專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體發(fā)光器件以及制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施例涉及使用基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體發(fā)光器件以及制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法。
背景技術(shù)：
可以通過(guò)在藍(lán)寶石襯底、SiC襯底等等上進(jìn)行基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體的晶體生長(zhǎng)來(lái)制造諸如激光二極管(LD)和發(fā)光二極管(LED)的光學(xué)器件。作為該類(lèi)型的光學(xué)器件的技術(shù)問(wèn)題，需要改善散熱性能和光提取效率。當(dāng)在其中流過(guò)大電流時(shí)，該類(lèi)型的光學(xué)器件難以穩(wěn)定地操作。近期，提出了旨在更高的光提取效率的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中通過(guò)倒裝芯片(flip-chip)安裝將形成在藍(lán)寶石襯底上的III-V化合物半導(dǎo)體安裝在子安裝 (sub-mount)襯底上，然后用底部填充(underfill)材料固定化合物半導(dǎo)體，然后使藍(lán)寶石襯底從半導(dǎo)體剝離，之后處理化合物半導(dǎo)體的上表面以形成粗糙的表面。然而，當(dāng)將底部填充材料附接到藍(lán)寶石襯底的側(cè)面時(shí)，激光剝離方法需要過(guò)量的力來(lái)剝離藍(lán)寶石襯底。因此要關(guān)注到以下方面，即，當(dāng)用力剝離藍(lán)寶石襯底時(shí)化合物半導(dǎo)體會(huì)開(kāi)裂。出于該原因，已經(jīng)提出了一種技術(shù)，其中底部填充材料未附接到藍(lán)寶石襯底的側(cè)面(參見(jiàn)文件 1 =JP-A 2008-140873(特開(kāi)))。然而，在專(zhuān)利文件1中，雖然底部填充材料未附接到藍(lán)寶石襯底的側(cè)面，但其附接到藍(lán)寶石襯底的底表面。因此，為了剝離藍(lán)寶石襯底，仍需要過(guò)量的力。這會(huì)導(dǎo)致化合物半導(dǎo)體和/或底部填充材料開(kāi)裂或破碎。此外，為了形成具有文件1中所公開(kāi)的形狀的底部填充材料，需要另外的制造工藝，這導(dǎo)致制造成本提高。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件具有支撐襯底、發(fā)光元件和底部填充材料。 所述發(fā)光元件包括在所述支撐襯底上通過(guò)凸起(bump)而接觸的基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體層。所述底部填充材料被設(shè)置在所述支撐襯底上以接觸所述支撐襯底、所述發(fā)光元件以及所述凸起，所述底部填充材料包括肋部(rib portion)，所述肋部被設(shè)置在所述發(fā)光元件的端面的外側(cè)以圍繞所述發(fā)光元件的所述端面。


圖1為根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面4
圖2為示出了在藍(lán)寶石襯底20上形成的化合物半導(dǎo)體層6的實(shí)例的截面圖；圖3為示出了本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法的實(shí)例的工藝圖；圖4為在圖3之后的工藝圖；以及圖5為封裝后的半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考

實(shí)施例。圖1為根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面圖。圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件具有p電極層4和η電極層5，其中的每一個(gè)被分別通過(guò)接合金屬層2和凸起3而連接到成為支撐襯底的子安裝襯底1 ；以及基于氮化物的III-V族半導(dǎo)體層(發(fā)光元件)6，其被連接到ρ電極層4和η電極層5?