專利名稱：制作用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，且具體而言，涉及一種用于制作用于形成雙大馬士革(dual-damascene)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的半導(dǎo)體器件的高度集成化，芯片的表面已經(jīng)無法提供足夠的面積用以制作互連結(jié)構(gòu)。為了滿足互連結(jié)構(gòu)隨互補(bǔ)型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (CMOS)器件尺寸縮小而日益增長(zhǎng)的要求，集成電路的制造工藝不得不采用雙大馬士革工藝。而且，目前在深亞微米工藝中使用具有三維結(jié)構(gòu)的多級(jí)互連結(jié)構(gòu)，并且使用金屬間介電層(IMD)來使各互連結(jié)構(gòu)彼此絕緣性分離。具體而言，雙大馬士革工藝是指在同一層IMD 中既形成通孔又形成溝槽，這樣只需一道金屬填充步驟，從而能夠簡(jiǎn)化工藝。目前，形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法主要包括先溝槽(trench-first)方案和先通孔(via-first)方案。在雙大馬士革工藝中，通常需要較厚的光致抗蝕劑層(PR)以避免其在蝕刻過程中全部消耗盡。然而，隨著半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸縮小到32nm以下，在曝光顯影時(shí)，由于所采用的光源的波長(zhǎng)較短，受聚焦深度(DOF)的限制，從而無法將掩模版(reticle)上的圖案正確地轉(zhuǎn)移至較厚的PR。因而，近來在雙大馬士革工藝中開始使用硬掩膜層。下面，參照?qǐng)DIA至1H，以先通孔方案為例來說明傳統(tǒng)工藝中用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法。圖IA至IH是示出了傳統(tǒng)工藝中用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖。首先，如圖IA中所示，提供前端器件結(jié)構(gòu)100，所述前端器件結(jié)構(gòu)100的部分表面為金屬互連布線101，并且在所述前端器件結(jié)構(gòu)100的表面上依次形成有蝕刻停止層102和 IMD 103。其中，所述IMD 103中形成有通孔104，并且所述IMD 103的表面上還留有形成通孔104時(shí)所使用的硬掩膜層105。例如，硬掩膜層105可以由LTO或Si-ARC等構(gòu)成，且IMD 103可以由諸如黑鉆(BD)這類低介電常數(shù)(低k)材料構(gòu)成。接著，如圖IB中所示，在硬掩膜層105的表面上以及通孔104中形成底部抗反射層(BARC)106。然后，如圖IC中所示，在BARC 106的表面上形成I3R 107，并且通過曝光和顯影工藝使其具有溝槽圖案108。接著，如圖ID中所示，以具有溝槽圖案108的ra 107作為掩膜，對(duì)BARC 106進(jìn)行回蝕(etch back)，以將溝槽圖案108轉(zhuǎn)移至所述BARC 106。此時(shí)，由于PR 107與BARC 106的構(gòu)成材料都是有機(jī)材料且回蝕所采用的蝕刻氣體對(duì)兩者的蝕刻選擇比較差，因而在蝕刻BARC 106的同時(shí)，PR 107的一部分也會(huì)被蝕刻消耗掉。然后，以ra 107和BARC 106作為掩膜，蝕刻硬掩膜層105，以將溝槽圖案108轉(zhuǎn)移至所述硬掩膜層105，之后，通過等離子體灰化處理去除剩余的ra 107和BARC 106，從而得到如圖IE中所示的剖面結(jié)構(gòu)。接著，以硬掩膜層105作為掩膜，蝕刻IMD 103，以在其中形成溝槽109，如圖IF中所示。此時(shí)，硬掩膜層105也被蝕刻消耗掉。然后，如圖IG中所示，去除通孔內(nèi)的蝕刻停止層102，以使后續(xù)工藝填充的互連金屬與金屬互連布線101電性連接，并且通過等離子體灰化處理去除殘留在通孔內(nèi)的聚合物。最后，通過濺射沉積金屬層并對(duì)其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，從而形成如圖IH中所示的雙大馬士革結(jié)構(gòu)。然而，如以上所述，由于在先通孔方案中需要對(duì)通孔104中的BARC106進(jìn)行較長(zhǎng)時(shí)間的回蝕，因而容易對(duì)溝槽的關(guān)鍵尺寸(CD)產(chǎn)生不良影響，致使所制作的雙大馬士革結(jié)構(gòu)中溝槽的剖面形貌不佳，并且在去除BARC 106的過程中，容易對(duì)IMD 103造成損傷，使其k 值增加，從而導(dǎo)致最終形成的半導(dǎo)體器件的整體電學(xué)性能變差。而且，隨著CD不斷縮小，通孔的深寬比(aspect ratio)增大，填充BARC時(shí)容易在其中產(chǎn)生空洞。此外，如果采用先溝槽方案，使用ra作為掩膜來形成通孔，同樣需要較厚的pr，工藝窗口會(huì)隨著CD的縮小而變小，從而導(dǎo)致工藝過程難以良好控制。