專利名稱：制造半導(dǎo)體器件的方法和掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造具有凸 塊的半導(dǎo)體器件的方法和掩模，其中，導(dǎo)電膜被形 成在樹脂制成的凸塊核心上。
背景技術(shù)：
凸塊被形成在半導(dǎo)體器件中，以便將半導(dǎo)體器件安裝在安裝板上。具有半導(dǎo)體 器件的電路通過該凸塊被連接到諸如安裝板的焊區(qū)的電極。近年來，已經(jīng)開發(fā)出如下的 技術(shù)凸塊的核心由樹脂形成，并且通過將導(dǎo)電膜形成在該核心上來形成凸塊。在該技 術(shù)中，為了使凸塊節(jié)距變窄，并且保持導(dǎo)電膜相對于凸塊核心的涂覆性，優(yōu)選地，使凸 塊核心的面向電極焊盤側(cè)的側(cè)面比凸塊核心的其他側(cè)面更緩。例如，日本未審專利公布No.2006-351873公開了 具有的面積比第一樹脂層的 面積小的第二樹脂層被形成在第一樹脂層上，然后對其進(jìn)行熱處理，凸塊核心的面向電 極焊盤側(cè)的側(cè)面被形成為具有比凸塊核心的其他側(cè)面更緩的坡度。另外，日本未審專利公布Νο.2007-019102公開了 第一樹脂部和比第一樹脂部 小的第二樹脂部被形成在保護(hù)絕緣膜上，并且在熱處理時使用流動特性來一體化這兩個 樹脂部。日本未審專利公布Νο.2007-019102公開了 當(dāng)?shù)诙渲课挥诘谝粯渲客庵?的電極焊盤側(cè)時，凸塊核心的面向電極焊盤側(cè)的側(cè)面可以被制成比其凸塊核心的其他側(cè) 面更緩。然而，在日本未審專利公布No.2006-351873所公開的技術(shù)中，必須將第一樹脂 層和第二樹脂層分開曝光和顯影。在這種情況下，在第一樹脂層和第二樹脂層之間產(chǎn)生 由掩模偏離造成的位置偏離，并因此會存在凸塊核心的面向電極焊盤側(cè)的側(cè)面不能被形 成為比凸塊核心的其他側(cè)面更緩的情況。另外，在日本未審專利公布Νο.2007-019102所公開的技術(shù)中，需要的是用于形 成凸塊核心的樹脂在熱處理時具有流動性。在這種情況下，用于形成凸塊核心的樹脂延 伸，并因此反而會存在難以使凸塊節(jié)距變窄的情形。由上可見，在具有凸塊的半導(dǎo)體器件中，難以以高生產(chǎn)率將凸塊節(jié)距變窄，在 該凸塊中，導(dǎo)電膜被形成在樹脂制成的凸塊核心上。

發(fā)明內(nèi)容
在一個實(shí)施例中，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括在基板中 形成多個電極焊盤；形成保護(hù)絕緣膜，所述保護(hù)絕緣膜在所述多個電極焊盤中和其外周 中具有位于每個所述電極焊盤上方的多個開口；在所述保護(hù)絕緣膜上方形成感光性樹脂 膜；通過對所述感光性樹脂膜進(jìn)行曝光和顯影，沿著第一直線、在所述保護(hù)絕緣膜上方 形成多個凸塊核心；以及通過選擇性地在所述多個凸塊核心、所述多個電極焊盤和所述保護(hù)絕緣膜上方形成導(dǎo)電膜，來形成多個凸塊和將所述多個凸塊中的每個連接到所述電極焊盤中的任一個的多個互連，其中在形成所述多個凸塊核心的所述步驟中，通過使用 多等級掩模只一次性將所述感光性樹脂膜曝光，在所述凸塊核心的側(cè)面上的與所述互連 接壤的區(qū)域被形成為具有比與所述第一直線相交的區(qū)域的坡度更緩的坡度。根據(jù)本發(fā)明，通過將感光性樹脂膜曝光來形成凸塊核心。通過在該曝光過程中 使用多等級掩模，在所述凸塊核心的側(cè)面上的與所述互連接壤的區(qū)域被形成為具有比與 所述第一直線相交的區(qū)域的坡度更緩的坡度。為此，可以只一次性地執(zhí)行曝光，并且不 會產(chǎn)生由于掩模偏差導(dǎo)致的誤差。因此，可以以良好的精確度來定位凸塊核心的側(cè)面上 傾斜的區(qū)域。為此，可以使凸塊節(jié)距變窄，同時提高半導(dǎo)體器件的良率。在另一個實(shí)施例中，提供了一種掩模，所述掩模將感光性樹脂膜曝光，并且形 成多個凸塊中的每個凸塊的凸塊核心，所述掩模包括多個圖案，所述多個圖案沿著第 一直線設(shè)置，用于形成所述凸塊核心，其中通過遮蔽曝光光線的完全蔽光區(qū)域和透射所 述曝光光線的完全透射區(qū)域的組合，形成所述圖案，并且其中所述掩模還包括半透射所 述曝光光線的半透射區(qū)域，所述半透射區(qū)域連接到所述完全蔽光區(qū)域和所述完全透射區(qū) 域的邊界中在沒有與所述第一直線相交的方向上伸展的部分。根據(jù)本發(fā)明，可以使凸塊節(jié)距變窄，同時提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。