；衔锇雽?dǎo)體層6具有由圖1中從上到下的η型接觸層7、η型半導(dǎo)體層8、發(fā)光層9、ρ型半導(dǎo)體層10以及ρ型接觸層11構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，利用通過(guò)以高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)而生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上的基于GaN的單晶來(lái)形成化合物半導(dǎo)體層6中的各層。各層的具體材料為例如AlxGEthJnyN (0彡χ彡1，0彡y彡1)。η型接觸層7的上表面為光提取表面12，該表面被處理以形成粗糙表面，從而提高光提取效率。在光提取表面12上形成絕緣膜13以減小折射率差。在制造圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件之前的步驟中，通過(guò)晶體生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底20上生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體層6。圖2是示出通過(guò)晶體生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底20上生長(zhǎng)的化合物半導(dǎo)體層6的實(shí)例的截面圖。在圖2中，與圖1相同的層具有相同的參考標(biāo)號(hào)。圖2的化合物半導(dǎo)體層6具有在藍(lán)寶石襯底20上依次層疊的緩沖層21、η型接觸層7、η型半導(dǎo)體層8、發(fā)光層9、ρ型半導(dǎo)體層10以及ρ型接觸層11。ρ電極層4形成在ρ型接觸層11上，而η電極層5形成在η型接觸層7上。除了在其上形成了 ρ電極層4和η電極層5的區(qū)域之外， 化合物半導(dǎo)體層6的表面被覆蓋有絕緣膜22。通過(guò)晶體生長(zhǎng)直接在藍(lán)寶石襯底20上形成緩沖層21。緩沖層21不需要用雜質(zhì)摻雜。然而，存在使用諸如鍺(Ge)的η型雜質(zhì)以約2Χ IO18CnT3的濃度摻雜緩沖層21的情況。緩沖層21的生長(zhǎng)溫度為例如約1000到1100°C。用于發(fā)光層9的結(jié)構(gòu)為SQW結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)通過(guò)層疊具有若干納米的膜厚度的^iGaN 構(gòu)成的量子阱層和設(shè)置在量子阱層的兩側(cè)的具有若干納米的膜厚度的由未摻雜的^GaN 構(gòu)成的勢(shì)壘層而獲得?；蛘?，層9為通過(guò)彼此層疊量子阱層和勢(shì)壘層而獲得的MQW結(jié)構(gòu)。層疊結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)溫度為約700到800°C。通過(guò)使用諸如鍺或鋅的ρ型雜質(zhì)以約4 X IO18CnT3到1 X 102°cnT3的雜質(zhì)濃度摻雜基于GaN的半導(dǎo)體層來(lái)形成ρ型半導(dǎo)體層10。通過(guò)使用諸如Mg的ρ型雜質(zhì)以約1 X 1019cm_3 的雜質(zhì)濃度摻雜基于GaN的半導(dǎo)體層來(lái)形成ρ型接觸層11。生長(zhǎng)溫度為約1000到1100°C。 在P型接觸層11上形成P電極層4。通過(guò)利用熱處理來(lái)層疊ρ型歐姆電極層和高反射電極層，形成ρ電極層4。ρ型歐姆電極層需要與P型半導(dǎo)體層10的低接觸電阻。因此，優(yōu)選諸如Pt、Ru、Os、他、Ir、Pd等等的鉬族或Ag?？紤]到折射率，Ag是優(yōu)選的，因?yàn)槠涑尸F(xiàn)高折射率。還用Ag等等形成高反射電極層。
通過(guò)用η型雜質(zhì)(例如，Si)以小于η型接觸層7的摻雜量摻雜基于GaN的半導(dǎo)體層來(lái)形成η型半導(dǎo)體層8。具有高于η型半導(dǎo)體層8的η型雜質(zhì)濃度的η型接觸層7與η電極層5歐姆接觸。 通過(guò)用大量的Si摻雜基于GaN的半導(dǎo)體層來(lái)形成η型接觸層7。η電極層5需要與η接觸層7形成歐姆接觸的材料。優(yōu)選Ti/Al或Ti/Al/Ni/Au。如圖1和2所示，用絕緣膜22覆蓋化合物半導(dǎo)體層6的表面。因此，即使η電極層5和ρ電極層4都被設(shè)置在藍(lán)寶石襯底20的同一主表面?zhèn)?，也不用?dān)心二者會(huì)彼此電連接。優(yōu)選將SW2用于絕緣膜22，其可以通過(guò)CVD或PVD形成?？梢杂肧iN形成絕緣膜 22。然而，由于高的膜應(yīng)力，這需要IOOnm或更小的膜厚度。在ρ電極層4和η電極層5的每個(gè)表面上形成襯墊電極(未示出)，以實(shí)現(xiàn)與凸起或Au布線(xiàn)的更高的可接觸性。