“有機EL元件”)等發(fā)光元件二維排列的顯示面板(發(fā)光元件型顯示面板)。特別是，在應用有源矩陣驅(qū)動方式的發(fā)光元件型顯示面板中，與廣泛普及的液晶顯示裝置相比，具有能夠?qū)崿F(xiàn)如下性質(zhì)的優(yōu)點顯示響應速度快，視場角依賴性小，并且，高亮度、高對比度化，顯示像質(zhì)的高精細化等。此外，發(fā)光元件型顯示面板不像液晶顯示裝置那樣需要背光或?qū)Ч獍?，所以具有能夠進一步實現(xiàn)薄型、輕量化的優(yōu)點。在這樣的顯示面板中，在試圖得到像質(zhì)的高精細化或大畫面化的情況下，來自驅(qū) 動器的布線長度根據(jù)具有發(fā)光元件的像素的配置位置而不同，所以信號延遲或電壓降低顯著。為了解決這樣的問題，必須要在上述顯示面板中使用低電阻的布線結(jié)構。例如，在日本特開2009-116206號公報中，記載了如下技術內(nèi)容在具備有機EL元件的多個像素排列的有機EL面板中，通過將鋁單體或鋁合金用作電源線的布線材料，能夠降低布線電阻。在此，眾所周知，例如，有機EL元件具有在玻璃基板等的一面?zhèn)纫来螌盈B了正極 (陽極)、有機EL層(發(fā)光功能層)、負極(陰極)的元件結(jié)構。此外，通過以使得有機EL 層超過發(fā)光閾值的方式在正極和負極之間施加電壓，利用在有機EL層內(nèi)注入的空穴和電子復合時所產(chǎn)生的能量來發(fā)射光(激勵光)。(參照日本特開2009-116206號公報)在采用了上述那樣的有源矩陣驅(qū)動方式的顯示面板中，各像素除了具有發(fā)光元件之外，還需要具備作為開關元件的薄膜晶體管(TFT)等電路元件。這樣的電路元件是通過多次的成膜、構圖工序，在基板上層疊形成導電層、絕緣膜來構成的。此時，需要基板非常干凈。但是，成膜、構圖工序越多，基板上越容易生成微粒(微小的異物)，所以通過殘留的微粒，正極和負極短路，發(fā)生點缺陷，制造合格率降低(不合格率上升)。即，若比較液晶元件結(jié)構和有機EL元件結(jié)構，則由于有機EL元件中的發(fā)光功能層遠比液晶元件中的液晶層薄，所以產(chǎn)生微粒的點缺陷的概率變高。此外，如上所述，想要實現(xiàn)顯示面板的像質(zhì)的高精細化和大畫面化的情況下，微粒的影響相對變大。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實施方式所示內(nèi)容，薄膜晶體管陣列基板具有基板、形成在基板上的薄膜晶體管和配設在上述基板上的布線。上述布線用于施加電壓，該電壓用于驅(qū)動包含上述薄膜晶體管的電路。上述布線的表面的至少一部分由陽極氧化膜構成。根據(jù)實施方式的另一內(nèi)容，發(fā)光面板具備基板；形成在上述基板上的發(fā)光元件；用于驅(qū)動上述發(fā)光元件的薄膜晶體管；以及布線，被上述薄膜晶體管施加了用于驅(qū)動上述發(fā)光元件的電壓。上述布線的表面的至少一部分由陽極氧化膜構成。根據(jù)實施方式的另一內(nèi)容的發(fā)光面板的制造方法，該發(fā)光面板在基板上配設了多個像素，該多個像素至少具有發(fā)光元件和用于驅(qū)動該發(fā)光元件的薄膜晶體管，該制造方法具備形成布線的工序，該布線上被施加用于驅(qū)動上述發(fā)光元件的電壓；以及通過陽極氧化處理形成上述布線的各個表面的至少一部分的工序。本發(fā)明的優(yōu)點將在下面說明中進行闡述，或者通過實施本發(fā)明來體會到。本發(fā)明的優(yōu)點能夠通過下面指出的各種手段來實現(xiàn)和得到。

附圖構成說明書的一部分，用于舉例說明本發(fā)明，并且與上面的說明以及下面給出的各個實施例的說明一起用于接觸本發(fā)明的原理。通過下面的詳細說明和附圖，能夠充分理解本發(fā)明，但這些僅僅用于說明，而不限定本發(fā)明的范圍。在此，圖1A、圖IB是示出應用了實施方式的薄膜晶體管陣列基板的顯示面板的例子的示意平面圖。圖2是示出實施方式的顯示面板中的像素的排列狀態(tài)和布線層的配設狀態(tài)的一例的示意平面圖。圖3是示出實施方式的顯示面板上排列的各像素的電路結(jié)構例的等價電路圖。圖4是示出能夠應用于實施方式中的像素的一例的平面布局圖。圖5A、圖5B是實施方式的像素的主要部分放大圖。圖6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B是實施方式的顯示面板的主要部分截面圖。圖 10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B 是示出實施方式
的顯示面板的制造方法的工序截面圖。圖15A、15B是示出作為比較對象的顯示面板的一例的主要部分截面圖。圖16A、16B、16C、17A、17B是示出作為比較對象的顯示面板的制造方法的工序截面圖。圖18是示出實施方式的顯示面板上排列的像素的其他電路結(jié)構例的等價電路圖。圖19是示出能夠用于實施方式中的像素的其他例子的平面布局圖。圖20A、20B是示出實施方式的應用例的數(shù)字攝像機的結(jié)構的立體圖。圖21是示出實施方式的應用例的便攜式個人計算機的結(jié)構的立體圖。圖22是示出實施方式的應用例的便攜式電話機的結(jié)構的圖。
具體實施例方式下面，示出實施方式來詳細說明的實施方式的薄膜晶體管陣列基板、發(fā)光面板及其制造方法和電子設備。首先，對應用了實施方式的薄膜晶體管陣列基板的發(fā)光面板及其制造方法進行說明。在此，作為應用了實施方式的薄膜晶體管陣列基板的發(fā)光面板，示出排列了具備有機EL元件的多個像素的顯示面板來進行說明。(發(fā)光面板)圖1A、圖IB是示出應用了實施方式的薄膜晶體管陣列基板的顯示面板的例子的示意平面圖。圖IA是示出顯示面板的第一例的示意平面圖，圖IB是示出顯示面板的第二例的示意平面圖。此外，圖2是示出圖IB所示的顯示面板中的像素的排列狀態(tài)及布線層的配設狀態(tài)的一例的示意平面圖。在此，在圖1所示的平面圖中，為了便于說明，只示出了如下構件和內(nèi)容從顯示面板的一面?zhèn)?基板的有機EL元件的形成面?zhèn)?觀察的、顯示區(qū)域中的各像素的像素電極；在用于劃分各像素(或發(fā)光元件)的形成區(qū)域的隔壁層上所設置的開口部；以及在顯示區(qū)域外的周邊區(qū)域上所設置的外部連接用的端子焊盤(pad)的配置。此外，在圖2所示的平面圖中，只示出了各像素的像素電極和各布線層之間的配置關系，省略了在發(fā)光驅(qū)動電路(參照后述的圖幻上所設置的晶體管等的顯示，該發(fā)光驅(qū)動電路用于對各像素的有機 EL元件(發(fā)光元件)進行發(fā)光驅(qū)動。此外，在圖1A、1B、2中，為了明確示出像素電極及各布線層、端子焊盤、隔壁層等的配置和被覆(覆蓋)狀態(tài)，為了方便起見，施加陰影線來示出。例如圖1A、1B、2中所示，應用了實施方式的薄膜晶體管陣列基板的顯示面板(發(fā) 光面板)10，在玻璃基板等透明的基板11的一面?zhèn)?紙面的前方)，設有顯示區(qū)域20及其周圍的周邊區(qū)域30。在顯示區(qū)域20上，多個像素PIX沿著行方向(圖面的左右方向)和列方向(圖面的上下方向)矩陣狀地排列。在此，例如圖2所示，在各像素PIX上所設置的顯示電極14的周圍，沿著列方向配設有數(shù)據(jù)線Ld。此外，在與該數(shù)據(jù)線Ld正交的行方向上，配設有選擇線Ls和電源電壓線 (例如正極線)La。在選擇線Ls的一個端部設有端子焊盤PLs，在電源電壓線La的一個端部設有端子焊盤PLa。此外，在數(shù)據(jù)線Ld的一個端部，設有省略圖示的端子焊盤。此外，在顯示面板10上，由單一電極層(整面電極)構成的對置電極(例如，負極)形成為共同地與排列在基板11上的多個像素電極14對置，這一點將在后面詳述。此外，如圖1A、IB所示，在顯示面板10的顯示區(qū)域20上，至少在包含各像素PIX 的顯示電極14相互的邊界區(qū)域的區(qū)域設有隔壁層17。換言之，在形成于包含顯示區(qū)域20 的區(qū)域上的隔壁層17上，設有至少露出各像素PIX的像素電極14的開口部。將被該隔壁層17包圍、露出像素電極(例如正極)14的區(qū)域劃分為用于形成各像素PIX的有機EL像素(發(fā)光元件)的EL元件形成區(qū)域(參照后述的圖4)。此外，將包含該EL元件形成區(qū)域及其周圍的邊界區(qū)域的隔壁層17的區(qū)域劃分為各像素PIX的像素形成區(qū)域(參照后述的圖4)。另一方面，在顯示面板10的周邊區(qū)域30的規(guī)定位置配置有與選擇線Ls或電源電壓線La連接的端子焊盤PLs、PLa,與數(shù)據(jù)線Ld連接的端子焊盤(未圖示)，以及連接了對置電極(例如負極)的接觸電極Ecc。各端子焊盤PLs、PLa(包含與數(shù)據(jù)線Ld連接的端子焊盤)，例如與省略圖示的顯示面板外部的撓性基板或驅(qū)動用的驅(qū)動器IC等電連接，被供給規(guī)定的驅(qū)動信號或驅(qū)動電壓。此外，在圖1A、1B所示的顯示面板10中，作為配置在周邊區(qū)域30上的端子焊盤PLs、PLa以及接觸電極Ecc，具有不同的結(jié)構。將在后面說明它們的具體結(jié)構(參照圖8A、8B、9A、9B)，也可以應用實施方式的顯示面板10中的任一種結(jié)構。
