專(zhuān)利名稱(chēng)：電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨著電子器械的小型化，電子設(shè)備的模塊化正在被推進(jìn)，該電子設(shè)備上 比以前更高密度地安裝有，用于該電子器械的IC芯片(裸芯片(bare chip)裸片(Die)) 等的半導(dǎo)體裝置之類(lèi)的有源部件以及電容器(capacitor)、電感器、熱敏電阻、電阻等的無(wú) 源部件等的電子部件。作為像這樣的電子部件中的端子電極的構(gòu)造，已知有例如如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的 芯片電阻器那樣設(shè)置外部電極的構(gòu)造和所謂的LGA(Land Grid Array)構(gòu)造，其中，該外部 電極與電子部件的元件電極相連接并且通過(guò)多層的鍍層處理以覆蓋電子部件主體的端部 上下面和側(cè)面的方式而形成，LGA構(gòu)造為基板上設(shè)置的平面狀的電極并列設(shè)置為格子狀而 形成墊片(pad)電極的構(gòu)造。然而，在將專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的具有現(xiàn)有的端子電極構(gòu)造的電子部件，利用焊料 安裝于配線板等的外部基板的情況(通過(guò)回流而進(jìn)行焊接安裝)下，存在從外部電極朝向 該電子部件的周?chē)鈧?cè)，在比電子部件的元件主體的占有范圍更廣的范圍內(nèi)，形成下部擴(kuò) 大的焊腳(solder fillet)的趨勢(shì)，其中，該外部電極通過(guò)鍍層處理而被廣泛地形成在該電 子部件的端部上下面和側(cè)壁面上。這樣的話，由于在外部基板上實(shí)際安裝電子部件所必須 的范圍(實(shí)質(zhì)的安裝范圍)比電子部件的元件形狀過(guò)度地大，因而難以以更加狹小的間隔 密集地配置多個(gè)電子部件，由此，所要求的電子部件的進(jìn)一步的高密度安裝化有極限。此外，在具有這樣的端子電極構(gòu)造的電子部件例如為電容器(capacitor)的情況 下，由于在電介質(zhì)層上形成的上部電極以及在其上面形成的外部電極成為薄膜狀且占有較 大的面積，因而在包含電子部件的元件電路中，存在產(chǎn)生不需要的寄生電感和寄生電容并 且串聯(lián)電阻變高的趨勢(shì)。即對(duì)于電容器而言，由于作為不需要的寄生成分的ESL(等效串聯(lián) 電感)和ESR(等效串聯(lián)電阻)增大，因而搭載有該電子部件的電子設(shè)備的電氣特性和功能 可能會(huì)降低。另一方面，上述的LGA構(gòu)造與專(zhuān)利文獻(xiàn)1的端子電極構(gòu)造不同，由于在電子部件的 基板的側(cè)壁面不引出(不延伸設(shè)置)端子電極，因而在將具有這樣的LGA構(gòu)造的電子部件 焊接安裝于外部基板的情況下，雖然所使用的焊料量比較少便能完成，但是由于在電子部 件的基板的側(cè)壁面未形成有焊腳，因而電子部件的安裝強(qiáng)度(與外部基板的機(jī)械的固定強(qiáng) 度)與形成有焊腳的情況相比，存在顯著降低的趨勢(shì)。這樣的話，根據(jù)安裝時(shí)的環(huán)境，存在 電子部件一邊沒(méi)有以期望的狀態(tài)固定而豎起，一邊相對(duì)于外部基板沒(méi)有以期望的平行度保 持而在寬度方向上傾斜的趨勢(shì)，因而不僅電子部件的安裝強(qiáng)度更加降低的可能性變高，而 且由于電子部件的設(shè)置位置偏移，搭載有該電子部件的電子設(shè)備的電氣特性和功能也會(huì)劣 化。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2005-191406號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明有鑒于上述情況，以提供一種電子部件及其制造方法為目的，該電子 部件及其制造方法能夠使向外部基板的焊接安裝時(shí)的電子部件的固定強(qiáng)度提高，由此，能 夠充分地提高搭載有該電子部件的電子設(shè)備(制品)的電氣特性和功能，即制品的可靠性， 而且能夠改善電子部件的安裝的成品率而提高生產(chǎn)性。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的電子部件的特征在于，具有形成于基板上的電路元 件、與該電路元件連接的電極層、覆蓋該電極層的保護(hù)層(絕緣體層)、以及經(jīng)由貫通該保 護(hù)層的通孔導(dǎo)體而與電極層相連接并且被設(shè)置于保護(hù)層的上部的端子電極，端子電極的一 端位于保護(hù)層的側(cè)壁面上。