專利名稱：晶片清洗控制裝置和晶片清洗控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種晶片清洗控制裝置和晶片清洗控制方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing，簡稱CMP)技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù)，其借助超微粒子(例如二氧化硅粒子，氧化鋁粒子)的研磨作用以及化學(xué)溶液的腐蝕作用在研磨的晶片表面上形成光潔平坦平面。在CMP工藝之后，超微粒子會附著在被拋光晶片上，成為污染物粒子，必須從晶片表面完全去除以保持電子器件的可靠性和生產(chǎn)線的清潔度。通常情況下，CMP后的晶圓是在酸性(例如以氫氟酸為主要清洗劑)或者堿性 (例如氨水為主要清洗劑)的清洗溶液中進(jìn)行一定時間的浸泡清洗，然后去離子水清洗。 但所述清洗溶液的浸泡時間不宜過長，若時間過長，將造成對晶片的腐蝕損傷。申請?zhí)枮?98812108.5的中國專利申請文件描述了一種在CMP后從晶片表面上清除污染物粒子的工藝。具體的CMP后清洗工藝還包括溶液清洗槽清洗后的毛刷清洗、甩干及烘烤。即在短時間的浸泡清洗之后，通過機(jī)械臂將浸泡于清洗溶液中的晶片取出，繼續(xù)后續(xù)的毛刷清洗等流程。若后續(xù)的毛刷清洗等流程發(fā)生故障的情況下，則機(jī)械臂將停止操作，直到后續(xù)流程的故障被排除后，才能將浸泡在清洗溶液中的晶片取出。而排除故障的時間有時過長，將導(dǎo)致浸泡的晶片被清洗溶液腐蝕損傷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種晶片清洗控制裝置和晶片清洗控制方法，避免浸泡時間過長，導(dǎo)致待清洗的晶片被清洗溶液腐蝕損傷。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶片清洗控制裝置，包括晶片探測單元，用于探測清洗槽內(nèi)是否放置有待清洗晶片，若有待清洗晶片放置于清洗槽內(nèi)，則發(fā)出開啟信號，若清洗槽內(nèi)無待清洗晶片，則發(fā)出復(fù)位信號；計(jì)時單元，用于接收晶片探測單元發(fā)出的開啟信號和復(fù)位信號，當(dāng)接收到開啟信號，則計(jì)時單元開始計(jì)時，當(dāng)接收到復(fù)位信號，則計(jì)時單元停止計(jì)時，同時將計(jì)時單元清零； 計(jì)時單元設(shè)定有預(yù)定時間，若計(jì)時單元計(jì)時到預(yù)定時間，所述計(jì)時單元發(fā)出工作信號；控制單元，用于接收計(jì)時單元發(fā)出的工作信號，并根據(jù)工作信號控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液的排放?？蛇x的，所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 15分鐘?？蛇x的，所述預(yù)定時間根據(jù)待清洗晶片的類型確定若待清洗晶片為銅制程晶片， 所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 5分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，所述預(yù)定時間范圍為6分鐘 10分鐘。可選的，所述待清洗晶片經(jīng)過清洗槽清洗后，還包括毛刷清洗、甩干及烘烤的清洗流程?？蛇x的，所述控制單元還包括清洗狀態(tài)探測單元，所述清洗狀態(tài)探測單元用于探測清洗流程中是否發(fā)生有故障，若所述清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤之一或多個流程發(fā)生有故障，則清洗狀態(tài)探測單元發(fā)出狀態(tài)信號至控制單元，所述控制單元根據(jù)狀態(tài)信號控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行排放。可選的，所述清洗槽包括低液位檢測單元，所述低液位檢測單元設(shè)置有最低液位限，對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則控制單元控制清洗槽內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)充清洗溶液?？蛇x的，所述控制單元控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行排放過程中，所述控制單元控制控制低液位檢測單元停止低液位檢測。本發(fā)明還提供一種晶片清洗控制方法，包括提供具有清洗溶液的清洗槽，并探測所述清洗槽是否放置有待清洗晶片；若有待清洗晶片放置于清洗槽內(nèi)，則自放置時間開始， 對待清洗晶片的浸泡時間進(jìn)行計(jì)時；提供預(yù)定時間，若待清洗晶片的浸泡時間超過預(yù)定時間后，排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液?？