(像素)圖3是示出本實施方式的顯示面板上排列的各像素(發(fā)光元件和發(fā)光驅(qū)動電路) 的電路結(jié)構例的等價電路圖。例如，如圖3所示，像素PIX具備發(fā)光驅(qū)動電路DC和有機EL元件(發(fā)光元件)OEL0 發(fā)光驅(qū)動電路DC具有具備1至多個晶體管(例如非晶硅薄膜晶體管等)的電路結(jié)構。此外，有機EL元件OEL通過被供給由發(fā)光驅(qū)動電路DC控制的發(fā)光驅(qū)動電流來進行發(fā)光動作。具體而言，例如，如圖3所示，發(fā)光驅(qū)動電路DC具備晶體管Trll、晶體管(驅(qū)動晶體管)Trl2以及電容器Cs。晶體管Trll的柵極端子經(jīng)由觸點N14與選擇線Ls連接，漏極端子經(jīng)由觸點N13與數(shù)據(jù)線Ld連接，源極端子與觸點Nll連接。晶體管Trl2的柵極端子與觸點Nll連接，漏極端子經(jīng)由觸點N15與電源電壓線La連接，源極端子與觸點N12連接。電容器Cs被連接在晶體管Trl2的柵極端子(觸點mi)和源極端子(觸點之間。在此，晶體管Tr 11、Tr 12均應用η溝道型薄膜晶體管。若晶體管Tr 11、Tr 12為ρ 溝道型，則源極端子和漏極端子變?yōu)橄喾础４送?，電容器Cs是在晶體管Trl2的柵源之間形成的寄生電容，或者是附加在該柵源之間的輔助電容或由這些寄生電容和輔助電容構成的電容成分。此外，有機EL元件OEL的正極(作為正極的像素電極14)與上述發(fā)光驅(qū)動電路DC 的觸點N12連接，負極(作為負極的對置電極16，參照后述的圖6A、6B)與接觸電極Ecc連接，例如直接或間接地連接在規(guī)定的低電位電源上。因此，對于排列在基板11上的多個像素電極14，通過將作為負極的對置電極16由共同對置的單一的電極層(整面電極)來構成，例如對所有的像素PIX(有機EL元件0EL)共同地施加規(guī)定的低電壓(基準電壓Vsc，例如接地電位Vgnd)。此外，在圖3所示的像素PIX (發(fā)光驅(qū)動電路DC及有機EL元件0EL)中，選擇線Ls 經(jīng)由圖1A、1B、2所示的端子焊盤PLs而與省略了圖示的選擇驅(qū)動器連接。選擇驅(qū)動器向選擇線Ls施加選擇電壓Vsel，該選擇電壓Vsel用于在規(guī)定的定時將像素PIX設定為選擇狀態(tài)。此外，數(shù)據(jù)線Ld經(jīng)由省略了圖示的連接焊盤，與數(shù)據(jù)驅(qū)動器連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動器在與上述像素PIX的選擇狀態(tài)同步的定時，向數(shù)據(jù)線Ld施加與圖像數(shù)據(jù)對應的灰度等級電壓Vdata。此外，電源電壓線La經(jīng)由圖1A、1B、2所示的端子焊盤PLa，例如直接或間接地與規(guī) 定的高電位電源連接。在此，在電源電壓線La上被施加規(guī)定的高電壓(電源電壓Vsa)，該規(guī)定的高電壓能夠使得在設在各像素PIX上的有機EL元件OEL的像素電極(正極)14上流過與圖像數(shù)據(jù)對應的發(fā)光驅(qū)動電流。該高電壓被設定為電位比被施加到有機EL元件OEL 的對置電極16上的基準電壓Vsc高的電壓。此外，具有這樣的電路結(jié)構的像素PIX中的驅(qū)動控制動作，首先在規(guī)定的選擇期間，從省略圖示的選擇驅(qū)動器對選擇線Ls施加選擇電平(例如高電平)的選擇電壓Vsel。由此，設在發(fā)光驅(qū)動電路DC上的晶體管Trll進行導通動作，像素PIX被設定為選擇狀態(tài)。與該定時同步地，從省略圖示的數(shù)據(jù)驅(qū)動器向數(shù)據(jù)線Ld施加與圖像數(shù)據(jù)對應的灰度等級電壓Vdata。由此，觸點N11(S卩，晶體管Trl2的柵極端子)經(jīng)由晶體管Trll而與數(shù)據(jù)線 Ld連接，觸點Nll上被施加與灰度等級電壓Vdata對應的電位。在此，晶體管Trl2的漏源之間的電流(即，在有機EL元件OEL中流過的發(fā)光驅(qū)動電流)的電流值是根據(jù)漏源之間的電位差和柵源之間的電位差來決定的。即，在圖3所示的發(fā)光驅(qū)動電路DC中，能夠利用灰度等級電壓Vdata來控制在晶體管Trl2的漏源之間流過的電流的電流值。因此，晶體管Tr 12在對應于觸點Nll的電位(即，灰度等級電壓Vdata)的導通狀態(tài)下進行導通動作，從高電位側(cè)的電源電壓Vsa，經(jīng)由晶體管Trl2和有機EL元件OEL向低電位側(cè)的基準電壓Vsc (接地電位Vgnd)流過具有規(guī)定的電流值的發(fā)光驅(qū)動電流。由此，有機EL元件OEL按照與灰度等級電壓Vdata (即圖像數(shù)據(jù))對應的亮度等級進行發(fā)光動作。此外，此時，根據(jù)被施加到觸點Nll上的灰度等級電壓Vdada，在晶體管Trl2的柵源之間的電容器Cs上蓄積電荷(充電)。接著，在上述選擇期間結(jié)束之后的非選擇期間，從選擇驅(qū)動器向選擇線Ls施加非選擇電平(截止電平例如低電平)的選擇電壓Vsel。從而，發(fā)光驅(qū)動電路DC的晶體管 Trll進行截止動作而被設定為非選擇狀態(tài)，數(shù)據(jù)線Ld和觸點Nll被電切斷。此時，在上述電容器Cs中蓄積的電荷被保持，從而晶體管Trl2的柵源之間的電位差被保持，晶體管Trl2 的柵極端子(觸點mi)上被施加與灰度等級電壓Vdata相當?shù)碾妷?。因此，與上述選擇狀態(tài)同樣，從電源電壓Vsa經(jīng)由晶體管Trl2向有機EL元件OEL 流過與發(fā)光動作狀態(tài)相同程度的電流值的發(fā)光驅(qū)動電流，發(fā)光動作狀態(tài)持續(xù)。由于被寫入與下一圖像數(shù)據(jù)對應的灰度等級電壓Vdata，該發(fā)光動作狀態(tài)例如被控制成持續(xù)1幀期間。此外，通過對在顯示面板10上二維排列的所有的像素PIX，按各行依次執(zhí)行上述的驅(qū)動控制動作，執(zhí)行顯示所希望的圖像信息的動作。(像素的設備結(jié)構)接著，對具有上述那樣的電路結(jié)構的像素(發(fā)光驅(qū)動電路及有機EL元件)的具體器件結(jié)構(平面布局和截面結(jié)構)進行說明。在此，示出具有將在有機EL層中發(fā)光的光經(jīng) 由基板向視場側(cè)(基板的另一面?zhèn)?射出的底部發(fā)射型發(fā)光結(jié)構的有機EL顯示面板。
圖4是示出能夠應用于本實施方式中的像素的一例的平面布局圖。此外，圖5A、5B 是本實施方式的像素的主要部分放大圖。此外，在圖4、5A、5B中，以形成有圖3所示的發(fā)光驅(qū)動電路DC的各晶體管和布線等的層為中心示出，為了明確示出各晶體管的電極和各布線層、像素電極，為了方便起見，施加陰影線來示出。此外，圖6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B是本實施方式的顯示面板的主要部分截面圖。在此，圖6A、6B分別是示出具有圖4所示的平面布局的圖像中的VIA-VIA線(本說明書中，為了方便起見，作為與圖4中所示的羅馬數(shù)字“6”對應的記號，使用“VI”，以下同)、以及沿著VIB-VIB線的截面的示意截面圖。此外，圖7A、7B、7C、7D分別是示出圖5A、5B 中所示的主要部分平面布局中的沿著VIIC-VIIC線(本說明書中，作為與圖5A、5B中所示的羅馬數(shù)據(jù)“7”對應的記號，為了方便起見采用“VII”，以下同)、VIID-VIID線、VIIE-VIIE 線、VIIF-VIIF線的截面的示意截面圖。圖8A、8B分別是示出具有圖1A、1B中所示的平面布局的顯示面板中的沿著VIIIG-VIIIG線(在本說明書中，作為圖1A、1B中所示的羅馬數(shù)字 “8”對應的記號，為了方便起見采用“VIII”，以下同)的截面的示意截面圖。圖9A、9B分別是示出具有圖1A、1B中所示的平面布局的顯示面板中的沿著IXH-IXH線(在本說明書中，作為圖1A、1B中所示的羅馬數(shù)字“9”對應的記號，為了方便起見采用“IX”，以下同)的截面的示意截面圖。具體而言，如圖6A、6B所示，圖4所示的像素PIX被設置在每個像素形成區(qū)域Rpx中，該像素形成區(qū)域Rpx被設定在基板11的一面?zhèn)?圖面上面?zhèn)?。在該像素形成區(qū)域Rpx 中，至少設定有機EL元件OEL的形成區(qū)域(EL元件形成區(qū)域)Rel和鄰接的像素PIX之間的邊界區(qū)域。在圖4所示的像素形成區(qū)域Rpx的圖面上方和下方的邊緣區(qū)域，分別在行方向 (圖面左右方向)上延伸地配設有選擇線Ls和電源電壓線La。另一方面，在顯示形成區(qū)域 Rpx的圖面右方的邊緣區(qū)域，與選擇線Ls及電源電壓線La垂直地在列方向(圖面上下方向)上延伸配設有數(shù)據(jù)線Ld。此外，在像素形成區(qū)域Rpx的上下及左右的邊緣區(qū)域設定的邊界區(qū)域，跨沿上下及左右方向鄰接排列的像素Pix的像素形成區(qū)域Rpx，如圖4、6A、6B所示，形成有隔壁層 17。并且，被隔壁層17的側(cè)壁17e包圍四方、像素電極14露出的區(qū)域被劃分為EL像素形成區(qū)域Rel。如圖4、5A、5B、6A、6B、7A所示，數(shù)據(jù)線Ld被設置在選擇線Ls和電源電壓線La的下層側(cè)(基板11側(cè))。通過對用于形成晶體管Trll、Trl2的柵電極Trllg、Trl2g的柵金屬層進行構圖，數(shù)據(jù)線Ld和該柵電極Trllg、Trl2g在同一工序中形成。如圖4、7A所示，數(shù) 據(jù)線Ld經(jīng)由在其上被覆成膜的柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔CH3 (與觸點N13相當)，與晶體管Trll的漏電極Trlld連接。在此，如圖6A、7A所示，在數(shù)據(jù)線Ld與對置電極16 之間設有柵極絕緣膜12、絕緣膜13和隔壁層17，所以能夠減少寄生電容，能夠抑制向數(shù)據(jù) 線Ld供給的信號(灰度等級電壓Vdata)的延遲。此外，例如圖4、5A、5B、6A、6B、7B、7D所示，選擇線Ls和電源電壓線La被設置在晶體管Trll、Trl2的源電極Trlls、Trl2s及漏電極Trlld、Trl2d的上層側(cè)。選擇線Ls和電源電壓線La例如由含有幾重量％的1 2種高熔點金屬或稀土類元素的鋁合金材料形成。特別是，在本實施方式中，例如圖6B、7D所示，至少電源電壓線La的表層被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆并絕緣。此外，在本實施方式中，例如圖6B、7B所示，選擇線Ls也具有其表層被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆并絕緣的面板結(jié)構。此外，如圖4、5A、7B所示，選擇線Ls經(jīng)由在下層的絕緣膜13上所設置的接觸孔 CH4a，與中間層Lm連接。