在這樣構(gòu)成的電子部件中，與基板上形成的電路元件(電子部件的元件電極)相 連接的端子電極被形成為，到達(dá)保護(hù)層的側(cè)壁面上并覆蓋該側(cè)壁面的至少一部分，因而在 將電子部件焊接安裝于外部基板時(shí)，焊腳可以從端子電極的側(cè)壁面朝向外側(cè)形成。因此，用 于使電子部件與外部基板接合的焊料與電子部件的端子電極之間的接觸面積增大，由此， 能夠提高焊接安裝時(shí)的電子部件的固定強(qiáng)度。此外，由于能夠像這樣提高電子部件的固定 強(qiáng)度，因而能夠抑制電子部件的豎起和位置偏移的發(fā)生，換而言之，能夠?qū)崿F(xiàn)電子部件的相 對(duì)于外部基板的良好的固定平衡。該固定平衡的提高在電子部件成為矩形的情況下，在端 子電極形成于其長(zhǎng)邊方向的兩側(cè)端部時(shí)會(huì)特別地顯著。進(jìn)而，由于端子電極的一端位于保護(hù)層的側(cè)壁面上的至少一部分，因而與端子電 極為通過(guò)現(xiàn)有的鍍層處理而形成的側(cè)面端子那樣的構(gòu)造的情況相比，能夠減少與電子部件 接合的焊腳所擴(kuò)展的范圍的面積，由此，能夠以更加狹小的間隔密集地配置多個(gè)電子部件， 從而能夠有利于降低電子部件的實(shí)際的安裝面積而實(shí)現(xiàn)高密度安裝化。而且，與進(jìn)行鍍層 處理而形成現(xiàn)有的側(cè)面端子的情況相比，能夠使制造工序簡(jiǎn)單化，而且由于未設(shè)置有這樣 的現(xiàn)有的側(cè)面端子，因而在包含電子部件的元件電路中，能夠防止產(chǎn)生不需要的寄生電感 和寄生電容。更加地，相對(duì)于在對(duì)電子部件的端部實(shí)施鍍層的現(xiàn)有的方法中需要對(duì)電子部 件的每個(gè)單片(單品)進(jìn)行處理，本發(fā)明的電子部件由于能夠在例如一個(gè)基板上預(yù)先形成 多個(gè)電子部件的元件要素，在形成端子電極之后，通過(guò)對(duì)基板進(jìn)行劃片等而分割成單品，因 而具有能夠飛躍性地提高電子部件的生產(chǎn)性的優(yōu)點(diǎn)。而且，如上所述，由于在電子部件的端子電極與外部基板接合時(shí)能夠形成焊腳，因 而即使在外部基板上，電子部件被載置于從本來(lái)的安裝位置偏離的位置上的情況下，也能 夠得到焊接安裝時(shí)由于熔融的焊料的表面張力而使電子部件自己回到規(guī)定的位置的自對(duì) 準(zhǔn)效應(yīng)。更具體地，優(yōu)選，端子電極被形成為，從保護(hù)層的上部沿著該保護(hù)層的側(cè)壁面延 伸，并且端子電極的一端與該保護(hù)層的側(cè)壁面的基板側(cè)的端部上面抵接。這樣設(shè)置的話，由 于端子電極被形成為完全縱斷保護(hù)層的側(cè)壁面，因而能夠使用于電子部件與外部基板接合 的焊料與電子部件的端子電極之間的接觸面積進(jìn)一步增大，由此，能夠進(jìn)一步提高焊接安 裝時(shí)的電子部件的固定強(qiáng)度。而且，端子電極的該一端可以設(shè)置為，到達(dá)基板(在基板的形成有下部電極的一 側(cè)的面上形成有電介質(zhì)層的情況下，到達(dá)該電介質(zhì)層的狀態(tài))，而且沿著基板的下部電極側(cè)的面延伸至該基板面?zhèn)榷瞬?。這樣設(shè)置的話，由于端子電極被設(shè)置為超過(guò)保護(hù)層的側(cè)壁面 并進(jìn)一步到達(dá)基板側(cè)的端部，因而使用于電子部件與外部基板接合的焊料與電子部件的端 子電極之間的接觸面積進(jìn)一步增大(與端子電極接合的焊腳的外壁端朝向外側(cè)擴(kuò)大)，由 此，能夠進(jìn)一步提高焊接安裝時(shí)的電子部件的固定強(qiáng)度。而且，如果基板側(cè)的端部上面的一部分露出，即基板側(cè)的端部上面沒(méi)有被端子電 極完全覆蓋，那么在焊接安裝時(shí)，該露出的基板側(cè)的端部上面的一部分(如上所述，保護(hù)層 的面或者基板的面)起到作為所謂的焊料停止部的作用，從而抑制焊料的不良的擴(kuò)展，此 外，在電子部件的構(gòu)成要素在基板上形成多個(gè)的情況下，可以將該露出的基板側(cè)的端部上 面的一部分作為相對(duì)于劃片時(shí)的定位偏差的留白加以確保。此外，保護(hù)層具備第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，第一保護(hù)層形成于基板上，第二保護(hù) 層形成于第一保護(hù)層上并且形成于第一保護(hù)層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，即也可以構(gòu)成為在第一 保護(hù)層上臺(tái)階狀地設(shè)置有第二保護(hù)層。此時(shí)，優(yōu)選，第二保護(hù)層中的基板側(cè)的面(與第一保 護(hù)層的交界面)的面積比第二保護(hù)層中的端子電極側(cè)的面(與第一保護(hù)層相反的一側(cè)的 面)小。