專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，特別涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管通常包括N型的第一半導(dǎo)體層、P型的第二半導(dǎo)體層、位于該第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層表面上的第一電極、及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層表面上的第二電極。上述發(fā)光二極管的電極分別通過設(shè)置導(dǎo)線與外界電源負(fù)極與正極相連時(shí)，發(fā)光層即可發(fā)光。發(fā)光層發(fā)出的光線可從第一半導(dǎo)體層直接射出，或經(jīng)反射后再經(jīng)第一半導(dǎo)體層射出。然而，由于導(dǎo)線本身直徑很小，在設(shè)置導(dǎo)線的過程中或后續(xù)封裝過程中有時(shí)會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)線斷裂的情況，導(dǎo)致發(fā)光二極管無法使用。而且，發(fā)光二極管在第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層均設(shè)置有導(dǎo)線，使得導(dǎo)線出現(xiàn)上述斷裂情況的幾率會(huì)有所上升。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種發(fā)生故障幾率較低的發(fā)光二極管。一種發(fā)光二極管，包括一基座及設(shè)置于該基座上的一發(fā)光二極管芯片，所述基座包括一本體、形成于該本體上的一第一電極及一第二電極，所述發(fā)光二極管芯片包括一基底、疊置于基底上的一第一半導(dǎo)體層、疊置于第一半導(dǎo)體層上的一發(fā)光層、疊置于發(fā)光層上的一第二半導(dǎo)體層及形成于該第二半導(dǎo)體層上的一第三電極，所述基座的第二電極通過一導(dǎo)線與發(fā)光二極管芯片的第三電極電性相連，所述基座的第一電極由本體朝向發(fā)光二極管芯片凸伸而出，并穿過所述發(fā)光二極管芯片的基底而與第一半導(dǎo)體層電性相連。上述發(fā)光二極管通過在基座上凸伸出一第一電極，該第一電極穿過所述發(fā)光二極管芯片的基底，直接與所述第一半導(dǎo)體層電性相連。因此，所述發(fā)光二極管只需在所述第二半導(dǎo)體層上設(shè)置導(dǎo)線，從而降低了發(fā)光二極管的導(dǎo)線發(fā)生斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。下面參照附圖，結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。


圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的立體組裝圖。圖2是圖1中的發(fā)光二極管的元件分解圖。圖3是圖1中的發(fā)光二極管倒置的元件分解圖。主要元件符號(hào)說明
基座10本體1權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括一基座及設(shè)置于該基座上的一發(fā)光二極管芯片，所述基座包括一本體、形成于該本體上的一第一電極及一第二電極，所述發(fā)光二極管芯片包括一基底、 疊置于基底上的一第一半導(dǎo)體層、疊置于第一半導(dǎo)體層上的一發(fā)光層、疊置于發(fā)光層上的一第二半導(dǎo)體層及形成于該第二半導(dǎo)體層上的一第三電極，所述基座的第二電極通過一導(dǎo)線與發(fā)光二極管芯片的第三電極電性相連，其特征在于所述基座的第一電極由本體朝向發(fā)光二極管芯片凸伸而出，并穿過所述發(fā)光二極管芯片的基底而與第一半導(dǎo)體層電性相連。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述本體的頂部向下凹陷形成一容置部，所述發(fā)光二極管芯片容置于該容置部內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第一電極由所述容置部的底面向上凸伸而出。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第一電極呈圓柱狀。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片的基底上形成一貫通孔。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第一電極穿過該貫通孔與第一半導(dǎo)體層電性相連。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第一半導(dǎo)體層上形成一第四電極，所述第一電極穿過該貫通孔與該第四電極電性相連。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述基座還包括由本體相對(duì)兩側(cè)分別延伸而出的一對(duì)導(dǎo)電接腳，所述第一電極及第二電極分別與二導(dǎo)電接腳電性相連。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述基底選自藍(lán)寶石、碳化硅或氮化鎵中的任一種。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片為氮化鎵系 III-V族化合物半導(dǎo)體，所述第一半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。
全文摘要
一種發(fā)光二極管，包括一基座及設(shè)置于該基座上的一發(fā)光二極管芯片，所述基座包括一本體、形成于該本體上的一第一電極及一第二電極，所述發(fā)光二極管芯片包括一基底、疊置于基底上的一第一半導(dǎo)體層、疊置于第一半導(dǎo)體層上的一發(fā)光層、疊置于發(fā)光層上的一第二半導(dǎo)體層及形成于該第二半導(dǎo)體層上的一第三電極，基座的第二電極通過一導(dǎo)線與發(fā)光二極管芯片的第三電極電性相連，基座的第一電極由本體朝向發(fā)光二極管芯片向外凸伸而出，并穿過基底而與第一半導(dǎo)體層電性相連。所述發(fā)光二極管通過在基座上凸伸出一第一電極，該第一電極穿過基底，直接與第一半導(dǎo)體層電性相連，使得發(fā)光二極管只需在第二半導(dǎo)體層上設(shè)置導(dǎo)線。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102376866SQ20101026480
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月27日
發(fā)明者張國正 申請人:富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)(上海)有限公司, 沛鑫能源科技股份有限公司