專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置，尤其涉及具備多個(gè)半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置。
背景技術(shù)：
以往，已知有具備多個(gè)半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置(例如，參照日本特開(kāi) 2005-327905 號(hào)公報(bào))。在上述日本特開(kāi)2005-327905號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置(半導(dǎo)體激 光裝置)，其具備CD(Compact Disc)及DVD(Digital VersatileDisc)的記錄、再生等中使 用的二波長(zhǎng)的發(fā)光元件(多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件)；BD(BlU-ray Disc (注冊(cè)商標(biāo)))的記 錄、再生等中使用的一波長(zhǎng)的發(fā)光元件(半導(dǎo)體激光元件)；搭載它們的支承基體(搭載部 件)。在該半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，二波長(zhǎng)的發(fā)光元件和一波長(zhǎng)的發(fā)光元件在層疊的狀態(tài)下 搭載于支承基體。具體來(lái)說(shuō)，以使二波長(zhǎng)的發(fā)光元件的發(fā)光點(diǎn)(發(fā)光部)側(cè)與一波長(zhǎng)的發(fā) 光元件的發(fā)光點(diǎn)側(cè)相面對(duì)的方式在一波長(zhǎng)的發(fā)光元件上搭載二波長(zhǎng)的發(fā)光元件。并且，一 波長(zhǎng)的發(fā)光元件的背面?zhèn)?與發(fā)光點(diǎn)相反側(cè))安裝于支承基體。然而，在上述日本特開(kāi)2005-327905號(hào)公報(bào)中，為了在一波長(zhǎng)的發(fā)光元件(半導(dǎo)體 激光元件)上接合二波長(zhǎng)的發(fā)光元件(多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件)，而需要絕緣層的蒸鍍或粘 結(jié)層的蒸鍍等多個(gè)工序，從而存在半導(dǎo)體發(fā)光裝置(半導(dǎo)體激光裝置)的生產(chǎn)率降低的問(wèn) 題點(diǎn)。為了改善半導(dǎo)體發(fā)光裝置的生產(chǎn)率，考慮有不層疊二波長(zhǎng)的發(fā)光元件和一波長(zhǎng)的 發(fā)光元件而將各發(fā)光元件并列安裝在支承基體上的方法。這種情況下，存在二波長(zhǎng)的發(fā)光 元件的發(fā)光點(diǎn)(尤其是配置在與一波長(zhǎng)的發(fā)光元件相反側(cè)的發(fā)光點(diǎn))與一波長(zhǎng)的發(fā)光元件 的發(fā)光點(diǎn)的距離容易變大的問(wèn)題點(diǎn)。上述發(fā)光點(diǎn)間的距離變大時(shí)，難以將從發(fā)光點(diǎn)射出的 光所照射的透鏡等光學(xué)部件共用化成二波長(zhǎng)的發(fā)光元件用和一波長(zhǎng)的發(fā)光元件用，因此在 一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光裝置上搭載二波長(zhǎng)的發(fā)光元件和一波長(zhǎng)的發(fā)光元件的優(yōu)點(diǎn)方面較差。另外，在上述日本特開(kāi)2005-327905號(hào)公報(bào)中，由于在一波長(zhǎng)的發(fā)光元件上搭載 二波長(zhǎng)的發(fā)光元件，因此需要在一波長(zhǎng)的發(fā)光元件上形成搭載二波長(zhǎng)的發(fā)光元件的電極， 并且需要在該電極上接合外部連接用的引線。因此，需要將電極形成為足夠的尺寸，需要將 一波長(zhǎng)的發(fā)光元件形成為具有大于二波長(zhǎng)的發(fā)光元件的面積。由此，存在一波長(zhǎng)的發(fā)光元 件大型化的問(wèn)題點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述課題而提出，其目的在于，提供一種能夠抑制半導(dǎo)體激光元 件的大型化，并且抑制發(fā)光部間隔變大，提高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體激光裝置。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方面的半導(dǎo)體激光裝置具備第一半導(dǎo)體激光元件；第二半導(dǎo)體激光元件，其與第一半導(dǎo)體激光元件相鄰配置，且是單片型的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體 激光元件；搭載部件，其通過(guò)下連接(jimctiondown)方式搭載第一半導(dǎo)體激光元件及第二 半導(dǎo)體激光元件，第二半導(dǎo)體激光元件包括半導(dǎo)體基板，第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基 板的側(cè)面中的與第一半導(dǎo)體激光元件相對(duì)置的側(cè)面相對(duì)于半導(dǎo)體基板的主面的法線方向 傾斜成隨著離開(kāi)搭載部件而與第一半導(dǎo)體激光元件的距離變大。在該一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，如上所述，通過(guò)利用下連接方式將第一半導(dǎo)體 激光元件及第二半導(dǎo)體激光元件搭載在搭載部件上，能夠減小第一半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光 部與搭載部件的距離，并且能夠減小第二半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部與搭載部件的距離。由 此，在第一半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部與第二半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部之間的相對(duì)距離中， 能夠減小第一半導(dǎo)體激光元件及第二半導(dǎo)體激光元件的厚度方向的距離。