專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠增大發(fā)射極電極的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在逆變器等的電力變換裝置中使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor， 絕緣柵雙極晶體管)(例如，參照專利文獻1)。為了提高該IGBT的工作性能，進行了 IGBT 單元的結(jié)構(gòu)的重新研究、晶片厚度的合理化?？墒?，根據(jù)這些手段的性能提高正在不斷接近 極限。因此，研究增大相對于芯片面積的發(fā)射極電極的面積，降低電流密度的方案。專利文獻1 日本特開2008-135536號公報為了不增大芯片而增大發(fā)射極電極，只要減小柵極焊盤、柵極布線以及終端區(qū)域 (terminating region)即可?？墒?，柵極焊盤的大小被與外部的連接面積、例如Al引線的 線徑所制約。此外，當(dāng)減少柵極布線的根數(shù)時，導(dǎo)致并聯(lián)連接的IGBT單元間的不平衡工作。 而且，根據(jù)IGBT的額定電流，在ON和OFF的切換時的數(shù)μ sec中有時流過數(shù)A的柵極電流， 因此柵極布線的寬度受到電遷移的制約。此外，使終端區(qū)域為縱方向的N-層的厚度以下在 原理上是不可能的。進而，當(dāng)使終端區(qū)域過小時，擔(dān)心有品質(zhì)上的問題。因此，不能夠增大 發(fā)射極電極。此外，近年來，有許多應(yīng)用了傳遞模塑(transfer molding)技術(shù)的制品。可是，由 于模塑樹脂和半導(dǎo)體襯底的熱膨脹系數(shù)的差，模塑樹脂的應(yīng)力導(dǎo)致半導(dǎo)體襯底上的電極隨 時間經(jīng)過而剝落(slide，滑動)。為了防止該情況，對電極進行薄膜化，減小階梯差?？墒?， 由于擔(dān)心上述柵極布線的寬度的限制、在引線鍵合時向單元部的損傷，所以電極的薄膜化 有極限。此外，也考慮利用聚酰亞胺涂覆來保護布線，但這成為成本上升的要因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述那樣的課題而完成的，其第一目的在于獲得一種能夠增 大發(fā)射極電極的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的第二目的在于獲得一種能夠防止模塑 樹脂的應(yīng)力導(dǎo)致的電極的滑動的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具備半導(dǎo)體襯底；多個IGBT單元，在上述半導(dǎo) 體襯底上形成，分別具有柵極電極和第一發(fā)射極電極；第一柵極布線，在上述半導(dǎo)體襯底上 形成，連接于上述柵極電極；層間絕緣膜，覆蓋上述第一發(fā)射極電極和上述第一柵極布線； 以及第二發(fā)射極電極，在上述層間絕緣膜上形成，經(jīng)由上述層間絕緣膜的開口連接于上述 第一發(fā)射極電極，上述第二發(fā)射極電極隔著上述層間絕緣膜在上述第一柵極布線的上方延 伸。通過本發(fā)明，能夠增大發(fā)射極電極。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的半導(dǎo)體裝置的上視圖。
圖2是表示圖1的區(qū)域A中的η型Si襯底的表面的擴大上視圖。圖3是沿著圖1和圖2的B-B'的剖視圖。圖4是沿著圖1和圖2的C-C'的剖視圖。圖5是沿著圖1的D-D'的剖視圖。 圖6是表示圖1的區(qū)域E中的η型Si襯底的表面的擴大上視圖。圖7是沿著圖1和圖6的F-F'的剖視圖。圖8是沿著圖1和圖6的G-G'的剖視圖。圖9是表示本發(fā)明的實施方式1的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。圖10是表示本發(fā)明的實施方式1的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。圖11是表示本發(fā)明的實施方式1的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。圖12是表示第一比較例的半導(dǎo)體裝置的上視圖。