中間層Lm還經(jīng)由在下層的柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔CHb，與晶體管Trll的柵電極Trllg電連接。中間層Lm具有層疊了構成后述的晶體管Trll、 Trl2的源/漏金屬層SD、及構成有機EL元件OEL的透明電極層ITO的結(jié)構。此外，在中間層Lm的下層設有半導體層SMC和雜質(zhì)層OHM。此外，如圖4、5B、7D所示，電源電壓線La經(jīng) 由在下層的絕緣膜13上所設置的接觸孔CH5，與晶體管Trl2的漏電極Trl2d電連接。在此，形成上述的選擇線Ls和電源電壓線La的鋁合金中包含的高熔點金屬，例如能夠良好地應用鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋯(&)、鎢(W)、鉬(Mo)等。具體而言，作為選擇線Ls 和電源電壓線La的布線材料，能夠應用Al-Ti (0. 5% 1. 5% )、Al-Ta(1. O% 2. 0% )、 Al-Zr (0. 5% 3% )、A1_W(1· 0% 2. 0% ) ,Al-Mo (0. 5%~ 1. 5% )等鋁合金。上述括弧內(nèi)的數(shù)字表示鋁合金中包含的各高熔點金屬的重量％。此外，能夠良好地應用形成選擇線 Ls和電源電壓線La的鋁合金中所含的稀土類元素，例如釹(Nd)、釓(Gd)、鈧(Sc)等。具體而言，作為選擇線Ls和電源電壓線La的布線材料，能夠應用Al-Cs (0. 5 2. 5% )等鋁合金。此外，如圖1A、1B、2所示，上述的選擇線Ls和電源電壓線La的一個端部延伸到顯示區(qū)域20外的周邊區(qū)域30，并與端子焊盤PLs、PLa連接。若具體示出與電源電壓線La連接的端子焊盤PLa的第一例，則如圖9A所示，電源電壓線La經(jīng)由在絕緣膜13上設置的接觸孔CH9而與上部焊盤層PD2電連接。在此，電源電壓線La的表層沒有被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆。為了實現(xiàn)這樣的端子結(jié)構，在后述的顯示面板的制造方法中，通過對端子焊盤PLa附近的電源電壓線La，在預先用抗蝕劑等被覆而沒有露出的狀態(tài)下進行陽極氧化，由此不對表層進行絕緣膜化。此外，上部焊盤層PD2與上述的中間層Lm同樣，具有層疊了構成后述的晶體管Trll、Trl2的源/漏金屬層SD和構成有機EL元件OEL的透明電極層ITO的結(jié)構。此外，在上部焊盤層PD2的下層，設有半導體層SMC和雜質(zhì)層OHM。并且，上部焊盤層PD2經(jīng)由在雜質(zhì)層OHM、半導體層SMC及柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔CH8，而與下層的下部焊盤層PDl電連接。在此，下部焊盤層PDl與上述的數(shù)據(jù)線Ld同樣，由構成晶體管Trll、Trl2的柵金屬層形成。此外，若具體示出端子焊盤PLa的第二例，則電源電壓線La如圖9B所示，經(jīng)由在絕緣膜13上所設置的接觸孔CH9而與上部焊盤層PD2電連接。在此，電源電壓線La的表層被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆。此外，上部焊盤層PD2經(jīng)由在雜質(zhì)層OHM、半導體層SMC及柵極絕緣膜12上所設置的多個接觸孔CH7、CH8，與下層的下部焊盤層PDl電連接。此外，雖然省略圖示，對于在選擇線Ls的端部設置的端子焊盤PLs (參照圖ΙΑ、1B、 2)，也與上述的端子焊盤PLa同樣，使用圖9A、9B所示的端子結(jié)構中的某一種。此外，在數(shù) 據(jù)線Ld的端部所設置的端子焊盤(省略圖示)中，數(shù)據(jù)線Ld由構成晶體管Trll、Trl2的柵金屬層SD形成，所以其端部被用作圖9A、9B所示的端子結(jié)構的下部焊盤層PD1。再有，經(jīng)由在柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔，將數(shù)據(jù)線Ld的端部(下部焊盤層PDl)和上部焊盤層電連接，由此應用與圖9A、9B所示大致相同的端子結(jié)構。在此，圖9A、9B所示的端子結(jié) 構，在端子焊盤PLa、Pls (包含在數(shù)據(jù)線Ld的端部設置的端子焊盤)中，也可以應用任一種結(jié)構。此外，具體而言，如圖4所示，圖3所示的發(fā)光驅(qū)動電路DC的晶體管Trll和Trl2 沿著數(shù)據(jù)線Ld被配置成在列方向(圖面上下方向)上延伸。在本實施方式中，晶體管Trll 和Trl2的溝道的寬度方向被設定為與數(shù)據(jù)線Ld并行。在此，各晶體管Trll和Trl2具有公知的場效應型薄膜晶體管結(jié)構。即，如圖4、 6A、7A所示，晶體管Trll和Tr 12分別具有柵電極Trl lg、Trl2g ；半導體層SMC,隔著柵極絕緣膜12形成在至少與各柵電極Trllg、Trl2g對應的區(qū)域；源電極Trlls、Trlk和漏電極Trlid、Tr 12d，在該半導體層SMC的兩端部延伸形成。此外，如圖6A、7A所示，在各晶體管Trll、Trl2的源電極Trlls、Trlk和漏電極 Trlld, Trl2d上，以匹配的方式形成有構成后述的有機EL元件OEL的像素電極14的透明電極層ΙΤ0。此外，至少在源電極Trlls、Trlk及漏電極Trlld、Trl2d與半導體層SMC之間，形成有雜質(zhì)層OHM。雜質(zhì)層OHM由含有η型雜質(zhì)的非晶硅構成的η+硅層等形成，具有實現(xiàn)半導體層SMC與源電極TrlIs、Trlk及漏電極TrlId、Trl2d的歐姆連接的功能。再有，在本實施方式的顯示面板10中，具有源電極Trlls、Trl2s、漏電極Trlld、Trl2d以及與這些電極同時形成的布線層的下層中所形成的雜質(zhì)層OHM和半導體層SMC延伸形成的基板結(jié) 構。此外，在各晶體管Tr 11、Tr 12的源電極Tr 11 s、Tr 12s和漏電極Tr 11 d、Tr 12d所對置的半導體層SMC上，形成有溝道保護層BL。溝道保護層BL由氧化硅或氮化硅等形成，具有防止對半導體層SMC造成蝕刻損傷的功能。再有，為了與如圖3所示的發(fā)光驅(qū)動電路DC的電路結(jié)構對應，如圖4、5A、7B所示，晶體管Trll的柵電極Trllg經(jīng)由柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔CH4b、中間層Lm和絕緣膜13上所設置的接觸孔CH4a而與選擇線Ls連接。此外，如圖4、5A、7A所示，晶體管Trll 的漏電極Trlld經(jīng)由在柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔CH3而與數(shù)據(jù)線Ld連接。此外，如圖4、5A、7C所示，晶體管Trll的源電極Trlls經(jīng)由在柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔 CHl而與晶體管Trl2的柵電極Trl2g連接。在此，接觸孔CHl與圖3所示的發(fā)光驅(qū)動電路 DC的觸點Nll對應，接觸孔CH3與觸點N13對應，接觸孔CH4a、CH4b與觸點N14對應。如圖4、5A、6A、7C所示，晶體管Trl2的柵電極Trl2g經(jīng)由在柵極絕緣膜12上所設置的接觸孔CH1，與上述晶體管Trll的源電極Trlls電連接。此外，柵電極Trl2g直接與電容器Cs的下部電極Eca連接。此外，如圖4、5B、7D所示，晶體管Tr 12的漏電極Trl2d經(jīng)由在絕緣膜13上設置的接觸孔CH5，與上述電源電壓線La電連接。此外，如圖4、6A所示，晶體管Trl2的源電極Trl2s與后述的兼用作電容器Cs的上部電極Ecb的、有機EL元件OEL 的像素電極14直接連接。在此，接觸孔CHl與圖3所示的發(fā)光驅(qū)動電路DC的觸點Nll對應，接觸孔CH5與觸點N15對應。此外，源電極Trlk和像素電極14 (上部電極Ecb)的連接點與圖3所示的發(fā)光驅(qū)動電路DC的觸點N12對應。如圖4、6A、6B所示，電容器Cs具有下部電極Eca、與該下部電極Eca對置的上部電極Ecb以及介于下部電極Eca和上部電極Ecb之間的柵極絕緣膜12。在此，柵極絕緣膜 12兼用作電容器Cs的電介質(zhì)層。此外，上部電極Ecb兼用作后述的有機EL元件OEL的像素電極14。S卩，電容器Cs被設在有機EL元件OEL的下層側(cè)(基板11側(cè))。如圖4、6A、6B所示，有機EL元件OEL具有依次層疊了像素電極(正極)14、有機 EL層(發(fā)光功能層)15和對置電極(負極)16的元件結(jié)構。像素電極14被設在上述晶體管Trll、Trl2的柵極絕緣膜12上，如上所述，兼用作電容器Cs的上部電極Ecb。此外，像素電極14的一部分延伸設置，與晶體管Trl2的源電極Trlk直接連接，被供給來自上述發(fā) 光驅(qū)動電路DC的規(guī)定的發(fā)光驅(qū)動電流。如圖4、6A、6B所示，有機EL層15形成在像素電極14上，該像素電極14露出于在基板11上形成的被隔壁層17的側(cè)壁17e所劃分的EL元件形成區(qū)域Rell中。有機EL層 15例如由空穴注入層(或者包含空穴注入層的空穴輸送層)1 和電子輸送型發(fā)光層1 形成。在此，有機EL層15是指空穴注入層、發(fā)光層和電子注入層等載體輸送層中的、具有發(fā)光層的功能的層由有機材料形成的層。對置電極16被設置成共同地與在基板11上二維排列的各像素PIX的像素電極14 對置。對置電極16例如以與基板11的顯示區(qū)域20對應的方式，由單一的電極層(整面電極)形成。此外，對置電極16不僅設置在各像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel上，還在用于劃分該EL元件形成區(qū)域Rel的隔壁層17和/或絕緣膜13上延伸設置。并且，對置電極16 的一部分延伸設置到顯示區(qū)域20外的周邊區(qū)域30，經(jīng)由在周邊區(qū)域30上配置的接觸電極 Ecc而與負極線Lc電連接。