從下面結(jié)合附圖對某些優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行的描述中，本發(fā)明的以上和其他目的、 優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚，其中圖IA和圖IB是示出根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖；圖2A和圖2B是示出根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖；圖3A和圖3B是示出根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖；圖4是在圖3A的狀態(tài)下的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖5是示出多等級掩模的構(gòu)造的平面圖；圖6是根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖7是根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；圖8A是示出根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的橫截面圖；以及圖8B是示 出第四實(shí)施例中使用的多等級掩模的構(gòu)造的平面圖；圖9是圖8A中示出的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖10是示出根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的平面圖；圖11是示出第五實(shí)施例中使用的多等級掩模的構(gòu)造的平面圖；圖12是示出根據(jù)第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的平面圖；圖13是示出第六實(shí)施例中使用的多等級掩模的構(gòu)造的平面圖；圖14是示出根據(jù)第七實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的平面圖；以及圖15是示出第七實(shí)施例中使用的多等級掩模的構(gòu)造的平面圖。
具體實(shí)施例方式在本文中，現(xiàn)在將參照示例性實(shí)施例來描述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識至IJ，使用本發(fā)明的教導(dǎo)，可以實(shí)現(xiàn)許多可替選的實(shí)施例，并且本發(fā)明不限于為了說明的 目的而示出的實(shí)施例。下文中，將參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。在所有的附圖中，用類似的附圖 標(biāo)記表示類似的元件，并且將不再重復(fù)對其的說明。圖IA和圖IB至圖3A和圖3B是示出根據(jù)第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方 法。制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下的過程。首先，在基板100上形成多個電極焊盤 130。接著，在多個電極焊盤130和其外周處形成保護(hù)絕緣膜120。保護(hù)絕緣膜120包括 多個開口 122。多個開口 122分別位于相互不同的電極焊盤130上。也就是說，多個開 口 122中的每個被構(gòu)造成使得電極焊盤130位于其底部。接著，感光性樹脂膜210被形 成在保護(hù)絕緣膜120上。接下來，通過將感光性樹脂膜210曝光和顯影，使多個凸塊核 心220沿著第一直線400(圖4中所示，圖IA和圖IB至圖3A和圖3B中從紙的前方延伸 到后方的方向)形成在保護(hù)絕緣膜120上。接著，通過在多個凸塊核心220、多個電極焊 盤130和保護(hù)絕緣膜120上選擇性地形成導(dǎo)電膜，來形成多個互連240 (參見圖3)，所述 多個互連240用于連接多個凸塊200中的每個并且將多個凸塊200連接到電極焊盤130中 的任一個。在形成多個凸塊核心220的過程中，通過使用多等級掩模50只一次性將感光 性樹脂膜210曝光，在凸塊核心220的側(cè)面之中與互連240接壤的區(qū)域222被形成為具有 比與第一直線400交叉的區(qū)域224(參見圖4)的坡度更緩的坡度。