蛇x的，所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 15分鐘?？蛇x的，所述預(yù)定時間根據(jù)待清洗晶片的類型確定若待清洗晶片為銅制程晶片， 所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 5分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，所述預(yù)定時間范圍為6分鐘 10分鐘?？蛇x的，所述待清洗晶片經(jīng)過清洗槽清洗后，還包括有毛刷清洗、甩干及烘烤的清洗流程?？蛇x的，若所述清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤之一或多個流程發(fā)生故障，則排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液?？蛇x的，在晶片清洗過程中還包括對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則對清洗槽內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)充清洗溶液?？蛇x的，所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行排放過程中，則停止對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的清洗裝置和方法通過對晶片放置在清洗槽內(nèi)的狀態(tài)進(jìn)行探測，在預(yù)定時間后，排放所述清洗溶液，避免晶片因浸泡時間過長，清洗溶液對晶片造成腐蝕損傷。進(jìn)一步地，本發(fā)明的清洗裝置和方法還可以根據(jù)探測整個清洗流程，包括清洗槽清洗、毛刷清洗，甩干及烘烤等流程，若上述流程之一或多個發(fā)生有故障，則排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液，避免晶片因浸泡時間過長，清洗溶液對晶片造成腐蝕損傷。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片清洗控制裝置。圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片清洗控制裝置。圖3是本發(fā)明一個實(shí)施例的晶片清洗控制方法。
具體實(shí)施例方式CMP后清洗工藝包括清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤。其中，所述清洗槽包括排液閥、低液位檢測單元和補(bǔ)液閥，對清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行控制，具體地低液位檢測單元設(shè)置有最低液位限，并對所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則補(bǔ)液閥開始對清洗槽內(nèi)補(bǔ)充清洗溶液；所述排液閥則一直排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液；通過排液閥、低液位檢測單元和補(bǔ)液閥之間的循環(huán)工作，使所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液保持動態(tài)平衡。在一定時間的清洗槽浸泡后，通過機(jī)械臂將浸泡于清洗溶液中的晶片取出，繼續(xù)后續(xù)的毛刷清洗等流程。但若后續(xù)的毛刷清洗等流程發(fā)生故障，則機(jī)械臂將暫時停止操作， 直到后續(xù)流程的故障被排除后，機(jī)械臂才能將浸泡在清洗溶液中的晶片取出。而排除故障的時間有時過長，將導(dǎo)致浸泡的晶片被清洗溶液腐蝕損傷的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶片清洗控制裝置，包括晶片探測單元，用于探測清洗槽內(nèi)是否放置有待清洗晶片，若有待清洗晶片放置于清洗槽內(nèi)，則發(fā)出開啟信號， 若清洗槽內(nèi)無待清洗晶片，則發(fā)出復(fù)位信號；計(jì)時單元，用于接收晶片探測單元發(fā)出的開啟信號和復(fù)位信號，當(dāng)接收到開啟信號，則計(jì)時單元開始計(jì)時，當(dāng)接收到復(fù)位信號，則計(jì)時單元停止計(jì)時，同時將計(jì)時單元清零；計(jì)時單元設(shè)定有預(yù)定時間，若計(jì)時單元計(jì)時到預(yù)定時間，所述計(jì)時單元發(fā)出工作信號；控制單元，用于接收計(jì)時單元發(fā)出的工作信號，并根據(jù)工作信號控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液的排放。