而且，與利用上 連接(junction up)方式將第一半導(dǎo)體激光元件及第二半導(dǎo)體激光元件搭載在搭載部件上 的情況相比，能夠?qū)⒌谝话雽?dǎo)體激光元件的發(fā)光部及第二半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部的高度 位置的誤差抑制為非常小。而且，能夠?qū)⒌谝话雽?dǎo)體激光元件的發(fā)光部及第二半導(dǎo)體激光 元件的發(fā)光部產(chǎn)生的熱量高效地傳遞給搭載部件，因此能夠提高第一半導(dǎo)體激光元件及第 二半導(dǎo)體激光元件的散熱性。另外，在一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，如上所述，通過(guò)利用下連接方式將第一半導(dǎo) 體激光元件及第二半導(dǎo)體激光元件搭載在搭載部件上，而不同于層疊第一半導(dǎo)體激光元件 和第二半導(dǎo)體激光元件的情況，無(wú)需用于將第一半導(dǎo)體激光元件和第二半導(dǎo)體激光元件接 合的多個(gè)工序。由此，能夠抑制半導(dǎo)體激光裝置的生產(chǎn)率降低。而且，在一方面的半導(dǎo)體激 光裝置中，不同于層疊第一半導(dǎo)體激光元件和第二半導(dǎo)體激光元件的情況，無(wú)需使一個(gè)半 導(dǎo)體激光元件(例如第一半導(dǎo)體激光元件)大型化，因此能夠抑制半導(dǎo)體激光元件大型化 的情況。另外，在一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，如上所述，使第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體 基板的側(cè)面中的與第一半導(dǎo)體激光元件相對(duì)置的側(cè)面相對(duì)于半導(dǎo)體基板的主面的法線方 向傾斜成隨著離開(kāi)搭載部件而與第一半導(dǎo)體激光元件的距離變大。由此，相比較于使第二 半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板的側(cè)面中的與第一半導(dǎo)體激光元件相對(duì)置的側(cè)面相對(duì)于半 導(dǎo)體基板的主面的法線方向傾斜成隨著離開(kāi)搭載部件而與第一半導(dǎo)體激光元件的距離變 小的情況，能夠使第一半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部接近第二半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部配置。 因此，能夠抑制第一半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部與第二半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部的距離變 大。其結(jié)果是，通過(guò)第一半導(dǎo)體激光元件和第二半導(dǎo)體激光元件能夠共用從發(fā)光部射出的 光所照射的透鏡等光學(xué)部件，因此能夠抑制部件個(gè)數(shù)的增加，并且能夠抑制裝置整體的大 型化。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，第一半導(dǎo)體激光元件具有射出激 光的第一發(fā)光部，第一發(fā)光部配置在比第一半導(dǎo)體激光元件的中心靠第二半導(dǎo)體激光元件 側(cè)。如此構(gòu)成時(shí)，能夠使第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光部更接近第二半導(dǎo)體激光元件配 置。由此，能夠進(jìn)一步抑制第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光部與第二半導(dǎo)體激光元件的發(fā) 光部的距離變大的情況。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，第二半導(dǎo)體激光元件具有分別射 出波長(zhǎng)相互不同的激光的第二發(fā)光部及第三發(fā)光部，第二發(fā)光部與第三發(fā)光部的中心位于比第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板的主面的中心靠第一半導(dǎo)體激光元件側(cè)。如此構(gòu)成 時(shí)，能夠使第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光部及第三發(fā)光部更接近第一半導(dǎo)體激光元件配 置。由此，能夠進(jìn)一步抑制第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光部及第三發(fā)光部與第一半導(dǎo)體 激光元件的發(fā)光部的距離變大的情況。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，第一半導(dǎo)體激光元件具有射出激 光的第一發(fā)光部，第二半導(dǎo)體激光元件具有分別射出波長(zhǎng)相互不同的激光的第二發(fā)光部及 第三發(fā)光部，第二發(fā)光部配置在第三發(fā)光部與第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光部之間，第 一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光部與第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光部的距離為第二半導(dǎo) 體激光元件的第二發(fā)光部與第三發(fā)光部的距離以下的尺寸。如此構(gòu)成時(shí)，能夠進(jìn)一步抑制 第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光部與第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光部及第三發(fā)光部的 距離變大的情況。