專利名稱：磁尺的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及磁傳感器裝置、使用該磁傳感器裝置的磁編碼器裝置、以及磁尺的制 造方法。
背景技術：
磁編碼器裝置例如如圖21所示，包括在傳感器面具備磁阻元件的磁傳感器裝置 1001、以及對于磁傳感器裝置1001對置移動的具備永磁體的磁尺1009，在該磁尺1009中， 形成沿與磁傳感器裝置1001的相對移動方向N極和S極交替排列的軌道。另外，在磁傳感 器裝置1001 —側，在2塊剛性基板中的一個剛性基板IOlOa上，形成A相磁阻圖形的+a相 磁阻圖形1025 (+a)、以及B相磁阻圖形的+b相磁阻圖形1025 (+b)，另外，在另一個剛性基 板IOlOb上，形成A相磁阻圖形的-a相磁阻圖形1025 (-a)、以及B相磁阻圖形的_b相磁阻 圖形1025 (_b)，使這2塊剛性基板IOlOa與IOlOb對置。這里，A相磁阻圖形與B相磁阻圖 形以90°的相位差進行磁尺1009的移動檢測。對此，由于+a相磁阻圖形1025 (+a)與-a 相磁阻圖形1025 (_a)以180°的相位差進行磁尺1009的移動檢測，因此根據(jù)它們的差動輸 出，能夠進行磁尺1009的移動檢測。另外，由于+b相磁阻圖形1025 (+b)與-b相磁阻圖形 1025 (-b)以180°的相位差進行磁尺1009的移動檢測，因此根據(jù)它們的差動輸出，能夠進 行磁尺1009的移動檢測(例如，參照專利文獻1、2)。專利文獻1 特開2005-249774號公報專利文獻2 特開平6-207834號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是如圖21所示，若使2塊剛性基板IOlOa與IOlOb對置而構成磁傳感器裝置 1001，則由于2塊剛性基板IOlOa與IOlOb各自形成的磁阻圖形的靈敏度相差的原因，因此 在間隙尺寸變動時，偏置將變動，具有內(nèi)插精度降低的問題。另外，磁編碼器裝置一般具有利用一定方向的磁場的強弱來進行位置檢測的類 型、以及以飽和靈敏度區(qū)域(一般是指例如電阻值變化量k與磁場強度H能夠近似用 “k oc H2”的式子表示的區(qū)域以外的區(qū)域)以上的磁場強度來檢測旋轉磁場(磁場向量的旋 轉)的方向的類型，在這些檢測方法中，檢測旋轉磁場的方向時的原理是，對由強磁性金屬 構成的磁阻圖形通電的狀態(tài)下，在施加電阻值飽和的磁場強度時，利用磁場和電流方向的 夾角θ與磁阻圖形的電阻值R之間用下式表示的關系。R = R0-kXsin2 θRtl 無磁場中的電阻值
3
k:電阻值變化量(飽和靈敏度區(qū)域以上時為常數(shù))S卩，由于若角度θ變化，則電 阻值R變化，因此能夠檢測出磁尺1009與磁傳感器裝置1001的對置移動速度和移動方向。 另外，在檢測磁場強弱的方式中，若以改善S/N比為目的，而使磁尺1009與磁傳感器裝置 1001的間隙尺寸變窄，則波形失真增大。與此相反，在檢測旋轉磁場的方式中，即隨著磁尺 1009與磁傳感器裝置1001的對置移動，在檢測磁場向量的旋轉角的方式中，即使磁尺1009 與磁傳感器裝置1001的間隙尺寸變窄，也能夠穩(wěn)定得到正弦波分量。但是，在檢測旋轉磁場的方式中，雖能夠求得大的磁場強度，但如圖21所示，在使 2塊剛性基板IOlOa與IOlOb對置的結構中，由于剛性基板IOlOb介于磁阻圖形與磁尺1009 之間，因此存在不能使磁阻圖形與磁尺1009的間隙尺寸變窄的問題。另外，在檢測旋轉磁場的方式中，與檢測磁場的強弱的方式相同，對于磁尺 1009(永磁體)，即使以磁化曲線中的外部磁場的大小H、與磁通密度B之積求得的能積的最 大值(B · H)maX作為指標，來決定磁體原料，也存在不能得到足夠的檢測精度的問題。鑒于以上的問題，本發(fā)明的第1課題在于，提供一種即使磁傳感器裝置與磁尺的 間隙尺寸變化、也能夠得到高檢測精度的磁傳感器裝置及磁編碼器裝置。另外，在于提供一 種適于旋轉磁場檢測的磁傳感器裝置及磁編碼器裝置。本發(fā)明的第2課題在于，提供一種即使是采用旋轉磁場檢測方式時、也能夠得到 高檢測精度的磁編碼器裝置、以及適于該磁編碼器裝置中使用的磁尺的制造方法。為了解決上述第1課題，在本發(fā)明中，在具有彼此間有90°的相位差的A相磁阻 圖形與B相磁阻圖形的磁傳感器裝置中，其特征在于，前述A相磁阻圖形具備以180°相位 差進行前述磁尺的移動檢測的+a相磁阻圖形與_a相磁阻圖形，前述B相磁阻圖形具備以 180°相位差進行前述磁尺的移動檢測的+b相磁阻圖形與_b相磁阻圖形，前述+a相磁阻 圖形、前述_a相磁阻圖形、前述+b相磁阻圖形、及前述_b相磁阻圖形形成于1塊基板的同 一面上，使前述+a相磁阻圖形與前述相磁阻圖形位于對角的位置，前述+b相磁阻圖形 與前述_b相磁阻圖形位于對角的位置。在本發(fā)明中，由于這樣形成，使得+a相磁阻圖形與_a相磁阻圖形位于對角的位 置，+b相磁阻圖形與-b相磁阻圖形位于對角的位置，因此4相的磁阻圖形能夠在同一面內(nèi) 走線，能夠將構成A相的磁阻圖形、及構成B相的磁阻圖形的全部形成于1塊基板的同一 面上。所以，任何磁阻圖形都具有相同的靈敏度，因此即使傳感器面與磁尺的間隙尺寸變動 時，偏置也不變動，能夠得到高的內(nèi)插精度。因而，即使組裝時傳感器面相對于磁尺傾斜，也 能夠抑制對內(nèi)插精度的影響。另外，由于磁阻圖形容易走線，因此能夠配置多個高頻消除用 的圖形。在本發(fā)明中，前述+a相磁阻圖形及前述_a相磁阻圖形中的一個磁阻圖形、和前述 +b相磁阻圖形及前述_b相磁阻圖形中的一個磁阻圖形，最好與形成于該一個磁阻圖形的 形成區(qū)域之間的第1公共端子連接，前述+a相磁阻圖形及前述相磁阻圖形中的另一個 磁阻圖形、和前述+b相磁阻圖形及前述_b相磁阻圖形中的另一個磁阻圖形，最好與形成于 該另一個磁阻圖形的形成區(qū)域之間的第2公共端子連接。若由這樣構成，則由于在基板上 能夠使不同相的磁阻圖形彼此接近，因此能夠提高檢測精度。本發(fā)明的磁傳感器裝置，能夠與具有沿著相對于該磁傳感器裝置的相對移動方 向、N極與S極交替排列的軌道的磁尺一起，用于構成磁編碼器裝置。在這種情況下，本發(fā)