感光性樹脂膜210具 有例如絕緣特性，但是可以與導(dǎo)電顆?；旌稀Ｏ挛闹?，將給出詳細(xì)說明。首先，如圖IA中所示，在基板100上形成諸如晶體管的元件(未示出)，并且 進(jìn)一步在基板100上形成多層互連層110。電極焊盤130被形成在位于多層互連層110的 最上層處的互連層中。接著，在多層互連層Iio上形成保護(hù)絕緣膜120。接下來，通過 選擇性地去除保護(hù)絕緣膜120，形成開口 122。開口 122位于電極焊盤130上，并且從保 護(hù)絕緣膜120中暴露電極焊盤130。 接著，在保護(hù)絕緣膜120和電極焊盤130上形成感光性樹脂膜210。感光性絕緣 膜210例如是諸如酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、 硅樹脂或烯丙基樹脂的熱塑性樹脂。接著，如圖IB中所示，使用多等級掩模50只一次性將感光性樹脂膜210曝光。 由此，除了其中形成凸塊核心220(參見圖2A和圖2B)的區(qū)域212之外，感光性樹脂膜 210被曝光，這導(dǎo)致變質(zhì)層214的形成。當(dāng)感光性樹脂膜210是正型時，多等級掩模50 在形成凸塊核心220的區(qū)域中包括遮蔽曝光光線的完全蔽光區(qū)域52和半透射曝光光線的 半透射區(qū)域54。半透射區(qū)域54被設(shè)置成與互連240在凸塊核心220中伸展的一側(cè)相對 應(yīng)。也就是說，在多等級掩模50中，對應(yīng)于在凸塊核心220的側(cè)面上的與互連接壤的區(qū) 域222 (參見圖2A和圖2B或圖4)的區(qū)域的光透射量大于對應(yīng)于在凸塊核心220的側(cè)面 上的與第一直線400交叉的區(qū)域224(參見圖4)的區(qū)域的光透射量。為此，感光性樹脂 膜210中的位于半透射區(qū)域54下方(即，互連240在用于形成凸塊核心220的區(qū)域中伸 展的一側(cè))的區(qū)域被構(gòu)造成使得其上層被形成為變質(zhì)層214。接著，如圖2A中所示，感光性樹脂膜210被顯影。由此，去除感光性樹脂膜 210中的變質(zhì)層214，并且形成凸塊核心220。在這種狀態(tài)下，互連240在凸塊核心220 的側(cè)面上伸展的區(qū)域222具有大致階梯狀的形狀。
接著，如圖2B中所示，通過對凸塊核心220進(jìn)行熱處理來固化凸塊核心220。 在這個過程中，凸塊核心220的側(cè)面變形。如上所述，在加熱之前的狀態(tài)下，在凸塊核 心220的側(cè)面上的與互連240接壤的區(qū)域222 (參見圖4)被形成階梯形。通過進(jìn)行熱處 理，接近于階梯形區(qū)域222的樹脂中的表面設(shè)置的部分流動，并且結(jié)果，區(qū)域222具有通 常傾斜的平面形狀。為此，在加熱后的狀態(tài)下，區(qū)域222被形成為具有比另一個區(qū)域的 坡度更緩的坡度。接著，如圖3A所示，通過例如濺射法，在凸塊核心220、保護(hù)絕緣膜120和電 極焊盤130上形成例如Au膜的導(dǎo)電膜。接著，在導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案(未示出)， 并且使用抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻導(dǎo)電膜。由此，選擇性地去除導(dǎo)電膜，以及用于形 成凸塊200的導(dǎo)電膜230和互連240被形成。凸塊200被構(gòu)造成使得在凸塊核心220上 形成導(dǎo)電膜230。互連240從凸塊200的導(dǎo)電膜230伸展到保護(hù)絕緣膜120上，并且將凸 塊200連接到電極焊盤130。此后，去除抗蝕劑圖案。在這種狀態(tài)下，半導(dǎo)體器件包括保護(hù)絕緣膜120、在保護(hù)絕緣膜120中形成的開 口 122、位于開口 122底部的電極焊盤130、在保護(hù)絕緣膜120上形成的凸塊200和互連 240。凸塊200包括凸塊核心220和導(dǎo)電膜230。在凸塊核心220中，與互連240接壤的 區(qū)域222被形成為具有比另一個區(qū)域(例如，與第一直線400相交的區(qū)域)的坡度更緩的 坡度。導(dǎo)電膜230被形成在凸塊核心220的至少上表面上?；ミB240連接凸塊200的導(dǎo) 電膜230和電極焊盤230。此后，如圖3B中所示，以玻璃上芯片(COG)方式或膜上芯片(COF)方式，將 半導(dǎo)體器件安裝在安裝板300上。當(dāng)半導(dǎo)體器件是液晶驅(qū)動器時，安裝板300是玻璃基板 或COF基礎(chǔ)膜。