專利名稱：一種大馬士革的集成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，具體來說是涉及一種大馬士革的集成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝中，隨著設(shè)備尺寸的不斷縮小，內(nèi)部連線的尺寸也需要相應(yīng)地縮小，以便容納更小尺寸的部件。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制備工藝中，金屬互連線的材料一般采用金屬鋁，因其有著熱穩(wěn)定性、抗抗?jié)裥缘亩趸枰恢笔墙饘倩ミB線路間使用的重要的介質(zhì)材料。以前，芯片中互連線的材料主要書金屬鋁，但是，隨著半導(dǎo)體元件向著微型化的方向發(fā)展，芯片中互連線的數(shù)目也隨之增加，導(dǎo)致RC延遲(RC Delay, R是指電阻，C是指電容)的產(chǎn)生，延緩了訊號(hào)的傳輸速度，進(jìn)而影響了性能。在現(xiàn)有技術(shù)中為了減少RC延遲，發(fā)展成為用可以有效降低導(dǎo)線電阻的金屬銅來代替金屬鋁作為互連線的材料。而且，金屬銅還具有熔點(diǎn)高，電阻系數(shù)較低等優(yōu)點(diǎn)，因此，在實(shí)踐中得到了廣泛的應(yīng)用。同時(shí)，使用低介電常數(shù)(Low k，其中，k是材料的介電常數(shù)的度量)的材料以減低寄生電阻?；谏鲜鰞煞N材料的半導(dǎo)體制造工藝成為大馬士革工藝，其克服了較大的電阻以及寄生電容的問題，并其可以制造出具有高密度多層的金屬互連結(jié)構(gòu)， 因此得到了廣泛的應(yīng)用。但是，現(xiàn)有技術(shù)中也存在著各種各樣的大馬士革工藝，或者通孔優(yōu)先，或者溝槽優(yōu)先，但是現(xiàn)有技術(shù)中的大馬士革工藝存在著通孔和溝槽圖案難以控制的缺點(diǎn)，并且相鄰的溝槽之間或者相鄰的通孔之間有可能互連導(dǎo)致電流泄漏問題的產(chǎn)生。因此， 需要一種新的大馬士革集成方法以克服上述的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種大馬士革的集成方法，其可有效防止相鄰溝槽之間或者相鄰?fù)字g的互連，從而避免了電流泄漏問題的發(fā)生。為解決上述目的，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案為 一種大馬士革的集成方法，其中，包括以下的步驟
步驟Sl 在一層間介質(zhì)層中形成有金屬互連線，并在層間介質(zhì)層上從下至上依次淀積有通孔刻蝕阻擋層、通孔低介電常數(shù)層、通孔低介電常數(shù)保護(hù)層、通孔金屬硬掩膜層以及通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層；
步驟S2 在通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層之上涂覆一層光刻膠，并進(jìn)行光刻工藝，形成位于光刻膠中的開口 ；
步驟S3 通過開口依次刻蝕通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層以及通孔金屬硬掩膜層，刻蝕終止于通孔低介電常數(shù)保護(hù)層，形成位于通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層中的通孔、以及通孔金屬硬掩膜層中的通孔，并去除光刻膠層；
步驟S4:通過通孔金屬硬掩膜層，依次刻蝕通孔低介電常數(shù)保護(hù)層、通孔低介電常數(shù)層和通孔刻蝕阻擋層，分別形成在豎直方向上位于層間介質(zhì)層中的金屬互連線上方的通孔結(jié)構(gòu)；
5步驟S5 在通孔金屬硬掩膜層之上以及通孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部沉積金屬阻擋層和銅籽晶層，金屬阻擋層和銅籽晶層與金屬互連線相接觸，并采用電化學(xué)鍍ECP工藝生長金屬銅；
步驟S6 采用化學(xué)機(jī)械研磨法將金屬銅拋光至通孔低介電常數(shù)層，形成位于拋光后的通孔低介電常數(shù)層和通孔刻蝕阻擋層中的銅互連線；
步驟S7 在拋光后的包含有銅互連線的通孔低介電常數(shù)層上從下至上依次淀積溝槽刻蝕阻擋層、溝槽低介電常數(shù)層、溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層、溝槽金屬硬掩膜層以及溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層；
步驟S8 在溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層之上采用旋涂法涂覆一層第二光刻膠層，并進(jìn)行光刻工藝，形成與后續(xù)步驟中所需的溝槽結(jié)構(gòu)相應(yīng)的開口 ；
步驟S9 通過步驟S8中形成的開口依次刻蝕溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層以及溝槽金屬硬掩膜層，刻蝕停止于溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層，形成位于溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層中溝槽以及溝槽金屬硬掩膜層中的溝槽，并去除第二光刻膠層；
步驟SlO 通過溝槽金屬硬掩膜層，依次刻蝕溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層、溝槽低介電常數(shù)層和溝槽刻蝕阻擋層，形成溝槽結(jié)構(gòu)；
步驟Sll 在溝槽金屬硬掩膜層之上以及溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部沉積第二金屬阻擋層和第二銅籽晶層，并采用電化學(xué)鍍ECP工藝生長金屬銅；