4明的磁編碼器裝置，能夠構成作為利用一定方向的磁場的強弱來進行位置檢測的類型、或 者用飽和靈敏度區(qū)域以上的磁場強度來檢測旋轉磁場的方向的類型。另外，也可以構成作 為用飽和靈敏度區(qū)域以外的區(qū)域的磁場強度來檢測旋轉磁場的方向的類型。本發(fā)明的前述磁傳感器裝置，若適用于利用前述A相磁阻圖形及前述B相磁阻圖 形的與前述磁尺對置的各圖形面所構成的傳感器面與前述軌道面對面、檢測在前述磁尺中 的面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁場的磁編碼器裝置，則是有效的。在這種情況下，前述傳感 器面在前述軌道的寬度方向上，最好形成為超過前述傳感器面的兩端部分對置的前述軌道 的寬度方向的兩端的邊緣部分的大小。再有，前述磁傳感器裝置的前述傳感器面最好與前 述軌道的寬度方向的邊緣部分面對面，從而能夠檢測在該邊緣部分中的面內(nèi)方向的指向變 化的旋轉磁場。本申請的申請人調查研究了磁尺表面的磁場，結果得到了新的見解，即，在 N極與S極交替排列的軌道的寬度方向的邊緣部分，形成面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁場。 本發(fā)明是基于這樣的新的見解而完成的，如果在軌道的寬度方向的邊緣部分形成面內(nèi)方向 的指向變化的旋轉磁場，則即使讓磁傳感器裝置的傳感器面與軌道的寬度方向的邊緣部分 附近面對面，也能夠檢測出旋轉磁場，構成磁編碼器裝置。另外，若是讓磁傳感器裝置的傳 感器面與磁尺面對面，則與傳感器面垂直面向磁尺的情況不同，由于能夠避免在離開磁尺 的位置磁場沒有達到飽和靈敏度區(qū)域的情況，因此能夠提高檢測精度。再有，在本發(fā)明中， 由于將構成A相的磁阻圖形、及構成B相的磁阻圖形的全部形成于1塊基板的同一面上，因 此如果在基板中將形成磁阻圖形一側的面面對著磁尺一側，則能夠使磁阻圖形與磁尺的間 隙尺寸變窄。所以，能夠將磁阻圖形配置在可檢測出旋轉磁場的磁場內(nèi)。在本發(fā)明中，前述磁尺中可以采用這樣的構成，前述軌道在寬度方向并列多條軌 道，在前述多個軌道中，相鄰的軌道之間的N極與S極的位置在前述相對移動方向偏移。例 如可以采用這樣的構成，在前述多個軌道中，相鄰的軌道之間的N極與S極的位置在前述相 對移動方向偏移1個磁極的大小。如果相鄰的軌道之間的N極與S極的位置在相對移動方 向偏移，則軌道的寬度方向的邊緣部分中，在軌道的邊界部分會產(chǎn)生強度大的旋轉磁場。因 而，如果使磁傳感器的傳感器面與這樣的軌道的邊界部分面對面，則能夠提高磁編碼器裝 置的靈敏度。在本發(fā)明中，最好前述磁尺的前述軌道在寬度方向并列3列以上，前述傳感器面 與寬度方向上3列以上的軌道對置，而且，在前述傳感器面的兩端部分對置的軌道之間，在 前述相對移動方向上，N極、S極位置一致。若由這樣構成，則具有以下優(yōu)點，即使磁傳感器 裝置與磁尺的寬度方向的對置位置發(fā)生偏移，檢測靈敏度也不變化。在本發(fā)明中，在前述多個軌道中，最好相鄰的軌道之間的N極及S極直接接觸。即， 由于在相鄰的軌道之間的N極與S極之間，例如當中沒有不存在磁極的無磁化部分或非磁 性部分，因此在相鄰軌道的彼此之間的邊界部分，能夠產(chǎn)生強度更大的旋轉磁場。本發(fā)明的磁編碼器裝置，也可以構成線性編碼器或旋轉編碼器的某一種編碼器。另外，為了解決上述第2課題，在本發(fā)明中，磁編碼器裝置包括具備永磁體的磁 尺、以及具備檢測來自該磁尺的磁場的磁阻元件的磁傳感器裝置，在前述永磁體中形成沿 著與前述磁傳感器的相對移動方向N極與S極交替排列的軌道，在前述磁編碼器裝置中，其 特征在于，前述磁傳感器裝置檢測在前述軌道的寬度方向的邊緣部分中面內(nèi)方向的指向變 化的旋轉磁場，前述永磁體的厚度為Imm以上，最好為2mm以上。
在本發(fā)明中，由于采用檢測旋轉磁場的方式，因此即使以改善S/N比為目的而使 磁傳感器裝置與磁尺的間隙尺寸變窄，也能夠穩(wěn)定得到正弦波分量。另外，本申請的申請 人根據(jù)各種研究，得到以下見解，在旋轉磁場檢測方式的情況下，相比于以能積的最大值 (B · H)max為指標，若以永磁體的厚度為指標，則能得到足夠的檢測精度，根據(jù)該見解，由于 使永磁體的厚度為Imm以上，最好是2mm以上，因此能夠得到足夠的檢測精度。在本發(fā)明的其它形態(tài)中，磁編碼器裝置包括具備永磁體的磁尺、以及具備檢測來 自該磁尺的磁場的磁阻元件的磁傳感器裝置，在前述永磁體中形成沿著與前述磁傳感器的 相對移動方向、N極與S極交替排列的軌道，在前述磁編碼器裝置中，其特征在于，前述磁傳 感器裝置檢測在前述軌道的寬度方向的邊緣部分中面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁場，同時 檢測在前述磁阻元件的磁阻曲線中、表示相對于從無磁場中的電阻值起的最大電阻變化率 為20%以上的電阻變化的區(qū)域的磁場，并進行輸出。在本發(fā)明中，由于采用檢測旋轉磁場的方式，因此即使以改善S/N比為目的而使 磁傳感器裝置與磁尺的間隙尺寸變窄，也能夠穩(wěn)定得到正弦波分量。另外，本申請的申請人 根據(jù)各種研究，即使是采用旋轉磁場檢測方式的情況，不限于飽和靈敏度區(qū)域，由于利用了 相當于在磁阻元件的磁阻曲線中、相對于從無磁場中的電阻值起的最大電阻變化率為20% 以上的下底部分的飽和靈敏度區(qū)域及準飽和靈敏度區(qū)域的磁場，因此能夠得到足夠的檢測 精度。在本發(fā)明中，也可以將上述2個形態(tài)進行組合。也就是說，可以采用這樣的構成， 即，磁編碼器裝置包括具備永磁體的磁尺、以及具備檢測來自該磁尺的磁場的磁阻元件的 磁傳感器裝置，前述永磁體中形成沿著與前述磁傳感器的相對移動方向、N極與S極交替排 列的軌道，在前述磁編碼器裝置中，前述磁傳感器裝置檢測在前述軌道的寬度方向的邊緣 部分中面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁場，前述永磁體的厚度為Imm以上，檢測在前述磁阻 元件的磁阻曲線中、表示相對于從無磁場中的電阻值起的最大電阻變化率為20%以上的電 阻變化的區(qū)域的磁場，并進行輸出。在本發(fā)明中，前述磁尺例如在背面?zhèn)染邆湟r底層，在表面?zhèn)染邆浔Ｗo層。在本發(fā)明中，構成前述永磁體的磁體原料的、用外部磁場的大小H與磁通密度B之 積所求出的能積的最大值(B · H)max最好為1. 2MG0e以上。在本發(fā)明中，最好采用這樣構成，S卩，前述永磁體的前述軌道在寬度方向并列多條 軌道，在前述多個軌道中，相鄰的軌道之間N極與S極的位置在前述相對移動方向偏移。在本發(fā)明中，可以采用這樣構成，S卩，在前述多個軌道中，在相鄰的軌道之間N極 與S極的位置在前述相對移動方向偏移1個磁極的大小。在本發(fā)明中，可以采用這樣的構成，S卩，前述永磁體的前述軌道在寬度方向并列2 列以上。在本發(fā)明中，也可以采用這樣構成，S卩，前述永磁體的前述軌道在寬度方向并列3 列以上，前述磁傳感器裝置與前述3列以上的軌道中的奇數(shù)列部分的軌道對置，而且，在該 磁傳感器裝置的兩端部分對置的軌道之間，前述相對移動方向上，N極、S極位置一致。在本發(fā)明中，前述永磁體最好是磁極僅面對著該永磁體的正反方向的各向異性磁 體。若這樣構成，則能夠得到強磁場。本發(fā)明的磁編碼器裝置，構成作為線性編碼器或旋轉編碼器。