在上述構(gòu)成中，由于第一保護(hù)層和第二保護(hù)層被形成為臺(tái)階狀，因而以覆蓋具有 該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的保護(hù)層的側(cè)壁面的方式形成端子電極。因此，與未臺(tái)階狀地 形成保護(hù)層的情況相比，保護(hù)層與端子電極接觸的界面的面積增大，因而能夠提高保護(hù)層 和端子電極，特別是第二保護(hù)層和端子電極之間的附著力，并能夠防止保護(hù)層和端子電極 之間的剝離。在此情況下，更具體地，第二保護(hù)層的側(cè)壁面也可以具有傾斜，換而言之，第二保 護(hù)層的側(cè)壁相對(duì)于第一保護(hù)層可以形成倒錐形。這樣構(gòu)成的話，沿著第二保護(hù)層的傾斜面 覆蓋形成的端子電極，在第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的界面部位，形成為以截面楔狀向保護(hù) 層側(cè)侵入，因而利用第二保護(hù)層與端子電極之間的錨效應(yīng)，能夠進(jìn)一步提高保護(hù)層和端子 電極之間的附著性。根據(jù)本發(fā)明的電子部件，盡管制造工序與LGA構(gòu)造相同，但與LGA構(gòu)造的墊片電極 相當(dāng)?shù)亩俗与姌O被形成為覆蓋從基板的最上面至側(cè)壁面的至少一部分，因而在將電子部件 焊接安裝于外部基板時(shí)，從該端子電極的側(cè)壁面形成焊腳，由此，能夠提高焊接安裝時(shí)的電 子部件的固定強(qiáng)度。此外，由于這樣能夠?qū)崿F(xiàn)提高電子部件的固定強(qiáng)度等的作用效果，因而 能夠充分地提高搭載有該電子部件的電子設(shè)備(制品)的電氣特性和功能，即制品的可靠 性，而且，能夠改善電子部件的安裝的成品率而提高生產(chǎn)性。


圖1為表示作為本發(fā)明的電子部件的優(yōu)選的一個(gè)實(shí)施方式的電容器的構(gòu)造的立 體圖。圖2為表示圖1所示的電容器1的平面圖。圖3為沿圖2的III-III線的截面圖。圖4為沿圖2的IV-IV線的截面圖。圖5為沿圖2的V-V線的截面圖。圖6㈧ (C)為表示制造電容器1的順序的工序圖。
圖7㈧ (C)為表示制造電容器1的順序的工序圖。圖8㈧ ⑶為表示制造電容器1的順序的工序圖。圖9㈧ ⑶為表示制造電容器1的順序的工序圖。圖10㈧ (B)為表示制造電容器1的順序的工序圖。圖11 (A) (C)為表示制造電容器1的順序的工序圖。圖12㈧ ⑶為表示制造電容器1的順序的工序圖。圖13為表示使用由現(xiàn)有的制造方法制造的電容器的情況下的有無(wú)傾斜的頻率特 性的表Tl。圖14為表示本發(fā)明的電容器10的第二實(shí)施方式的截面圖。圖15為表示本發(fā)明的電容器100的第三實(shí)施方式的立體圖。圖16為圖15所示的電容器100的平面圖。圖17為表示對(duì)于第三實(shí)施方式的電容器100與現(xiàn)有的電容器的傾斜評(píng)價(jià)的表T2。符號(hào)的說(shuō)明1、10、100…電容器(電子部件)、2…基板、3…下部電極、4…電介質(zhì)層、5a···第一 電極(電路元件)、5b…第一電極(電極層)、6…第一保護(hù)層(保護(hù)層)、7…第二電極、8… 第二保護(hù)層(保護(hù)層)、9、9a 9f…墊片電極(端子電極)、Va、Vb…通孔導(dǎo)體、21、91…長(zhǎng) 邊、2s、9s…短邊、Ml M3、M6、M8…抗蝕劑掩模、M5、M7…金屬掩模、Tl、T2…表
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在此，在附圖中，對(duì)同一要素標(biāo)記 同一符號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。此外，上下左右等的位置關(guān)系，除非另有說(shuō)明，均基于附圖所示 的位置關(guān)系。而且，附圖的尺寸比例并不限定為圖示的比率。此外，以下的實(shí)施方式為說(shuō)明 本發(fā)明的例示，并非為了將本發(fā)明僅限定于該實(shí)施方式。而且，本發(fā)明在不脫離其宗旨的范 圍內(nèi)，可以有各種變形。(第一實(shí)施方式)圖1為表示作為本發(fā)明的電子部件的優(yōu)選的一個(gè)實(shí)施方式的電容器1的構(gòu)造的立 體圖。圖2為表示圖1所示的電容器1的平面圖。圖3為沿圖2的III-III線的截面圖。 圖4為沿圖2的IV-IV線的截面圖。圖5為沿圖2的V-V線的截面圖。電容器1在成為平面矩形狀的基板2上，依次層疊有下部電極3、電介質(zhì)層4、第 一電極5a(電路元件)、第一電極5b (電極層)、第一保護(hù)層6 (保護(hù)層)、第二電極7 (電極 層)、第二保護(hù)層8(保護(hù)層)以及墊片電極9a、9b (端子電極)。