若具體示出該負極接觸部的第一例，則例如圖8A所示，對置電極16與接觸電極Ecc電連接，該接觸電極Ecc經(jīng)由在絕緣膜13上設置的接觸孔CH6而與絕緣膜13的下層的負極線Lc電連接。在此，接觸電極Ecc的表層未被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆。即，在該情況下，在后述的顯示面板的制造方法中，也是對接觸電極Ecc，在預先用抗蝕劑等被覆而沒有露出的狀態(tài)下進行陽極氧化，從而不將表層進行絕緣膜化。此外，若具體示出負極接觸部的第二例，則例如圖8B所示，對置電極16與接觸電極Ecc電連接，并且，經(jīng)由在絕緣膜13上設置的接觸孔CH6b，與絕緣膜13的下層的負極線 Lc直接連接。此外，接觸電極Ecc經(jīng)由在絕緣膜13上設置的接觸孔CH6a，與負極線Lc連接。在此，接觸電極Ecc的表層被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆。由此，通過接觸電極Ecc和負極線Lc上連接的連接焊盤(省略圖示)，規(guī)定的基準電壓Vsc (負極電壓例如接地電位Vgnd)被施加到對置電極16。在此，負極線Lc具有層疊了構成上述的晶體管Trll、Trl2的源/漏金屬層SD和構成有機EL元件OEL的透明電極層ITO的結(jié)構，在該下層匹配地延伸設置半導體層SMC和雜質(zhì)層OHM。此外，圖8A、8B所示的負極接觸部的連接結(jié)構可以采用任一種結(jié)構，包含上述的端子焊盤的端子結(jié)構(參照圖9A、9B)，可以適用任意組合。此外，在負極線Lc的端部設置的端子焊盤(省略圖示)，其負極線Lc由構成晶體管Trll、Trl2的源/漏金屬層SD形成，所以其端部應用為圖9A、9B所示的端子結(jié)構的上部焊盤層PD2。此外，經(jīng)由在柵極絕緣膜12上設置的接觸孔，將負極線Lc的端部(上部焊盤層P^)和下部焊盤層PDl電連接，由此能夠應用與圖9A、9B大致相等的端子結(jié)構。在此，在本實施方式的顯示面板10中，具有底部發(fā)射型的發(fā)光結(jié)構，因此像素電極14由摻錫氧化銦andium Thin Oxide =ITO)等光透射率高的透明的電極材料來形成。另一方面，對置電極16含有鋁單體(Al)和/或鋁合金等具有高反射率的電極材料。如圖1A、1B、6A、6B所示，隔壁層17至少在顯示面板10上二維排列的多個像素PIX 相互的邊界區(qū)域設置成格子狀。在此，隔壁層17例如由能夠利用干式蝕刻法進行構圖的絕緣材料形成，例如由作為感光性絕緣材料的聚酰亞胺類的樹脂材料形成。如圖1A、1B、6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B 所示，絕緣膜 13 被設置在基板 11 的大致整個區(qū)域中。如圖6A、6B、7A、7B、7C、7D所示，絕緣膜13在基板11上設置成至少被覆像素PIX相互的邊界區(qū)域。由此，在顯示區(qū)域20中，由晶體管Trll、Trl2以及構成該晶體管Trl 1、Trl2的源電極TrlIs、Trlk及漏電極TrlId、Trl2d的源/漏金屬層形成的布線層，被絕緣膜13及隔壁層17被覆。此外，在周邊區(qū)域30中，由源/漏金屬層SD形成的布線層被絕緣膜13被覆。此外，在形成有上述的發(fā)光驅(qū)動電路DC、有機EL源極OEL (像素電極14、有機EL層 15、對置電極16)、絕緣膜13以及隔壁層17的基板11的一面?zhèn)?，形成密封?8而密封了顯示面板10。在此，在周邊區(qū)域30中，如圖9A、9B所示，在密封層18中形成有開口部CH10，以使得至少端子焊盤PLs、PLa露出。此外，顯示面板10除了可以應用密封層18的結(jié)構，還可以代替密封層18而采用粘貼了省略了圖示的金屬蓋(密封蓋)和/或玻璃等密封基板的密封結(jié)構。在具有以上說明的器件結(jié)構的像素PIX中，根據(jù)與經(jīng)由數(shù)據(jù)線Ld被供給的圖像數(shù) 據(jù)對應的灰度等級電壓Vdata，規(guī)定的電流值的發(fā)光驅(qū)動電流在晶體管Trl2的漏源之間流過而被供給到像素電極14，由此，有機EL元件OEL以與該圖像數(shù)據(jù)對應的希望的亮度等級進行發(fā)光動作。此時，顯示面板10的像素電極14具有高的透光率，對置電極16具有高的光反射率(即，因為有機EL元件OEL為底部發(fā)射型)，在各像素PIX的有機EL層15中所發(fā)出的光，透過像素電極14直接出射到視場側(cè)的基板11的另一面?zhèn)?圖6A、圖6B的圖面下方)，或者在各像素PIX的有機EL層15中所發(fā)出的光在對置電極16反射之后，透過基板11而出射到視場側(cè)的基板11的另一面?zhèn)?圖6A、圖6B的圖面下方)。(發(fā)光面板的制造方法)接著說明本實施方式的顯示面板的制造方法。圖 10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B 是示出本實施方
式的顯示面板的制造方法的工序截面圖。在此，為了方便起見，使得圖6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B的顯示面板10 的各部分的截面相鄰的方式配置而示出。圖中，(VIA-VIA)、(VIB-VIB)、(VIIC-VIIC), (VIID-VIID), (VIIF-VIIF), (VIIIG-VIIIG), (IXH-IHX)分別示出各圖 6A、6B、7A、7B、7C、 7D、8A、8B、9A、9B所示的各截面的工序截面。此外，對于作為端子焊盤而應用圖9B所示的端子結(jié)構(第二例)、作為負極接觸部而應用了圖8B所示的連接結(jié)構(第二例)的情況進行說明。上述的顯示面板的制造方法首先如圖10A、10B、10C、11A、11B所示，在玻璃基板等基板11的一面?zhèn)龋纬闪藰嫵缮鲜龅陌l(fā)光驅(qū)動電路DC(參照圖3、4)的晶體管Trll、Trl2、電容器Cs、數(shù)據(jù)線Ld、選擇線Ls、電源電壓線La。具體而言，首先，如圖IOA所示，在與透明的基板11的一面?zhèn)?圖面的上面?zhèn)?所設定的各像素Pix的像素形成區(qū)域Rpx內(nèi)的EL元件形成區(qū)域Rel(參照圖4、6A、6B)對應的每個區(qū)域，形成電容器Cs的下部電極Eca。在此，在基板11上淀積ITO和/或摻鋅氧化銦andium Zinc Oxide)等高透光率的電極材料膜后，利用光刻法來進行構圖來形成下部電極Eca。在此，在對透明的電極材料膜進行構圖時，采用濕式蝕刻。接著，如圖IOB所示，利用光刻法來對在基板11的一面?zhèn)刃纬傻耐瑯訓沤饘賹?進行構圖，由此在上述EL元件形成區(qū)域Rel以外的顯示區(qū)域20，同時形成柵電極Trllg、 Trl2g以及數(shù)據(jù)線Ld。此時，如圖4、5A、7C所示，柵電極Trl2g的一端被構圖形成為在下部電極Eca上延伸設置，將柵電極Trl2g和下部電極Eca電連接。此外，此時，在基板11的周邊區(qū)域30上，同時形成端子焊盤PLa的下部焊盤層PDl。此外，雖然省略了圖示，但是在端子焊盤PLs上也同樣形成下部焊盤層。在此，用于形成柵電極Trllg、Trl2g、數(shù)據(jù)線Ld和下部焊盤層PDl的柵金屬層，優(yōu)選例如鉬單體或鉬鈮(MoNb)等含鉬的合金。此外，在對柵金屬層進行構圖時，使用濕式蝕刻。接著，如圖IOC所示，在基板11的整個區(qū)域上，連續(xù)被覆由氮化硅等構成的柵極絕緣膜12、由本征非晶硅等構成的半導體膜SMCx、以及由氮化硅等構成的絕緣膜。之后，利用光刻法對氮化硅等絕緣膜進行構圖，從而在半導體膜SMCx上的柵電極Trllg及Trl2g所對應的區(qū)域形成溝道保護層BL。在此，對由氮化硅等構成的絕緣膜進行構圖來形成溝道保護層BL時，采用濕式蝕刻。接著，如圖IlA所示，在基板11的整個區(qū)域上，被覆形成由η型非晶硅等構成的雜質(zhì)層OHMx。此后，利用光刻法，對雜質(zhì)層OHMx、半導體膜SMCx及柵極絕緣膜12 —起進行構圖，以使得數(shù)據(jù)線Ld、晶體管Trll、Trl2的柵電極Trllg、Trl2g的規(guī)定位置的上面露出。由此分別形成圖4所示的接觸孔CH3、CH4a、CHI。此時，同時還形成電源電壓線La的下部焊盤層PDl (省略了圖示，含有選擇線Ls和數(shù)據(jù)線Ld的下部焊盤層)的規(guī)定位置的上面露出的接觸孔CH7、CH8。在此，在對雜質(zhì)層OHMx、半導體層SMCx及柵極絕緣膜12進行構圖時，能夠使用干式蝕刻。接著，如圖1IB所示，在基板11的一面?zhèn)刃纬稍?漏金屬層SD。在此，源/漏金屬層是能夠應用如在用于降低鉻(Cr)、鈦(Ti)等的遷移的遷移金屬層上設置了如用于降低鋁單體、鋁合金等布線電阻的低電阻金屬層的2層結(jié)構，或者進一步層疊了由鉻等金屬層的3層結(jié)構等層疊結(jié)構。之后，利用光刻法，對源/漏金屬層SD、上述雜質(zhì)層OHMx及半導體膜SMCx —起進行構圖，由此至少在溝道保護層BL的兩側(cè)的、構成晶體管Trll、Trl2的半導體層SMC的區(qū)域的兩端部，隔著用于歐姆連接的雜質(zhì)層OHM形成源電極Trlls、Trl2s以及漏電極iTrllcU Trl2d。與此同時，還形成構成中間層Lm的下層的源/漏金屬層SD、成為負極線Lc的下層的源/漏金屬層SD以及成為上部焊盤層PD2的下層的源/漏金屬層SD。在此，如上所述，中間層Lm是用于將晶體管Trll的柵電極Trllg和選擇線Ls電連接的布線層。此外，負極線Lc是使連接在對置電極16上的接觸電極Ecc相互連接、并用于向?qū)χ?電極16供給規(guī)定的基準電壓Vsc (接地電位Vgnd)的布線層。此外，上部焊盤層PD2是對電源電壓線La(含有選擇線Ls)和下部焊盤層PDl電連接的電極層。在此，在對源/漏金屬層SD、上述雜質(zhì)層OHMx及半導體膜SMCx進行構圖時，使用干式蝕刻。由此，形成圖6A、7A所示的薄膜晶體管結(jié)構的晶體管Trll、Trl2。此時，晶體管 Trll的漏電極Trlld經(jīng)由在柵極絕緣膜12上形成的接觸孔CH3，與下層的數(shù)據(jù)線Ld電連接。