本發(fā)明中的磁尺制造方法，該磁尺具備N極與S極交替排列的軌道在寬度方向并 列多條軌道、并在相鄰的軌道之間N極與S極的位置在前述軌道的相對移動方向偏移的永 磁體，在該磁尺的制造方法中，其特征在于，包括對應該構成前述永磁體的磁體原料進行 磁化，使得在前述軌道的相對移動方向N極與S極交替排列的第1磁化工序；以及使相鄰的 軌道之間的N極與S極的位置在前述軌道的相對移動方向偏移、將在前述第1磁化工序中 賦予前述磁體原料的磁極的一部分重新磁化的第2磁化工序。本發(fā)明的磁尺制造方法，該磁尺具備N極與S極交替排列的軌道在寬度方向并列 多條軌道、并在相鄰的軌道之間N極與S極的位置在前述軌道的相對移動方向偏移的永磁 體，在該磁尺的制造方法中，其特征在于，包括對應該構成前述永磁體的磁體原料配置磁化 頭進行多極磁化的磁化工序，以使在前述永磁體的寬度方向，N極的位置與S極的位置在相 對移動方向上偏移。在本發(fā)明中，在對前述磁體原料進行磁化時，最好進行使磁極僅面對著該磁體原 料的正反方向的各向異性磁化。若這樣構成，則能夠得到強磁場。在本發(fā)明中，在前述磁體原料的背面重疊襯底層之后，最好對該磁體原料進行前 述磁化工序，形成前述永磁體，在進行了該磁化工序之后，在前述永磁體的表面形成保護層。在本發(fā)明中，由于這樣形成，使得+a相磁阻圖形與_a相磁阻圖形位于對角的位 置，+b相磁阻圖形與-b相磁阻圖形位于對角的位置，因此4相的磁阻圖形能夠在同一面內(nèi) 走線，能夠將構成A相的磁阻圖形、及構成B相的磁阻圖形的全部形成于1塊基板的同一 面上。所以，任何磁阻圖形都具有相同的靈敏度，因此即使傳感器面與磁尺的間隙尺寸變動 時，偏置也不變動，能夠得到高的內(nèi)插精度。因而，即使組裝時傳感器面相對于磁尺傾斜，也 能夠抑制對內(nèi)插精度的影響。另外，由于磁阻圖形容易走線，因此能夠配置多個高頻消除用 的圖形。另外，在本發(fā)明的磁編碼器裝置中，由于采用檢測旋轉磁場的方式，因此即使以改 善S/N比為目的而使磁傳感器裝置與磁尺的間隙尺寸變窄，也能夠穩(wěn)定得到正弦波分量。 另外，由于使永磁體的厚度為Imm以上，最好為2mm以上，因此能夠得到足夠的檢測精度。另 外，即使是采用旋轉磁場檢測方式的情況，由于利用了相當于磁阻變化率為20%以上的下 底部分的飽和靈敏度區(qū)域及準飽和靈敏度區(qū)域的磁場，因此也能夠得到足夠的檢測精度。


圖1為采用本發(fā)明的磁編碼器裝置的說明圖。圖2(a)、(b)、(C)為表示采用本發(fā)明的磁傳感器裝置的主要部分的結構的簡要剖 面圖、其簡要立體圖、以及簡要平面圖。圖3(a)、(b)、(C)為對于采用本發(fā)明的磁編碼器裝置的磁尺所形成的磁場的指向 在平面上看時的說明圖、在斜向來看時的說明圖、以及從側面來看時的說明圖。圖4為采用本發(fā)明的磁編碼器裝置的磁傳感器裝置中形成的磁阻圖形的說明圖。圖5為表示圖4所示的磁阻圖形的電路結構的說明圖。圖6(a)、(b)、(C)為表示圖1所示的磁傳感器裝置的底面圖、主要部分的縱向剖面 圖、以及將磁阻元件的周邊放大的剖面圖。
圖7(a)、(b)、(C)分別為表示在采用本發(fā)明的磁傳感器裝置中與剛性基板連接柔 性基板的樣子的平面圖、其縱向剖面圖、以及在剛性基板上形成樹脂保護層的狀態(tài)的剖面 圖。圖8為采用本發(fā)明的其它磁編碼器裝置的說明圖。圖9(a)、(b)、(c)為對于圖8所示的磁編碼器裝置的磁尺所形成的磁場的指向在 平面上看時的說明圖、在斜向來看時的說明圖、以及從側面來看時的說明圖。圖10為采用本發(fā)明的其它磁編碼器裝置的說明圖。圖11 (a)、(b)、(c)為對于圖10所示的磁編碼器裝置的磁尺所形成的磁場的指向 在平面上看時的說明圖、在斜向來看時的說明圖、以及從側面來看時的說明圖。圖12為采用本發(fā)明的其它磁編碼器裝置的說明圖。圖13(a)、(b)為由采用本發(fā)明的磁編碼器裝置構成旋轉編碼器時的說明圖。圖14(A)、(B)分別為表示采用本發(fā)明的磁編碼器裝置的結構的說明圖、以及本發(fā) 明實施形態(tài)2的實施例1的磁編碼器裝置中的永磁體與磁阻元件的位置關系的說明圖。圖15為表示采用本發(fā)明的磁編碼器裝置具有的磁阻元件的MR特性的圖形。圖16(A)、(B)分別為表示采用本發(fā)明的磁尺具有的永磁體的最大能積及厚度與 內(nèi)插精度的關系的圖形、以及采用本發(fā)明的磁尺具有的永磁體的最大能積及厚度與磁滯的 關系的圖形。圖17(A) (E)為表示采用本發(fā)明的磁尺的制造方法的說明圖。圖18(A) (D)為表示采用本發(fā)明的磁尺的其它制造方法的說明圖。圖19為表示本發(fā)明實施形態(tài)2的實施例4的磁編碼器裝置中的永磁體與磁傳感 器的平面位置關系的說明圖。圖20(A) (D)為由采用本發(fā)明的磁編碼器裝置構成旋轉編碼器時的說明圖。圖21為以往的磁編碼器裝置的說明圖。標號說明1 磁傳感器裝置9 磁尺10 剛性基板25 磁阻元件25 (+a) +a相磁阻圖形25 (-a) _a相磁阻圖形25 (+b) +b相磁阻圖形25 (-b) _b相磁阻圖形91 軌道100 磁線性編碼器裝置(磁編碼器裝置)213 (GND) 接地端子(第1公共端子)223 (GND) 接地端子(第2公共端子)250 傳感器面1000磁編碼器裝置2000 磁尺
3000磁傳感器裝置
2600永磁體
2500軌道
2510邊緣部分
7500磁阻元件