在這種狀態(tài)下，半導(dǎo)體器件的凸塊200連接到安裝板300 的電極310。 電極310例如是焊區(qū)，但不限于焊區(qū)。圖4是圖3A的狀態(tài)下的半導(dǎo)體器件的平面圖。同時，圖3A是沿著圖4中的 A-A'線截取的橫截面圖。如圖4中所示，沿著第一直線400 (圖中的垂直方向)設(shè)置多 個凸塊200?；ミB240在與第一直線400不同的第二方向上，例如在與第一直線400垂直 的方向(圖中的水平方向)上伸展。多個凸塊200保持相互分開，但是被設(shè)置成相互相 鄰。另外，在上述第一直線400被導(dǎo)向凸塊核心220的側(cè)面上的伸展方向的部分中，沒 有形成凸塊200的導(dǎo)電膜230。在凸塊核心220的側(cè)面上的與互連240接壤的區(qū)域222被形成為具有比與第一直 線400交叉的區(qū)域224的坡度更緩的坡度。換言之，可以在保持區(qū)域224的坡度陡峭的同 時還使得區(qū)域222的坡度緩和。因此，可以通過沿著第一直線400以窄節(jié)距設(shè)置凸塊核心 220，將例如彼此緊鄰而處的凸塊核心220的中心之間的距離設(shè)定成等于或小于50 μ m。 另外，由于區(qū)域222的坡度緩和，因此可以抑制導(dǎo)電膜230在區(qū)域222中斷開。圖5是示出多等級掩模50的構(gòu)造的平面圖。多等級掩模50具有用于形成凸塊 核心的多個圖案。多個圖案沿著第一直線400(圖中的垂直方向)設(shè)置。通過透射曝光 光線的完全透射區(qū)域56和遮蔽曝光光線的完全蔽光區(qū)域52的組合，形成每個圖案。另 夕卜，每個圖案都具有半透射曝光光線的半透射區(qū)域54。半透射區(qū)域54連接到完全蔽光區(qū) 域52和完全透射區(qū)域56的邊界中的在不與第一直線400相交的方向上伸展的部分。此 夕卜，形成半透射區(qū)域54的方法包括使用與完全蔽光區(qū)域52的材料不同的蔽光膜的材料的方法、設(shè)置不超過分辨率的狹縫的方法等。在前一種情況下，調(diào)節(jié)半透射區(qū)域54中的光 透射量的方法包括調(diào)節(jié)半透射區(qū)域54中的蔽光膜厚度的方法。另一方面，在后一種情況 下，調(diào)節(jié)半透射區(qū)域54中的光透射量的方法包括調(diào)節(jié)不超過分辨率的狹縫密度的方法。接著，將描述實(shí)施例的作用和優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)實(shí)施例，通過使用多等級掩模50只一 次性將感光性樹脂膜210曝光并且隨后將其顯影，形成凸塊核心220。多等級掩模50具 有與互連240在凸塊核心220中伸展的一側(cè)相對應(yīng)的半透射區(qū)域54。為此，在不用多次 執(zhí)行曝光的情況下，在凸塊核心220的側(cè)面上的與互連接壤的區(qū)域222可以被形成為具有 比與第一直線400相交的區(qū)域224的坡度更緩的坡度。因此，可以以良好的精確度來定 位凸塊核心220的側(cè)面上的傾斜的區(qū)域。為此，可以使凸塊節(jié)距變窄，同時提高半導(dǎo)體 器件的良率。圖6是根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。該半導(dǎo)體器件具有與通過第一 實(shí)施例制造的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相同的構(gòu)造，不同之處在于，凸塊200的在第一直線400 的方向上的節(jié)距窄，并且相鄰的凸塊核心220的下部彼此連接，以及沿著圖6中的A-A' 線截取的橫截面圖與圖3A相同。另外，制造該半導(dǎo)體器件的方法也與第一實(shí)施例的方法 相同。還可以通過本實(shí)施例得到與第一實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)相同的優(yōu)點(diǎn)。圖7是根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖。該半導(dǎo)體器件具有與根據(jù)第 一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相同的構(gòu)造，不同之處在于，凸塊核心220的一部分位于 電極焊盤130上。另外，根據(jù)本實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法與第一實(shí)施例的方法相 同。