此外，晶體管Trll的源電極Trlls經(jīng)由在柵極絕緣膜12上形成的接觸孔CH1，來與下層的晶體管Trl2的柵電極Trl2g電連接。此外，設置于中間層Lm的源/漏金屬層SD經(jīng)由在柵極絕緣膜12上形成的接觸孔CH4a，與下層的柵電極Trllg電連接。此外，在負極線Lc 上所設置的源/漏金屬層SD，配置成將在周邊區(qū)域30的規(guī)定位置設置的接觸電極Ecc相互電連接。此外，在電源電壓線La的端子焊盤PLa(包含選擇線Ls的端子焊盤PLs、數(shù)據(jù)線 Ld的端子焊盤)的上部焊盤層PD2上所設置的源/漏金屬層SD，經(jīng)由在柵極絕緣膜12上形成的接觸孔CH7、CH8，而與下層的下部焊盤層PDl電連接。接著，在基板11的整個區(qū)域上淀積了 ITO或摻鋅的氧化銦等高透光率的電極材料膜(透明電極層)之后，利用光刻法來對該電極材料膜進行構圖，由此如圖Iic所示，至少在各像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel的柵極絕緣膜12上，例如形成具有矩形狀的平面圖形的像素電極14。此時，通過像素電極14的一部分被構圖形成為延伸到晶體管Trl2的源電極Trlk上，由此直接連接源電極Trlk和像素電極14。此外，在本實施方式中，形成像素電極14的透明電極層ITO還在由上述的源/漏金屬層SD構成的電極(源電極Trlls、 Trl2s、漏電極Trlld、Trl2d)和/或布線層(中間層Lm、陰極線Lc、上部焊盤層PD2)之上匹配地形成。在此，在對透明電極層ITO進行構圖時，采用濕式蝕刻。由此，在各像素PIX的EL源極形成區(qū)域Rell中，形成電容器Cs，該電容器Cs的像素電極14和下部電極Eca隔著柵極絕緣膜12而對置配置。即，像素電極14是有機EL元件OEL的正極，并且兼用作與下部電極Eca對置的上部電極Ecb，此外，柵極絕緣膜12兼用作電介質(zhì)層。此外，形成具有將源/漏金屬層SD設為下層、將透明電極層ITO設為上層的層疊結(jié)構的源電極iTrlIs、Trl2s和漏電極Trlld、Trl2d、中間層Lm、陰極線Lc和上部焊盤層 PD2。
由此，用透明的電極材料形成電容器Cs的上部電極Ecb (像素電極14)和下部電極Eca，由此，即使是具有底部發(fā)射型的發(fā)光結(jié)構的顯示面板，也能夠?qū)崿F(xiàn)高的開口率。接著，如圖12A所示，例如利用化學氣相成長(CVD)法，在包含上述的像素電極14、晶體管Trll、12、中間層Lm、陰極線Lc及上部焊盤層PD2的基板11的整個區(qū)域，形成由氮化硅等無機絕緣性材料構成、且用作層間絕緣膜或保護絕緣膜的絕緣膜13。由于已知ITO 和氮化硅的密著性優(yōu)良，所以在本實施方式中，在由上述的源/漏金屬層SD構成的電極和 /或布線層上也形成構成像素電極14的透明電極層ΙΤ0，由此使得由ITO和氮化硅構成的絕緣膜之間的接觸面積變大，能夠不易引起膜剝離。其后，利用干式蝕刻法，對絕緣膜13進行構圖，由此形成用于露出各像素PIX的像素電極14的上面的開口部，以及用于露出中間層Lmj·電極1^12(1、陰極線Lc和上部焊盤層PD2的規(guī)定位置的上面的各接觸孔CH4b、CH5、 CH6a、CH6b、CH9 和開口部 CHlOx。接著，如圖12B所示，例如利用濺射法來在基板11的一面?zhèn)刃纬捎射X合金等構成的布線層之后，利用光刻法，對該布線層進行構圖，由此形成具有規(guī)定的布線圖形、且成為選擇線La的布線層Lsx和成為電源電壓線La的布線層Lax。與此同時，還形成成為配置在周邊區(qū)域30上的接觸電極Ecc的電極層Ecx。在此，在對由鋁合金等構成的布線層進行構圖時，采用濕式蝕刻。此時，在顯示區(qū)域20中，成為電源電壓線La的布線層Lax經(jīng)由在絕緣膜13上形成的接觸孔CH5，與下層的漏電極Trl2d電連接。此外，在周邊區(qū)域30中，布線層Lax經(jīng)由在絕緣膜13上形成的接觸孔CH9，與端子焊盤PLa的上部焊盤層PD2電連接。此外，在顯示區(qū)域20中，成為選擇線Ls的布線層Lsx經(jīng)由在絕緣膜13上形成的接觸孔CH4b，與下層的中間層Lm電連接。此外，在周邊區(qū)域30中，布線層Lsx與上述布線層Lax同樣，經(jīng)由在絕緣膜13上形成的接觸孔與端子焊盤PLs的上部焊盤層PD2電連接。此外，成為接觸電極的電極層Ecx經(jīng)由在絕緣膜13上形成的接觸孔CH6a，與下層的陰極線Lc電連接。接著，如圖12C所示，對由鋁合金等構成的布線層Lax、Lsx及電極層Ecx進行陽極氧化，在各布線層LaX、LsX和電極層Ecx的表層上形成由陽極氧化膜構成的絕緣膜 ^ο。由此，由鋁合金等構成的布線層LaX、LsX中的未被陽極氧化的布線層內(nèi)部成為電源電壓線La 和選擇線Ls，其上面和側(cè)面被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆。此外，在電極層Ecx中的未被陽極氧化的電極層內(nèi)部成為接觸電極Ecc，其上面和側(cè)面被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆。在此，在基板11上形成的由鋁合金等構成的布線層和/或電極中、未對表層進行絕緣膜化的區(qū)域的布線層和/或電極處于預先被抗蝕劑等被覆而未露出的狀態(tài)，進行陽極氧化。在對整個布線層和/或電極的表層進行絕緣膜化的情況下，能夠省略用抗蝕劑等被覆的工序。具體而言，如本實施方式的制造方法所示，在應用了圖8B所示的陰極接觸部的連接結(jié)構和圖9B所示的端子焊盤的端子結(jié)構的顯示面板10中，能夠省略用抗蝕劑等來被覆由鋁合金等構成的布線層Lax、Lsx和電極層Ecx的工序。此外，作為陽極氧化處理的具體條件，能夠良好地應用如下的例子。(1)陽極氧化使用電解液(下面的任一種)a)硼酸銨水溶液b)稀硫酸c)草酸
d)乙二醇和水的混合液，其容積比為7 3 9 1左右，還有酒石酸等的電解質(zhì)e)用乙二醇稀釋酒石酸銨來調(diào)整為PH7. 0左右的電解液f)硫酸水溶液g)酒石酸銨在本實施例中，a)使用了 2. 5%的硼酸銨水溶液。(2)電極材料(陰極)a)鉬金(Pt)(3)電極形狀a)網(wǎng)狀b)平板(4)處理電壓/處理時間電流密度4. 5mA/cm2 (3 15mA/cm2的范圍)，化成電流3. 4A，化成電壓200V，最終化成電流0. 06A(到達該值之后設置60秒的成熟時間)在上述條件下進行陽極氧化處理的情況下，例如為了在由膜厚400nm的鋁合金構成的電源電壓線La和/或選擇線Ls的表層形成具有充分的絕緣性的陽極氧化膜，必須要成膜大致由550nm以上膜厚的鋁合金構成的布線層Lax、Lsx0即，需要利用陽極氧化來對膜厚550nm的鋁合金中的膜厚150nm的量進行絕緣膜化。接著，在基板11上例如涂敷聚酰亞胺或丙烯類等感光性有機樹脂材料，例如在形成具有1 5 μ m膜厚的樹脂層之后，對該樹脂層進行構圖來形成圖1A、IB、13A所述的隔壁層17。在此，隔壁層17至少在顯示區(qū)域20中用于突出到基板11的一面?zhèn)?，并且具有開口部，該開口部用于矩形狀地露出各像素PIX的像素電極14。由此，在各像素形成區(qū)域Rpx中，在隔壁層17中形成的開口部即由側(cè)壁17e包圍的區(qū)域被劃分為各像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel。在此，作為形成隔壁層17的感光性有機樹脂材料，能夠良好地應用例如“Toray ”株式會社制造的聚酰亞胺涂敷材料“ Wiotoneece Pff-1030” 或"Photoneece DL-1000” 等。接著，在用純凈水清洗基板11之后，例如通過實施氧等離子處理或UV臭氧處理等，能夠?qū)υ谟筛舯趯?7劃分了的各EL元件形成區(qū)域Rell露出的像素電極14的表面，實施針對后述的空穴輸送材料或電子輸送性發(fā)光材料的有機化合物含有液的親液化處理。如上所示，利用隔壁層17來劃分用于涂敷有機化合物含有液的區(qū)域，加之，對各像素PIX(有機EL元件0EL)的像素電極14表面進行親液化，如后所述，即使利用噴嘴印刷法和噴墨法來涂敷有機化合物含有液來形成有機EL層15的發(fā)光層(電子輸送性發(fā)光層 15b)的情況下，也能夠抑制有機化合物含有液向在顯示面板10的行方向上鄰接配置的、不同顏色的像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel漏出或越過。因此，即使在制造與彩色顯示對應的顯示面板10的情況下，也能夠防止鄰接像素相互的混色，能夠良好地進行紅(R)、綠(G)、藍(B)色的發(fā)光材料的分別涂敷。此外，在本實施方式中，只對像素電極14的表面進行了親液化的工序進行了說明，但是本發(fā)明不限于此，也可以在對上述的像素電極14的表面進行親液化處理之后，至少對隔壁層17的表面進行疏液化的處理。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)隔壁層17的表面具有疏液性、并且在各EL元件形成區(qū)域Rell中所露出的像素電極14的表面具有親液性的基板表面。因此，能夠進一步抑制在基板11的表面涂敷的有機化合物含有液推上隔壁層17的側(cè)壁17e 的現(xiàn)象，并且在像素電極14的表面上充分浸染而大致均勻地擴散，所以能夠在像素電極14 上的整個區(qū)域形成具有大致均勻的膜厚的有機EL層15(空穴輸送層1 和電子輸送性發(fā) 光層15b)。此外，在本實施方式中所使用的“疏液性”，規(guī)定為在將含有成為后述的空穴輸送層的空穴輸送材料的有機化合物含有液，含有成為電子輸送性發(fā)光層的電子輸送性發(fā)光材料的有機化合物含有液，或者在這些溶液中使用的有機溶液滴落到絕緣性基板上等來測量了接觸角度的情況下，該接觸角度大體上成為50°以上的狀態(tài)。此外，在本實施例中，與“疏液性”相對的“親液性”規(guī)定為上述接觸角度大體上成為40°以下，最好大體上成為成為 10°以下的狀態(tài)。接著，如圖1 所示，在顯示區(qū)域20的各像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel中所露出的像素電極14上形成有機EL層(發(fā)光功能層)15，該有機EL層15是空穴輸送層(載體輸送層)1 和電子輸送性發(fā)光層(載體輸送層)1 層疊形成的。