具體實施例方式參照附圖，說明實施本發(fā)明用的最佳形態(tài)。(第一實施形態(tài))(整體結構)圖1為采用本發(fā)明的磁編碼器裝置的說明圖。圖2(a)、(b)、(c)為表示采用本發(fā) 明的磁傳感器裝置的主要部分結構的簡要剖面圖、其簡要立體圖、以及簡要平面圖。如圖1所示，本形態(tài)中的磁傳感器裝置1用于磁線性編碼器裝置100(磁編碼器裝 置)，固定于可動構件(未圖示)上的磁尺9與磁傳感器裝置1的底面對置。在磁尺9中， 如后所述，形成沿長邊方向(磁傳感器裝置1與磁尺9的相對移動方向)N極和S極交替排 列的軌道，磁傳感器裝置1通過檢測在磁尺9的表面形成的旋轉磁場的方向，檢測可動構件 及磁尺9沿磁尺9的長邊方向移動時的移動位置。磁傳感器裝置1具備由近似長方體形狀 的鋁模鑄件形成的保持架6、覆蓋該保持架6的開口的矩形蓋板68、以及從保持架6延伸的 纜線7。對保持架6在其側面形成纜線插通孔69，從該纜線插通孔69引出纜線7。如圖2(a)、(b)、(c)所示，在保持架6上與磁尺9對置的底面上，形成利用臺階從 保持架6的底面突出的由平坦面形成的基準面60。在該基準面60上形成開口部65，在開 口部65配置形成于硅基板或陶瓷光滑基板等剛性基板10上的磁阻元件25，構成傳感器面 250。這里，磁阻元件25作為檢測在磁尺9的面內(nèi)方向指向變化的旋轉磁場的磁阻圖 形，包括相互間有90°的相位差的A相磁阻圖形25 (A)與B相磁阻圖形25 (B)，利用A相磁 阻圖形25 (A)與B相磁阻圖形25 (B)的下端面(與磁尺9對置的各圖形面)構成傳感器面 250。另夕卜，在圖中，對A相磁阻圖形附加SIN，對B相磁阻圖形附加COS。A相磁阻圖形25 (A)具備以180°相位差進行磁尺9的移動檢測的+a相磁阻圖形 25 (+a)與-a相磁阻圖形25 (-a)，在圖中，對+a相磁阻圖形25 (+a)附加SIN+，對_a相磁阻 圖形25 (_a)附加SIN-。同樣的，B相磁阻圖形25⑶具備以180°相位差進行磁尺9的移 動檢測的+b相磁阻圖形25 (+b)與-b相磁阻圖形25 (-b)，在圖中，對+b相磁阻圖形25 (+b) 附加COS+,對-b相磁阻圖形25 (-b)附加COS-。在本形態(tài)中，+a相磁阻圖形25 (+a)、-a相磁阻圖形25 (-a)、+b相磁阻圖形 25 (+b)、及-b相磁阻圖形25 (_b)形成于1塊剛性基板10的同一面上(主面上)。另外，磁 阻圖形25(+幻、25(1)、25(+13)、及25(-13)在剛性基板10上配置成格子狀，+a相磁阻圖形 25 (+a)與-a相磁阻圖形25 (-a)形成于對角位置，+b相磁阻圖形25 (+b)與_b相磁阻圖形 25 (_b)形成于對角位置。另外，在磁尺9中，形成沿移動方向N極與S極交替排列的軌道91，在本形態(tài)中，3 列的軌道91 (91A、91B、91C)沿寬度方向并列。這里，在相鄰的軌道91A、91B、91C之間，N極及S極的位置在移動方向偏移1個磁極的大小。因此，在兩側的軌道91A、91C之間，N極及 S極的位置在移動方向一致。再有，相鄰的軌道91A與軌道91B的邊界部分912、以及軌道 91B與軌道91C的邊界部分912，雖然最好是由這樣形成，例如當中沒有不存在磁極的無磁 化部分或非磁性部分，相鄰的該邊界部分912的N極與S極直接接觸，但如果能夠產(chǎn)生使得 磁傳感器裝置1能夠檢測出的強度大的旋轉磁場，則相鄰的軌道91A與軌道91B的邊界部 分912、以及軌道91B與軌道91C的邊界部分912上，也可以在當中有不存在磁極的無磁化 部分或非磁性部分。在這樣構成的磁編碼器裝置100中，將磁尺9的磁場的面內(nèi)方向的指向對矩陣狀 的每個微小區(qū)域進行了磁場分析，其結果如圖3(a)、(b)、(c)中用箭頭所示，在軌道91A、 91B、91C的寬度方向的邊緣部分911，如用圓L包圍的區(qū)域，形成面內(nèi)方向的指向變化的旋 轉磁場，特別是在軌道91A、91B、91C的邊界部分912，如用圓L2包圍的區(qū)域，形成強度大的 旋轉磁場。再有，在本形態(tài)中，相鄰的軌道91A與軌道91B的邊界部分912、以及軌道91B與 軌道91C的邊界部分912是使得該邊界部分912的N極與S極直接接觸而形成的，因此在 軌道91A、91B、91C的邊界部分912產(chǎn)生強度更大的旋轉磁場。因而，在本形態(tài)中，如圖2 (c)所示，使磁傳感器裝置1的傳感器面250與軌道91A、 91B、91C的邊界部分912面對面。另外，由于傳感器面250位于磁尺9的寬度方向的中間位 置，因此傳感器面250的寬度方向的一個端部251位于3個軌道91A、91B、91C中的軌道91A 的寬度方向的中間位置，另一個端部252位于軌道91C的寬度方向的中間位置。因而，形成 +a相磁阻圖形25 (+a)的區(qū)域、以及形成+b相磁阻圖形25 (+b)的區(qū)域與軌道91A和91B的 邊界部分912對置，形成-a相磁阻圖形25 (_a)的區(qū)域、以及形成_b相磁阻圖形25 (_b)的 區(qū)域與軌道91B和91C的邊界部分912對置。軌道91B作為形成+a相磁阻圖形25 (+a)及 +b相磁阻圖形25(+b)的區(qū)域、以及形成-a相磁阻圖形25 (_a)及-b相磁阻圖形25 (_b)的 區(qū)域的各區(qū)域對置的軌道、即兼用的公共軌道91B，形成于磁尺9的中間。(磁阻圖形的結構)在本形態(tài)的磁傳感器裝置1中，在剛性基板10的主面上，如圖4所示，形成磁阻圖 形 25 (+a)、25 (-a)、25 (+b)、25 (_b)，這些磁阻圖形 25 (+a)、25 (-a)、25 (+b)、25 (_b)構成如 圖5 (a)、(b)所示的電橋電路。如圖4所示，磁阻圖形25 (+a)、25 (-a)、25 (+b)、25 (_b)形成于剛性基板10的長邊 方向的中間區(qū)域，設剛性基板10的一側端部11為第1端子部21，另一側端部12為第2端 子部22。這里，+a相磁阻圖形25 (+a)與相磁阻圖形25 (_a)形成于對角位置，+b相磁阻 圖形25(+b)與_b相磁阻圖形25 (_b)形成于對角位置。另外，如圖4及圖5(a)所示，+a相磁阻圖形25 (+a)及相磁阻圖形25 (_a)的 一端與電源端子212 (Vcc) ,222 (Vcc)連接，另一端與作為第1公共端子及第2公共端子的 接地端子213 (GND)、223 (GND)連接。另外，在+a相磁阻圖形25 (+a)的中點位置連接有 輸出SIN+的端子211 (+a)，在-a相磁阻圖形25 (_a)的中點位置連接有輸出SIN-的端子 221 (-a)。因而，如果將輸出SIN+及輸出SIN-輸入減法器，則能夠得到差動輸出，并根據(jù)該 差動輸出，能夠檢測出磁尺9的移動速度。同樣，如圖4及圖5(b)所示，+b相磁阻圖形25 (+b)及_b相磁阻圖形25 (_b)的一端與電源端子224(VCC)、214(VCC)連接。