鑒于上述原因，迫切需要一種制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法，期望該方法能夠克服上述傳統(tǒng)工藝的缺陷，并且能夠容易與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種制作用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括提供前端器件結(jié)構(gòu)，在所述前端器件結(jié)構(gòu)的表面上形成有金屬間介電層； 在所述金屬間介電層的表面上依次形成第一金屬層、蝕刻停止層、第二金屬層和具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層；以所述第一光致抗蝕劑層作為掩膜，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行第一蝕刻，直至露出所述蝕刻停止層的表面，以在所述第二金屬層中形成由所述第一開口圖案定義的開口 ；去除所述第一光致抗蝕劑層；在所述第二金屬層的表面上以及所述第二金屬層中的所述開口中，形成底部抗反射層；在所述底部抗反射層的表面上形成具有第二開口圖案的第二光致抗蝕劑層，所述第二開口圖案位于所述第二金屬層中的所述開口的正上方；以所述第二光致抗蝕劑層作為掩膜，進(jìn)行第二蝕刻，直至露出所述金屬間介電層的表面；去除所述第二光致抗蝕劑層和所述底部抗反射層；以及以所述第二金屬層作為掩膜，對(duì)所述蝕刻停止層、所述第一金屬層和所述金屬間介電層進(jìn)行第三蝕刻，直至露出所述前端器件結(jié)構(gòu)的表面。優(yōu)選地，由所述第二開口圖案定義的開口小于由所述第一開口圖案定義的開口， 且所述第二蝕刻包括對(duì)所述底部抗反射層、所述蝕刻停止層和所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻， 以在所述第一金屬層中形成由所述第二開口圖案定義的開口。優(yōu)選地，由所述第二開口圖案定義的開口大于由所述第一開口圖案定義的開口， 且所述第二蝕刻包括對(duì)所述底部抗反射層、所述第二金屬層、所述蝕刻停止層和所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，以在所述第一金屬層中形成由所述第一開口定義的開口且在所述第二金屬層中形成由所述第二開口圖案定義的開口。
優(yōu)選地，所述第一金屬層和所述第二金屬層的構(gòu)成材料選自Ti、Ta、W、Al、Ni、Zr、 Cu、Pt、Au、Ag以及它們的氧化物、氮化物和硅化物中的至少一種。優(yōu)選地，所述第一金屬層和所述第二金屬層是通過濺射法而形成的。優(yōu)選地，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度各自為50 500埃。優(yōu)選地，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度相同或不同。優(yōu)選地，蝕刻所述第一金屬層和所述第二金屬層所采用的氣體為包含鹵族氣體的混合氣體。優(yōu)選地，所述包含鹵族氣體的混合氣體是含有Cl2和BCl3的混合氣體。優(yōu)選地，所述蝕刻停止層的厚度為20 500埃。優(yōu)選地，所述蝕刻停止層的構(gòu)成材料選自Si02、SiN, SiON, SiC、SiCN和低k材料中的至少一種。優(yōu)選地，蝕刻所述蝕刻停止層和所述金屬間介電層所采用的氣體為包含氟基氣體的混合氣體。優(yōu)選地，所述包含氟基氣體的混合氣體含有CF4、CHF3、CH2F2和C2F6中的至少一種。優(yōu)選地，所述包含氟基氣體的混合氣體含有Ar和02。優(yōu)選地，所述底部抗反射層的厚度為300 1500埃。優(yōu)選地，去除所述底部抗反射層所采用的氣體選自由隊(duì)和吐組成的混合氣體、O2 和(X)2中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法，包括提供通過根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的方法制作的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)；在所述第一金屬層的表面上以及在所述金屬間介電層中的開口中形成互連金屬層；以及平坦化所述互連金屬層，以露出所述金屬間介電層的表面，并保留所述互連金屬層的位于所述金屬間介電層中的所述開口中的部分，且使所述互連金屬層的表面與所述金屬間介電層的表面齊平。根據(jù)本發(fā)明的用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法通過采用獨(dú)立的兩層金屬作為掩膜來分別控制通孔和溝槽的蝕刻，能夠提高BARC填充的質(zhì)量并且避免回蝕BARC時(shí)間過長(zhǎng)對(duì)CD造成不良影響。此外，根據(jù)本發(fā)明的方法還能夠解決傳統(tǒng)技術(shù)中可能存在的其他問題，例如，通過灰化處理去除BARC時(shí)對(duì)構(gòu)成金屬間介電層的低k材料會(huì)造成損傷，以及工藝窗口隨CD縮小而變小等問題。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖IA至IH是示出了傳統(tǒng)工藝中用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖；圖2A至2H是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；圖4A至4H是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖；以及圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。應(yīng)當(dāng)注意的是，這些圖旨在示出根據(jù)本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例中所使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性，并對(duì)下面提供的書面描述進(jìn)行補(bǔ)充。然而，這些圖并非按比例繪制，因而可能未能夠準(zhǔn)確反映任何所給出的實(shí)施例的精確結(jié)構(gòu)或性能特點(diǎn)，并且這些圖不應(yīng)當(dāng)被解釋為限定或限制由根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例所涵蓋的數(shù)值或?qū)傩缘姆秶＠?