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。如圖1所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片清洗控制裝置，包括晶片探測單元100，用于探測清洗槽內(nèi)是否放置有待清洗晶片，若有，則發(fā)出開啟信號，并傳輸至與其信號連接的計(jì)時單元200，若沒有，則發(fā)出復(fù)位信號，并傳輸至與其信號連接的計(jì)時單元200，所述晶片探測單元100可以為光學(xué)傳感器，對清洗槽內(nèi)的狀態(tài)進(jìn)行光學(xué)探測，若放置有待清洗晶片，則感應(yīng)并產(chǎn)生開啟信號。計(jì)時單元200，當(dāng)接收到開啟信號，開始計(jì)時，所述計(jì)時單元200設(shè)定有預(yù)定時間， 若計(jì)時單元200計(jì)時到預(yù)定時間，則所述計(jì)時單元200發(fā)出工作信號，并傳輸至與其信號連接的控制單元300 ；若接收到復(fù)位信號，則計(jì)時單元200停止計(jì)時，同時計(jì)時單元200清零， 所述計(jì)時單元200為延時繼電器。控制單元300，接收計(jì)時單元200發(fā)出的工作信號，開始對清洗槽的清洗溶液進(jìn)行控制。具體地包括通過控制單元300打開排液閥410、關(guān)閉低液位檢測單元420及補(bǔ)液閥 430，將清洗槽內(nèi)的清洗溶液排空。一般地，所述排液閥410以一定的速率排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液；所述低液位檢測單元420與清洗槽連接，設(shè)置有最低液位限，對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則通過補(bǔ)液閥430以一定速率對清洗槽內(nèi)補(bǔ)充清洗溶液。
在控制單元300的控制下，所述排液閥410開始排放清洗溶液，可以在原有的排液速率范圍的基礎(chǔ)上加快其排液速率，使其迅速排放干凈；同時，關(guān)閉低液位檢測單元420與補(bǔ)液閥430，即停止對清洗槽內(nèi)的清洗溶液液位的檢測和對清洗槽的清洗溶液的補(bǔ)充。進(jìn)行上述操作之后，所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液可以排光，保護(hù)位于清洗槽內(nèi)的晶片不會因過長時間的浸泡而被腐蝕損傷。其中，所述計(jì)時單元200的預(yù)定時間根據(jù)待清洗晶片類型設(shè)定，且小于待清洗晶片的安全浸泡時間。若所述待清洗晶片的浸泡時間超出安全浸泡時間，清洗溶液會對待清洗晶片造成腐蝕損傷。正常的清洗程序下，若待清洗晶片為銅制程晶片，則安全浸泡時間小于5分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，則安全浸泡時間小于10分鐘。對應(yīng)地所述預(yù)定時間設(shè)定如下若待清洗晶片為銅制程晶片，則所述預(yù)定時間范圍可以為2分鐘 5分鐘，優(yōu)選地為3分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，則所述預(yù)定時間范圍可以為6分鐘 10分鐘，優(yōu)選地為7分鐘。其中，所述浸泡過久超出預(yù)定時間是因?yàn)榇逑淳逑戳鞒倘缜逑床矍逑础⒚⑶逑?、甩干及烘烤等流程的之一或多個發(fā)生有故障，不能及時將浸泡于清洗槽內(nèi)的待清洗晶片去除。作為其他實(shí)施例，控制單元300還可以根據(jù)待清洗晶片的清洗狀態(tài)，對排液閥 410、低液位檢測單元420與補(bǔ)液閥430進(jìn)行控制。參考圖2，為本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片清洗控制裝置，在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，增加了清洗狀態(tài)探測單元500，所述清洗狀態(tài)探測單元500用于探測整個清洗流程中的狀態(tài)，包括清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤等流程狀態(tài)，若清洗狀態(tài)探測單元500探測到清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤等流程之一或多個發(fā)生有故障，則發(fā)送狀態(tài)信號至控制單元300。控制單元300接收所述狀態(tài)信號，并根據(jù)所述狀態(tài)信號對清洗槽的清洗溶液進(jìn)行控制，具體地包括通過控制單元300打開排液閥410、關(guān)閉低液位檢測單元420及補(bǔ)液閥 430，將清洗槽內(nèi)的清洗溶液排空。