圖13是沿著圖12的H-H'的剖視圖。圖14是沿著圖12的Ι-Γ的剖視圖。圖15是表示本發(fā)明的實施方式2的半導(dǎo)體裝置的上視圖。圖16是表示本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖17是表示本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖18是表示本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。圖19是表示本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。圖20是表示本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。圖21是表示第二比較例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。附圖標(biāo)記說明10 η型Si襯底(半導(dǎo)體襯底)12、14、16下層?xùn)艠O布線(第一柵極布線)18,88上層?xùn)艠O布線(第三柵極布線)20第二發(fā)射極電極24 IGBT 單元46柵極電極54第一發(fā)射極電極56下層?xùn)艠O布線(第二柵極布線)58、60、62、64、110、112、114 第一場板電極66層間絕緣膜68、116、118、120、122 第二場板電極70保護膜90第三發(fā)射極電極92 Ti 膜94 Ni 膜96 Au 膜
具體實施例方式以下，針對 實施本發(fā)明的方式，參照附圖詳細(xì)地進行說明。對同樣的構(gòu)成要素賦予 相同的附圖標(biāo)記，省略說明。實施方式1圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的半導(dǎo)體裝置的上視圖。該半導(dǎo)體裝置是溝槽型 的 IGBT。在η型Si襯底10(半導(dǎo)體襯底)上形成有由Al構(gòu)成的、下層?xùn)艠O布線12、14、16、 上層?xùn)艠O布線18、第二發(fā)射極電極20以及柵極焊盤22。柵極布線12、14、16、18連接于柵 極焊盤22。環(huán)狀的上層?xùn)艠O布線18在η型Si襯底10上配置在第二發(fā)射極電極20的外 側(cè)。直線狀的下層?xùn)艠O布線12、14、16 (第一柵極布線)配置在第二發(fā)射極電極20的下方。第二發(fā)射極電極20例如被引線鍵合并從外部被輸入發(fā)射極電流(主電流)。在第 二發(fā)射極電極20下形成有多個IGBT單元(后述)。柵極焊盤22例如被引線鍵合并從外部 被輸入柵極電壓。柵極布線12、14、16、18對并聯(lián)連接的IGBT單元的柵極電極施加?xùn)艠O電壓。圖2是表示圖1的區(qū)域A中的η型Si襯底的表面的擴大上視圖。圖3是沿著圖1 和圖2的B-B'的剖視圖。圖4是沿著圖1和圖2的C-C'的剖視圖。圖5是沿著圖1的 D-D'的剖視圖。第二發(fā)射極電極20的下方區(qū)域是在η型Si襯底10上形成了多個IGBT單元24 的單元區(qū)域。從該單元區(qū)域朝向外側(cè)，在η型Si襯底10的上表面形成有環(huán)狀的ρ阱26、 28,30,32以及溝道截止環(huán)(channelstopper) 34。其中，ρ阱28、30、32及溝道截止環(huán)34在 η型Si襯底10的終端區(qū)域形成。在單元區(qū)域中，在η型Si襯底10的上表面有選擇地形成有ρ型基極區(qū)域36。在 該P型基極區(qū)域36內(nèi)有選擇地形成有η.型發(fā)射極區(qū)域38和P+型區(qū)域40。以貫通ρ型基極區(qū)域36的方式形成有溝槽42。在溝槽42內(nèi)形成有柵極絕緣膜 44。在柵極絕緣膜44上形成有柵極電極46。沿著溝槽42在ρ型基極區(qū)域36中形成溝道。在η型Si襯底10上形成有氧化膜48 (絕緣膜)。在ρ阱26上隔著氧化膜48形 成有柵極電極50。該柵極電極50經(jīng)由氧化膜48的開口連接于多個IGBT單元24的柵極電 極46。柵極電極50被層間絕緣膜52覆蓋。在層間絕緣膜52上形成有由Al構(gòu)成的、第一 發(fā)射極電極54、下層?xùn)艠O布線56 (第二柵極布線)以及第一場板電極58、60、62、64。其中， 第一場板電極58、60、62、64形成在η型Si襯底10的終端區(qū)域。