另外，_b相磁阻圖形25 (_b)的另一端與+a 相磁阻圖形25(+a)相同，與作為第1公共端子的接地端子213(GND)連接，+b相磁阻圖形 25 (+b)的另一端與-a相磁阻圖形25 (_a)相同，與作為第2公共端子的接地端子223 (GND) 連接。再有，在+b相磁阻圖形25 (+b)的中點位置連接有輸出COS+的端子225(+b)，在-b 相磁阻圖形25(-b)的中點位置連接有輸出COS-的端子215(-b)。因而，如果將輸出COS+ 及輸出COS-輸入減法器，則能夠得到差動輸出，并根據(jù)該差動輸出，能夠檢測出磁尺9的移 動速度。另外，對于第1端子部21，除上述端子以外，還形成空端子。對于第2端子部22 也同樣，除上述端子以外，還形成空端子。另外，在剛性基板10的長邊方向的中間區(qū)域，在 與上述磁阻圖形相鄰的區(qū)域中，形成檢測原點位置用的Z相磁阻圖形25 (Z)，在第2端子部 22還形成對于Z相磁阻圖形25(Z)的電源端子226(Vcc)、接地端子227(GND)、輸出端子 228 (Z)、229 (Z)。這里，磁阻圖形25 (+a)、25 (-a)、25 (+b)、25 (_b)由在剛性基板10的主面上利用半 導體工藝形成的強磁性體MFe等的磁性體膜構成，構成惠斯登電橋等。各端子由與磁阻圖 形25 (+a)、25 (-a)、25 (+b)、25 (_b)同時形成的導電膜等構成。這樣構成的磁阻圖形25 (+a)、25 (-a)、25 (+b)、25 (_b)如圖4所示，在移動方向的 規(guī)定位置具備細寬度部分，例如，以磁阻圖形25 (_a)為例，如圖5(c)所示，可以看作為4個 電阻Ra Rd。這4個電阻Ra Rd的電阻值與圖5(d)所示的相位變化對置應而發(fā)生變 化。因而，電阻Ra、Rb為同一相位，而且檢測的磁極相反。另外，電阻Rc、Rd為同一相位，而 且檢測的磁極相反。另外，電阻Ra、Rb，與電阻Rc、Rd的電阻值以180°相位差進行變化，能 夠得到差動輸出。(保持架上的剛性基板周邊的結構)在本形態(tài)中，在將剛性基板10配置在保持架6內(nèi)以構成磁傳感器裝置1時，采用 圖6及圖7所示的結構。圖6 (a)、(b)、(c)為表示圖1所示的磁傳感器裝置的底面圖、主要部分的縱向剖面 圖、以及將磁阻元件的周邊放大的剖面圖。圖7(a)、(b)、(c)分別為表示在采用本發(fā)明的磁 傳感器裝置中與剛性基板連接柔性基板的樣子的平面圖、其縱向剖面圖、以及對剛性基板 形成樹脂保護層的狀態(tài)的剖面圖。圖6(a)、(b)、(c)及圖7(a)、(b)中，在本形態(tài)的磁傳感器裝置1中，對剛性基板 10，在其一側端部11連接有第1柔性基板31，在該第1柔性基板31中形成于襯底薄膜36 上的導電圖形37 (信號線)的端部在第1端子部21上與各端子利用焊接、合金接合、各向 異性導電膜等接合等的方法進行連接。另外，在剛性基板10中，在其另一側端部12上連 接有第2柔性基板32，在該第2柔性基板32中形成于襯底薄膜36上的導電圖形37 (信號 線)的端部與第2端子部22的各端子利用焊接、合金接合、各向異性導電膜等接合等的方 法進行連接。這里，在第1柔性基板31及第2柔性基板32上，對形成于襯底薄膜36上的 導電圖形37中的與第1端子部21及第2端子部22的各端子接合的部分，實施Sn-Cu系電 鍍等。在本形態(tài)中，第1柔性基板31與第2柔性基板32如圖7(a)所示，由1片柔性基 板30的一部分構成。即，柔性基板30具備與圖1所示的纜線7進行連接的矩形部33、以及從該矩形部33的下端邊緣向左右兩側延伸的一對二字形狀的延伸部分34、35，一對延伸部 分34、35中，利用一個延伸部分34構成第1柔性基板31，利用另一個延伸部分35構成第2 柔性基板32。因此，在第1柔性基板31與第2柔性基板32之間，襯底薄膜36的厚度以及 導電圖形37的厚度相同。另外，柔性基板30左右對稱，第1柔性基板31與第2柔性基板 32具有同一平面形狀。另外，在柔性基板30中，在位于一對延伸部分34、35的寬度方向的兩端邊緣，形成 多個半圓形的小缺口 39，將形成這樣的缺口 39的部分彎折作為凹下彎折部分(用點劃線表 示)及凸起彎折部分(用雙點劃線表示)，在這樣的狀態(tài)下，將柔性基板30及剛性基板10 如圖6(b)、(c)及圖7(b)、(c)所示，使剛性基板10的主面向外側(向下)而配置在保持架 6的底面。在這樣構成的磁傳感器裝置1中，磁阻元件25如圖6(c)所示，例如表面用絕緣樹 脂層40、導電性粘接材料層81、非磁性的金屬層82、及樹脂保護層83覆蓋，而且，金屬層82 通過導電性粘接材料層81與保持架6粘接固定。因而，金屬層82通過導電性粘接材料層 81與保持架6電連接，這樣的金屬層82起到作為覆蓋磁阻元件25的表面的電波屏蔽用導 電層的功能。這里，樹脂保護層83、金屬層82、及導電性粘接材料層81，是將在由鋁箔或銅 箔等構成的金屬層82的兩面分別層疊樹脂保護層83及導電性粘接材料層81的薄膜80， 通過導電性粘接材料層81與保持架6粘接固定。另外，樹脂保護層83、金屬層82、及導電 性粘接材料層81，是將在由PET等薄膜基材構成的樹脂保護層83的表面層疊由鋁膜或銅 膜等構成的金屬層82及導電性粘接材料層81的薄膜80，通過導電性粘接材料層81與保 持架6粘接固定。作為導電性粘接材料層81，是在各種粘接材料上使碳粒子、鋁粒子、銀粒 子、銅粒子等分散而成。這樣的薄膜80的厚度約為50 μ m，極薄。因此，能夠使磁阻元件25 與磁尺9的間距變窄到300 μ m以下。另外，樹脂保護層83從與可動構件等接觸時保護金 屬層82的觀點來看雖然如果有則比較好，但根據(jù)構成金屬層82的金屬的種類及使用形態(tài) 的不同，也可以省略樹脂保護層83。另外，在本實施形態(tài)中，磁傳感器裝置1及磁編碼器裝 置100具有的磁阻元件25的磁阻曲線(MR特性)，由于可以使用具有與第2實施形態(tài)的圖 15所示的磁阻曲線(MR特性)同一特性的磁阻元件25，因此這里省略詳細說明。以下，一面參照圖6 (a)、(b)、(c)及圖7 (a)、(b)、(c)，說明這樣構成的磁傳感器裝 置1的制造方法，一面更詳細敘述本形態(tài)的磁傳感器裝置1的結構。在本形態(tài)中，首先，利用半導體工藝對剛性基板10的主面形成磁阻元件25、第1端 子部21、及第2端子部22之后，與剛性基板10的一側端部11連接第1柔性基板31，與剛 性基板10的另一側端部12連接第2柔性基板32。