，為了清楚起見，可以縮小或放大分子、層、區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對(duì)厚度和定位。在附圖中，使用相似或相同的附圖標(biāo)記表示相似或相同的元件或特征。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的描述。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件被稱作“連接”或“結(jié)合”到另一元件時(shí)，該元件可以直接連接或結(jié)合到另一元件，或者可以存在中間元件。不同的是，當(dāng)元件被稱作“直接連接”或 “直接結(jié)合”到另一元件時(shí)，不存在中間元件。在全部附圖中，相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。如在這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任意組合和所有組合。應(yīng)當(dāng)以相同的方式解釋用于描述元件或?qū)又g的關(guān)系的其他詞語(例如，
“在......之間”和“直接在......之間”、“與......相鄰”和“與......直接相鄰”、
“在......上”和“直接在......上”等)。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、 層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，以下所討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分也可以被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了便于描述，在這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語，如“在......之下”、“在......之
上”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個(gè)元件或特征與
其他元件或特征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語旨在包含除了器件在圖中所描繪的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他元件或特征下方”或“在其他元件或特征之下”的元件之后將被定位為“在其他
元件或特征上方”或“在其他元件或特征之上”。因而，示例性術(shù)語“在......下方”可以包
括“在......上方”和“在......下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋
轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述符做出相應(yīng)解釋。這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、 整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。在此，參照作為示例性實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性剖面圖來描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或容差引起的示出的形狀的變化。因此，示例性實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)被解釋為僅限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是還可以包含例如由制造所導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊緣可以具有倒圓或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度變化，而不僅是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，通過注入形成的掩埋區(qū)會(huì)導(dǎo)致在該掩埋區(qū)與注入通過的表面之間的區(qū)域中也會(huì)存在一些注入。因此，圖中所示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀并非意圖示出器件中的各區(qū)域的實(shí)際形狀，而且也并非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的范圍。除非另有定義，否則這里所使用的全部術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確定義，否則諸如在通用字典中定義的術(shù)語這類術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語境中的意思一致的意思，而不以理想的或過于正式的含義來解釋它們。[第一實(shí)施例]下面，將參照?qǐng)D2A至2H以及圖3來詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法。參照?qǐng)D2A至2H，其中，圖2A至2F示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制作用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖。在本實(shí)施例中，采用先溝槽方案。首先，如圖2A中所示，提供前端器件結(jié)構(gòu)，在前端器件結(jié)構(gòu)的表面上依次形成有蝕刻停止層202和IMD 210。其中，所述前端器件結(jié)構(gòu)例如可以包括半導(dǎo)體襯底(圖中未示出)。