第一發(fā)射極電極54經(jīng)由氧化膜48和層間絕緣膜52的開口連接于η+型發(fā)射極區(qū) 域38和ρ+型區(qū)域40。下層?xùn)艠O布線56經(jīng)由層間絕緣膜52的開口連接于柵極電極50。第 一場板電極58、60、62、64經(jīng)由氧化膜48和層間絕緣膜52的開口分別連接于ρ阱28、30、32 以及溝道截止環(huán)34。第一發(fā)射極電極54、下層?xùn)艠O布線56以及第一場板電極58、60、62、64被層間絕 緣膜66覆蓋。在層間絕緣膜52上形成有由Al構(gòu)成的、第二發(fā)射極電極20、上層?xùn)艠O布線 18 (第三柵極布線)以及第二場板電極68。第二發(fā)射極電極20、上層?xùn)艠O布線18以及第 二場板電極68經(jīng)由層間絕緣膜66的開口分別連接于第一發(fā)射極電極54、下層?xùn)艠O布線56 以及第一場板電極58。上層?xùn)艠O布線18及第二場板電極68被氮化硅那樣的半絕緣性的保 護膜70覆蓋。再有，上層?xùn)艠O布線18的寬度比下層?xùn)艠O布線56的寬度寬，第二場板電極68比第一場板電極58、60、62、64厚。在η型Si襯底10的下表面形成有ρ型集電極區(qū)域72。在ρ型集電極區(qū)域72連 接有集電極電極74。集電極電極74從襯底側(cè)起依次層疊了 Al層76、Ti層78、Μ層80以 及Au層82。
圖6是表示圖1的區(qū)域E中的η型Si襯底的表面的擴大上視圖。圖7是沿著圖 1和圖6的F-F'的剖視圖。圖8是沿著圖1和圖6的G-G'的剖視圖。 在η型Si襯底10上形成有直線狀的P阱84。在該ρ阱84的兩側(cè)形成有多個IGBT 單元24。在ρ阱84上隔著氧化膜48形成有直線狀的柵極電極86。該柵極電極86經(jīng)由氧 化膜48的開口連接于多個IGBT單元24的柵極電極46。柵極電極86被層間絕緣膜52覆 蓋。在層間絕緣膜52上形成有第一發(fā)射極電極54及直線狀的下層?xùn)艠O布線14。下層?xùn)艠O 布線14經(jīng)由層間絕緣膜52的開口連接于柵極電極86。在下層?xùn)艠O布線14的兩側(cè)，第一發(fā) 射極電極54經(jīng)由氧化膜48和層間絕緣膜52的開口連接于η+型發(fā)射極區(qū)域38和ρ+型區(qū) 域40。第二發(fā)射極電極20隔著層間絕緣膜66在下層?xùn)艠O布線14的上方延伸。因此，下層 柵極布線14被第二發(fā)射極電極20覆蓋，沒有露出。以下，針對本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。圖9-11是表示本發(fā)明 的實施方式1的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。首先，如圖9所示，在η型Si襯底10的上表面形成擴散區(qū)域。然后，在η型Si襯 底10上形成氧化膜48。在P阱26 (84)上隔著氧化膜48形成柵極電極50 (86)。接著，如圖10所示，通過沉積等形成層間絕緣膜52，在氧化膜48及層間絕緣膜52 有選擇地形成開口。然后，通過濺射、蒸鍍對鋁等的導(dǎo)電性材料進行成膜，有選擇地進行蝕 刻而在同一工序中形成第一發(fā)射極電極54、下層?xùn)艠O布線56(12、14、16)以及第一場板電 極 58、60、62、64。接著，如圖11所示，通過沉積等形成層間絕緣膜66，在層間絕緣膜66有選擇地形 成開口。然后，通過濺射、蒸鍍對鋁等的導(dǎo)電性材料進行成膜，有選擇地進行蝕刻而在同一 工序中形成第二發(fā)射極電極20、上層?xùn)艠O布線18以及第二場板電極68。之后，經(jīng)過通常的 IGBT的制造工序，制造本實施方式的半導(dǎo)體裝置。針對本實施方式的效果，一邊與第一比較例進行比較一邊進行說明。圖12是表示 第一比較例的半導(dǎo)體裝置的上視圖。圖13是沿著圖12的H-H'的剖視圖。圖14是沿著圖 12的Ι-Γ的剖視圖。在第一比較例中，柵極布線、發(fā)射極電極以及場板電極僅是1層。因此，在芯片中 央露出柵極布線12、14、16，所以第一發(fā)射極電極54變小。在這里，IGBT單元的柵極電極46 —般由多晶硅構(gòu)成，與由Al構(gòu)成的下層?xùn)艠O布 線12、14、16相比電阻高。