接著，在剛性基板10的主面與第1柔性基板31之間、以及剛性基板10的主面與 第2柔性基板32之間，由于因柔性基板30中沒有形成導電圖形的部分、以及剛性基板10 中沒有形成端子的部分而引起產(chǎn)生間隙38a、38b，因此對這樣的間隙38a及38b，充填環(huán)氧 樹脂等密封樹脂41。另外，在對剛性基板10使用各向異性導電膜與第1柔性基板31及第 2柔性基板32接合時，由于能夠用該樹脂部分填埋間隙，因此不需要另外對間隙進行樹脂 充填。接著，在將柔性基板30沿圖7(a)中用點劃線所示的凹下彎折部分、及用雙點劃線 表示的凸起彎折部分進行彎折后，如圖7(b)所示，使剛性基板10的主面向外側(向下)，將柔性基板30及剛性基板10配置在保持架6的底部。這時，在保持架內(nèi)固定剛性基板10、第 1柔性基板31及第2柔性基板32，使得在第1柔性基板31及第2柔性基板32中，與剛性 基板10連接的部分的襯底薄膜36的背面?zhèn)?61與保持架6的基準面60 —致。接著，如圖7(c)所示，在剛性基板10的主面中，在由第1柔性基板31與第2柔性 基板32夾住的區(qū)域中充填環(huán)氧樹脂等樹脂之后，使其硬化，如圖7 (a)中向右上方的虛線所 示，形成覆蓋磁阻元件25的絕緣樹脂層40。這時，在保持架6的開口部65中，也可以在第 1柔性基板31及第2柔性基板32與開口部65之間的間隙充填樹脂。利用以上的工序，在 磁傳感器裝置1中，完成剛性基板10對保持架6的固定。接著，如圖6(c)所示，將依次形成了樹脂保護層83、金屬層82、及導電性粘接材料 層81的薄膜80，使導電性粘接材料層81面向基準面60進行粘貼。這樣在本形態(tài)中，用絕緣樹脂層40、導電性粘接材料層81、金屬層82、及樹脂保護 層83覆蓋磁阻元件25，而且，金屬層82通過導電性粘接材料層81與保持架6粘接固定。 因而，金屬層82通過導電性粘接材料層81與保持架6電連接。利用以上的工序，在磁傳感 器裝置1中，能夠利用由金屬層82構成的電波屏蔽用導電層覆蓋磁阻元件25的表面。(第一實施形態(tài)的主要效果)如上所述，在本形態(tài)的磁傳感器裝置1中，由于+a相磁阻圖形25 (+a)與_a相磁 阻圖形25 (_a)位于對角的位置，+b相磁阻圖形25 (+b)與-b相磁阻圖形25 (_b)位于對角 的位置，因此能夠將4相的磁阻圖形25(+幻、25(1)、25(+13)、25(-13)在同一面內(nèi)走線，能夠 將構成A相的磁阻圖形25(+幻、25(1)、及構成8相的磁阻圖形25(+13)、25(-13)全部形成于 1塊剛性基板10的同一面上。所以，由于任何磁阻圖形25(+a)、25(-a)、25(+b)、25(-b)都 能夠以相同的靈敏度構成，因此即使傳感器面250與磁尺9的間隙尺寸變動時，偏置也不變 動，能夠得到高的內(nèi)插精度。因而，即使組裝時由A相磁阻圖形25 (A)及B相磁阻圖形(B) 的下端面(與磁尺9對置的各圖形面)形成的傳感器面250相對于磁尺9傾斜時，也能夠 抑制對內(nèi)插精度的影響。另外，由于磁阻圖形25(+a)、25(-a)、25(+b)、25(-b)容易走線，因 此能夠配置多個高頻消除用的圖形。另外，本形態(tài)的磁阻元件25，由于使+a相磁阻圖形25(+a)與_a相磁阻圖形 25 (-a)位于對角的位置，使+b相磁阻圖形25 (+b)與-b相磁阻圖形25 (_b)位于對角的位 置，能夠將構成A相的磁阻圖形25 (+a)、25 (-a)、及構成B相的磁阻圖形25 (+b)、25 (_b)全 部形成于1塊剛性基板10的同一面上，因此像以往那樣，例如使用2組將+a相磁阻圖形、-a 相磁阻圖形、+b相磁阻圖形、-b相磁阻圖形的各磁阻圖形沿同一方向而且呈直線狀排列所 形成的磁阻元件，同時與將這兩組在磁阻元件并聯(lián)的狀態(tài)下使用的磁傳感器裝置相比，也 能夠得到相同程度的高檢測精度，同時能夠力圖節(jié)省磁傳感器裝置1中的放置磁阻元件25 的空間，進而還能夠力圖實現(xiàn)磁傳感器裝置1的小型化。另外，由于-b相磁阻圖形25 (_b)的另一端與+a相磁阻圖形25 (+a)相同，與作為 第1公共端子的接地端子213 (GND)連接，+b相磁阻圖形25 (+b)的另一端與_a相磁阻圖 形25 (_a)相同，與作為第2公共端子的接地端子223 (GND)連接，因此在剛性基板10上，能 夠使不同相的磁阻元件彼此之間接近，所以能夠提高檢測精度。另外，在本形態(tài)中，由于將構成A相的磁阻圖形25 (+a)、25 (-a)、及構成B相的磁阻 圖形25 (+b)、25(-b)全部形成于1塊剛性基板10的同一面上，因此如果在剛性基板10中
13將形成磁阻圖形25 (+a)、25 (-a)、25 (+b)、25 (_b)的一側的面面對著磁尺9 一側，則能夠使 磁阻圖形25(+a)、25(-a)、25(+b)、25(-b)與磁尺9的間隙尺寸變窄。因此，在磁線性編碼 器裝置100中，能夠用磁傳感器裝置1檢測出在磁尺9的相鄰的軌道91A、91B、91C彼此之 間的邊界部分912形成的旋轉磁場，并根據(jù)該結果，能夠檢測出與磁尺9的對置移動速度和 對置移動距離。這時，從磁傳感器裝置1能夠得到波形質量高的正弦波，而且，能夠最大限 度發(fā)揮抗干擾磁場強等旋轉磁場檢測型的特征。而且，由于利用了飽和靈敏度區(qū)域，因此不 受到磁阻元件25的制造誤差的影響，能夠得到高的檢測靈敏度。另外，在本形態(tài)中，由于使磁傳感器裝置1的傳感器面250與軌道91A、91B、91C的 邊界部分912面對面，來檢測旋轉磁場，因此與使傳感器面250垂直面對著磁尺9的情況不 同，能夠避免在離開磁尺9的位置磁場沒有達到飽和靈敏度區(qū)域的情況。因此，能夠提高磁 編碼器裝置100的檢測精度。另外，本形態(tài)的磁尺9的相鄰的軌道91A與軌道91B的邊界部分912、以及軌道91B 與軌道91C的邊界部分912，由以下形成，例如當中沒有不存在磁極的無磁化部分或非磁性 部分，而使相鄰的該邊界部分912的N極與S極直接接觸。再有，由于相鄰的軌道91A與軌 道91B的邊界部分912、以及軌道91B與軌道91C的邊界部分912是使得該邊界部分912的 N極與S極直接接觸而形成的，因此在軌道91A、91B、91C的邊界部分912，能夠產(chǎn)生強度更 大的旋轉磁場。另外，再有，由于軌道91B作為形成+a相磁阻圖形25(+a)及+b相磁阻圖形25(+b) 的區(qū)域、以及形成相磁阻圖形25 (_a)及-b相磁阻圖形25 (_b)的區(qū)域的各區(qū)域對置的 軌道、即兼用的公共軌道91B，而形成于磁尺9的中間，因此能夠力圖實現(xiàn)磁尺9的小型化。 