步驟S12 采用化學(xué)機(jī)械研磨法將金屬銅拋光至溝槽低介電常數(shù)層，形成位于拋光后的溝槽低介電常數(shù)層和溝槽刻蝕阻擋層中的銅互連線。上述的方法，其中，構(gòu)成的通孔刻蝕阻擋層的材料為SiN或SiC或SiOC或SiOCN 或 SiCN。上述的方法，其中，采用化學(xué)氣相沉積法淀積通孔刻蝕阻擋層。上述的方法，其中，構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層的材料為有機(jī)聚合物。上述的方法，其中，采用旋涂法將由有機(jī)聚合物構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層淀積在通孔刻蝕阻擋層之上。上述的方法，其中，構(gòu)成通孔低介電常數(shù)層的材料為二氧化硅基材料。上述的方法，其中，采用化學(xué)氣相沉積法淀積由二氧化硅基材料構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層。上述的方法，其中，構(gòu)成通孔低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為SiO2.
上述的方法，其中，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積通孔低介電常數(shù)保護(hù)層。上述的方法，其中，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積通孔金屬硬掩膜層。上述的方法，其中，構(gòu)成通孔金屬硬掩膜層的材料為Ta或者Ti或者Tu或者TaN 或者TiN或者TuN或者上述的混合物。上述的方法，其中，構(gòu)成通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為Si02。上述的方法，其中，采用化學(xué)氣相沉積法淀積通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層。上述的方法，其中，在步驟S2中采用旋涂法在通孔低介電常數(shù)保護(hù)層之上涂覆一層光刻膠。
6
上述的方法，其中，構(gòu)成金屬阻擋層的材料為Ta或者TaN。上述的方法，其中，采用物理氣相沉積法淀積金屬阻擋層。上述的方法，其中，構(gòu)成的溝槽刻蝕阻擋層的材料為SiN或SiC或SiOC或SiOCN 或 SiCN。 上述的方法，其中，采用化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽刻蝕阻擋層。上述的方法，其中，構(gòu)成的溝槽低介電常數(shù)層的材料為有機(jī)聚合物。上述的方法，其中，采用旋涂法將由有機(jī)聚合物構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層淀積在溝槽刻蝕阻擋層之上。上述的方法，其中，構(gòu)成溝槽低介電常數(shù)層的材料為二氧化硅基材料。上述的方法，其中，采用化學(xué)氣相沉積法淀積由二氧化硅基材料構(gòu)成的溝槽低介電常數(shù)層。上述的方法，其中，構(gòu)成溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為Si02。上述的方法，其中，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層。上述的方法，其中，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽金屬硬掩膜層。上述的方法，其中，構(gòu)成溝槽金屬硬掩膜層的材料為Ta或者Ti或者Tu或者TaN 或者TiN或者TuN或者上述的混合物。上述的方法，其中，構(gòu)成溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為Si02。上述的方法，其中，采用化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層。上述的方法，其中，在步驟S8中采用旋涂法在溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層之上涂覆一層光刻膠。上述的方法，其中，構(gòu)成第二金屬阻擋層的材料為Ta或者TaN。上述的方法，其中，采用物理氣相沉積法淀積第二金屬阻擋層。本發(fā)明的一種大馬士革的集成方法，其所形成的通孔和溝槽圖案可以得到很好地控制，并且消除了由于相鄰的溝槽之間和相鄰?fù)字g由于出現(xiàn)互連而帶來的電流泄漏情況的發(fā)生，工藝過程簡單，易控制。


圖1所示的本發(fā)明的一種大馬士革的集成方法的流程圖2A-2L為圖1示的本發(fā)明的一種大馬士革的集成方法的的流程圖中的各個(gè)步驟所形成的器件結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施方式
來對本發(fā)明的一種大馬士革的集成方法做進(jìn)一步詳細(xì)地說明。如圖1和圖2A-2L所示，本發(fā)明的一種大馬士革的集成方法，其中，包括以下的步驟
步驟Sl 提供一包含有金屬互連線IOla (參見圖2A所示，為了視圖的美觀，圖中只給出了一個(gè)金屬互連線的標(biāo)號(hào))的層間介質(zhì)層101，金屬互連線IOla通常為第一層金屬布線層M1，并在層間介質(zhì)層101上從下至上依次淀積有通孔刻蝕阻擋層102、通孔低介電常數(shù)層 103、通孔低介電常數(shù)保護(hù)層104、通孔金屬硬掩膜層105以及通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層106 ；在本步驟中，構(gòu)成通孔刻蝕阻擋層102的原材料為SiCN，構(gòu)成通孔低介電常數(shù)層103的材料為SiOCH，構(gòu)成通孔低介電常數(shù)保護(hù)層104的材料為SiO2，構(gòu)成通孔金屬硬掩膜層105的材料為TiN，構(gòu)成通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層106的材料為SiO2,其中， 通孔刻蝕阻擋層102、通孔低介電常數(shù)層103、通孔低介電常數(shù)保護(hù)層104、通孔金屬硬掩膜層105以及通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層106均可采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)。