還可以通過本實(shí)施例得到與第一實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)相同的優(yōu)點(diǎn)。另外，在保護(hù)絕緣 膜120中設(shè)置的開口 122的邊緣中的與凸塊200接壤的區(qū)域由凸塊核心220覆蓋。為此， 包括導(dǎo)電膜230和互連240的導(dǎo)電膜沒有直接跨過開口 122的邊緣，并且在凸塊核心220 的區(qū)域222上伸展，然后直接在電極焊盤130上伸展。為此，在包括導(dǎo)電膜230和互連 240的導(dǎo)電膜中防止產(chǎn)生由開口 122的邊緣造成的階梯差。因此，可以抑制導(dǎo)電膜230或 互連240在該部分中斷開。圖8A是示出根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的橫截面圖，并且圖8B是示 出制造實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中使用的多等級掩模50的構(gòu)造的平面圖。圖9是圖8A中所 示的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖8A等價于沿著圖9中的B-B'截取的橫截面圖。該半導(dǎo) 體器件具有與根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相同的構(gòu)造，不同之處在于，相對于 一個互連240來設(shè)置多個凸塊200。每個凸塊200的尺寸小于根據(jù)第一實(shí)施例的凸塊200 的尺寸。也就是說，在本實(shí)施例中，一個凸塊被分割成多個小的凸塊200。然而，為了 說明的目的，在圖8A和圖8B及圖9中，凸塊200的尺寸與第一實(shí)施例中的尺寸大致相 同。 多個凸塊200和電極焊盤130沿著同一直線來設(shè)置。多個凸塊200被構(gòu)造成使得 導(dǎo)電膜230 —體地形成。也就是說，多個凸塊200的導(dǎo)電膜230具有一體的互連形狀， 并且被形成為與互連240 —體的互連。在凸塊核心220的側(cè)面上，與導(dǎo)電膜230接壤的 區(qū)域222和223被形成為具有比與第一直線400相交(圖中的垂直方向)的區(qū)域224的坡 度更緩的坡度。為了以此方式形成凸塊核心220的形狀，如圖8B中所示，可以向與多等級掩模50中的區(qū)域223相對應(yīng)的部分添加半透射區(qū)域54。此時，當(dāng)從平面圖來看時， 整個蔽光區(qū)52與凸塊核心220的頭部尖端以及區(qū)域222和223的頭部尖端相鄰的區(qū)域重 疊。半透射區(qū)域54設(shè)置在與其中完全蔽光區(qū)域52沒有被形成在區(qū)域222和223中的部 分重疊的部分中。在本實(shí)施例中還可以得到與第 一實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)相同的優(yōu)點(diǎn)。另外，一個凸塊被 分割成多個小凸塊200。為此，位于凸塊核心220的頭部外周的空隙空間的體積相對于其 頭部的體積而增大。因此，當(dāng)將凸塊200壓向安裝板300的電極310并且與之連接時， 凸塊核心片220的變形自由度增大。為此，安裝板300的電極310和凸塊200的粘附性 更好，由此使得凸塊200和電極310的連接可靠性得以提高。圖10是示出根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的平面圖。圖11是示出制造本 實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中使用的多等級掩模50的構(gòu)造的平面圖。該半導(dǎo)體器件具有與根據(jù) 第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相同的構(gòu)造，不同之處在于，在凸塊200的凸塊核心220 中形成凹槽216，并且沿著圖10的B-B'線截取的橫截面圖與圖8A相同。凹槽216與 凸塊200排列的方向基本上平行地伸展。制造該半導(dǎo)體器件的方法與根據(jù)第四實(shí)施例的 制造半導(dǎo)體器件的方法相同，不同之處在于，半透射區(qū)域54被設(shè)置在與多等級掩模50中 的凹槽216相對應(yīng)的區(qū)域中，如圖11中所示。還可以通過本實(shí)施例得到與第四實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)相同的優(yōu)點(diǎn)。