首先，利用吐出連續(xù)的溶液(液流)的噴嘴印刷(或噴嘴涂敷)法或在規(guī)定位置吐出相互分離的不連續(xù)的多個液滴的噴墨法等，對各像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rell涂敷空穴輸送材料的溶液或分散液之后，對其進行加熱干燥來在像素電極14上形成空穴輸送層15a。具體而言，作為含有有機高分子類的空穴輸送材料(載體輸送性材料)的有機化合物含有液(有機溶液)，例如將聚二氧乙基噻吩/聚對苯乙烯磺酸水溶液(PED0T/PSS 將作為導電性聚合物的聚二氧乙基噻吩PEDOT和作為摻雜劑的聚對苯乙烯磺酸PSS分散在水系溶劑中的分散液)涂敷到EL元件形成區(qū)域Rell中。之后，在100°C以上的溫度條件下對載置有基板11的工作臺進行加熱而進行干燥處理來除去殘余溶劑，由此僅在露出于各有機EL元件形成區(qū)域Rell的像素電極14上固定有機高分子類的空穴輸送發(fā)光材料，形成空穴輸送層15a。在此，露出于各EL元件形成區(qū)域Rell的像素電極14的上面，對通過上述的親液化處理而含有空穴輸送材料的有機化合物混合液具有親液性，所以被涂敷的有機化合物含有液在像素電極14上充分浸染并擴散。另一方面，隔壁層17形成為充分高于被涂敷的有機化合物含有液的液面高度，并且，感光性的有機樹脂材料一般對該有機化合物含有液具有疏液性，所以，能夠防止有機化合物含有液向鄰接的像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel漏出或越過。接著，在各EL元件形成區(qū)域Rell上形成的空穴輸送層1 上，利用噴嘴印刷法或噴墨法等，將電子輸送性發(fā)光材料的溶液或分散液涂敷之后，對其進行加熱干燥來形成電子輸送性發(fā)光層(載體輸送層)15b。具體而言，作為含有有機高分子類的電子輸送性發(fā)光材料(載體輸送性材料)的有機化合物含有液(有機溶液)，例如將含有聚對苯撐乙烯類或聚芴類等共軛雙鍵聚合物的紅(R)、綠(G)、藍(B)色的發(fā)光材料溶解或分散到適當?shù)乃等軇┗蛩臍漭?、四甲基苯?均三甲苯、二甲苯等有機溶劑中的0. 的溶液涂敷到上述空穴輸送層1 上。之后，在氮氣氛圍中，對上述工作臺進行加熱來進行干燥處理而除去殘余溶劑，由此在空穴輸送層1 上固定有機高分子類的電子輸送性發(fā)光材料，形成電子輸送性發(fā)光層15b。
在此，在EL元件形成區(qū)域Rel內(nèi)形成的上述空穴輸送層15a的表面，對包含電子輸送性發(fā)光材料的有機化合物含有液具有親液性，所以在各EL元件形成區(qū)域Rell上所涂敷的有機化合物含有液在空穴輸送層1 上充分浸染擴散。另一方面，隔壁層17被設定為充分高于被涂敷的有機化合物含有液的高度，并且，一般感光性的有機樹脂材料對該有機化合物含有液具有疏液性，所以能夠防止有機化合物含有液向鄰接的像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel漏出或越過。接著，如圖14A所示，在形成有上述隔壁層17及有機EL層15 (空穴輸送層1 及電子輸送性發(fā)光層15b)的基板11的至少顯示區(qū)域20，形成具有光反射特性的共同的對置電極(負極)16，該對置電極16隔著各像素PIX的有機EL層15與像素電極14對置。此時，對置電極16不限于顯示區(qū)域20，通過一部分在周邊區(qū)域30上延伸而形成，由此，直接與接觸電極Ecc連接，并且經(jīng)由在絕緣膜13上形成的接觸孔CH6b而直接與下層的負極線Lc 連接。在此，作為對置電極16，例如采用如下電極結(jié)構利用真空蒸鍍法和/或濺射法，層疊了 1 IOnm膜厚的鈣(Ca)、鋇(Ba)、· (Li)JB (In)等工作函數(shù)小的電子注入層(負極)和IOOnm以上膜厚的鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鈀(Pd)中的任一種的單體或由包含這些金屬中的至少一種的合金構成的高工作函數(shù)的薄膜(供電電極)的結(jié)構。在此，在對構成對置電極16的電極層進行構圖時，使用濕式蝕刻。此外，在這樣的電極結(jié)構的情況下，只要經(jīng)由上述對置電極16中的、僅上述高工作函數(shù)的薄膜經(jīng)由接觸電極Ecc和接觸孔CH6b，與負極線Lc連接就可以。接著，在形成上述對置電極16之后，如圖14B所示，在基板11的一面?zhèn)鹊恼麄€區(qū) 域，利用CVD法等來形成由氧化硅膜和/或氮化硅膜等構成的密封層18。其后，在密封層 18上形成開口部CH10，該開口部CHlO用于露出在基板11周邊區(qū)域形成的端子焊盤PLa、 PLs (包含省略了圖示的數(shù)據(jù)線Ld的端子焊盤)的上面。在此，開口部CHlO例如形成為與上述的開口部CHlOx(參照圖12A)匹配。由此完成具有圖6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、 9B所示的截面結(jié)構的顯示面板10。此外，除了上述密封層18之外，也可以代替密封層18 而采用使得金屬蓋(密封蓋)和/或玻璃等密封基板與基板11對置地結(jié)合的結(jié)構。如上所述，在本實施方式的顯示面板(發(fā)光面板)及其制造方法中，其特征在于，與基板11上形成的晶體管Trll、Trl2連接的布線層中、至少形成在最上層的布線層(電源電壓線La、選擇線Ls)由鋁合金材料構成，并且其表層被由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆。(作用效果的驗證)接著，對應用了具有上述特征的薄膜晶體管陣列基板的顯示面板及其制造方法所特有的作用效果，進行詳細說明。圖15A、15B是示出作為上述實施方式的比較對象的顯示面板的一例的主要部分截面圖。在此，為了容易與上述的實施方式進行比較，關于與圖6A、6B、7A、7B、7C、7D、 8A、8B、9A、9B 相同的截面，使用了(VIA-VIA)、(VIB-VIB), (VIIC-VIIC), (VIID-VI ID), (VIIF-VIIF), (VIIIG-VIIIG), (IXH-IHX)的標記。此外，圖 16A、16B、17A、17B 是示出成為比較對象的顯示面板的制造方法的工序截面圖。在此，為了容易進行與上述的實施方式的比較，與圖 10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B 同樣，為了方便起見，使各部分的截面鄰接地配置來示出。圖中，(VIA-VIA)、(VIB-VIB)、(VIIC-VIIC), (VIID-VIID)、(VIIF-VIIF)、(VIIIG-VIIIG)、(IXH-IHX)示出在各圖 15AU5B 上示出的各截面中的工序截面。此外，對與上述的實施方式相同的結(jié)構，標注相同的標記來簡化其說明。如圖15A、15B所示，成為比較對象的顯示面板，對在與形成于基板11上的晶體管 Trll、Trl2連接的布線層中、形成在最上層的布線層(電源電壓線La、選擇線Ls)進行被覆的絕緣膜，不由陽極氧化膜構成，而是由氮化硅等無機絕緣性材料構成的這一點，不同于上述的實施方式。S卩，在顯示面板的顯示區(qū)域，經(jīng)由在絕緣膜13a上設置的接觸孔而與晶體管Trll 的柵電極Trllg電連接的選擇線Ls和/或晶體管Trl2的漏極電連接的電源電壓線La，被由氮化硅膜等構成的絕緣膜1 被覆。在此，在選擇線La和/或電源電壓線La的下層設置的絕緣膜13a對應于上述的實施方式中的絕緣膜13。另一方面，在顯示面板的周邊區(qū)域，經(jīng)由在絕緣膜13a上設置的接觸孔與負極線 Lc電連接的接觸電極Ecc，經(jīng)由在被覆該接觸電極Ecc的絕緣膜1 上所設置的接觸孔，而與有機EL元件OEL的對置電極16電連接。此外，經(jīng)由在絕緣膜13a上所設置的接觸孔而與端子焊盤PLs、PLa的上部焊盤層PD2電連接的選擇線Ls和/或電源電壓線La，被絕緣膜1 被覆。具有這樣的面板結(jié)構的顯示面板的制造方法與上述的實施方式同樣，首先，如圖 16A所示，在基板11的一面?zhèn)?，形成用于構成發(fā)光驅(qū)動電路DC的晶體管Trll、Trl2、電容器 Cs、數(shù)據(jù)線Ld、中間層Lm、負極線Lc、端子焊盤PLa的上部焊盤層PD2及下部焊盤層PDl。接著，如圖16B所示，利用CVD法在基板11的整個區(qū)域形成由氮化硅等構成的絕緣膜13a之后，利用干式蝕刻法，形成中間層Lmj·電極Trl2d、負極線Lc及上部焊盤層PD2 的規(guī)定位置的上面露出的接觸孔和開口部。之后，利用濺射法，在基板11上形成由鋁合金等構成的布線層之后，利用濕式蝕刻法進行構圖，由此形成具有規(guī)定的布線圖形的選擇線 Ls及電源電壓線La。與此同時，在周邊區(qū)域30上形成接觸電極Ecc。此時，在顯示區(qū)域20，電源電壓線La經(jīng)由在絕緣膜13a上形成的接觸孔，與下層的漏電極Trl2d電連接。此外，在周邊區(qū)域30，電源電壓線La經(jīng)由在絕緣膜13a上形成的接觸孔，與端子焊盤PLa的上部焊盤層PD2電連接。此外，在顯示區(qū)域20，選擇線Ls經(jīng)由在絕緣膜13a上形成的接觸孔，與下層的中間層Lm電連接。此外，在周邊區(qū)域30，選擇線Ls與上述電源電壓線La同樣，經(jīng)由在絕緣膜13a上形成的接觸孔，與端子焊盤PLs的上部焊盤層PD2電連接(省略圖示)。此外，接觸電極Ecc經(jīng)由在絕緣膜13a上形成的接觸孔，與下層的負極線Lc電連接。接著，如圖16C所示，利用CVD法，在基板11的整個區(qū)域被覆形成由氮化硅等構成的絕緣膜1 之后，利用干式蝕刻法，形成用于露出像素電極14、接觸電極Ecc及上部焊盤層PD2的規(guī)定位置的上面的接觸孔和開口部。在此，在EL元件形成區(qū)域Rel、端子焊盤PLa 及PLs的形成區(qū)域，通過在單一的蝕刻工序中對絕緣膜1 及13a連續(xù)進行蝕刻，來形成用于露出像素電極14和上部焊盤層PD2的上面的接觸孔和開口部。另一方面，在接觸電極 Ecc的形成區(qū)域中，通過對絕緣膜1 進行蝕刻，形成用于露出接觸電極Ecc的上面的接觸孔。