另外，由于還能夠減少對軌道的N極與S極的磁化次數(shù)，因此能夠廉價、而且簡單地制造磁 尺9。另外，在本形態(tài)中采用的結構是，傳感器面250的寬度方向的端部251、252分別位 于軌道91A、91C的寬度方向的中間，但也可以采用下述的結構，S卩，傳感器面250的寬度尺 寸大于磁尺9的寬度尺寸，傳感器面250的端部251、252露出在磁尺9的寬度方向外側。[第一實施形態(tài)的變形例]在上述實施形態(tài)中，軌道數(shù)是3列，但如圖8所示，即使在具有2列的軌道91 (91A、 91B)時，也將磁尺9的磁場的面內(nèi)方向的指向對矩陣狀的每個微小區(qū)域進行了磁場分析， 其結果如圖9(a)、(b)、(c)中用箭頭所示，在軌道91A、91B的寬度方向的邊緣部分911中， 如用圓L包圍的區(qū)域，形成面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁場，特別是在軌道91A、91B的邊界 部分912，如用圓L2包圍的區(qū)域，產(chǎn)生強度大的旋轉磁場。再有，在本形態(tài)中，相鄰的軌道 91A與軌道91B的邊界部分912是使該邊界部分912的N極與S極直接接觸而形成的，因 此在軌道91A與91B的邊界部分912，產(chǎn)生強度更大的旋轉磁場。因而，對于使用軌道數(shù)為 2列的磁尺9的磁編碼器裝置，也可以適用本發(fā)明。另外，相鄰的軌道91A與軌道91B的邊 界部分912，由以下形成，例如當中沒有不存在磁極的無磁化部分或非磁性部分，而使相鄰 的該邊界部分912的N極與S極直接接觸。再有，如圖10所示，即使是軌道數(shù)為1列，也將磁尺9的磁場的面內(nèi)方向的指向對 矩陣狀的每個微小區(qū)域進行了磁場分析，如圖11(a)、(b)、(c)中用箭頭所示，在軌道91的 寬度方向的邊緣部分911，如用圓L包圍的區(qū)域，形成面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁場。因
14而，對于使用軌道數(shù)為1列的磁尺9的磁編碼器裝置，也可以適用本發(fā)明。再有，如圖12所示，也可以采用以下結構，傳感器面250與5列的軌道91A、91B、 91C、91D、91E對置，而且，在傳感器面250的兩端部分對置的軌道91A、91E之間在移動方向 N極與S極的位置一致。另外，對于相鄰的軌道91A與軌道91B的邊界部分、軌道91B與軌 道91C的邊界部分、軌道91C與軌道91D的邊界部分、以及軌道91D與軌道91E的邊界部分 是使該邊界部分的N極與S極直接接觸而形成的，因此在軌道91A、91B、91C、91D、91E的各 邊界部分產(chǎn)生強度更大的旋轉磁場。另外，在軌道91A、91B、91C、91D、91E的各邊界部分，最 好由以下形成，例如當中沒有不存在磁極的無磁化部分或非磁性部分，而使相鄰的該邊界 部分的N極與S極直接接觸，從而能夠產(chǎn)生強度更大的旋轉磁場。[第一實施形態(tài)的其它磁編碼器裝置的結構]上述形態(tài)都是構成磁編碼器裝置作為線性編碼器的例子，但也可以如圖13(a)、 (b)所示，構成旋轉編碼器。在這種情況下，如圖13(a)所示，只要在旋轉體的端面，構成磁 尺9使得軌道91沿圓周方向延伸，使磁傳感器裝置1的傳感器面250與這樣構成的軌道91 對置即可。另外，也可以如圖13(b)所示，在旋轉體的外周面構成磁尺9，使得軌道91沿圓 周方向延伸，使磁傳感器裝置1的傳感器面250與這樣構成的軌道91對置。另外，在上述形態(tài)中，是將本發(fā)明的磁傳感器裝置1用于以飽和靈敏度區(qū)域以上 的磁場強度來檢測旋轉磁場的方向的磁編碼器裝置，但也可以用于利用一定方向的磁場的 強弱來進行位置檢測的類型的磁編碼器裝置。另外，也可以構成作為以飽和靈敏度區(qū)域以 外的區(qū)域的磁場強度來檢測旋轉磁場的方向的類型。(第二實施形態(tài))以下，參照附圖，說明采用本發(fā)明的磁編碼器裝置、磁尺、以及磁尺的制造方法。[第二實施形態(tài)的實施例1](磁編碼器裝置的整體結構)圖14(A)、(B)分別為表示采用本發(fā)明的磁編碼器裝置的結構的說明圖、以及本發(fā) 明實施形態(tài)2的實施例1的磁編碼器裝置中的永磁體與磁阻元件的位置關系的說明圖。固14(A)所示的磁編碼器裝置1000是線性編碼器，使具有呈帶狀延伸的永磁體 2300的磁尺2000與磁傳感器裝置3000的底面(傳感器面)對置。永磁體2300如后所述， 具有沿長邊方向(磁傳感器裝置3000與永磁體2300的相對移動方向)N極和S極交替排 列的軌道。磁傳感器裝置3000例如具備由近似長方體形狀的鋁模鑄件形成的保持架3200、 覆蓋該保持架3200的開口的矩形蓋板3100、以及從保持架3200延伸的纜線9000。對保持 架3200在其側面形成纜線插通孔3900，從該纜線插通孔3900引出纜線9000。另外，在保持 架3200中，在與磁尺2000對置的位置，配置磁阻元件7500。因而，通過磁傳感器裝置3000 與永磁體2300 (磁尺2000)在永磁體2300的長邊方向上對置移動，能夠檢測出其對置位置 和對置速度。所以，例如，如果在車床或安裝裝置中，將磁尺2000及磁傳感器裝置3000中 的一方配置在固定體側，將另一方配置在移動體側，則能夠檢測出移動體相對于固定體的 移動速度和移動距離。另外，在本形態(tài)中，由于磁尺2000或磁傳感器裝置3000在長邊方向 進行移動，因此將磁尺2000的長邊方向稱為移動方向，將磁尺2000的短邊方向稱為寬度方 向。(磁傳感器裝置的結構)