在該半導(dǎo)體襯底中已經(jīng)形成有源/漏區(qū)、隔離槽、場(chǎng)氧化層等，且在該半導(dǎo)體襯底上例如可以形成有一層未摻雜硅玻璃(USG)或摻磷硅玻璃(PSG)，以平坦化半導(dǎo)體襯底的表面， 用于進(jìn)行后續(xù)工藝。此外，所述前端器件結(jié)構(gòu)還可以包括形成在半導(dǎo)體襯底上的層間介電層(ILD)200。其中，所述半導(dǎo)體襯底的構(gòu)成材料包括未摻雜的單晶硅、摻雜有N型或P型雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(SOI)和鍺硅材料等，所述蝕刻停止層202例如可以由Si02、SiN、 SiON、SiC、SiCN和高k材料中的至少一種構(gòu)成，并且IMD 210可以由諸如黑鉆(BD)這類低 k材料構(gòu)成。此外，所述ILD 200中可以形成有金屬互連布線201，并且金屬互連布線201 的表面與所述ILD 200的表面齊平。作為示例，在本實(shí)施例中，ILD 200由諸如黑鉆這樣的低k材料構(gòu)成。這里，需要說明的是，蝕刻停止層202是可選的而非必需的，其主要用于在后續(xù)蝕刻IMD 210時(shí)保護(hù)其表面不受蝕刻損傷。接著，如圖2B中所示，在IMD 210的表面上依次形成第一金屬層220、蝕刻停止層 230、第二金屬層240和具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層250A。其中，所述第一金屬層220和所述第二金屬層240可以由相同或不同金屬材料構(gòu)成，例如，可以由Ti、Ta、W、Al、 Ni、Zr、Cu、Pt、Au、Ag及其氧化物、氮化物和硅化物中的至少一種構(gòu)成，并且第一金屬層220 和第二金屬層240可以通過濺射法沉積形成。需要說明的是，第一金屬層220和第二金屬層240的厚度為50 500埃，并且它們的厚度可以相同，也可以不同。所述蝕刻停止層230可以由與蝕刻停止層202的構(gòu)成材料相同的材料構(gòu)成，例如，可以由Si02、SiN, SiON, SiC、 SiCN和高k材料中的至少一種構(gòu)成，并且厚度為20 500埃。此外，形成具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層250A的方法是本領(lǐng)域所公知的，在此不再贅述。然后，以第一光致抗蝕劑層250A作為掩膜，對(duì)第二金屬層240進(jìn)行第一蝕刻，直至露出蝕刻停止層230的表面，以在所述第二金屬層MO中形成由第一開口圖案定義的開口 ^OA,并且之后，例如通過等離子體灰化處理，去除所述第一光致抗蝕劑層250A，如圖2C中所示。所述第一蝕刻所采用的蝕刻氣體為包含鹵族氣體的混合氣體，優(yōu)選為包含Cl2和BCl3 的混合氣體。此外，在蝕刻氣體中還可以包含02。需要注意的是，所述第一蝕刻通常采用過蝕刻(over etch)，以確保第二金屬層MO的位于所述由第一開口圖案定義的開口 ^OA中的部分完全被刻掉。接著，如圖2D中所示，在第二金屬層MO的表面上以及第二金屬層MO中的開口 260A中，例如通過旋涂法形成底部抗反射層270，厚度約為300 1500埃，并且在該底部抗反射層270的表面上，例如通過旋涂法以及曝光和顯影工藝，形成具有第二開口圖案的第二光致抗蝕劑層250B。其中，所述第二開口圖案位于第二金屬層240中的開口 ^OA的正上方。然后，以第二光致抗蝕劑層250B作為掩膜，對(duì)底部抗反射層270、蝕刻停止層230 和第一金屬層220進(jìn)行第二蝕刻，直至露出IMD 210的表面，以在所述第一金屬層220中形成由第二開口圖案定義的開口 260B。其中，蝕刻所述底部抗反射層270所采用的蝕刻氣體包括由隊(duì)和吐組成的混合氣體、A和CO2,蝕刻所述第一金屬層220所采用的蝕刻氣體，可以與所述第一蝕刻所采用的相同。之后，通過例如等離子體灰化處理去除第二光致抗蝕劑層250B和底部抗反射層270，如圖2E中所示。需要注意的是，所述第二蝕刻通常也采用過蝕刻，以確保第一金屬層220的位于所述由第二開口圖案定義的開口 ^OB中的部分完全被刻掉。接著，以第二金屬層240作為掩膜，對(duì)蝕刻停止層230、第一金屬層220和IMD 210 進(jìn)行第三蝕刻，直至露出蝕刻停止層202的表面，如圖2F中所示。所述第三蝕刻例如可以如下進(jìn)行首先，以第二金屬層240作為掩膜，蝕刻所述蝕刻停止層230，以在其中形成具有所述溝槽圖案的開口，并且此時(shí)，第二金屬層240也被完全消耗掉；接著，以蝕刻停止層230 作為掩膜，蝕刻第一金屬層220，以在其中形成由第一開口圖案定義的開口，并且此時(shí)，蝕刻停止層230也被完全消耗掉；最后，以第一金屬層220作為掩膜，蝕刻IMD 210，直至露出蝕刻停止層202的表面。這里，需要說明的是，在蝕刻所述蝕刻停止層230和第一金屬層220 的同時(shí)，由于由第二開口圖案定義的開口 260B上方?jīng)]有掩膜，所以IMD 210也會(huì)被繼續(xù)蝕刻一部分。由此，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言應(yīng)當(dāng)理解的是，蝕刻停止層202在實(shí)際制造中是優(yōu)選使用的，以便能夠有效地控制蝕刻的深度，從而防止由于過蝕刻而損傷IMD 210下方的膜層或者半導(dǎo)體襯底。此外，在所述第三蝕刻中，蝕刻所述第一金屬層220所采用的蝕刻氣體可以與所述第一蝕刻中所采用的相同，蝕刻所述IMD 210所采用的蝕刻氣體可以為包含氟基氣體的混合氣體。其中，所述包含氟基氣體的混合氣體含有CF4、CHF3、CH2F2和C2F6中的至少一種， 并且還可以含有諸如Ar這類惰性氣體和O2。至此，完成了用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作。