優(yōu)選地，襯墊電極的最頂層為具有約IOOnm或更大的膜厚度的Au。通過(guò)形成最頂層結(jié)束潔凈室工藝。隨著潔凈室工藝的結(jié)束，便完成了圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造。圖3和4示出了根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法的實(shí)例。首先，在藍(lán)寶石襯底20上形成具有圖2的結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體層6。在圖3中，雖然以簡(jiǎn)化的形式示出了化合物半導(dǎo)體層6，但層6實(shí)際上具有與圖2相同的結(jié)構(gòu)，在層6上形成有ρ電極層4 和η電極層5?；衔锇雽?dǎo)體層6被接合到粘合片(adhesive sheet) 30，其中藍(lán)寶石襯底 20在片30之上。然后通過(guò)使用激光切割機(jī)或劃片機(jī)等等將化合物半導(dǎo)體層6切割為單個(gè)的發(fā)光器件。在本說(shuō)明書(shū)中，每一個(gè)切割下的芯片稱(chēng)為發(fā)光部。發(fā)光部具有藍(lán)寶石襯底20 和形成在其上的化合物半導(dǎo)體層6。 接下來(lái)，如圖3 (a)所示，在每個(gè)切割出的發(fā)光部中，至少在化合物半導(dǎo)體層6和藍(lán)寶石襯底20的側(cè)面上，優(yōu)選地，在化合物半導(dǎo)體層6和藍(lán)寶石襯底20的側(cè)面上以及藍(lán)寶石襯底20的上表面上，施加保護(hù)膜31。然后，干燥保護(hù)膜31。保護(hù)膜31優(yōu)選為可溶于有機(jī)溶劑中的光致抗蝕劑或可溶于沸水中的PVA (聚乙烯醇)或PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯樹(shù)脂)。如圖2所示，在化合物半導(dǎo)體層6的使保護(hù)膜31形成在其上的表面上已經(jīng)形成了 P電極層4和η電極層5。然后，在P電極層4和η電極層5上形成凸起3，并將凸起3連接到子安裝襯底1(圖3(b))。在圖3(b)中，為了簡(jiǎn)化而略去了接合金屬層2。凸起3的材料優(yōu)選為Au。然而，與凸起3相比，從操作效率考慮，更優(yōu)選引線(xiàn)接合。由AuSn等等構(gòu)成的接合金屬層需要預(yù)先形成在子安裝襯底1上并與凸起3的接合位置相符合。通過(guò)接合金屬層，利用熱壓接合使化合物半導(dǎo)體層6與子安裝襯底1彼此接合。接下來(lái)，如圖3(c)所示，將底部填充材料32填充到彼此接合的化合物半導(dǎo)體層6 與子安裝襯底1之間的間隙中。底部填充材料32優(yōu)選為基于環(huán)氧或基于硅的樹(shù)脂。接下來(lái)，如圖4 (a)所示，在熱固化底部填充材料32之后，通過(guò)溶劑或沸水去除保護(hù)膜31。需要將底部填充材料32的材料選擇為當(dāng)去除保護(hù)膜31時(shí)不會(huì)溶解。通過(guò)去除保護(hù)膜31，沿底部填充材料32的邊緣形成肋部32a。于是，化合物半導(dǎo)體層6和子安裝襯底1被設(shè)置在由肋部32a圍繞的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。底部填充材料32的肋部 32a不接觸化合物半導(dǎo)體層6的邊緣和子安裝襯底1的邊緣。這是底部填充材料32的結(jié)構(gòu)特征。接下來(lái)，如圖4(b)所示，從背側(cè)(圖4(b)中的上側(cè))向藍(lán)寶石襯底20發(fā)射激光束 (例如，KrF激光束)，以通過(guò)激光剝離方法剝離藍(lán)寶石襯底20。雖然依賴(lài)于化合物半導(dǎo)體層6的面積、激光束的面內(nèi)密度分布或束面積，激光功率密度優(yōu)選為約0. 65到0. 80J/cm2。如上所述，底部填充材料32的肋部3 不接觸子安裝襯底1的邊緣。因此不用擔(dān)心當(dāng)通過(guò)激光剝離方法剝離藍(lán)寶石襯底20時(shí)會(huì)施加過(guò)量的力。因此，不會(huì)損傷化合物半導(dǎo)體層6。接下來(lái)，如圖4(c)所示，對(duì)暴露的化合物半導(dǎo)體層6的緩沖層21和η型接觸層7 進(jìn)行諸如ICP-RIE的干法蝕刻或使用強(qiáng)堿溶液的濕法蝕刻，由此形成η型接觸層7的粗糙表面。在形成粗糙表面的工藝中，優(yōu)選粗糙蝕刻到這樣的程度，S卩，緩沖層21消失，因此 η型接觸層7成為最頂表面。通過(guò)該形成粗糙表面的工藝，提高了光提取效率并增大了半導(dǎo)體發(fā)光器件的光輸出。