其中，所述排液閥410和補(bǔ)液閥430用于控制清洗槽內(nèi)的清洗溶液的排放和補(bǔ)充，所述低液位檢測單元420與清洗槽連接，設(shè)置有最低液位限，對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則通過控制單元300 對清洗槽內(nèi)補(bǔ)充清洗溶液。在第二實(shí)施例中，所述控制單元300除接收清洗狀態(tài)探測單元500發(fā)出的狀態(tài)信號，還可以接收來自于計(jì)時單元200的工作信號，其具體工作原理可以參見第一實(shí)施例，此處不詳細(xì)敘述。第二實(shí)施例中，控制單元300具有兩個輸入端計(jì)時單元200和清洗狀態(tài)探測單元 500。對于兩個輸入端的信號，所述控制單元300采用先到先收信號的原理若先接收到工作信號后，則停止接收狀態(tài)信號；若先接收到狀態(tài)信號，則停止接收工作信號。本發(fā)明還提供一種晶片清洗控制方法，如圖3所示包括步驟Si，提供具有清洗溶液的清洗槽，并探測所述清洗槽是否放置有待清洗晶片；步驟S2，若有待清洗晶片放置于清洗槽內(nèi)，則自放置時間開始，對待清洗晶片的浸泡時間進(jìn)行計(jì)時；步驟S3，提供預(yù)定時間，若待清洗晶片的浸泡時間超過預(yù)定時間后，排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液。下面結(jié)合本發(fā)明提供的晶片清洗控制裝置，對本發(fā)明提供的晶片清洗控制方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
首先，提供清洗槽，所述清洗槽內(nèi)具有清洗溶液，可以放置待清洗后的晶片，所述晶片為經(jīng)過化學(xué)機(jī)械研磨后的晶片。所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液可為雙氧水和氨水的混合溶液。參考圖1和圖2，通過晶片探測單元100對所述清洗槽的狀態(tài)進(jìn)行探測，所述晶片探測單元100可為傳感器。若清洗槽內(nèi)放置有待清洗晶片，所述晶片探測單元100發(fā)出開啟信號至計(jì)時單元200，計(jì)時單元200開始計(jì)時。所述晶片探測單元100可以為光學(xué)傳感器， 對清洗槽內(nèi)的狀態(tài)進(jìn)行光學(xué)探測，若放置有待清洗晶片，則感應(yīng)并產(chǎn)生開啟信號；所述計(jì)時單元200為延時繼電器。接著，所述晶片探測單元100發(fā)送開啟信號后，所述晶片探測單元100仍繼續(xù)探測所述清洗槽狀態(tài)，若清洗槽內(nèi)仍浸泡有晶片，則不發(fā)送任何信號至計(jì)時單元200，所述計(jì)時單元200保持計(jì)時；若清洗槽內(nèi)的晶片被全部取出，則由晶片探測單元100發(fā)出復(fù)位信號至計(jì)時單元200，計(jì)時單元200停止計(jì)時。所述計(jì)時單元200設(shè)置有預(yù)定時間，若所述計(jì)時單元200的計(jì)時達(dá)到預(yù)定時間，則由所述計(jì)時單元200發(fā)出工作信號至控制單元300。其中，所述計(jì)時單元200的預(yù)定時間根據(jù)待清洗晶片類型設(shè)定，且小于待清洗晶片的安全浸泡時間。若所述待清洗晶片的浸泡時間超出安全浸泡時間，清洗溶液會對待清洗晶片造成腐蝕損傷。正常的清洗程序下，若待清洗晶片為銅制程晶片，則安全浸泡時間小于5分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，則安全浸泡時間小于10分鐘。對應(yīng)地所述預(yù)定時間設(shè)定如下若待清洗晶片為銅制程晶片，則所述預(yù)定時間范圍可以為2分鐘 5分鐘，優(yōu)選地為3分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，則所述預(yù)定時間范圍可以為6分鐘 10分鐘，優(yōu)選地為7分鐘。其中，所述浸泡過久超出預(yù)定時間是因?yàn)榇逑淳逑戳鞒倘缜逑床矍逑?、毛刷清洗、甩干及烘烤等流程的之一或多個發(fā)生故障，不能及時將浸泡于清洗槽內(nèi)的待清洗晶片去除。最后，控制單元300接收到計(jì)時單元200傳輸?shù)墓ぷ餍盘柡?，對清洗槽?nèi)的清洗溶液進(jìn)行控制。具體地包括通過控制單元300打開排液閥410、關(guān)閉低液位檢測單元420及補(bǔ)液閥430，將清洗槽內(nèi)的清洗溶液排空。一般地，所述排液閥410以一定的速率排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液；所述低液位檢測單元420與清洗槽連接，設(shè)置有最低液位限，對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則通過補(bǔ)液閥430以一定速率對清洗槽內(nèi)補(bǔ)充清洗溶液。