然后，如圖2G中所示，去除所述蝕刻停止層202的露出了表面的部分，其中，例如可以通過用上述包含氟基氣體的混合氣體對(duì)其進(jìn)行蝕刻來去除。最后，通過例如濺射法在第一金屬層220的表面上以及在IMD 210中的開口中形成互連金屬層，并對(duì)其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，以露出IMD210的表面，并保留該互連金屬層的位于所述IMD 210中的開口中的部分，且使該互連金屬層的表面與IMD 210的表面齊平，從而得到如圖2H中所示的剖面結(jié)構(gòu)。作為示例，所述互連金屬層可以由銅構(gòu)成，也可以由Al、Au、Ag和W以及它們的合金中的任何一種構(gòu)成。當(dāng)互連金屬層由銅構(gòu)成時(shí)，可以通過濺射法沉積一層薄的銅籽晶(seed)層，然后通過電鍍法形成銅層，并且可選地，在形成金屬互連布線之前，可以預(yù)先形成一層金屬阻擋層，以阻止銅擴(kuò)散。其中，所述金屬阻擋層例如可以是由Ta、TaN或WN構(gòu)成的單層金屬層或者具有Ta/TaN層疊結(jié)構(gòu)的多層金屬層。這里，需要說明的是，第一金屬層220在此CMP步驟中可以一同被去除。至此，在IMD 210中形成了雙大馬士革結(jié)構(gòu)觀0。接下來，參照?qǐng)D3，其中示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的方法的流程圖。首先，在步驟301中，提供前端器件結(jié)構(gòu)，在所述前端器件結(jié)構(gòu)的表面上依次形成有蝕刻停止層202和IMD 210。接著，在步驟302中，在IMD 210的表面上依次形成第一金屬層220、蝕刻停止層 230、第二金屬層240和具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層250A。接著，在步驟303中，以第一光致抗蝕劑層250A作為掩膜，對(duì)第二金屬層240進(jìn)行第一蝕刻，直至露出蝕刻停止層230的表面，以在第二金屬層240中形成由第一開口圖案定義的開口 ^0A。接著，在步驟304中，去除第一光致抗蝕劑層250A。接著，在步驟305中，在第二金屬層MO的表面上以及第二金屬層MO中的開口 260A中，形成底部抗反射層270。 接著，在步驟306中，在底部抗反射層270的表面上形成具有第二開口圖案的第二光致抗蝕劑層250B。其中，所述第二開口圖案位于第二金屬層MO中的開口 ^OA的正上方。接著，在步驟307中，以第二光致抗蝕劑層250B作為掩膜，進(jìn)行第二蝕刻，直至露出IMD 210的表面。其中，所述第二蝕刻包括對(duì)底部抗反射層270、蝕刻停止層230和第一金屬層220進(jìn)行蝕刻，以在所述第一金屬層220中形成由第二開口圖案定義的開口 ^K)B。接著，在步驟308中，去除第二光致抗蝕劑層250B和底部抗反射層270。接著，在步驟309中，以第二金屬層240作為掩膜，對(duì)蝕刻停止層230、第一金屬層 220和IMD 210進(jìn)行第三蝕刻，直至露出蝕刻停止層202的表面，從而形成了用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。接著，在步驟310中，去除所述蝕刻停止層202的露出了表面的部分。最后，在步驟311中，在第一金屬層220的表面上以及在IMD 210中的開口中形成一層互連金屬層，并且平坦化該層互連金屬層，以形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)觀0。雖然本實(shí)施例中示出由第二開口圖案定義的開口(例如，260B)小于由第一開口圖案定義的開口(例如，260A)，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言應(yīng)當(dāng)理解的是，由第二開口圖案定義的開口也可以大于由第一開口圖案定義的開口。
此外，需要說明的是，在本實(shí)施例中，通過第三蝕刻可以在IMD 210中形成由第一開口圖案定義的開口以及由第二開口圖案定義的開口。其中，所述由第一開口圖案定義的開口位于所述由第二開口圖案定義的開口的正上方，并且所述由第一開口圖案定義的開口對(duì)應(yīng)于溝槽，所述由第二開口圖案定義的開口對(duì)應(yīng)于通孔。[第二實(shí)施例]下面，將參照?qǐng)D4A至4H以及圖5來詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于制作雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法。參照?qǐng)D4A至4H，其中，圖4A至4F示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的制作用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖。需要說明的是，本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于其所采用的是先通孔方案。首先，如圖4A中所示，提供前端器件結(jié)構(gòu)，在前端器件結(jié)構(gòu)的表面上依次形成有蝕刻停止層402和IMD 410。其中，所述前端器件結(jié)構(gòu)例如可以包括半導(dǎo)體襯底(圖中未示出)。在該半導(dǎo)體襯底中已經(jīng)形成有源/漏區(qū)、隔離槽、場(chǎng)氧化層等，且在該半導(dǎo)體襯底上例如可以形成有一層未摻雜硅玻璃(USG)或摻磷硅玻璃(PSG)，以平坦化半導(dǎo)體襯底的表面， 用于進(jìn)行后續(xù)工藝。此外，所述前端器件結(jié)構(gòu)還可以包括形成在半導(dǎo)體襯底上的層間介電層(ILD)400。其中，所述半導(dǎo)體襯底的構(gòu)成材料包括未摻雜的單晶硅、摻雜有N型或P型雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(SOI)和鍺硅材料等，所述蝕刻停止層402例如可以由Si02、SiN、 SiON、SiC、SiCN和高k材料中的至少一種構(gòu)成，并且IMD 410可以由諸如黑鉆(BD)這類低 k材料構(gòu)成。