除了形成粗糙表面的工藝之外，還優(yōu)選進(jìn)行減小光提取表面12的折射率差的工藝。例如，當(dāng)在具有粗糙表面的η型接觸層7上施加絕緣膜13時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)光輸出的進(jìn)一步增大。用于減小折射率差的絕緣膜13優(yōu)選具有50到200nm的膜厚度，16到25的折射率以及80%或更高的透射率。通過(guò)上述工藝獲得具有圖1的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件。如上所述，特別獨(dú)特的結(jié)構(gòu)在于底部填充材料32的肋部32a。通過(guò)在圖4(a)的工藝中去除保護(hù)膜31來(lái)獲得肋部 32a。在發(fā)光部的邊緣的外側(cè)設(shè)置肋部32a，因此肋部3 絕不會(huì)與化合物半導(dǎo)體層6和藍(lán)寶石襯底20的側(cè)面接觸。當(dāng)完成圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件時(shí)，進(jìn)行封裝工藝。圖5為封裝后的半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面圖。在底部填充材料32的肋部3 與化合物半導(dǎo)體層6的側(cè)面之間施加摻雜有熒光劑材料的樹(shù)脂(第一樹(shù)脂)33。此外，用穹頂狀密封樹(shù)脂(第二樹(shù)脂)34覆蓋化合物半導(dǎo)體層6和底部填充材料32。還優(yōu)選用熒光劑材料摻雜密封樹(shù)脂34。根據(jù)本實(shí)施例的化合物半導(dǎo)體層6適用于在光發(fā)射波長(zhǎng)為405到470nm的所謂的藍(lán)光區(qū)域中的光發(fā)射。在該光發(fā)射波長(zhǎng)中，熒光劑材料優(yōu)選為YAG(釔鋁石榴石)或 SOSE (銪原硅酸鍶鋇(Strontium Barium Orthosilicate Europium))。通過(guò)組合化合物半導(dǎo)體層6與藍(lán)光區(qū)域的熒光劑材料還可以實(shí)現(xiàn)白光的光發(fā)射。當(dāng)化合物半導(dǎo)體層6的光發(fā)射波長(zhǎng)短于405nm時(shí)，密封樹(shù)脂34的劣化率極高。另一方面，當(dāng)波長(zhǎng)大于470nm時(shí)，黃色熒光劑材料的激發(fā)效率劣化，因此由于顏色混合而導(dǎo)致難以制造白光LED。出于該原因，在該實(shí)施例中，如上所述，光發(fā)射波長(zhǎng)優(yōu)選為405到470nm。此外，通過(guò)提供熒光劑材料，可以從發(fā)光層9在化合物半導(dǎo)體層6的側(cè)面的方向上發(fā)射光，由此提高了光發(fā)射效率。在選擇上述底部填充材料32的材料時(shí)，需要注意材料的硬度和粘度。硬度的標(biāo)準(zhǔn)為，KrF激光束的輻射沖擊不會(huì)使GaN薄膜開(kāi)裂。通常，使用低硬度的樹(shù)脂33時(shí)，KrF激光束的輻射沖擊會(huì)使GaN薄膜開(kāi)裂。作為本發(fā)明人考慮幾種樹(shù)脂33的硬度的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)約D60到D85的硬度對(duì)于基于環(huán)氧的樹(shù)脂33是優(yōu)選的。存在兩個(gè)有關(guān)粘度的標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)之一為在由AlN構(gòu)成的子安裝襯底1與化合物半導(dǎo)體層6之間沒(méi)有間隙(空隙)。另一標(biāo)準(zhǔn)為，盡可能地限制樹(shù)脂33朝向藍(lán)寶石襯底20的螺升(creeping-up)。作為本發(fā)明人考慮幾種樹(shù)脂33的粘度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，發(fā)現(xiàn)約0. 8到1. 4Pa · s的粘度是優(yōu)選的。當(dāng)利用由根據(jù)上述標(biāo)準(zhǔn)選擇的材料構(gòu)成的底部填充材料32制造圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件時(shí)，底部填充材料32的肋部32a的高度h在5 μ m < h < 100 μ m的范圍內(nèi)。藍(lán)寶石襯底20的厚度為100到150 μ m。子安裝襯底1的厚度為約5 μ m。從肋部32a的內(nèi)壁到化合物半導(dǎo)體層6的距離為約20 μ m。