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，也可以是，第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基 板包括主面具有偏置角度的偏置基板，第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板的側(cè)面是解理面 (劈開(kāi)面)。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，也可以是，第一半導(dǎo)體激光元件包括氮化物 半導(dǎo)體基板。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，也可以是，第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基 板包括GaAs基板。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，也可以是，第一半導(dǎo)體激光元件包括藍(lán)紫色 半導(dǎo)體激光元件。在上述一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，也可以是，第二半導(dǎo)體激光元件包括紅外半 導(dǎo)體激光元件部和紅色半導(dǎo)體激光元件部。


圖1是示出本發(fā)明的一實(shí)施方式的三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的主視圖。圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施方式的三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的效果的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。參照?qǐng)D1說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施方式的三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置1的結(jié)構(gòu)。此外，三 波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置1是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的一例。如圖1所示，本發(fā)明的一實(shí)施方式的三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置1具備藍(lán)紫色半導(dǎo) 體激光元件10 ；二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20 ；通過(guò)下連接方式搭載藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10 及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的輔助固定件2。此外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10是本發(fā)明的 “第一半導(dǎo)體激光元件”的一例，二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20是本發(fā)明的“第二半導(dǎo)體激光元 件”的一例。而且，輔助固定件2是本發(fā)明的“搭載部件”的一例。藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10和二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20在寬度方向(X方向)上 相鄰配置。而且，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10配置在二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的X方向的 一側(cè)(XI方向側(cè))。
藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10具有射出例如約405nm帶的波長(zhǎng)的激光(藍(lán)紫色激光) 的功能，使用于BD的記錄、再生等。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10包括由具有約lOOiim厚度的GaN構(gòu)成的半導(dǎo)體 基板11 ；形成在半導(dǎo)體基板11的主面11a上的GaN系的半導(dǎo)體層12 ；形成在半導(dǎo)體層12 上的電極層13。而且，也可以在半導(dǎo)體基板11的背面上設(shè)置未圖示的電極層。此外，半導(dǎo) 體基板11是本發(fā)明的“氮化物半導(dǎo)體基板”的一例。半導(dǎo)體基板11的主面11a是(0001)面，在寬度方向(X方向)上具有約100 y m 的寬度(W1)。另外，半導(dǎo)體基板11 (藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10)的端面lib (平行于紙面的面； XY平面)形成為大致正方形(或大致長(zhǎng)方形)。該端面lib是通過(guò)解理形成的解理面。另外，半導(dǎo)體基板11的側(cè)面11c及l(fā)id相對(duì)于半導(dǎo)體基板11的主面11a形成為 大致垂直(Y方向)。該側(cè)面11c及l(fā)id通過(guò)切割形成。半導(dǎo)體層12上形成有相對(duì)于紙面沿垂直方向(Z方向)延伸的光導(dǎo)波路(未圖 示)。該光導(dǎo)波路的一側(cè)的端部成為射出激光的發(fā)光部12a。此外，發(fā)光部12a是本發(fā)明的 “第一發(fā)光部”的一例。在此，在本實(shí)施方式中，發(fā)光部12a配置在從二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20側(cè)(X2方 向側(cè))的側(cè)面lid離開(kāi)約40 iim的距離W2的位置。即，發(fā)光部12a配置在比半導(dǎo)體基板 11 (藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10)的X方向的中心L1靠二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20側(cè)(X2方 向側(cè))。