作為基板2的材料，沒(méi)有 特別的限制，可以列舉金屬基板、氧化鋁等的陶瓷基板、玻璃陶瓷基板、玻璃基板、藍(lán)寶石、 MgO、SrTiO等的單結(jié)晶基板、Si或SiGe等的半導(dǎo)體基板等，優(yōu)選使用化學(xué)穩(wěn)定且熱穩(wěn)定并 且應(yīng)力產(chǎn)生較少且容易保持表面的平滑性的基板。此外，必要時(shí)，基板2能夠設(shè)置為合適的 厚度。下部電極3被設(shè)置在基板2的外周的內(nèi)側(cè)的區(qū)域上，由例如Ni、Ti、Cu、Au、Pt、Ag、 Sn、Cr、Co、W、Pd、Mo、Ta、Ru、Nb等的單體金屬或者包含這些金屬的合金等的復(fù)合金屬形成。電介質(zhì)層4由以覆蓋下部電極3的上面以及側(cè)壁面、進(jìn)而下部電極3的外側(cè)的基 板2上面的一部分的方式形成的薄膜構(gòu)成。此外，電介質(zhì)層4的端部可以被形成為到達(dá)基板2上面的端部，也可以不到達(dá)端部。此外，電介質(zhì)層4的膜的材料沒(méi)有特別的限定，例如，能 夠使用 PbTiO3、Pb (Zr，Ti) O3 (PZT)、PbNb2O3、Pb (Mg, Nb) O3 (PMN)、BaTiO3, (Ba, Sr) TiO3 (BST)、 CaTiO3> ZrO2, HfO2, TiO2, Ta2O6, Bi4Ti4O12, SrBi2Ta2O9, A1203、Si3N4, SiO2 等的高介電陶瓷材 料。第一電極5由以覆蓋電介質(zhì)層4的上面的方式形成的薄膜構(gòu)成，其中央部被形成 為覆蓋下部電極3的上面，其端部被形成為隔著電介質(zhì)層4而覆蓋下部電極3的上面。因 此，第一電極5的中央部與下部電極3電連接，因而成為在下部電極3和第一電極5的中央 部之間有電流流動(dòng)的構(gòu)造。此外，第一電極5與下部電極3相同，例如由Ni、Cu、Au、Pt、Ag、 Sn、Cr、Co、W、Pd、Mo、Ta、Ru、Nb等的單體金屬或者包含這些金屬的合金等的復(fù)合金屬形成。此外，形成于第一電極5上的第一保護(hù)層6被形成為不僅覆蓋第一電極5的角 部，而且覆蓋電介質(zhì)層4的上面角部以及側(cè)壁面，其材料沒(méi)有特別的限制，例如，可以列舉 A1203、SiO2, SiN等的無(wú)機(jī)絕緣體、聚酰亞胺、環(huán)氧等的樹(shù)脂等的有機(jī)絕緣體。而且，第二電極7形成于第一保護(hù)層6上，并且被形成為覆蓋第一電極5，與下部電 極 3 以及第一電極 5 相同，由 Ni、Cu、Au、Pt、Ag、Sn、Cr、Co、W、Pd、Mo、Ta、Ru、Nb 等的單體 金屬或者包含這些金屬的合金等的復(fù)合金屬形成。然后，作為該第二電極7的上層而形成的第二保護(hù)層8被形成為覆蓋第二電極7 的角部，其材質(zhì)與第一保護(hù)層6相同，沒(méi)有特別的限制，例如，可以列舉Al203、Si02、SiN等的 無(wú)機(jī)物、聚酰亞胺、環(huán)氧等的樹(shù)脂等的絕緣體。作為其上層而形成的墊片電極9，設(shè)置在電容器1的兩端部，經(jīng)由通孔導(dǎo)體Vb、通 孔導(dǎo)體Va以及第一電極5而與下部電極3連接，通孔導(dǎo)體Vb填充在貫通第二保護(hù)層8而形 成的開(kāi)口內(nèi)，通孔導(dǎo)體Va填充在貫通第一保護(hù)層6而形成的開(kāi)口內(nèi)。這些通孔導(dǎo)體Va、Vb 以及墊片電極9的材料也沒(méi)有特別的限制，可以列舉Ni、Cu、Au、Pt、Ag、Sn、Cr、Co、W、Pd、 Mo、Ta、Ru、Nb等的單體金屬或者包含這些金屬的合金等的復(fù)合金屬。以下，對(duì)制造具有這樣的構(gòu)成的電容器1的方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。圖6 圖 12為表示制造電容器1的順序的工序圖。首先，準(zhǔn)備基板2，其表面例如采用CMP法進(jìn)行研磨而平坦化。此外，在一塊基板2 上，形成有多個(gè)電容器1的元件構(gòu)造(例如，線/空間為幾Pm/幾m的微細(xì)構(gòu)造)，最終地， 以元件單位被單片(單品)化，可以得到多個(gè)電容器1，在以下的圖示中，例示一個(gè)電容器1 的元件構(gòu)造的一部分。(下部電極形成)在該基板2上，通過(guò)光刻和鍍層，形成下部電極3。更具體地，例如，首先，在基板 2面上，通過(guò)濺射或者無(wú)電解鍍層形成膜厚0.01 Iym左右的下地導(dǎo)體層3a作為種子層 (圖6 (A))。其次，在下地導(dǎo)體層3a上形成光刻膠膜，通過(guò)對(duì)其光刻，形成與下部電極3對(duì) 應(yīng)的選擇鍍層用的抗蝕劑掩模Ml的圖案(圖6(B))。其后，在將該抗蝕劑掩模Ml作為鍍層掩模而露出下地導(dǎo)體層的部分上，選擇性地 實(shí)施電氣(電解)鍍層，電沉積形成下部電極形成用的電氣鍍層導(dǎo)體層3b直至其為期望的 厚度。接著，通過(guò)去除抗蝕劑掩模Ml以及電氣鍍層導(dǎo)體層3b外部的下地導(dǎo)體層3a，得到下 部電極用的導(dǎo)體層3(圖6(C))。此外，在圖6(C)中，使用與下部電極3相同的符號(hào)表示該 導(dǎo)體層。