此外，所述ILD 400中可以形成有金屬互連布線201，并且金屬互連布線401 的表面與所述ILD 400的表面齊平。作為示例，在本實(shí)施例中，ILD 400由諸如黑鉆這樣的低k材料構(gòu)成。這里，需要說明的是，蝕刻停止層402是可選的而非必需的，其主要用于在后續(xù)蝕刻IMD 410時(shí)保護(hù)其表面不受蝕刻損傷。接著，如圖4B中所示，在IMD 410的表面上依次形成第一金屬層420、蝕刻停止層 430、第二金屬層440和具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層450A。其中，所述第一金屬層420和所述第二金屬層440可以由相同或不同金屬材料構(gòu)成，例如，可以由Ti、Ta、W、Al、 Ni、Zr、Cu、Pt、Au、Ag及其氧化物、氮化物和硅化物中的至少一種構(gòu)成，并且第一金屬層420 和第二金屬層440可以通過濺射法沉積形成。需要說明的是，第一金屬層420和第二金屬層440的厚度為50 500埃，并且它們的厚度可以相同，也可以不同。所述蝕刻停止層430 可以由與蝕刻停止層402的構(gòu)成材料相同的材料構(gòu)成，例如，其可以由Si02、SiN、Si0N、SiC、 SiCN和低k材料中的至少一種構(gòu)成，并且其厚度為20 500埃。此外，形成具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層450A的方法是本領(lǐng)域所公知的，在此不再贅述。然后，以第一光致抗蝕劑層450A作為掩膜，對(duì)第二金屬層440進(jìn)行第一蝕刻，直至露出蝕刻停止層430的表面，以在所述第二金屬層440中形成由第一開口圖案構(gòu)成的開口 460A，并且之后，例如通過等離子體灰化處理，去除所述第一光致抗蝕劑層450A，如圖4C中所示。所述第一蝕刻所采用的蝕刻氣體為包含鹵族氣體的混合氣體，優(yōu)選為包含Cl2和BCl3 的混合氣體。此外，在蝕刻氣體中還可以包含02。需要注意的是，所述第一蝕刻通常采用過蝕刻，以確保第二金屬層440的位于所述由第一開口圖案定義的開口 460A中的部分完全被刻掉。
接著，如圖4D中所示，在第二金屬層440的表面上以及第二金屬層440中的開口 460A中，例如通過旋涂法形成底部抗反射層470，其厚度約為300 1500埃，并且在該底部抗反射層470的表面上，例如通過旋涂法以及曝光和顯影工藝，形成具有第二開口圖案的第二光致抗蝕劑層450B。然后，以第二光致抗蝕劑層450B作為掩膜，對(duì)底部抗反射層470、第二金屬層440、 蝕刻停止層430和第一金屬層420進(jìn)行第二蝕刻，直至露出IMD 410的表面，以在所述第二金屬層440中形成由第二開口圖案定義的開口 460B，且在所述第一金屬層420中形成由第一開口圖案定義的開口 460C。其中，蝕刻所述底部抗反射層470所采用的蝕刻氣體包括由 N2和吐組成的混合氣體、A和CO2,蝕刻所述第一金屬層220所采用的蝕刻氣體可以與所述第一蝕刻所采用的相同。之后，通過例如等離子體灰化處理去除第二光致抗蝕劑層450B和底部抗反射層470，如圖4E中所示。需要注意的是，所述第二蝕刻通常也采用過蝕刻，以確保第一金屬層420的位于所述由第一開口圖案定義的開口 460C中的部分以及第二金屬層 440的位于所述由第二開口圖案定義的開口 460B中的部分完全被刻掉。接著，以第二金屬層440作為掩膜，對(duì)蝕刻停止層430、第一金屬層420和IMD 410 進(jìn)行第三蝕刻，直至露出蝕刻停止層402的表面，如圖4F中所示。所述第三蝕刻例如可以如下進(jìn)行首先，以第二金屬層440作為掩膜，蝕刻所述蝕刻停止層430，以在其中形成具有所述通孔圖案的開口，并且此時(shí)，第二金屬層440也被完全消耗掉；接著，以蝕刻停止層430 作為掩膜，蝕刻第一金屬層420，以在其中形成由第一開口圖案定義的開口，并且此時(shí)，蝕刻停止層430也被完全消耗掉；最后，以第一金屬層420作為掩膜，蝕刻IMD 410，直至露出蝕刻停止層402的表面。這里，需要說明的是，在蝕刻所述蝕刻停止層430和第一金屬層420 的同時(shí)，由于由第一開口圖案定義的開口 460C上方?jīng)]有掩膜，所以IMD 410也會(huì)被繼續(xù)蝕刻一部分。由此，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言應(yīng)當(dāng)理解的是，蝕刻停止層402在實(shí)際制造中是優(yōu)選使用的，以便能夠有效地控制蝕刻的深度，從而防止由于過蝕刻而損傷IMD 410下方的膜層或者半導(dǎo)體襯底。此外，在所述第三蝕刻中，蝕刻所述第一金屬層420所采用的蝕刻氣體可以與所述第一蝕刻中所采用的相同，蝕刻所述IMD 410所采用的蝕刻氣體可以為包含氟基氣體的混合氣體。其中，所述包含氟基氣體的混合氣體含有CF4、CHF3、CH2F2和C2F6中的至少一種， 并且還可以含有諸如Ar這類惰性氣體和O2。至此，完成了用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作。接著，如圖4G中所示，去除所述蝕刻停止層402的露出了表面的部分，其中，例如可以通過用上述包含氟基氣體的混合氣體對(duì)其進(jìn)行蝕刻來去除。最后，通過例如濺射法在第一金屬層420的表面上以及在IMD 410中的開口中形成一層互連金屬層，并對(duì)其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，以露出IMD 410的表面，并保留該層互連金屬層的位于所述4MD 210中的開口中的部分，且使該層互連金屬層的表面與IMD 410的表面齊平，從而得到如圖4H中所示的剖面結(jié)構(gòu)。作為示例，所述互連金屬層的構(gòu)成材料以及形成方法等可與第一實(shí)施例中的相同。這里，需要說明的是，第一金屬層420在此 CMP步驟中也可以一同被去除。接下來，參照?qǐng)D5，其中示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的方法的流程圖。