電極層13隔著釬焊層3安裝在輔助固定件2的布線部2a上。二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10隔開(kāi)約30 y m的距離W11 配置。而且二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20是單片型的二波長(zhǎng)(多波長(zhǎng))半導(dǎo)體激光元件，包括 由具有約lOOym厚度的GaAs (砷化鎵)構(gòu)成的半導(dǎo)體基板21 ；設(shè)置在半導(dǎo)體基板21的主 面21a上的規(guī)定區(qū)域上的紅色半導(dǎo)體激光元件部30及紅外半導(dǎo)體激光元件部40。而且， 也可以在半導(dǎo)體基板21的背面上設(shè)置未圖示的電極層。此外，半導(dǎo)體基板21是本發(fā)明的 "GaAs基板”的一例。半導(dǎo)體基板21的主面21a在寬度方向(X方向)上具有約200 y m的寬度(W21)。 而且，半導(dǎo)體基板21是偏置基板，半導(dǎo)體基板21的主面21a是從(100)面向
方向以 約13°的偏置角度傾斜的面。此外，
方向是相對(duì)于X方向傾斜約13°的方向。另外，在本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體基板21( 二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20)的端面 21b (平行于紙面的面；XY平面)形成為大致平行四邊形。具體來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體基板21的側(cè)面 21c及21d以隨著離開(kāi)輔助固定件2而與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的距離變大的方式相對(duì) 于半導(dǎo)體基板21的主面21a的法線方向(Y方向)傾斜規(guī)定的角度a (=約13° )。另外，半導(dǎo)體基板21的端面21b是通過(guò)解理形成的解理面。而且，與端面21b相 同地，半導(dǎo)體基板21的側(cè)面21c及21d也是通過(guò)解理形成的解理面。紅色半導(dǎo)體激光元件部30具有射出例如約660nm帶的波長(zhǎng)的激光(紅色激光) 的功能，使用于DVD的記錄、再生等。紅外半導(dǎo)體激光元件部40具有射出例如約785nm帶 的波長(zhǎng)的激光(紅外激光)的功能，使用于CD的記錄、再生等。另外，紅色半導(dǎo)體激光元件部30形成在半導(dǎo)體基板21的主面21a上的XI方向側(cè)的部分，紅外半導(dǎo)體激光元件部40形成在半導(dǎo)體基板21的主面21a上的X2方向側(cè)的部分。 而且，紅色半導(dǎo)體激光元件部30及紅外半導(dǎo)體激光元件部40在X方向上隔開(kāi)規(guī)定的間隔配置。另外，紅色半導(dǎo)體激光元件部30從半導(dǎo)體基板21的側(cè)面21c隔開(kāi)規(guī)定的間隔配 置。而且，紅外半導(dǎo)體激光元件部40從半導(dǎo)體基板21的側(cè)面21d隔開(kāi)規(guī)定的間隔配置。而且，紅色半導(dǎo)體激光元件部30包括AlGalnP系的半導(dǎo)體層31和形成在半導(dǎo)體 層31上的電極層32。半導(dǎo)體層31上形成有相對(duì)于紙面沿垂直方向(Z方向)延伸的光導(dǎo)波路(未圖 示)。該光導(dǎo)波路的一側(cè)的端部成為射出激光的發(fā)光部31a。此外，發(fā)光部31a是本發(fā)明的 “第二發(fā)光部”的一例。發(fā)光部31a配置在從半導(dǎo)體基板21的XI方向側(cè)的側(cè)面21c離開(kāi)約40 y m的位置。 而且，發(fā)光部31a配置在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的發(fā)光部12a與紅外半導(dǎo)體激光元件部 40的后述的發(fā)光部41a之間。電極層32隔著釬焊層3安裝在輔助固定件2的布線部2b上。紅外半導(dǎo)體激光元件部40包括AlGaAs系的半導(dǎo)體層41和形成在半導(dǎo)體層41上 的電極層42。半導(dǎo)體層41上形成有相對(duì)于紙面沿垂直方向(Z方向)延伸的光導(dǎo)波路(未圖 示)。該光導(dǎo)波路的一側(cè)的端部成為射出激光的發(fā)光部41a。此外，發(fā)光部41a是本發(fā)明的 “第三發(fā)光部”的一例。發(fā)光部41a配置在從半導(dǎo)體基板21的X2方向側(cè)的側(cè)面21d離開(kāi)約50 y m的位 置。因此，在本實(shí)施方式中，發(fā)光部31a與發(fā)光部41a的中心P1位于比半導(dǎo)體基板21的主 面21a的X方向的中心L11靠藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10側(cè)(XI方向側(cè))。另外，在本實(shí)施方式中，發(fā)光部31a與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的發(fā)光部12a的 距離W31為約110 iim，發(fā)光部31a與發(fā)光部41a的距離W32也為約110 ym。S卩，在本實(shí)施方 式中，發(fā)光部31a與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的發(fā)光部12a的距離W31等同于發(fā)光部31a 與發(fā)光部41a的距離W32。電極層42隔著釬焊層3安裝在輔助固定件2的布線部2c上。輔助固定件2具有使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20電連 接，并且對(duì)藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20產(chǎn)生的熱量進(jìn)行散熱的 功能。在本實(shí)施方式中，如上所述，通過(guò)利用下連接方式將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及 二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20搭載在輔助固定件2上，能夠減小藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的 發(fā)光部12a與輔助固定件2的距離，并且能夠減小二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)光部31a 及41a與輔助固定件2的距離。