因此，在接近于下層?xùn)艠O布線12、14、16的單元和從柵極布線遠(yuǎn) 離的單元中，在工作定時中產(chǎn)生不一致。為了減少該不一致，需要縮窄下層?xùn)艠O布線12、14、 16的間隔。因此，不能為了增大第一發(fā)射極電極54而減少下層?xùn)艠O布線12、14、16的根數(shù)。另一方面，在本實施方式中，第二發(fā)射極電極20隔著層間絕緣膜66在柵極電極50 的上方延伸。因此，不減少下層?xùn)艠O布線12、14、16的根數(shù)，就能夠與第一比較例的第一發(fā) 射極電極54相比，增大第二發(fā)射極電極20。因此，第二發(fā)射極電極20的發(fā)射極電位在芯片 內(nèi)變得均等，因此能夠抑制不平衡工作、振蕩。
此外，在第一比較例中，由于下層?xùn)艠O布線12、14、16露出，所以需要以不與下層 柵極布線12、14、16接觸的方式進行引線鍵合。因此，能夠引線鍵合到第一發(fā)射極電極54 的區(qū)域狹窄。另一方面，在本實施方式中，由于下層?xùn)艠O布線12、14、16沒有露出，所以能夠 引線鍵合到第二發(fā)射極電極20的區(qū)域?qū)掗?。此外，在本實施?式中，使上層?xùn)艠O布線18的寬度比下層?xùn)艠O布線56的寬度寬。 由此，能夠降低芯片內(nèi)的寄生柵極電阻，抑制不平衡工作。再有，下層?xùn)艠O布線12、14、16、56 的寬度設(shè)定為為了傳遞柵極電位所需要的寬度。此外，通過采用在終端區(qū)域配置了環(huán)狀的ρ阱28、30、32及第一場板電極58、60、 62,64的保護環(huán)結(jié)構(gòu)，從而能夠在柵極電極施加時使耗盡層延伸，在OFF時保持在集電極/ 發(fā)射極之間施加的電壓。最外周的溝道截止環(huán)34為了截止耗盡層而設(shè)置。因此，在終端區(qū) 域能夠保持耐壓。此外，在第一比較例的情況下，在同一工序中形成第一場板電極58、60、62、64和 第二發(fā)射極電極54。由于為了提高引線鍵合性需要將第一發(fā)射極電極54增厚，所以場板電 極58、60、62、64也變厚。因此，在對第一比較例的半導(dǎo)體裝置進行傳遞模塑的情況下，由于 模塑樹脂與Si和Al的熱膨脹率的不同，所以第一場板電極58、60、62、64由于模塑樹脂的 應(yīng)力而滑動。另一方面，在本實施方式中，由于第一場板電極58、60、62、64和第二發(fā)射極電極 20在不同工序中形成，所以能夠使第一場板電極58、60、62、64比第二場板電極68較薄地形 成。由此，能夠防止模塑樹脂的應(yīng)力導(dǎo)致的電極的滑動。此外，通過以保護膜70覆蓋第一場板電極58、60、62、64和第二場板電極68，能夠 從水分/應(yīng)力/雜質(zhì)等對其進行保護。此外，在本實施方式中，在同一工序中形成第一發(fā)射極電極54和下層?xùn)艠O布線 12、14、16、56和第一場板電極58、60、62、64。而且，在同一工序中形成第二發(fā)射極電極20 和上層?xùn)艠O布線18和第二場板電極68。由此，能夠削減工序，降低成本。實施方式2圖15是表示本發(fā)明的實施方式2的半導(dǎo)體裝置的上視圖。圖15與實施方式1的 圖1對應(yīng)。在第二發(fā)射極電極20的中央(芯片中央)配置的下層?xùn)艠O布線14上形成有上 層?xùn)艠O布線88。其它結(jié)構(gòu)與實施方式1的結(jié)構(gòu)相同。如果能夠確保向第二發(fā)射極電極20的引線鍵合的自由度的話，在第二發(fā)射極電 極20的中央也能夠形成上層?xùn)艠O布線88。由此能夠進一步降低柵極電阻。實施方式3圖16是表示本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖16與實施方式1的 圖7對應(yīng)。在第二發(fā)射極電極20上形成有第三發(fā)射極電極90。其它結(jié)構(gòu)與實施方式1的 結(jié)構(gòu)相同。第三發(fā)射極電極90具有從第二發(fā)射極電極20側(cè)起依次形成的Ti膜92、Ni膜94 和Au膜96。這些膜以濺射、蒸鍍等方法進行成膜，有選擇地被蝕刻。像這樣，第三發(fā)射極電 極90具有作為焊接接合材料的Ni，因此能夠進行焊接接合。當(dāng)如第一比較例那樣，下層?xùn)艠O布線12、14、16露出時，也阻礙焊接接合的自由 度。