優(yōu)選地，通孔金屬硬掩膜層105還可采用物理氣相沉積法淀積；同時(shí)，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，在其他的實(shí)施方式中，通孔刻蝕阻擋層還可以采用其他的材料制成，諸如SiN、 SiC、SiOC或者SiCN等等；構(gòu)成通孔低介電常數(shù)層103的材料也可以選擇為有機(jī)聚合物， 并采用旋涂法進(jìn)行涂覆；
步驟S2 在通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層106之上涂覆一層光刻膠107，并進(jìn)行光刻工藝(包括曝光、顯影等工序)，形成位于光刻膠107中的開口 107a(參見圖2B所示，為了視圖的美觀，圖中只給出了一個(gè)開口的標(biāo)號(hào))；其中，開口 107a的寬度定義了后續(xù)步驟中所需的通孔結(jié)構(gòu)的寬度；
步驟S3 以光刻膠107為掩膜，通過開口 107a依次刻蝕通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層106以及通孔金屬硬掩膜層105，刻蝕終止于通孔低介電常數(shù)保護(hù)層104，形成位于通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層106中的通孔以及通孔金屬硬掩膜層105中的通孔，并移除光刻膠107 ；
步驟S4 通過通孔金屬硬掩膜層106中的通孔，采用干法刻蝕依次刻蝕通孔低介電常數(shù)保護(hù)層104、通孔低介電常數(shù)層103和通孔刻蝕阻擋層102，分別形成在豎直方向上位于層間介質(zhì)層101中的金屬互連線IOla上方的通孔結(jié)構(gòu)100(參見圖2D所示，為了視圖的美觀，圖中只給出了一個(gè)通孔結(jié)構(gòu)100的標(biāo)號(hào))；
步驟S5 在通孔金屬硬掩膜層106之上以及通孔結(jié)構(gòu)100的側(cè)壁和底部沉積金屬阻擋層和銅籽晶層(Cu ked)，并采用電化學(xué)鍍ECP工藝生長金屬銅109 ；本步驟中，構(gòu)成金屬阻擋層的材料為TaN，優(yōu)選地，在其他的實(shí)施方式中，還可以選用Ta作為形成金屬阻擋層的材料；
步驟S6 采用化學(xué)機(jī)械研磨法將金屬銅拋光至通孔低介電常數(shù)層103，形成位于拋光后的通孔低介電常數(shù)層103和通孔刻蝕阻擋層102中的銅互連線100A ；
步驟S7 在拋光后的包含有銅互連線100A的通孔低介電常數(shù)層103上從下至上依次淀積溝槽刻蝕阻擋層201、溝槽低介電常數(shù)層202、溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層203、溝槽金屬硬掩膜層204以及溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層205 ；其中，在本步驟中，構(gòu)成溝槽刻蝕阻擋層201的原材料為SiCN，構(gòu)成通溝槽低介電常數(shù)層202的材料為SiOCH，構(gòu)成溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層203的材料為SiO2,構(gòu)成溝槽金屬硬掩膜層204的材料為TiN，構(gòu)成溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層205的材料為SiO2，其中，溝槽刻蝕阻擋層201、溝槽低介電常數(shù)層202、溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層203、溝槽金屬硬掩膜層204以及溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層205均可采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)淀積。優(yōu)選地，溝槽金屬硬掩膜層105還可采用物理氣相沉積法淀積；同時(shí)，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，在其他的實(shí)施方式中，溝槽刻蝕阻擋層還可以采用其他的材料制成，諸如SiN、SiC、SiOC或者SiCN等等；構(gòu)成溝槽低介電常數(shù)層202的材料也可以選擇為有機(jī)聚合物，并采用旋涂法進(jìn)行涂覆；
步驟S8 在溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層205之上采用旋涂法涂覆一層第二光刻膠層206，并進(jìn)行光刻工藝(包括曝光、顯影等工藝)，形成與后續(xù)步驟中所需的溝槽結(jié)構(gòu)200 相應(yīng)的開口 206a (參見圖2H所示，為了視圖的美觀，圖中只給出了一個(gè)開口的標(biāo)號(hào))，其中， 開口 206a的寬度定義了后續(xù)步驟中所需形成的溝槽結(jié)構(gòu)200的寬度；
步驟S9 以第二光刻膠層206為掩膜，采用干法刻蝕通過開口 206a依次刻蝕溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層205以及溝槽金屬硬掩膜層204，刻蝕停止于溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層203，形成位于溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層205中的溝槽以及溝槽金屬硬掩膜層204中的溝槽，并采用灰化法移除第二光刻膠層206 ；