首先，在步驟501中，提供前端器件結(jié)構(gòu)，在所述前端器件結(jié)構(gòu)的表面上依次形成有蝕刻停止層402和IMD 410。接著，在步驟502中，在IMD 410的表面上依次形成第一金屬層420、蝕刻停止層 430、第二金屬層440和具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層450。接著，在步驟503中，以第一光致抗蝕劑層450A作為掩膜，對(duì)第二金屬層440進(jìn)行第一蝕刻，直至露出蝕刻停止層430的表面，以在第二金屬層440中形成由第一開口圖案定義的開口 460A。接著，在步驟504中，去除所述第一光致抗蝕劑層450A。接著，在步驟505中，在第二金屬層440的表面上以及第二金屬層440中的開口 460A中，形成底部抗反射層470。接著，在步驟506中，在底部抗反射層470的表面上形成由第二開口圖案定義的第二光致抗蝕劑層450B。接著，在步驟507中，以第二光致抗蝕劑層450B作為掩膜，進(jìn)行第二蝕刻，直至露出IMD 410的表面。其中，所述第二蝕刻包括對(duì)底部抗反射層470、第二金屬層440、蝕刻停止層430和第一金屬層420進(jìn)行蝕刻，以在第一金屬層420中形成由第一開口圖案定義的開口 460C并且在第二金屬層440中形成由第二開口圖案定義的開口 460B。接著，在步驟508中，去除第二光致抗蝕劑層450B和底部抗反射層470。接著，在步驟509中，以第二金屬層440作為掩膜，對(duì)蝕刻停止層430、第一金屬層 420和IMD 410進(jìn)行第三蝕刻，直至露出蝕刻停止層402的表面，從而形成了用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。接著，在步驟510中，去除所述蝕刻停止層402的露出了表面的部分。最后，在步驟511中，在第一金屬層420的表面上以及在IMD 410中的開口中形成一層互連金屬層，并且平坦化該層互連金屬層，以形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)480。雖然本實(shí)施例中示出由第二開口圖案定義的開口(例如，460B)大于由第一開口圖案定義的開口(例如，460A和460C)，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言應(yīng)當(dāng)理解的是，由第二開口圖案定義的開口也可以小于由第一開口圖案定義的開口。此外，需要說明的是，在本實(shí)施例中，通過第三蝕刻可以在IMD 410中形成由第一開口圖案定義的開口以及由第二開口圖案定義的開口。其中，所述由第二開口圖案定義的開口位于所述由第一開口圖案定義的開口的正上方，并且所述由第一開口圖案定義的開口對(duì)應(yīng)于通孔，所述由第二開口圖案定義的開口對(duì)應(yīng)于溝槽。[本發(fā)明的有益效果]從以上結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的描述以及圖1B、2D和4D中所示的示意性剖面圖可以看出，根據(jù)本發(fā)明的方法用獨(dú)立的兩層金屬作為掩膜來分別控制通孔和溝槽的蝕刻，填充BARC的深度比傳統(tǒng)技術(shù)中的低，因而能夠提高BARC填充的質(zhì)量，并且由于回蝕 BARC的時(shí)間得以大大縮短，從而能夠避免蝕刻氣體對(duì)⑶造成不良影響。此外，由于蝕刻金屬間介電層時(shí)實(shí)際上是利用金屬層作為掩膜進(jìn)行蝕刻，因而根據(jù)本發(fā)明的方法也能夠解決傳統(tǒng)技術(shù)中可能存在的其他問題，例如，去除BARC時(shí)所采用的灰化劑中的氧離子或氧氣會(huì)與構(gòu)成金屬間介電層的低k材料中所含的碳元素發(fā)生反應(yīng)，從而導(dǎo)致低k材料的k值增大而失去其低k的優(yōu)勢(shì)，以及工藝窗口隨著CD的縮小而變小等問題。[本發(fā)明的工業(yè)實(shí)用性]
根據(jù)如上所述的實(shí)施例制造的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于多種集成電路(IC)中。根據(jù)本發(fā)明的IC例如是存儲(chǔ)器電路，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步 DRAM (SDRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、或只讀存儲(chǔ)器(ROM)等等。根據(jù)本發(fā)明的IC還可以是邏輯器件，如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、合并式DRAM邏輯集成電路(掩埋式 DRAM)、射頻電路或任意其他電路器件。根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可用于例如用戶電子產(chǎn)品，如個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等各種電子產(chǎn)品中，尤其是射頻產(chǎn)品中。本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1. 