另一方面，在本實施方式中，第二和第三發(fā)射極電極20、90隔著層間絕緣膜66在柵極電極14的上方延伸。因此，焊接接合的自由度上升。此外，通過使用焊接接合，從而與使用引線鍵合的情況相比，能夠降低通電時的導(dǎo) 通電阻。而且，能夠延長與芯片的接合面到剝離為止的壽命。實施方式4圖17是表示本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖17與實施方式1的 圖3對應(yīng)。僅針對與實施方式1不同的終端區(qū)域的結(jié)構(gòu)進行說明。其它結(jié)構(gòu)與實施方式1 相同。在終端區(qū)域中在層間絕緣膜52上，形成有相互離開的由Al構(gòu)成的第一場板電極 98、100、102。第一場板電極98、102經(jīng)由氧化膜48和層間絕緣膜52的開口分別連接于ρ 阱28以及溝道截止環(huán)34。第一場板電極98、100、102被層間絕緣膜66覆蓋。在層間絕緣膜66上，形成有相互離開的 由Al構(gòu)成的第二場板電極104、106、108。 第二場板電極104經(jīng)由層間絕緣膜52的開口連接于第一場板電極98。第二場板電極106、 108配置在鄰接的第一場板電極98、100、102之間的區(qū)域上。像這樣，采用使第一場板電極98、100、102和第二場板電極104、106、108電容耦合 的場板結(jié)構(gòu)。在該情況下，也與實施方式1同樣地，能夠在柵極電極施加時使耗盡層延伸， 在OFF時保持施加到集電極/發(fā)射極之間的電壓。最外周的溝道截止環(huán)34為了截止耗盡 層而設(shè)置。因此，在終端區(qū)域能夠保持耐壓。接著，針對本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。圖18-20是 表示本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。首先，如圖18所示，在η型Si襯底10的上表面形成擴散區(qū)域。然后，在η型Si 襯底10上形成氧化膜48。在P阱26 (84)上隔著氧化膜48形成柵極電極50 (86)。接著，如圖19所示，通過沉積等形成層間絕緣膜52，在氧化膜48及層間絕緣膜52 有選擇地形成開口。然后，通過濺射、蒸鍍對鋁等的導(dǎo)電性材料進行成膜，有選擇地進行蝕 刻而在同一工序中形成第一發(fā)射極電極54、下層?xùn)艠O布線56(12、14、16)以及第一場板電 極98、100、102。接著，如圖20所示，通過沉積等形成層間絕緣膜66，在層間絕緣膜66有選擇地形 成開口。然后，通過濺射、蒸鍍對鋁等的導(dǎo)電性材料進行成膜，有選擇地進行蝕刻而在同一 工序中形成第二發(fā)射極電極20、上層?xùn)艠O布線18以及第二場板電極104、106、108。之后， 經(jīng)過通常的IGBT的制造工序，制造本實施方式的半導(dǎo)體裝置。針對本實施方式的效果，一邊與第二比較例進行比較一邊進行說明。圖21是表示 第二比較例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。在第二比較例中，柵極布線及發(fā)射極電極僅是1層。因 此，第一場板電極110、112、114與柵極電極50在同一工序中形成，第二場板電極116、118、 120、122與第一發(fā)射極電極54以及下層?xùn)艠O布線56在同一工序中形成。由此，因為第一場 板電極110、112、114由多晶硅構(gòu)成，所以受到制造上的制約。另一方面，在本實施方式中，第一場板電極98、100、102與第一發(fā)射極電極54和下 層?xùn)艠O布線56在同一工序中形成，第二場板電極104、106、108與第二發(fā)射極電極20以及 上層?xùn)艠O布線18在同一工序中形成。由此，因為第一場板電極由Al構(gòu)成，所以不受制造上 的制約。