步驟SlO 以溝槽金屬硬掩膜層205為掩膜，采用干法刻蝕依次刻蝕溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層203、溝槽低介電常數(shù)層202和溝槽刻蝕阻擋層201，且刻蝕停止于溝槽刻蝕阻擋層 201，形成溝槽結(jié)構(gòu)200(參見圖2J所示，為了視圖的美觀，圖中只給出了一個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)的標(biāo)號(hào))；同時(shí)，在本步驟中，采用濕法清洗去除刻蝕后殘留的聚合物；
步驟Sll 在溝槽金屬硬掩膜層205之上以及溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部沉積第二金屬阻擋層和第二銅籽晶層，并采用電化學(xué)鍍ECP工藝生長金屬銅207 ；
步驟S12 采用化學(xué)機(jī)械研磨法將金屬銅207拋光至溝槽低介電常數(shù)層202，形成位于拋光后的溝槽低介電常數(shù)層202和溝槽刻蝕阻擋層201中的銅互連線200A。綜上所述，本發(fā)明的一種大馬士革的集成方法，其所形成的通孔和溝槽圖案可以得到很好地控制，并且消除了由于相鄰的溝槽之間和相鄰?fù)字g由于出現(xiàn)互連而帶來的電流泄漏情況的發(fā)生，工藝過程簡單，易控制。應(yīng)當(dāng)指出的是，上述內(nèi)容只是本發(fā)明的具體實(shí)施例的列舉，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；且上述具體實(shí)施例并非用來限制本發(fā)明的實(shí)施范圍，即凡依本發(fā)明專利申請內(nèi)容所作的等效變換與修飾，都落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種大馬士革的集成方法，其特征在于，包括以下的步驟步驟Sl 在一層間介質(zhì)層中形成有金屬互連線，并在層間介質(zhì)層上從下至上依次淀積有通孔刻蝕阻擋層、通孔低介電常數(shù)層、通孔低介電常數(shù)保護(hù)層、通孔金屬硬掩膜層以及通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層；步驟S2 在通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層之上涂覆一層光刻膠，并進(jìn)行光刻工藝，形成位于光刻膠中的開口 ；步驟S3 通過開口依次刻蝕通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層以及通孔金屬硬掩膜層，刻蝕終止于通孔低介電常數(shù)保護(hù)層，形成位于通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層中的通孔、以及通孔金屬硬掩膜層中的通孔，并去除光刻膠層；步驟S4:通過通孔金屬硬掩膜層，依次刻蝕通孔低介電常數(shù)保護(hù)層、通孔低介電常數(shù)層和通孔刻蝕阻擋層，分別形成在豎直方向上位于層間介質(zhì)層中的金屬互連線上方的通孔結(jié)構(gòu)；步驟S5 在通孔金屬硬掩膜層之上以及通孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部沉積金屬阻擋層和銅籽晶層，金屬阻擋層和銅籽晶層與金屬互連線相接觸，并采用電化學(xué)鍍ECP工藝生長金屬銅；步驟S6 采用化學(xué)機(jī)械研磨法將金屬銅拋光至通孔低介電常數(shù)層，形成位于拋光后的通孔低介電常數(shù)層和通孔刻蝕阻擋層中的銅互連線；步驟S7 在拋光后的包含有銅互連線的通孔低介電常數(shù)層上從下至上依次淀積溝槽刻蝕阻擋層、溝槽低介電常數(shù)層、溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層、溝槽金屬硬掩膜層以及溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層；步驟S8 在溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層之上采用旋涂法涂覆一層第二光刻膠層，并進(jìn)行光刻工藝，形成與后續(xù)步驟中所需的溝槽結(jié)構(gòu)相應(yīng)的開口 ；步驟S9 通過步驟S8中形成的開口依次刻蝕溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層以及溝槽金屬硬掩膜層，刻蝕停止于溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層，形成位于溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層中溝槽以及溝槽金屬硬掩膜層中的溝槽，并去除第二光刻膠層；步驟SlO 通過溝槽金屬硬掩膜層，依次刻蝕溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層、溝槽低介電常數(shù)層和溝槽刻蝕阻擋層，形成溝槽結(jié)構(gòu)；步驟Sll 在溝槽金屬硬掩膜層之上以及溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部沉積第二金屬阻擋層和第二銅籽晶層，并采用電化學(xué)鍍ECP工藝生長金屬銅；步驟S12 采用化學(xué)機(jī)械研磨法將金屬銅拋光至溝槽低介電常數(shù)層，形成位于拋光后的溝槽低介電常數(shù)層和溝槽刻蝕阻擋層中的銅互連線。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成的通孔刻蝕阻擋層的材料為SiN或SiC 或 SiOC 或 SiOCN 或 SiCN。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法淀積通孔刻蝕阻擋層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層的材料為有機(jī)聚合物。