由此，能夠?qū)⑺{(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激 光元件20的各發(fā)光部(12a、31a及41a)彼此的Y方向(藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及二 波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的厚度方向)的距離抑制成最小限度，并能夠抑制各發(fā)光部(12a、 31a及41a)彼此的距離。而且，相比較于通過(guò)利用上連接方式將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10 及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20搭載在輔助固定件2上的情況，能夠?qū)⒏靼l(fā)光部(12a、31a及 41a)的高度位置(Y方向的位置)的誤差抑制成非常小。而且，能夠?qū)⒏靼l(fā)光部(12a、31a及41a)產(chǎn)生的熱量高效地傳遞給輔助固定件2，因此能夠提高藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及 二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的散熱性。另外，在本實(shí)施方式中，如上所述，通過(guò)利用下連接方式將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件 10及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20搭載在輔助固定件2上，而不同于層疊藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元 件10及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的情況，無(wú)需用于將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10與二波長(zhǎng) 半導(dǎo)體激光元件20接合的多個(gè)工序。由此，能夠抑制三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置1的生產(chǎn)率的 降低。而且，在本實(shí)施方式中，不同于層疊藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光 元件20的情況，無(wú)需使一個(gè)半導(dǎo)體激光元件(例如藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10)大型化，因 此能夠抑制半導(dǎo)體激光元件(例如藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10)大型化的情況。另外，在本實(shí)施方式中，如上所述，使二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的半導(dǎo)體基板21 的側(cè)面21c及21d相對(duì)于半導(dǎo)體基板21的主面21a的法線方向傾斜成隨著離開(kāi)輔助固定 件2而與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的距離變大。由此，在半導(dǎo)體基板11和21的背面?zhèn)龋?能夠增大側(cè)面lid與側(cè)面21c的距離，并提高向輔助固定件2搭載藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件 10及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20時(shí)的作業(yè)性。而且，例如圖2所示，相比較于使二波長(zhǎng)半導(dǎo) 體激光元件120的半導(dǎo)體基板121的側(cè)面121c及121d相對(duì)于半導(dǎo)體基板121的主面121a 的法線方向傾斜成隨著離開(kāi)輔助固定件2而與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件110的距離變小的情 況，能夠使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的發(fā)光部12a接近二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)光 部31a及41a配置。因此，能夠抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的發(fā)光部12a與二波長(zhǎng)半導(dǎo) 體激光元件20的發(fā)光部31a及41a的距離增大的情況。其結(jié)果是，通過(guò)藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光 元件10和二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20能夠共用從發(fā)光部12a、31a及41a射出的光所照射的 透鏡等光學(xué)部件(未圖示)，因此能夠抑制部件個(gè)數(shù)的增加，并且能夠抑制裝置整體的大型 化。此外，在圖2所示的結(jié)構(gòu)中，由于需要防止藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件110與二波長(zhǎng)半 導(dǎo)體激光元件120相接觸，從而不容易減小藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件110的發(fā)光部112a與二 波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件120的紅外半導(dǎo)體激光元件部140的發(fā)光部141a的距離W101。