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備 半導(dǎo)體襯底；多個IGBT單元，在所述半導(dǎo)體襯底上形成，分別具有柵極電極和第一發(fā)射極電極； 第一柵極布線，在所述半導(dǎo)體襯底上形成，連接于所述柵極電極； 層間絕緣膜，覆蓋所述第一發(fā)射極電極和所述第一柵極布線；以及 第二發(fā)射極電極，在所述層間絕緣膜上形成，經(jīng)由所述層間絕緣膜的開口連接于所述 第一發(fā)射極電極，其中，所述第二發(fā)射極電極隔著所述層間絕緣膜在所述第一柵極布線的上方延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備第二柵極布線，在所述半導(dǎo)體襯底上形成，連接于所述柵極電極，被所述層間絕緣膜覆 蓋；以及第三柵極布線，在所述層間絕緣膜上形成，經(jīng)由所述層間絕緣膜的開口連接于所述第 二柵極布線，其中，所述第三柵極布線的寬度比所述第二柵極布線的寬度寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二柵極布線和所述第三柵 極布線在所述半導(dǎo)體襯底上配置在所述第二發(fā)射極電極的外側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二柵極布線和所述第三柵 極布線在所述半導(dǎo)體襯底上配置在所述第二發(fā)射極電極的中央。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備第三發(fā)射極 電極，其在所述第二發(fā)射極電極上形成，并具有附。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第三發(fā)射極電極具有從所述 第二發(fā)射極電極側(cè)起依次形成的Ti膜、Ni膜和Au膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備第一場板電極，在所述半導(dǎo)體襯底上的終端區(qū)域中形成，被所述層間絕緣膜覆蓋；以及 第二場板電極，在所述層間絕緣膜上形成，經(jīng)由所述層間絕緣膜的開口連接于所述第 一場板電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備多個第一場板電極，在所述半導(dǎo)體襯底上的終端區(qū)域中相互離開而形成，被所述層間 絕緣膜覆蓋；以及多個第二場板電極，在所述層間絕緣膜上形成，配置在鄰接的所述第一場板電極之間 的區(qū)域上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一場板電極比所述第二場 板電極薄。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備保護膜，覆蓋所 述第二場板電極。
11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，制造權(quán)利要求2 4的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其 特征在于，在同一工序中形成所述第一發(fā)射極電極、所述第一柵極布線及所述第二柵極布線， 在同一工序中形成所述第二發(fā)射極電極及所述第三柵極布線。
12. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，制造權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在同一工序中形成所述第一發(fā)射極電極、所述第一柵極布線及所述第一場板電極， 在同一工序中形成所述第二發(fā)射極電極及所述第二場板電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在n型Si襯底(10)上形成有多個IGBT單元(24)。各個IGBT單元(24)具有柵極電極(46)和第一發(fā)射極電極(54)。下層?xùn)艠O布線(14)在n型Si襯底(10)上形成，連接于柵極電極(46)。層間絕緣膜(66)覆蓋第一發(fā)射極電極(54)及下層?xùn)艠O布線(14)。第二發(fā)射極電極(20)在層間絕緣膜(66)上形成，經(jīng)由層間絕緣膜(66)的開口連接于第一發(fā)射極電極(54)。第二發(fā)射極電極(20)隔著層間絕緣膜(66)在下層?xùn)艠O布線(14)的上方延伸。
文檔編號H01L21/60GK102005474SQ20101026500
公開日2011年4月6日 申請日期2010年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月27日
發(fā)明者友松佳史, 鈴木健司 申請人:三菱電機株式會社