一種制作用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括 提供前端器件結(jié)構(gòu)，在所述前端器件結(jié)構(gòu)的表面上形成有金屬間介電層； 在所述金屬間介電層的表面上依次形成第一金屬層、蝕刻停止層、第二金屬層和具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層；以所述第一光致抗蝕劑層作為掩膜，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行第一蝕刻，直至露出所述蝕刻停止層的表面，以在所述第二金屬層中形成由所述第一開口圖案定義的開口 ； 去除所述第一光致抗蝕劑層；在所述第二金屬層的表面上以及所述第二金屬層中的所述開口中，形成底部抗反射層；在所述底部抗反射層的表面上形成具有第二開口圖案的第二光致抗蝕劑層，所述第二開口圖案位于所述第二金屬層中的所述開口的正上方；以所述第二光致抗蝕劑層作為掩膜，進(jìn)行第二蝕刻，直至露出所述金屬間介電層的表去除所述第二光致抗蝕劑層和所述底部抗反射層；以及以所述第二金屬層作為掩膜，對(duì)所述蝕刻停止層、所述第一金屬層和所述金屬間介電層進(jìn)行第三蝕刻，直至露出所述前端器件結(jié)構(gòu)的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，由所述第二開口圖案定義的開口小于由所述第一開口圖案定義的開口，且所述第二蝕刻包括對(duì)所述底部抗反射層、所述蝕刻停止層和所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，以在所述第一金屬層中形成由所述第二開口圖案定義的開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，由所述第二開口圖案定義的開口大于由所述第一開口圖案定義的開口，且所述第二蝕刻包括對(duì)所述底部抗反射層、所述第二金屬層、所述蝕刻停止層和所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，以在所述第一金屬層中形成由所述第一開口定義的開口且在所述第二金屬層中形成由所述第二開口圖案定義的開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層的構(gòu)成材料選自Ti、Ta、W、Al、Ni、Zr、Cu、Pt、Au、Ag以及它們的氧化物、氮化物和硅化物中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層是通過濺射法而形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度各自為50 500埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度相同或不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，蝕刻所述第一金屬層和所述第二金屬層所采用的氣體為包含鹵族氣體的混合氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述包含鹵族氣體的混合氣體是含有Cl2和BCl3 的混合氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻停止層的厚度為20 500埃。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻停止層的構(gòu)成材料選自Si02、SiN、 SiON, SiC、SiCN和低k材料中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻所述蝕刻停止層和所述金屬間介電層所采用的氣體為包含氟基氣體的混合氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述包含氟基氣體的混合氣體含有CF4、CHF3, CH2F2和C2F6中的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述包含氟基氣體的混合氣體含有Ar和02。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述底部抗反射層的厚度為300 1500埃。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除所述底部抗反射層所采用的氣體選自由N2 和H2組成的混合氣體、O2和(X)2中的至少一種。
17.一種形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的方法，包括提供通過權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的方法制作的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)；在所述第一金屬層的表面上以及在所述金屬間介電層中的開口中形成互連金屬層；以及平坦化所述互連金屬層，以露出所述金屬間介電層的表面，并保留所述互連金屬層的位于所述金屬間介電層中的所述開口中的部分，且使所述互連金屬層的表面與所述金屬間介電層的表面齊平。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制作用于形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括提供前端器件結(jié)構(gòu)；在金屬間介電層的表面上依次形成第一金屬層、蝕刻停止層、第二金屬層和具有第一開口圖案的第一光致抗蝕劑層；進(jìn)行第一蝕刻，直至露出蝕刻停止層的表面；去除第一光致抗蝕劑層；形成底部抗反射層；形成具有第二開口圖案的第二光致抗蝕劑層，第二開口圖案位于第二金屬層中的開口的正上方；進(jìn)行第二蝕刻，直至露出金屬間介電層的表面；去除第二光致抗蝕劑層和底部抗反射層；以及進(jìn)行第三蝕刻，直至露出前端器件結(jié)構(gòu)的表面。該方法能夠提高BARC填充的質(zhì)量并且避免回蝕BARC時(shí)間過長(zhǎng)對(duì)CD造成不良影響等。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102386126SQ20101027506
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者洪中山 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司