如上所述，在該實(shí)施例中，底部填充材料32具有肋部32a，以便這樣的底部填充材料32不接觸化合物半導(dǎo)體層6和藍(lán)寶石襯底20的側(cè)面，化合物半導(dǎo)體層6通過(guò)該底部填充材料32而接合到子安裝襯底1。由此，當(dāng)通過(guò)激光剝離方法剝離藍(lán)寶石襯底20時(shí)，不會(huì)存在由底部填充材料32與藍(lán)寶石襯底20之間的接觸導(dǎo)致的為了剝離藍(lán)寶石襯底20而需要過(guò)量的力的問(wèn)題。此外，在底部填充材料32的肋部3 與化合物半導(dǎo)體層6之間獲得了用于填充熒光劑材料的空間。因此，可以通過(guò)熒光劑材料點(diǎn)亮從化合物半導(dǎo)體層6在側(cè)面的方向上泄漏的光，由此增大光輸出。雖然已描述了特定的實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅僅以實(shí)例的方式示出，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，這里描述的新穎方法和系統(tǒng)可以被具體化為各種其他的形式；此外，可以進(jìn)行這里描述的方法和系統(tǒng)的形式上的各種省略、替換和改變而不背離本發(fā)明的精神。所附權(quán)利要求及其等價(jià)物旨在覆蓋落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這樣的形式和修改。
8
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括 支撐襯底；發(fā)光元件，其包括在所述支撐襯底上通過(guò)凸起而接觸的基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體層；以及底部填充材料，其被設(shè)置在所述支撐襯底上以接觸所述支撐襯底、所述發(fā)光元件以及所述凸起，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被設(shè)置在所述發(fā)光元件的端面的外側(cè)以圍繞所述發(fā)光元件的所述端面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括包含熒光劑材料的第一樹(shù)脂，所述第一樹(shù)脂被設(shè)置在所述底部填充材料上和所述肋部的內(nèi)側(cè)以至少覆蓋所述發(fā)光元件的所述端面的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的器件，還包括封裝，所述封裝覆蓋所述發(fā)光元件的所有表面和所述肋部的外側(cè)端面的內(nèi)側(cè)，所述封裝由包含熒光劑材料的第二樹(shù)脂材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述底部填充材料為具有D60到D85的硬度和0.8到 14Pa · s的粘度的基于環(huán)氧的樹(shù)脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述肋部具有錐形形狀，在所述錐形形狀中所述肋部的截面積朝向所述發(fā)光元件連續(xù)變小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述肋部的內(nèi)側(cè)壁被設(shè)置為與所述發(fā)光元件的側(cè)壁平行相對(duì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述底部填充材料被緊密地設(shè)置到所述支撐襯底、所述凸起和所述發(fā)光元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述發(fā)光元件包括ρ型電極和η型電極，所述ρ型電極和所述η型電極均被設(shè)置在所述支撐襯底的相反的表面中的一個(gè)表面上或另一個(gè)表面上， 所述P型電極和所述η型電極通過(guò)分離的凸起而與所述支撐襯底接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中在所述發(fā)光元件的與所述支撐襯底相反的表面上設(shè)置經(jīng)粗糙處理的光提取表面。