(電介質(zhì)層形成)接著，形成覆蓋下部電極3的上面端部以及側(cè)壁面、進(jìn)而下部電極3的外側(cè)的基板 2上面的一部分的電介質(zhì)層4。更具體地，在下部電極3以及露出的基板2的部位上的整個(gè) 面上，通過(guò)濺射等的PVD法、CVD法、ALD法、溶液法等，形成厚度為0. 01 1 μ m左右的電介 質(zhì)層4(圖7(A))。然后，在電介質(zhì)層4上且在下部電極3的除去中央部的部位上形成由光 刻膠膜構(gòu)成的抗蝕劑掩模M2 (圖7 (B))，進(jìn)而，將抗蝕劑掩模M2作為蝕刻掩模，通過(guò)蝕刻去 除抗蝕劑掩模M2，由此，去除電介質(zhì)層4的一部分而形成開(kāi)口 4a，并且得到具有開(kāi)口 4a的 電介質(zhì)層4(圖7(C))。(第一電極形成)其次，在圖8所示的狀態(tài)下的電介質(zhì)層4的上面以及下部電極3露出的部分上，通 過(guò)鍍層或者CVD法，形成第一電極用的導(dǎo)體層5。第一電極用的導(dǎo)體層5以不超過(guò)下部電 極用的導(dǎo)體層3的安裝區(qū)域的方式在內(nèi)側(cè)形成。更具體地，例如，首先，在電介質(zhì)層4上，通 過(guò)濺射或者無(wú)電解鍍層形成膜厚0. 01 1 μ m左右的下地導(dǎo)體層5a作為種子層。接著，在 下地導(dǎo)體層5a上配置抗蝕劑掩模M3(圖8(A))。接著，在形成在下部電極3上且未被抗蝕 劑掩模M3覆蓋的下地導(dǎo)體層5a露出的部分上，選擇性地實(shí)施電氣(電解)鍍層，電沉積形 成第一電極形成用的電氣鍍層導(dǎo)體層直至其為期望的厚度。接著，通過(guò)去除抗蝕劑掩模M3 以及電氣鍍層導(dǎo)體層外部的下地導(dǎo)體層，得到第一電極用的導(dǎo)體層5 (圖8 (B))。此外，在圖 8(B)中，使用與第一電極5相同的符號(hào)表示該導(dǎo)體層5。(第一保護(hù)層形成)接著，填充用于形成第一保護(hù)層6的例如未固化狀態(tài)的光固化型樹(shù)脂，以覆蓋第 一電極5的端部、形成于下部電極3上的電介質(zhì)層4的上面、形成于下部電極3的側(cè)壁面上 的電介質(zhì)層4以及形成于基板2上的電介質(zhì)層4 (圖9 (A))。其后，在不形成第一保護(hù)層6 的部位上設(shè)置金屬掩模M4的狀態(tài)下，通過(guò)利用光刻進(jìn)行圖案化，從而形成第一保護(hù)層6，第 一保護(hù)層6覆蓋第一電極5的端部、形成于下部電極3上的電介質(zhì)層4的上面、形成于下部 電極3的側(cè)壁面上的電介質(zhì)層4以及形成于基板2上的電介質(zhì)層4 (圖9(B))。(第二電極形成)接著，在圖10所示的狀態(tài)下的形成有第一保護(hù)層6的上面、以及第一電極5的上 面，通過(guò)鍍層或者CVD法等，形成第二電極用的導(dǎo)體層7。更具體地，首先，在第一保護(hù)層6 上以及電介質(zhì)層4上，通過(guò)濺射或者無(wú)電解鍍層形成膜厚0. 01 1 μ m左右的下地導(dǎo)體層 7a作為種子層。接著，在下地導(dǎo)體層7a上配置抗蝕劑掩模M5(圖10(A))。接著，在未被抗 蝕劑掩模M5覆蓋的下地導(dǎo)體層7a的上面，選擇性地實(shí)施電氣(電解)鍍層，電沉積形成第 二電極形成用的電氣鍍層導(dǎo)體層直至其為期望的厚度，接著，通過(guò)去除抗蝕劑掩模M5以及 電氣鍍層導(dǎo)體層外部的下地導(dǎo)體層，得到第二電極用的導(dǎo)體層7以及連接第二電極7和第 一電極5的通孔導(dǎo)體(圖10(B))。此外，在圖10(B)中，使用與第二電極7相同的符號(hào)表示 該導(dǎo)體層7。(第二保護(hù)層形成)接著，形成覆蓋第二電極7的第二保護(hù)層8。更具體地，在進(jìn)行平面視時(shí)，為了在第 一保護(hù)層6的安裝區(qū)域的內(nèi)側(cè)形成第二保護(hù)層8的安裝區(qū)域，例如將未固化狀態(tài)的光固化 型樹(shù)脂填充于第二電極7的上面、第一保護(hù)層6的上面以及電介質(zhì)層4的上面(圖11 (A))。其次，在不形成第二保護(hù)層8的部位上設(shè)置金屬掩模M6的狀態(tài)下，通過(guò)利用光刻進(jìn)行圖案 化，從而在第二電極7的整個(gè)面、以及位于第二電極7的外側(cè)的第一保護(hù)層6的上面，形成 第二保護(hù)層用的樹(shù)脂層8a(圖11(B))。