在控制單元300的控制下，所述排液閥410開始排放清洗溶液，可以在原有的排液速率范圍的基礎(chǔ)上加快其排液速率，使其迅速排放干凈；同時，關(guān)閉低液位檢測單元420與補(bǔ)液閥430，即停止對清洗槽內(nèi)的清洗溶液液位的檢測和對清洗槽的清洗溶液的補(bǔ)充。進(jìn)行上述操作之后，所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液可以排光，保護(hù)位于清洗槽內(nèi)的晶片不會因過長時間的浸泡而被腐蝕損傷。作為另一個實(shí)施例，參考圖2，控制單元300還接收來自于清洗狀態(tài)探測單元500 傳輸?shù)臓顟B(tài)信號。其中，所述清洗狀態(tài)探測單元500用以探測整個清洗流程中的狀態(tài)，包括清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤等流程狀態(tài)，若清洗狀態(tài)探測單元500探測到清洗槽清洗、毛刷清洗，甩干及烘烤等流程之一或多個發(fā)生有故障，則發(fā)送狀態(tài)信號至控制單元300。
控制單元300接收到清洗狀態(tài)探測單元500傳輸?shù)臓顟B(tài)信號后，對清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行控制。具體地包括通過控制單元300打開排液閥410、關(guān)閉低液位檢測單元420 及補(bǔ)液閥430，將清洗槽內(nèi)的清洗溶液排空。本實(shí)施例中控制單元300具有兩個輸入端計(jì)時單元200和清洗狀態(tài)探測單元 500。對于兩個輸入端的信號，所述控制單元300采用先到先收工作信號的原理若先接收到工作信號后，則停止接收狀態(tài)信號；若先接收到狀態(tài)信號，則停止接收工作信號。本發(fā)明的清洗裝置和方法通過對晶片放置在清洗槽內(nèi)的狀態(tài)進(jìn)行探測，在預(yù)定時間后，排放所述清洗溶液，避免晶片因浸泡時間過長，清洗溶液對晶片造成腐蝕損傷。進(jìn)一步地，本發(fā)明的清洗裝置和方法還可以根據(jù)探測整個清洗流程，包括清洗槽清洗、毛刷清洗，甩干及烘烤等流程，若上述流程之一或多個發(fā)生有故障，則排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液，避免晶片因浸泡時間過長，清洗溶液對晶片造成腐蝕損傷。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片清洗控制裝置，其特征在于，包括晶片探測單元，用于探測清洗槽內(nèi)是否放置有待清洗晶片，若有待清洗晶片放置于清洗槽內(nèi)，則發(fā)出開啟信號，若清洗槽內(nèi)無待清洗晶片，則發(fā)出復(fù)位信號；計(jì)時單元，用于接收晶片探測單元發(fā)出的開啟信號和復(fù)位信號，當(dāng)接收到開啟信號，則計(jì)時單元開始計(jì)時，當(dāng)接收到復(fù)位信號，則計(jì)時單元停止計(jì)時，同時將計(jì)時單元清零；計(jì)時單元設(shè)定有預(yù)定時間，若計(jì)時單元計(jì)時到預(yù)定時間，所述計(jì)時單元發(fā)出工作信號；控制單元，用于接收計(jì)時單元發(fā)出的工作信號，并根據(jù)工作信號控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液的排放。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶片清洗控制裝置，其特征在于，其特征在于，所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 15分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述晶片清洗控制裝置，其特征在于，所述預(yù)定時間根據(jù)待清洗晶片的類型確定若待清洗晶片為銅制程晶片，所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 5分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，所述預(yù)定時間范圍為6分鐘 10分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶片清洗控制裝置，其特征在于，所述待清洗晶片經(jīng)過清洗槽清洗后，還包括毛刷清洗、甩干及烘烤的清洗流程。