因此， 難以共用從發(fā)光部112a、131a及141a射出的光所照射的透鏡等光學(xué)部件(未圖示)。另外，在本實(shí)施方式中，如上所述，通過(guò)將發(fā)光部12a配置在比藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光 元件10的中心L1靠二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20側(cè)，而使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的發(fā)光 部12a更接近二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20配置。由此，能夠進(jìn)一步抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元 件10的發(fā)光部12a與二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)光部31a及41a的距離變大的情況。另外，在本實(shí)施方式中，如上所述，發(fā)光部31a與發(fā)光部41a的中心P1位于比半導(dǎo) 體基板21的主面21a的X方向的中心L11靠藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10側(cè)。由此，能夠使 二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)光部31a及41a更接近藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10配置。其 結(jié)果是，能夠進(jìn)一步抑制二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)光部31a及41a與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激 光元件10的發(fā)光部12a的距離變大的情況。此外，應(yīng)該考慮到本次公開(kāi)的實(shí)施方式的全部方面只不過(guò)是例示而并未受限定。 本發(fā)明的范圍不是由上述實(shí)施方式的說(shuō)明而是由權(quán)利要求書(shū)的范圍公開(kāi)，進(jìn)而包括與權(quán)利 要求書(shū)等同的意思及范圍內(nèi)的全部變更。例如，在上述實(shí)施方式中，作為第二半導(dǎo)體激光元件(多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件)，示出了使用包括兩個(gè)半導(dǎo)體激光元件部的二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件的例子，但是本發(fā)明并不 局限于此，也可以使用包括三個(gè)以上半導(dǎo)體激光元件部的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件。另外，作為第一半導(dǎo)體激光元件，也可以使用多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件。另外，在上述實(shí)施方式中，示出了第二半導(dǎo)體激光元件(多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件) 包括射出紅外激光的紅外半導(dǎo)體激光元件部和射出紅色激光的紅色半導(dǎo)體激光元件部的 例子，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以使第二半導(dǎo)體激光元件包括射出紅外或紅色以外 的激光的半導(dǎo)體激光元件部。另外，在上述實(shí)施方式中，作為第一半導(dǎo)體激光元件，示出了使用射出藍(lán)紫色的激 光的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以使用射出藍(lán)紫色以 外的激光的半導(dǎo)體激光元件。另外，在上述實(shí)施方式中，示出了使用包含GaAs的半導(dǎo)體基板形成第二半導(dǎo)體激 光元件(二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件)的情況，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以使用包含GaAs 以外的半導(dǎo)體基板形成。另外，在上述實(shí)施方式中，示出了使用包含GaN構(gòu)成的半導(dǎo)體基板形成第一半導(dǎo) 體激光元件的情況，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以使用包含GaN以外的半導(dǎo)體基板形 成。另外，在上述實(shí)施方式中，示出了使二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板的主面 從(100)面向
方向以約13°的偏置角度傾斜的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，也可 以使半導(dǎo)體基板的主面以約13°以外的偏置角度傾斜。另外，在上述實(shí)施方式中，示出了藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部12a與二波長(zhǎng) 半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部31a的距離W31為約110 y m，并且二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光 部31a與發(fā)光部41a的距離W32也為約110 y m的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以 使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部12a與二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部31a的距離W31 或二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件的發(fā)光部31a與發(fā)光部41a的距離W32為約110 y m以外的尺寸。 