另外，由于凹槽216 形成在凸塊核心220中，所以位于凸塊核心220的頭部外周的空隙空間的體積還相對于其 頭部的體積增加。因此，當(dāng)將凸塊200壓向安裝板300的電極310并與之連接時，可以 進(jìn)一步增加凸塊核心220的變形量。另外，凹槽216與凸塊200排列的方向基本上平行，也就是說，在與凸塊200的 導(dǎo)電膜230的方向相同的方向上伸展。當(dāng)通過諸如濺射的氣相法來形成導(dǎo)電膜230時， 在凸塊核心220和保護(hù)絕緣膜120的邊界部分中，S卩，在凸塊核心220的褶邊部，導(dǎo)電膜 230的涂覆性降低。當(dāng)沒有形成凹槽216時，存在其中該涂覆性降低的區(qū)域增大以及導(dǎo) 電膜230的電阻增大的可能性。當(dāng)在凸塊200的一部分中導(dǎo)電膜230的電阻增大時，電 極焊盤130和最遠(yuǎn)離電極焊盤130的凸塊200之間的電連接不穩(wěn)定。另一方面，當(dāng)凹槽 216在與本實(shí)施例中的導(dǎo)電膜230的方向相同的方向上伸展時，在其中形成至少凹槽216 的區(qū)域中，抑制導(dǎo)電膜230的涂覆性降低。因此，可以穩(wěn)定電極焊盤130和最遠(yuǎn)離電極 焊盤130的凸塊200之間的電連接。另外，由于凹槽216內(nèi)的導(dǎo)電膜230在安裝時幾乎 不接收應(yīng)力，因此，即使當(dāng)在導(dǎo)電膜230的另一部分中產(chǎn)生由安裝時的應(yīng)力造成的斷開 時，也可以通過凹槽216內(nèi)的導(dǎo)電膜230來保持每個凸塊200的電連接。因此，可以進(jìn) 一步提高安裝的可靠性。圖12是示出根據(jù)第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的平面圖。圖13是示出制造本 實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中使用的多等級掩模50的構(gòu)造的平面圖。該半導(dǎo)體器件具有與根據(jù) 第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相同的構(gòu)造，不同之處在于，相對于一個互連240只形 成一個凸塊200。也就是說，該半導(dǎo)體器件被構(gòu)造成使得對于每個互連240，在圖10中 被分割成多個部分的凸塊200聯(lián)合成一個，并且凹槽216被形成在凸塊核心220中。凹 槽216在與互連240的伸展方向相同的方向上伸展。制造該半導(dǎo)體器件的方法與根據(jù)第 一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法相同，不同之處在于，半透射區(qū)域54被設(shè)置在多等級掩模50中的與凹槽216相對應(yīng)的區(qū)域中，如圖13中所示。 由于在本實(shí)施例中的凹槽216還形成在凸塊核心220中，因此位于頭部外周的空 隙空間的體積相對于凸塊核心220的頭部體積增大。因此，當(dāng)將凸塊200壓向安裝板300 的電極310并且與之連接時，可以增加凸塊核心220的變形量。在這種情況下，由于安裝 板300的電極310和凸塊200的粘附性變得更好，因此可以提高凸塊200和電極310的連 接可靠性。另外，由于與第五實(shí)施例類似地，凹槽216在與導(dǎo)電膜230的方向相同的方 向上伸展，因此在其中形成至少凹槽216的區(qū)域中，抑制導(dǎo)電膜230的涂覆性降低。因 此，可以穩(wěn)定電極焊盤130和凸塊200之中最遠(yuǎn)離電極焊盤130的區(qū)域之間的電連接。圖14是示出根據(jù)第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的平面圖。圖15是示出本實(shí) 施例的制造半導(dǎo)體器件中使用的多等級掩模50的構(gòu)造的平面圖。該半導(dǎo)體器件具有與根 據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相同的構(gòu)造，不同之處在于，凹槽216變得更深并且 凸塊核心220被分割，以及沿著圖14中的B-B'線截取的橫截面圖與第四實(shí)施例的橫截 面圖相同，即，與圖8A相同。制造該半導(dǎo)體器件的方法與根據(jù)第五實(shí)施例的制造半導(dǎo)體 器件的方法相同，不同之處在于，如圖15中所示，在多等級掩模50中的與凹槽216相對 應(yīng)的區(qū)域中，設(shè)置完全蔽光區(qū)域56來替代半透射區(qū)域54。