5.如權(quán)利要去4所述的方法，其特征在于，采用旋涂法將由有機(jī)聚合物構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層淀積在通孔刻蝕阻擋層之上。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成通孔低介電常數(shù)層的材料為二氧化硅基材料。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法淀積由二氧化硅基材料構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成通孔低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為Si02。
9.如權(quán)利要求1或8所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積通孔低介電常數(shù)保護(hù)層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積通孔金屬硬掩膜層。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成通孔金屬硬掩膜層的材料為Ta或者 Ti或者Tu或者TaN或者TiN或者TuN或者上述的混合物。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為Si02。
13.如權(quán)利要求1或12所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法淀積通孔金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟S2中采用旋涂法在通孔低介電常數(shù)保護(hù)層之上涂覆一層光刻膠。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成金屬阻擋層的材料為Ta或者TaN。
16.如權(quán)利要求1或15所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法淀積金屬阻擋層。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成的溝槽刻蝕阻擋層的材料為SiN或 SiC 或 SiOC 或 SiOCN 或 SiCN。
18.如權(quán)利要求1或17所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽刻蝕阻擋層。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成的溝槽低介電常數(shù)層的材料為有機(jī)聚合物。
20.如權(quán)利要去19所述的方法，其特征在于，采用旋涂法將由有機(jī)聚合物構(gòu)成的通孔低介電常數(shù)層淀積在溝槽刻蝕阻擋層之上。
21.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成溝槽低介電常數(shù)層的材料為二氧化硅基材料。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法淀積由二氧化硅基材料構(gòu)成的溝槽低介電常數(shù)層。
23.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為 SiO20
24.如權(quán)利要求1或23所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層。
25.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法或者化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽金屬硬掩膜層。
26.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成溝槽金屬硬掩膜層的材料為Ta或者Ti或者Tu或者TaN或者TiN或者TuN或者上述的混合物。
27.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層的材料為Si02。
28.如權(quán)利要求1或27所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法淀積溝槽金屬硬掩膜低介電常數(shù)保護(hù)層。
29.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟S8中采用旋涂法在溝槽低介電常數(shù)保護(hù)層之上涂覆一層光刻膠。
30.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，構(gòu)成第二金屬阻擋層的材料為Ta或者TaN。
31.如權(quán)利要求1或30所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法淀積第二金屬阻擋層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種大馬士革的集成方法，其所形成的通孔和溝槽圖案可以得到很好地控制，并且消除了由于相鄰的溝槽之間和相鄰?fù)字g由于出現(xiàn)互連而帶來的電流泄漏情況的發(fā)生，工藝過程簡單，易控制。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102446824SQ20111027266
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月15日
發(fā)明者李磊, 胡友存, 陳玉文 申請人:上海華力微電子有限公司