10.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，包括以下步驟在剝離目標(biāo)襯底上形成基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體層； 以發(fā)光器件為單位使所述剝離目標(biāo)襯底和所述基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體層孤立化以形成多個(gè)發(fā)光元件；用保護(hù)膜覆蓋所述發(fā)光元件的所有端面，同時(shí)使所述多個(gè)發(fā)光元件與片材料接觸； 從被所述保護(hù)膜覆蓋的所述發(fā)光元件去除所述片材料，然后通過(guò)凸起使所述發(fā)光元件中的所述基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體層與支撐襯底接觸；用底部填充材料覆蓋從所述支撐襯底的表面到所述保護(hù)膜的側(cè)面的至少一部分的區(qū)域；去除所述保護(hù)膜以通過(guò)所述底部填充材料形成肋部，所述肋部被設(shè)置在所述發(fā)光元件的所述端面的外側(cè)以圍繞所述發(fā)光元件的所述端面； 通過(guò)激光剝離而剝離所述剝離目標(biāo)襯底；以及粗糙蝕刻所述發(fā)光元件的與所述剝離目標(biāo)襯底接觸的表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述底部填充材料的內(nèi)側(cè)壁面與所述發(fā)光元件的所述端面之間的間隔依賴(lài)于所述保護(hù)膜的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中分別選擇所述保護(hù)膜的材料和所述底部填充材料， 以便在去除所述保護(hù)膜時(shí)不去除所述底部填充材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中設(shè)置包含熒光劑材料的第一樹(shù)脂以至少覆蓋在所述底部填充材料的上部區(qū)域中的所述發(fā)光元件的所述端面的一部分和所述肋部的內(nèi)側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中設(shè)置由包含熒光劑材料的第二樹(shù)脂構(gòu)成的封裝以覆蓋所述發(fā)光元件的所有表面和所述肋部的外側(cè)端面的內(nèi)側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述底部填充材料為具有D60到D85的硬度和0.8 到14 · s的粘度的基于環(huán)氧的樹(shù)脂。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述肋部具有錐形形狀，在所述錐形形狀中所述肋部的截面積朝向所述發(fā)光元件連續(xù)變小。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述肋部的內(nèi)側(cè)壁被設(shè)置為與所述發(fā)光元件的側(cè)壁平行相對(duì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述底部填充材料被緊密地設(shè)置到所述支撐襯底、 所述凸起和所述發(fā)光元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述發(fā)光元件包括ρ型電極和η型電極，所述ρ型電極和所述η型電極均被設(shè)置在所述支撐襯底的相反的表面中的一個(gè)表面上或另一個(gè)表面上，所述P型電極和所述η型電極通過(guò)分離的凸起而與所述支撐襯底接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，還包括在所述經(jīng)粗糙處理的發(fā)光元件的表面上形成絕緣膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件以及半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法。一種半導(dǎo)體發(fā)光器件具有支撐襯底、發(fā)光元件和底部填充材料。所述發(fā)光元件包括在所述支撐襯底上通過(guò)凸起而接觸的基于氮化物的III-V族化合物半導(dǎo)體層。所述底部填充材料被設(shè)置在所述支撐襯底與所述發(fā)光元件之間，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被設(shè)置在所述發(fā)光元件的端面的外側(cè)以圍繞所述發(fā)光元件的所述端面。
文檔編號(hào)H01L33/54GK102194986SQ20101027510
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月9日
發(fā)明者岡俊行, 名古肇, 后藤田徹, 布上真也, 財(cái)滿(mǎn)康太郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