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述晶片清洗控制裝置，其特征在于，所述控制單元還包括清洗狀態(tài)探測單元，所述清洗狀態(tài)探測單元用于探測清洗流程中是否發(fā)生有故障，若所述清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤之一或多個流程發(fā)生有故障，則清洗狀態(tài)探測單元發(fā)出狀態(tài)信號至控制單元，所述控制單元根據(jù)狀態(tài)信號控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行排放。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述晶片清洗控制裝置，其特征在于，所述清洗槽包括低液位檢測單元，所述低液位檢測單元設(shè)置有最低液位限，對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則控制單元控制清洗槽內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)充清洗溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述晶片清洗控制裝置，其特征在于，所述控制單元控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行排放過程中，所述控制單元控制控制低液位檢測單元停止低液位檢測。
8.一種晶片清洗控制方法，其特征在于，包括提供具有清洗溶液的清洗槽，并探測所述清洗槽是否放置有待清洗晶片；若有待清洗晶片放置于清洗槽內(nèi)，則自放置時間開始，對待清洗晶片的浸泡時間進(jìn)行計(jì)時；提供預(yù)定時間，若待清洗晶片的浸泡時間超過預(yù)定時間后，排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 15分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述預(yù)定時間根據(jù)待清洗晶片的類型確定若待清洗晶片為銅制程晶片，所述預(yù)定時間范圍為2分鐘 5分鐘；若待清洗晶片為鋁制程晶片或鎢制程晶片，所述預(yù)定時間范圍為6分鐘 10分鐘。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述待清洗晶片經(jīng)過清洗槽清洗后，還包括有毛刷清洗、甩干及烘烤的清洗流程。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述晶片清洗控制方法，其特征在于，若所述清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤之一或多個流程發(fā)生故障，則排放清洗槽內(nèi)的清洗溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述晶片清洗控制方法，其特征在于，在晶片清洗過程中還包括對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，則對清洗槽內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)充清洗溶液。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液進(jìn)行排放過程中，則停止對所述清洗槽內(nèi)清洗溶液進(jìn)行測量。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片清洗控制裝置，包括晶片探測單元，探測清洗槽內(nèi)是否放置待清洗晶片，若有待清洗晶片放置于清洗槽內(nèi)，則發(fā)出開啟信號，若清洗槽內(nèi)無待清洗晶片，則發(fā)出復(fù)位信號；計(jì)時單元，接收開啟信號和復(fù)位信號，當(dāng)接收到開啟信號，計(jì)時單元開始計(jì)時，當(dāng)接收到復(fù)位信號，計(jì)時單元停止計(jì)時，同時將計(jì)時單元清零；計(jì)時單元設(shè)定預(yù)定時間，若計(jì)時單元計(jì)時到預(yù)定時間，所述計(jì)時單元發(fā)出工作信號；控制單元，接收計(jì)時單元發(fā)出的工作信號，根據(jù)工作信號控制所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液的排放。本發(fā)明還提供一種晶片清洗控制方法。通過本發(fā)明晶片清洗控制裝置和晶片清洗控制方法，避免晶片被清洗溶液浸泡時間過長，導(dǎo)致晶片被清洗溶液腐蝕損傷。
文檔編號H01L21/02GK102386062SQ20101027517
公開日2012年3月21日 申請日期2010年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者周亨, 朱培, 高思瑋 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司