此時(shí)，通過(guò)調(diào)整光刻的露光量以及焦點(diǎn)等的條件，能 夠以第二保護(hù)層用的樹(shù)脂層8a的單側(cè)側(cè)壁面8t從該樹(shù)脂層8a的上面(墊片電極9側(cè))至 底面(第一保護(hù)層6側(cè))，被形成為圖中所示的倒錐形的方式，形成第二保護(hù)層(圖11 (C))。(墊片電極形成)接著，形成墊片電極9，以覆蓋第二保護(hù)層8、形成于第二保護(hù)層8的外側(cè)的第一保 護(hù)層6的上面和側(cè)壁面、以及形成于第一保護(hù)層的外側(cè)的電介質(zhì)層4的上面。更具體地， 在第二保護(hù)層8、形成于第二保護(hù)層8的外側(cè)形成的第一保護(hù)層6的上面和側(cè)壁面、以及形 成于第一保護(hù)層的外側(cè)的電介質(zhì)層4的上面，通過(guò)濺射或者無(wú)電解鍍層形成膜厚0. 01 1 μ m左右的下地導(dǎo)體層9作為種子層。接著，為了確保對(duì)電容器1進(jìn)行劃片時(shí)的留白，在位 于基板2的側(cè)端部且形成于第一保護(hù)層6的外側(cè)的電介質(zhì)層4上，配置抗蝕劑掩模M7(圖 12 ⑷)。接著，在第二保護(hù)層8、形成于第二保護(hù)層8的外側(cè)的第一保護(hù)層6的上面和側(cè)壁 面、以及形成于第一保護(hù)層的外側(cè)且未被抗蝕劑掩模M7覆蓋的下地導(dǎo)體層9a的上面，選擇 性地實(shí)施電氣(電解)鍍層，電沉積形成第二電極形成用的電氣鍍層導(dǎo)體層直至其為期望 的厚度。接著，通過(guò)去除抗蝕劑掩模M7以及電氣鍍層導(dǎo)體層外部的下地導(dǎo)體層，得到墊片 電極用的導(dǎo)體層9以及連接墊片電極9和第二電極7的通孔導(dǎo)體Vb (圖12 (B))。此時(shí)，墊 片電極用的導(dǎo)體層9不僅在基板2的最上面形成，并且被形成為覆蓋第一保護(hù)層6以及第 二保護(hù)層8的側(cè)壁面且到達(dá)形成于基板2上的電介質(zhì)層4上。此外，在圖12(B)中，使用與 墊片電極9相同的符號(hào)表示該導(dǎo)體層9。其后，例如在必要時(shí)，將用于附加電容器1的識(shí)別號(hào)碼的保護(hù)層以與墊片電極9為 同層的方式形成于墊片電極9之間(圖中沒(méi)有表示)，之后，通過(guò)在電容器1之間的規(guī)定部 位對(duì)基板2進(jìn)行切斷(劃片)而單片化，得到圖1所示的電容器1。在這樣的電容器1的制造工序中，由于第一保護(hù)層6以及第二保護(hù)層8被形成為 臺(tái)階狀，因而第一保護(hù)層6以及第二保護(hù)層8與作為導(dǎo)體層的墊片電極9接觸的界面面積 增大。由此，能夠防止第一保護(hù)層6和墊片電極9之間或者第二保護(hù)層8和墊片電極9之 間的剝離。而且，第二保護(hù)層8的側(cè)端部(側(cè)壁面8t)被形成為從墊片電極9側(cè)朝向第一 保護(hù)層6側(cè)前端越來(lái)越窄的傾斜(倒錐形)。因此，第二保護(hù)層8以及對(duì)應(yīng)于該側(cè)壁形狀的 墊片電極9發(fā)揮錨效應(yīng)，從而能夠進(jìn)一步防止第二保護(hù)層8和墊片電極9之間的剝離。此外，墊片電極9以覆蓋第一保護(hù)層6和第二保護(hù)層8的側(cè)壁面的方式并且在第 一保護(hù)層6和第二保護(hù)層8的外側(cè)形成。因此，墊片電極9不僅形成于上面，而且也形成于 側(cè)壁面。由此，由于焊腳在墊片電極9的側(cè)壁面也形成，因而焊料與墊片電極9接觸的面積 增大，從而能夠提高焊接安裝時(shí)的電容器1的固定強(qiáng)度。而且，基板2的端部的電介質(zhì)層4 露出，墊片電極9被形成至除去露出部位的電介質(zhì)層上，因而墊片電極9被延伸設(shè)置至位于 第一保護(hù)層6的外側(cè)的電介質(zhì)層4上。除此之外，由于以露出基板2的端部的方式形成墊 片電極9，因而基板2的端部的露出部位起到焊料停止部的作用，并且確保相對(duì)于劃片時(shí)的 定位偏差的留白。進(jìn)而，本發(fā)明人如圖13所示使用由現(xiàn)有的制造方法制造的電容器1并測(cè)定由傾斜產(chǎn)生的頻率特性的變化后，確認(rèn)了如果在電容器1的高度(厚度)方向上電容器1傾斜，那 么ESL(等效串聯(lián)電感)值增大且電容器1的性能降低。然而，根據(jù)本實(shí)施方式的電容器1， 由于以抑制電容器1的長(zhǎng)邊方向的兩側(cè)端部的方式形成墊片電極9，因而能夠得到電容器1 的固定平衡，并可以抑制安裝后的ESL(等效串聯(lián)電感)值的增加。由此，不僅可以使高密 度的安裝成為可能，而且也可以充分地提高搭載有電容器1的電子設(shè)備(制品)的生產(chǎn)性 和可靠性。(第二實(shí)施方式)圖14為表示本發(fā)明的電容器10的第2實(shí)施方式的構(gòu)造的截面圖。