這種情況下，距離W31及距離W32優(yōu)選比約110 ii m小。另外，也可以使距離W31小于距離W32。提高藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件及二波長(zhǎng)半導(dǎo) 體激光元件相對(duì)于輔助固定件的搭載精度時(shí)，能夠進(jìn)一步縮小藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件與二 波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件的距離W1，因此能夠容易使距離W31小于距離W32。另外，在上述實(shí)施方式中，示出了將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光 元件搭載在輔助固定件上的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光 元件及二波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件搭載在輔助固定件以外的搭載部件上。本申請(qǐng)基于2009年8月26日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2009-195509，其內(nèi)容通過(guò) 參照而引用在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，具備 第一半導(dǎo)體激光元件；第二半導(dǎo)體激光元件，其與所述第一半導(dǎo)體激光元件相鄰配置，且是單片型的多波長(zhǎng) 半導(dǎo)體激光元件；搭載部件，其通過(guò)下連接方式搭載所述第一半導(dǎo)體激光元件及所述第二半導(dǎo)體激光元件，所述第二半導(dǎo)體激光元件包括半導(dǎo)體基板，所述第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板的側(cè)面中的與所述第一半導(dǎo)體激光元件相對(duì) 置的側(cè)面相對(duì)于所述半導(dǎo)體基板的主面的法線方向傾斜成隨著離開(kāi)所述搭載部件而與所 述第一半導(dǎo)體激光元件的距離變大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 所述第一半導(dǎo)體激光元件具有射出激光的第一發(fā)光部，所述第一發(fā)光部配置在比所述第一半導(dǎo)體激光元件的中心靠所述第二半導(dǎo)體激光元 件側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體激光元件具有分別射出波長(zhǎng)相互不同的激光的第二發(fā)光部及第三發(fā) 光部，所述第二發(fā)光部與所述第三發(fā)光部的中心位于比所述第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體 基板的主面的中心靠所述第一半導(dǎo)體激光元件側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 所述第一半導(dǎo)體激光元件具有射出激光的第一發(fā)光部，所述第二半導(dǎo)體激光元件具有分別射出波長(zhǎng)相互不同的激光的第二發(fā)光部及第三發(fā) 光部，所述第二發(fā)光部配置在所述第三發(fā)光部與所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光部之間，所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光部與所述第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光部的 距離為所述第二半導(dǎo)體激光元件的所述第二發(fā)光部與所述第三發(fā)光部的距離以下的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板包括主面具有偏置角度的偏置基板， 所述第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板的所述側(cè)面是解理面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 所述第一半導(dǎo)體激光元件包括氮化物半導(dǎo)體基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板包括GaAs基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 所述第一半導(dǎo)體激光元件包括藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體激光元件包括紅外半導(dǎo)體激光元件部和紅色半導(dǎo)體激光元件部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制半導(dǎo)體激光元件的大型化，并且抑制發(fā)光部間隔變大，提高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體激光裝置。該半導(dǎo)體激光裝置具備第一半導(dǎo)體激光元件；第二半導(dǎo)體激光元件，其是單片型的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件。第二半導(dǎo)體激光元件包括半導(dǎo)體基板，第二半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體基板的側(cè)面中的與第一半導(dǎo)體激光元件相對(duì)置的側(cè)面相對(duì)于半導(dǎo)體基板的主面的法線方向傾斜成隨著離開(kāi)搭載部件而與第一半導(dǎo)體激光元件的距離變大。
文檔編號(hào)H01S5/40GK102005698SQ20101026499
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2010年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月26日
發(fā)明者三橋大樹(shù), 清水源, 谷川巧 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社