接著，如圖17A所示，在基板11上的至少顯示區(qū)域，形成由感光性的有機樹脂材料構成的隔壁層17，該隔壁層17具有用于露出各像素PIX的像素電極14的開口部。從而各像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel被劃分。接著，在對露出于各EL元件形成區(qū)域Rell的像素電極14的表面進行了親液化處理之后，如圖17B所示，在各像素電極14上形成由空穴輸送層1 和電子輸送型發(fā)光層1 構成的有機EL層15。接著，在基板11的至少顯示區(qū)域20上，形成具有光反射特性的對置電極16。在此，對置電極16以隔著各像素PIX的有機EL層15而共同地與各像素電極14 對置的方式，由單一多的電極層(整面電極)形成。此時，對置電極16配置在周邊區(qū)域30 上，與在絕緣膜1 上設置的接觸孔內(nèi)所露出的接觸電極Ecc連接。從而，對置電極16經(jīng) 由接觸電極Ecc而與負極線Lc電連接。在具有這樣的面板結(jié)構的顯示面板中，在形成包含晶體管Trll、Trl2的發(fā)光驅(qū)動電路DC之后，形成絕緣膜13a、13b、選擇線Ls、電源電壓線La等布線層，所以需要反復進行多次的成膜工序和構圖工序。一般來說，在成膜、構圖工序中，已知在濺射時或抗蝕劑清洗時、蝕刻等時會發(fā)生微粒(微小的異物)，殘留在基板11上。尤其是，在多使用于對絕緣膜 13a、1 進行成膜時的CVD法或干式蝕刻工序中，容易發(fā)生微粒。若在基板上存在這樣的微粒，則在成膜時，微粒進入膜中而成為粒子化，阻礙來自有機EL元件OEL(發(fā)光元件)的發(fā) 光，具有導致點缺陷和/或亮度降低等像素不良、制造合格率降低的問題。此外，在尤其是想要實現(xiàn)顯示面板的像質(zhì)的高精細化和/或大畫面化的情況下，這樣的微粒的問題的以下相對變大。相對于此，在上述的實施方式的顯示面板10中，具有用由陽極氧化膜構成的絕緣膜Fao被覆了選擇線Ls、電源電壓線La等布線層的表層的面板結(jié)構。由此，在本實施方式的制造方法中，通過在形成選擇線Ls、電源電壓線La等布線層之后進行陽極氧化處理，能夠?qū)υ摬季€層的表層進行絕緣膜化，因此能夠省略比較對象所示的對絕緣膜1 進行成膜、構圖的工序。即，在本實施方式的制造方法中，能夠削減在絕緣膜13b的成膜時所使用的CVD工序、在構圖時所使用的干式蝕刻工序的次數(shù)，因此能夠抑制產(chǎn)生斑點，能夠降低顯示面板(薄膜晶體管陣列基板)的不良發(fā)生率，能夠改善制造合格率。并且，通過作為選擇線Ls和/或電源電壓線La等的布線層而使用鋁單體或含鋁的合金材料，能夠在表層形成具有良好的絕緣特性的陽極氧化膜(絕緣膜!^0)。加之，通過作為布線層而應用鋁單體或含鋁的合金材料，能夠充分降低布線電阻。因此，即使在使顯示面板10高精細化或大畫面化的情況下，也能夠抑制信號延遲和電壓降低，能夠使得像素 PIX以與圖像數(shù)據(jù)對應的適當?shù)牧炼鹊燃夁M行發(fā)光動作，能夠抑制像質(zhì)的劣化。此外，在上述的實施方式中，作為在像素PIX上設置的發(fā)光驅(qū)動電路DC，示出了如下的電壓指定型的灰度等級控制方式的電路結(jié)構(參照圖幻根據(jù)圖像數(shù)據(jù)來調(diào)整寫入各像素Pix(具體而言，發(fā)光驅(qū)動電路DC的晶體管Trl2的柵極端子；觸點mi)的灰度等級電壓Vdata的電壓值，由此控制向有機EL元件OEL流的發(fā)光驅(qū)動電流的電流值，并使其以規(guī) 定的亮度等級進行發(fā)光動作。本發(fā)明不限于此，也可以具有如下的電流指定型的灰度等級控制方式的電路結(jié)構通過根據(jù)圖像數(shù)據(jù)來調(diào)整(指定)寫入各像素PIX的灰度等級電流的電流值，控制向有機EL元件OEL流的發(fā)光驅(qū)動電流的電流值，并使其以規(guī)定的亮度等級進行發(fā)光動作。下面示出其一例。(像素的其他例)
圖18是示出本實施方式的顯示面板上排列的像素的其他電路結(jié)構例的等價電路圖。此外，圖19是示出能夠應用于本實施方式的像素的其他例子的平面布局圖。在此，對于與上述的實施方式所示的像素(參照圖3)相同或同等的結(jié)構，標注同等的標記，并簡化其說明。如圖18所示，像素PIX的其他電路結(jié)構具備具有三個晶體管的發(fā)光驅(qū)動電路DC 和有機EL元件0EL。具體而言，發(fā)光驅(qū)動電路DC具備晶體管Tr21 Tr23和電容器Cs。晶體管Tr21的柵極端子經(jīng)由觸點擬4與選擇線Ls連接，漏極端子經(jīng)由觸點N25與電源電壓線La連接，源極端子與觸點N21連接。晶體管Tr22的柵極端子經(jīng)由觸點擬4與選擇線Ls 連接，漏極端子經(jīng)由觸點N23與數(shù)據(jù)線Ld連接，漏極端子與觸點N22連接。晶體管(驅(qū)動晶體管)Tr23的柵極端子與觸點N21連接，漏極端子經(jīng)由觸點N25與電源電壓線La連接，源極端子與觸點N22連接。電容器Cs連接在晶體管Tr23的柵極端子(觸點N21)和源極端子(觸點N22)之間。此外，有機EL元件OEL與上述的實施方式所示的像素(參照圖3)同樣，正極(成為正極的像素電極14，參照后述的圖19)與上述發(fā)光驅(qū)動電路DC的觸點N22連接，負極(成為負極的對置電極)與規(guī)定的低電位的電位電源(基準電壓Vsc;例如接地電位Vgnd)連接。之后，具有這樣的電路結(jié)構的像素PIX中的驅(qū)動控制動作，在規(guī)定的處理周期期間內(nèi)，被控制成執(zhí)行使得保持與圖像數(shù)據(jù)對應的電壓成分的寫入動作(選擇期間)；以及在該寫入動作結(jié)束之后，使得有機EL元件OEL以與圖像數(shù)據(jù)對應的亮度等級進行發(fā)光動作的發(fā)光動作(非選擇期間)。首先，在向像素PIX寫入的寫入動作(選擇期間)中，通過向選擇線Ls施加選擇電平(導通電平；例如高電平)的選擇電壓Vsel，從而將像素PIX設定為選擇狀態(tài)。此夕卜，在向電源電壓線La施加低電平(基準電壓Vsc以下的電壓電平；例如負電壓)的電源電壓Vsa的狀態(tài)下，向數(shù)據(jù)線Ld供給設定為與圖像數(shù)據(jù)對應的負的電流值的灰度等級電流由此，灰度等級電流Idata從像素PIX向數(shù)據(jù)線Ld方向引出地流過，比低電平的電源電壓Vsa還要低電位的電壓被施加到晶體管Tr23的源極端子(觸點N22)。因此，通過在觸點N21和N22之間(S卩，晶體管Tr23的柵源之間)產(chǎn)生電位差，晶體管Tr23進行導通動作，從電源電壓線La經(jīng)由晶體管Tr23、觸點N22、晶體管Tr22、觸點 N23，向數(shù)據(jù)線Ld方向流過與灰度等級電流Idata對應的寫入電流。此時，在電容器Cs中被蓄積與在觸點N13及N14之間生成的電位差對應的電荷，被保持為電壓成分。此外，在電源電壓線La上被施加基準電壓Vsc以下的電壓電平的電源電壓Vsa，并且，寫入電流被設定為從像素PIX向數(shù)據(jù)線Ld方向引出。因此，被施加到有機 EL元件OEL的正極(觸點N22)上的電位成為比負極的電位(基準電壓Vsc)低，在有機EL 元件OEl中不流過電流，不進行發(fā)光動作(非發(fā)光動作)。接著，在寫入動作結(jié)束后的發(fā)光動作(非選擇期間)，通過對選擇線Ls施加非選擇電平(低電平)的選擇電壓Vsel，由此能夠?qū)⑾袼豍IX設定為非選擇狀態(tài)。此時，在電容器 Cs中保持在上述的寫入動作中被蓄積的電荷，所以晶體管Tr23維持導通狀態(tài)。并且，通過在電源電壓線La中施加高電平(比基準電壓Vsc高的電壓電平)的電源電壓Vsa，由此從電源電壓La經(jīng)由晶體管Tr23、觸點N22，向有機EL元件OEL流過規(guī)定的發(fā)光驅(qū)動電流。此時，由電容器Cs保持的電壓成分，與在晶體管Tr23中流過與灰度等級電流 Idata對應的寫入電流的情況下的電位差相當，所以在有機EL元件OEL中流過的發(fā)光驅(qū)動電流成為與該寫入電流大致相等的電流值，有機EL元件OEL以與圖像數(shù)據(jù)對應的亮度等級進行發(fā)光動作。(像素的器件結(jié)構)具有圖18所示的電路結(jié)構的像素，能夠由例如圖19所示的器件結(jié)構(平面陣列) 來實現(xiàn)。在圖19中，用于將晶體管Tr21的源電極Tr21s、晶體管Tr23的柵電極Tr2!3g和電容器Cs的下部電極Eca電連接的接觸孔CH21，與圖18所示的等價電路的觸點N21對應。此外，晶體管Tr23的源電極Tr23s和作為電容器Cs的上部電極Ecb的像素電極14的連接點，與觸點N22對應。此外，用于將晶體管Tr22的源電極和數(shù)據(jù)線Ld電連接的接觸孔CH23，與觸點N23對應。此外，用于將晶體管Tr21的柵電極Tr21g、晶體管Tr22的柵電極Tr22g和中間層Lm電連接的接觸孔OE4a，以及將中間層Lm和選擇線Ls電連接的接觸孔OE4b，與觸點擬4對應。此外，用于將晶體管Tr21的漏電極Tr21d、晶體管Tr23的漏電極Tr22d和電源電壓線La電連接的接觸孔CH25，與觸點N25對應。在排列有包含這些觸點N21 N25的像素PIX的顯示面板，在上述實施方式中，大致直接應用圖6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B所示的主要部分截面圖的結(jié)構。因此，即使在具備圖18、19所示的其他例子的像素PIX (發(fā)光驅(qū)動電路DC及有機EL元件0EL)的顯示面板(薄膜晶體管陣列基板)中，與上述的實施方式同樣，能夠應用在與基板11上形成的晶體管Tr21 Tr23連接的布線層中、至少形成在最上層的布線層(電源電壓線La、選擇線Ls)的表層被由陽極氧化膜構成的絕緣膜被覆了的面板結(jié)構。因此，能夠削減絕緣膜的成膜、構圖工序，能夠抑制斑點的產(chǎn)生，降低顯示面板(薄膜晶體管陣列基板)的不良發(fā)生率，改善制造合格率。此外，圖3、18所示的像素PIX只不過是能夠應用于本發(fā)明中的電路結(jié)構的一例，本發(fā)明不限于此。