如圖所示，電 容器10除了第二保護(hù)層8’被形成為其側(cè)壁面8t’不具有傾斜，墊片電極9c、9d被形成為 覆蓋第二保護(hù)層8’的側(cè)壁面8t’、位于第二保護(hù)層8’的外側(cè)的第二電極7的上面和側(cè)壁 面、位于第二電極7外側(cè)的第一保護(hù)層6的上面和側(cè)壁面、以及位于第一保護(hù)層6的外側(cè)的 電介質(zhì)層4的上面之外，具有與上述的第一實(shí)施方式的電容器1相同的構(gòu)成。這樣，本實(shí)施方式的電容器10與上述的第一實(shí)施方式的電容器1不同，墊片電極 9c、9d被形成為不覆蓋第二保護(hù)層8’的上面，但是由于該墊片電極9c、9d從第二保護(hù)層8， 的側(cè)壁面8t’至電介質(zhì)層4上被形成，因而能夠有效地防止第一保護(hù)層6和墊片電極9c、9d 之間或者第二保護(hù)層8’和墊片電極9c、9d之間的剝離。而且，在焊接安裝時(shí)，由于焊腳形 成于墊片電極9c、9d的側(cè)壁面，因而能夠增大焊料與墊片電極9c、9d接觸的面積，并能夠提 高焊接安裝時(shí)的電容器10的固定強(qiáng)度。而且，由于以露出基板2的端部的方式形成墊片電 極9c、9d，因而由電介質(zhì)層4和墊片電極9c、9d形成的角部起到焊料停止部的效果。(第三實(shí)施方式)圖15為表示本發(fā)明的電容器100的第三實(shí)施方式的構(gòu)造的立體圖，圖16為對(duì)圖 15所示的電容器100進(jìn)行平面視的平面圖。如圖所示，電容器100除了進(jìn)行平面視時(shí)墊片 電極9e、9f分別被形成為I (或者H)形狀之外，具有與上述的第一實(shí)施方式的電容器1相 同的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式的墊片電極9e、9f具有分別切割設(shè)置于第一實(shí)施方式中的電容器1的 兩端部的墊片電極9a、9b的一部分的形狀。更具體地，在電容器100的寬度方向上從墊片 電極9e、9f的邊朝向中央并且以殘留墊片電極9e、9f的角部的方式設(shè)置切割部。由此，在墊片電極9e、9f的角部，在電容器100的長(zhǎng)邊方向上形成長(zhǎng)邊91，在電容 器100的寬度方向上形成短邊9s。通常，由于電容器100具有大致矩形形狀，因而焊料的 拉伸應(yīng)力在基板2的短邊2s側(cè)產(chǎn)生的應(yīng)力比在基板2的長(zhǎng)邊21側(cè)產(chǎn)生的應(yīng)力大。因此， 電容器100在電容器100的寬度方向上被施加應(yīng)力，其結(jié)果，產(chǎn)生在寬度方向上容易傾斜的 趨勢(shì)。然而，切割墊片電極9a、9b，在電容器100的長(zhǎng)邊方向上形成墊片電極9e、9f的長(zhǎng)邊 91，在電容器100的寬度方向上形成短邊9s，從而可以縮小在基板2的長(zhǎng)邊21側(cè)產(chǎn)生的焊 料的拉伸應(yīng)力與在基板2的短邊2s側(cè)產(chǎn)生的拉伸應(yīng)力的差，其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)焊接安裝時(shí) 的電容器100的固定平衡，由此，能夠進(jìn)一步防止電容器100的傾斜。這里，在將由上述的制造方法制造的電容器100和由現(xiàn)有的制造方法制造的電容 器安裝于外部基板上的情況下，在測(cè)定了兩電容器的傾斜后，如圖17所示，判明了在采用 本實(shí)施方式的電容器100進(jìn)行安裝的情況下不產(chǎn)生傾斜，并在下面進(jìn)行說(shuō)明。這里，作為由 現(xiàn)有的制造方法制造的電容器，列舉在基板上的最上面形成有格子狀的墊片電極的LGA構(gòu)造的電容器。圖17為表示使熔融焊料附著于分別形成于本實(shí)施方式的電容器100和LGA構(gòu)造 的電容器的墊片電極上并在外部電極上分別搭載10個(gè)的情況下的、兩電容器的傾斜的評(píng) 價(jià)的表T2。在搭載由現(xiàn)有的制造方法制造的電容器的情況下，對(duì)于10個(gè)的搭載數(shù)量，傾斜的 電容器為10個(gè)(即全部)，因而判明了安裝率為0%。相對(duì)于此，在搭載本實(shí)施方式的電容 器100的情況下，對(duì)于10個(gè)的搭載數(shù)量，傾斜的電容器100為0個(gè)，因而判明了安裝率為 100%。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的電容器100，實(shí)現(xiàn)了與上述的第一實(shí)施方式同樣的作用效 果。而且，切割第一實(shí)施方式的墊片電極9a、9b，使在電容器100的長(zhǎng)邊方向上形成的墊片 電極9e、9f的邊91形成為比在電容器100的寬度方向上形成的墊片電極9e、9f的邊9s長(zhǎng)， 從而能夠取得在基板2的兩邊(長(zhǎng)邊21以及短邊2s)產(chǎn)生的焊料的拉伸應(yīng)力的平衡。