還可以通過本實(shí)施例得到與第五實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)相同的優(yōu)點(diǎn)。如上所述，雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是它們只是本發(fā)明的 示例，并且可以采用不同于上述構(gòu)造的各種構(gòu)造。例如，在上述每個實(shí)施例中，雖然多 等級掩模50被設(shè)定成由完全蔽光區(qū)域52、半透射區(qū)域54和完全透射區(qū)域56組成的三個 等級，但是半透射區(qū)域54還可以進(jìn)一步被設(shè)定成多個等級，并因此可以被形成為具有連 續(xù)的等級。顯而易見，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例，而是可以在不脫離本發(fā)明的范圍和精神 下進(jìn)行更改和變化。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括 在基板中形成多個電極焊盤；在所述多個電極焊盤中和所述多個電極焊盤的外周，形成保護(hù)絕緣膜，所述保護(hù)絕 緣膜具有位于每個所述電極焊盤上方的多個開口； 在所述保護(hù)絕緣膜上方形成感光性樹脂膜；通過對所述感光性樹脂膜進(jìn)行曝光和顯影，沿著第一直線、在所述保護(hù)絕緣膜上方 形成多個凸塊核心；以及通過在所述多個凸塊核心、所述多個電極焊盤和所述保護(hù)絕緣膜上方選擇性地形成 導(dǎo)電膜，來形成多個凸塊以及多個互連，所述多個互連將所述多個凸塊中的每個連接到 所述電極焊盤中的任一個，其中，在形成所述多個凸塊核心的所述步驟中，通過使用多等級掩模只一次性將所 述感光性樹脂曝光，使得在所述凸塊核心的側(cè)面上的與所述互連接壤的區(qū)域被形成為具 有比與所述第一直線相交的區(qū)域更緩的坡度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述感光性樹脂膜是正型的；以及其中，在所述多等級掩模中，與在所述凸塊核心的側(cè)面上的和所述互連接壤的區(qū)域 相對應(yīng)的部分的光透射量大于與在所述凸塊核心的側(cè)面上的和所述第一直線相交的區(qū)域 相對應(yīng)的部分的光透射量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，彼此緊鄰設(shè)置的所述凸塊核心的中心之間的距離等于或小于50 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述感光性樹脂膜是酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、氨基樹脂、不飽 和聚酯樹脂、硅樹脂或烯丙基樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述多個凸塊核心被構(gòu)造成使得所述多個凸塊核心的下部彼此連接。
6.一種掩模，所述掩模將感光性樹脂膜曝光并且形成多個凸塊中的每個凸塊的凸塊 核心，所述掩模包括多個圖案，所述多個圖案沿著第一直線設(shè)置，用于形成所述凸塊核心， 其中，通過遮蔽曝光光線的完全蔽光區(qū)域和透射所述曝光光線的完全透射區(qū)域的組 合，來形成所述圖案，以及其中，所述掩模還包括半透射所述曝光光線的半透射區(qū)域，所述半透射區(qū)域連接到 在所述完全蔽光區(qū)域和所述完全透射區(qū)域的邊界中的、沿著不與所述第一直線相交的方 向上伸展的部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法和掩模。在保護(hù)絕緣膜上形成感光性樹脂膜。接著，通過對所述感光性樹脂膜進(jìn)行曝光和顯影，沿著第一直線、在所述保護(hù)絕緣膜上形成多個凸塊核心。接著，通過在多個凸塊核心、多個電極焊盤和保護(hù)絕緣膜上選擇性地形成導(dǎo)電膜，來形成多個凸塊和多個互連，所述多個互連將所述多個凸塊中的每個連接到所述電極焊盤中的任一個。在形成多個凸塊核心的步驟中，通過使用多等級掩模只一次性將感光性樹脂曝光，在凸塊核心的側(cè)面上的與互連接壤的區(qū)域被形成為具有比與所述第一直線相交的區(qū)域的坡度更緩的坡度。
文檔編號H01L21/32GK102024698SQ20101027914
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月10日
發(fā)明者別宮史浩 申請人:瑞薩電子株式會社