此外，在上述的像素Pix的器件結(jié)構(參照圖6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、 8B、9A、9B)中，示出了在由源/漏金屬層SD形成的源極、漏極、布線層上層疊了構成像素電極14的透明電極層ITO的電極、布線結(jié)構，但是本發(fā)明不限于此。本發(fā)明也可以具有如下結(jié)構透明電極層ITO只與作為發(fā)光驅(qū)動電路DC的驅(qū)動晶體管的晶體管Trl2或Tr23的源極電連接，沒有形成在其他電極或布線層上。此外，在上述的實施方式中，作為有機EL元件OEL的元件結(jié)構，說明了底部發(fā)射型發(fā)光結(jié)構的情況，但是本發(fā)明不限于此，也可以是具有頂部發(fā)射型發(fā)光結(jié)構的結(jié)構。此外，在上述的實施方式中，對有機EL層15由空穴輸送層15a及電子輸送型發(fā)光層1 構成的情況進行了說明，但是本發(fā)明不限于此。即，適用于本發(fā)明的有機EL元件OEL可以具有有機EL層15例如僅由空穴輸送兼電子輸送性發(fā)光層構成的元件結(jié)構，或者由空穴輸送性發(fā) 光層和電子輸送層構成，或者，在這些層之間設有適當?shù)碾姾奢斔蛯?，并且也可以是組合了其他電荷輸送層。此外，在上述的各實施例中，將像素電極14設為正極，將對置電極16設為負極，但是不限于此，也可以將像素電極14設為負極，將對置電極16設為陽極。此時，有機EL層15只要是與像素電極14接觸的載體輸送層為電子輸送性層就可以。此外，在上述的實施方式中，示出了作為由發(fā)光驅(qū)動電路DC進行發(fā)光驅(qū)動的發(fā)光元件而應用有機EL元件OEL的情況，但是本發(fā)明不限于這些，只要是電流控制型的發(fā)光元件，例如是發(fā)光二極管等其他發(fā)光元件就可以。(發(fā)光面板的應用例)下面，參照附圖對應用了上述的實施方式的顯示面板(具備薄膜晶體管陣列的發(fā) 光面板)的電子設備。上述實施方式所示的顯示面板10例如能夠應用于數(shù)字攝像機或便攜式個人計算機或便攜式電話機等各種電子設備。圖20A、20B是示出本實施方式的應用例的數(shù)字攝像機的結(jié)構的立體圖，圖21是示出本實施方式的應用例的便攜式個人計算機的結(jié)構的立體圖，圖22是示出本實施方式的應用例的便攜式電話機的結(jié)構的圖。在圖20A、20B中，數(shù)字攝像機200大概具備主體部201 ；鏡頭部202 ；操作部203 ；具有上述的實施方式中示出的顯示面板10的顯示部204;以及快門按鈕205。據(jù)此，在顯示部204中，能夠應用被抑制產(chǎn)生點缺陷和/或亮度降低等像素不良的顯示面板10，能夠使像素以與圖像數(shù)據(jù)對應的適當?shù)牧炼鹊燃夁M行發(fā)光動作，因此能夠?qū)崿F(xiàn)良好且均勻的像質(zhì)。此外，在圖21中，個人計算機210大概具有主體部211 ；鍵盤212 ；和具備上述的實施方式中示出的顯示面板10的顯示部213。在該情況下，在顯示部213中，能夠應用被抑制產(chǎn)生點缺陷和/或亮度降低等像素不良的顯示面板10，能夠使像素以與圖像數(shù)據(jù)對應的適當?shù)牧炼鹊燃夁M行發(fā)光動作，因此能夠?qū)崿F(xiàn)良好且均勻的像質(zhì)。此外，在圖22中，便攜式電話機220大概具有操作部221 ；受話口 222 ；送話口 223 ；和具備上述的實施方式中所示的顯示面板10的顯示部224。在該情況下，在顯示部2M 中，也能夠應用被抑制產(chǎn)生點缺陷和/或亮度降低等像素不良的顯示面板10，能夠使像素以與圖像數(shù)據(jù)對應的適當?shù)牧炼鹊燃夁M行發(fā)光動作，因此能夠?qū)崿F(xiàn)良好且均勻的像質(zhì)。此外，在上述的實施方式中，對將薄膜晶體管陣列基板應用于有機EL顯示面板 (發(fā)光面板)的情況進行了詳細說明，但是本發(fā)明不限于此。本發(fā)明也可以應用于如下的曝光裝置具備例如具有有機EL元件OEL的多個像素PIC在一個方向上排列的發(fā)光元件陣列，對感光體鼓照射根據(jù)圖像數(shù)據(jù)從發(fā)光元件陣列射出的光進行曝光。此外，本發(fā)明不限于發(fā)光面板，只要是應用在基板上配列有驅(qū)動控制用的薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列基板，則例如能夠應用于液晶顯示裝置或二維傳感器等中。對于本領域的技術人員人員能夠得到附加性的優(yōu)點和變形例。因此，本發(fā)明的范圍不限于上述的對各實施方式的詳細說明。當然，在不脫離所附的權利要求及其等同技術方案所規(guī)定的本發(fā)明的精神和主旨的范圍內(nèi)，能夠做出各種變形例。
權利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，具有基板；形成在基板上的薄膜晶體管；以及配設在上述基板上的布線，該布線用于施加電壓，該電壓用于驅(qū)動包含上述薄膜晶體管的電路，上述布線的表面的至少一部分由陽極氧化膜構成。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，上述布線由鋁或含鋁的合金材料構成。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，上述布線是通過濕式蝕刻法進行了構圖的。
4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，上述布線是被施加用于驅(qū)動上述電路的電源電壓的電源電壓線。
5.根據(jù)權利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，上述電路是在上述基板上規(guī)則地排列的像素，上述薄膜晶體管是根據(jù)經(jīng)由上述電源電壓線而被施加的上述電源電壓來驅(qū)動上述像素的驅(qū)動晶體管。
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，上述陽極氧化膜的膜厚在150nm以上。
7.一種發(fā)光面板，其特征在于，具備基板；形成在上述基板上的發(fā)光元件；用于驅(qū)動上述發(fā)光元件的薄膜晶體管；以及布線，被上述薄膜晶體管施加了用于驅(qū)動上述發(fā)光元件的電壓，上述布線的表面的至少一部分由陽極氧化膜構成。
8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光面板，其特征在于，各個上述發(fā)光元件具備形成在上述基板上的第一電極、形成在上述第一電極之上的第二電極、形成在上述第一電極和上述第二電極之間的發(fā)光層，各個上述布線形成在與上述第一電極相同材料且設在同一面上的層上。
9.根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光面板，其特征在于，上述第一電極和在與上述第一電極同一面上所設置的層由透明導電材料構成。
10.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光面板，其特征在于，上述布線由鋁或含鋁的合金材料構成。
11.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光面板，其特征在于，上述布線是通過濕式蝕刻法進行了構圖的。
12.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光面板，其特征在于，上述布線是被施加用于對包含上述薄膜晶體管的電路進行驅(qū)動的電源電壓的電源電壓線。
13.根據(jù)權利要求12所述的發(fā)光面板，其特征在于，上述電路是在上述基板上規(guī)則地排列的像素，上述薄膜晶體管是根據(jù)經(jīng)由上述電源電壓線而被施加的上述電源電壓來驅(qū)動上述像素的驅(qū)動晶體管。
14.一種電子設備，其特征在于，該電子設備是安裝上述權利要求7所述的上述發(fā)光面板來構成的。
15.一種發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，該發(fā)光面板在基板上配設了多個像素，該多個像素至少具有發(fā)光元件和用于驅(qū)動該發(fā) 光元件的薄膜晶體管，該制造方法具備形成布線的工序，該布線上被施加用于驅(qū)動上述發(fā)光元件的電壓；以及通過陽極氧化處理形成上述布線的表面的至少一部分的工序。
16.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，上述布線由鋁或含鋁的合金材料構成。
17.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，上述布線是通過濕式蝕刻法進行了構圖的。
18.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，上述布線是被施加用于對包含上述薄膜晶體管的電路進行驅(qū)動的電源電壓的電源電壓線。
19.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，在上述陽極氧化處理中，作為陰極材料而使用鉬金。
20.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，用于上述陽極氧化處理中的電解液是硼酸銨水溶液、稀硫酸、草酸、乙二醇混合液、酒石酸銨混合液、硫酸水溶液、酒石酸銨中的任一種。
全文摘要
本發(fā)明提供薄膜晶體管陣列基板、發(fā)光面板及其制造方法和電子設備。薄膜晶體管陣列基板，具有基板；形成在基板上的薄膜晶體管；以及配設在上述基板上的布線。該布線用于施加電壓，該電壓用于驅(qū)動包含上述薄膜晶體管的電路。上述布線的表面的至少一部分由陽極氧化膜構成。
文檔編號H01L27/32GK102082151SQ201010503608
公開日2011年6月1日申請日期2010年9月30日優(yōu)先權日2009年9月30日
發(fā)明者東俊明申請人:卡西歐計算機株式會社

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