其 結(jié)果，能夠可靠地實(shí)現(xiàn)焊接安裝時(shí)的電容器100的固定平衡，并能夠進(jìn)一步防止電容器100 的傾斜。此外，為了確保劃片時(shí)的留白，本發(fā)明中的電容器的墊片電極以不形成至基板2 的端部為前提而進(jìn)行了說(shuō)明，但是，為了提高保護(hù)層和墊片電極之間的附著力，也可以形成 至基板2的端部。此外，電子部件不限于電容器，也可以為電感器、熱敏電阻、電阻等的無(wú)源 部件和IC芯片等的有源部件。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如以上說(shuō)明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的電子部件及其制造方法，能夠提高向外部基板 的焊接安裝時(shí)的電子部件的固定強(qiáng)度，由此，能夠充分地提高制品的可靠性以及生產(chǎn)性，因 此，能夠廣泛且有效地利用于內(nèi)置有電子部件的器械、裝置、系統(tǒng)、各種設(shè)備等，特別是要求 小型化以及高性能化的制品以及這些制品的生產(chǎn)、制造等中。
權(quán)利要求
一種電子部件，其特征在于，具有，電路元件，形成于基板上；電極層，與所述電路元件連接；保護(hù)層，覆蓋所述電極層；以及端子電極，經(jīng)由貫通所述保護(hù)層的通孔導(dǎo)體而與所述電極層相連接，并且被設(shè)置于所述保護(hù)層的上部，所述端子電極的一端位于所述保護(hù)層的側(cè)壁面上。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述端子電極被形成為，從所述保護(hù)層的上部沿著該保護(hù)層的側(cè)壁面延伸，并且所述 端子電極的一端與所述基板側(cè)的端部上面抵接。
3.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述端子電極從所述保護(hù)層的上部沿著該保護(hù)層的側(cè)壁面以及所述基板側(cè)的端部上 面延伸。
4.如權(quán)利要求2或者3所述的電子部件，其特征在于， 所述基板側(cè)的端部上面的一部分露出。
5.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述保護(hù)層具備第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，所述第一保護(hù)層形成于所述基板上，所述 第二保護(hù)層形成于所述第一保護(hù)層上并且形成于所述第一保護(hù)層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的電子部件，其中，所述第二保護(hù)層被設(shè)置為，該第二保護(hù)層中的所述基板側(cè)的面的面積比該第二保護(hù)層 中的所述端子電極側(cè)的面的面積小。
7.一種電子部件的制造方法，其特征在于， 包括以下的工序，在基板上形成電極層的工序； 形成覆蓋所述電極層的保護(hù)層的工序； 形成貫通所述保護(hù)層的通孔導(dǎo)體的工序；以及設(shè)置端子電極的工序，所述端子電極經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體而與所述電極層連接，并且所 述端子電極從所述保護(hù)層上部到達(dá)側(cè)壁面上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子部件及其制造方法，其能夠提高向外部基板的焊接安裝時(shí)的電子部件的固定強(qiáng)度，由此，能夠充分地提高電氣特性以及可靠性等。作為電子部件的電容器(1)形成有，在基板(2)上形成的電路元件(5)、與電路元件(5b)連接的電極層(5a)、覆蓋電極層(5a)的保護(hù)層(6、8)、經(jīng)由貫通保護(hù)層(6、8)的通孔導(dǎo)體(Va、Vb)而與電極層(5a)相連接并且覆蓋保護(hù)層(6、8)的側(cè)壁面而形成的端子電極(9a、9b)，由此，墊片電極(9a、9b)被形成為覆蓋從保護(hù)層(6、8)的最上面直至側(cè)壁面，因而焊料與墊片電極(9a、9b)接觸的面積增大，并能夠提高焊接安裝時(shí)的電容器(1)的固定強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H01C1/14GK101996766SQ20101026096
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月21日
發(fā)明者大塚隆史, 山口仁, 崔京九, 浪川達(dá)男 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社