圖15為表示采用本發(fā)明的磁編碼器裝置具有的磁阻元件的MR特性的圖形。另 外，本實施形態(tài)中的磁傳感器裝置3000的結構，由于可以采用與第一實施形態(tài)的圖2 (a) (C)、圖4、圖5 (a) (d)、圖6(a) (c)、圖7 (a) (c)所述的磁傳感器裝置相同的結構， 因此省略這里的詳細說明。磁阻元件7500具有如圖15所示的磁阻曲線(MR特性)，根據(jù)施加的磁通密度，磁 阻變化率相應變化。本形態(tài)的磁阻元件7500的磁阻變化率(MR比)RO為-2. 5%。因此， 根據(jù)永磁體2300產(chǎn)生的旋轉磁場，磁阻元件7500的磁阻變化率R從-0. 5% ( = RO X 0. 2) 變?yōu)?2. 5%時，使用它作為輸出信號。即，磁傳感器裝置3000在磁阻元件7500中檢測出相 對于從無磁場中的電阻值起的最大電阻變化率為20%以上的電阻變化的區(qū)域(圖15申用 箭頭X表示的區(qū)域)的磁場，并進行輸出。因而，在本形態(tài)中，即使是采用旋轉磁場檢測方 式，也不限于飽和靈敏度區(qū)域，而利用相當于在磁阻元件的磁阻曲線中、相對于從無磁場中 的電阻值起的最大電阻變化率的電阻變化率為20%以上的下底部分的飽和靈敏度區(qū)域及 準飽和靈敏度區(qū)域的磁場。另外，在本形態(tài)中，所謂“準飽和靈敏度區(qū)域”，是表示在磁阻元 件的磁阻曲線中、相對于從無磁場中的電阻值起的最大電阻變化率的電阻變化率為20 %以 上且直到飽和靈敏度區(qū)域為止的磁場的區(qū)域。(磁尺的結構)如圖14(A)所示，磁尺2000具有沿移動方向延伸的帶狀永磁體2300，在永磁體 2300的背面，固定了平板狀的襯底板2100 (襯底層)，在永磁體2300的表面，固定了帶狀的 保護板2200 (保護層)。襯底板2100的厚度為0. 5mm，例如由對表面施加了鉻酸鹽處理等 的防銹電鍍處理的拋光特殊帶鋼形成。另外，襯底板2100也可以由非磁性材料構成。保護 板2200是厚50 μ m的薄的SUS板，對表面使用由環(huán)氧樹脂等形成的涂料進行消光涂覆成黑 色。這樣，通過對保護板2200進行消光涂覆，能夠防止磁傳感器裝置3000誤操作。另外， 在永磁體2300的側面、而且在襯底板2100與保護板2200之間，充填密封劑2400并硬化。 利用該密封劑2400來保護永磁體2300的側面。作為密封劑2400，可以舉出有以含有甲硅 烷基的特殊聚合物為主成分的單質濕氣固化性粘接劑。如圖14(B)所示，永磁體2300排列多個沿移動方向N極及S極交替排列的軌道 2500，在本形態(tài)中，3列的軌道2500在寬度方向并列。這里，在相鄰的2個軌道2500A、2500B 之間，N極及S極的位置在移動方向偏移1個磁極的大小，在2個軌道2500B、2500C之間，N 極及S極的位置在移動方向偏移1個磁極的大小。因此，在2個軌道2500A、2500C之間，N 極及S極的位置在移動方向一致。另外，相鄰的軌道2500A與軌道2500B的邊界部分2520、 以及軌道2500B與軌道2500C的邊界部分2520，雖然最好由以下形成，例如當中沒有不存在 磁極的無磁化部分或非磁性部分，而使相鄰的該邊界部分2520的N極與S極直接接觸，但 如果能夠產(chǎn)生使磁傳感器裝置1能夠檢測出的強度大的旋轉磁場，則對相鄰的軌道2500A 與軌道2500B的邊界部分2520、以及軌道2500B與軌道2500C的邊界部分2520，當中也可 以有不存在磁極的無磁化部分或非磁性部分。在這樣構成的磁尺2000中，永磁體2300是磁極僅面對著正反方向的各向異性磁 體，在軌道2500A、2500B、2500C的寬度方向的邊緣部分2510，形成面內(nèi)方向的指向變化的 旋轉磁場。特別是，在相鄰的軌道2500A、2500B的邊界部分2520、以及相鄰的軌道2500B、 2500C的邊界部分2520，形成強度大的旋轉磁場。再有，在本形態(tài)中，相鄰的軌道2500A與軌道2500B的邊界部分2520、以及軌道2500B與軌道2500C的邊界部分2520，是使該邊界 部分2520的N極與S極直接接觸而形成的，因此在軌道2500A、2500B、2500C的邊界部分 2520，產(chǎn)生強度更大的旋轉磁場。另外，在本實施形態(tài)中，將永磁體2300的磁場的面內(nèi)方向 的指向對矩陣狀的每個微小區(qū)域進行了磁場分析，由于其結果與第一實施形態(tài)中所示的圖 3(a) (c)所述的說明圖相同，因此省略這里的詳細說明。因此，在本形態(tài)中，如圖14(B)所示，使配置在磁傳感器裝置3000的傳感器面5000 的磁阻元件7500與這些軌道2500A、2500B、2500C的邊界部分2520面對面，檢測出在軌道 2500A、2500B、2500C的端部(邊界部分2520)產(chǎn)生的旋轉磁場。這里，1個軌道2500的寬 度尺寸例如是1mm，磁阻元件7500的寬度尺寸例如是2mm。另外，由于磁阻元件7500位于 永磁體2300的寬度方向的中間位置，因此磁阻元件7500的寬度方向的一個端部7510位于 軌道2500A的寬度方向的中間位置，另一個端部7520位于軌道2500C的寬度方向的中間位 置。在本形態(tài)中，永磁體2300的厚度為Imm以上，最好為2mm以上，最大能積(B · H) max 為 1. 2MG0e(10kJ/m3)以上。(永磁體的厚度產(chǎn)生的影響)圖16(A)、(B)分別所示為采用本發(fā)明的磁尺具有的永磁體的最大能積及厚度與 內(nèi)插精度的關系的圖形、以及采用本發(fā)明的磁尺具有的永磁體的最大能積及厚度與磁滯的 關系的圖形。在本發(fā)明的實施例中，作為構成磁尺2000的永磁體2300，是采用最大能積(B -H) max為1. 2MG0e或1. 5MG0e、厚度為Imm或2mm的磁體原料，對各種情況，測定了磁尺2000 與磁傳感器裝置3000所具有的磁阻元件7500的間隙(Gap)設為0. 05mm、0. 10mm、0. 15mm、 0. 20mm時的內(nèi)插精度及磁滯。如圖16(A)所示，由于永磁體2300的厚度設為Imm或2mm，因此內(nèi)插精度小。另 外，若將永磁體2300的厚度為2mm的磁尺2000、與永磁體2300的厚度為Imm的磁尺2000 相比，則永磁體2300的厚度為2mm的磁尺2000的內(nèi)插精度小于永磁體2300的厚度為Imm 的磁尺2000。特別是，具有(B -H)max為1. 5MG0e、厚度為2mm的永磁體2300的磁尺2000， 與其它的磁尺2000相比，內(nèi)插精度最小。另外，隨著磁尺2000與磁阻元件7500的間隙加 寬，永磁體2300的厚度為Imm的磁尺2000與永磁體2300的厚度為2mm的磁尺2000相比， 內(nèi)插精度變大。另外，如圖16 (B)所示，永磁體2300的厚度為2mm的磁尺2000的磁滯小于永磁體 2300的厚度為Imm的磁尺2000。特別是，具有(B · H)max為1. 5MG0e、厚度為2mm的永磁 體2300的磁尺2000，與其它的磁尺2000相比，磁滯最小。另外，若將永磁體2300的厚度 為2mm的磁尺2000與永磁體2300的厚度為Imm的磁尺2000相比，則隨著磁尺2000與磁 阻元件7500的間隙加寬，永磁體2300的厚度為Imm的磁尺2000與永磁體2300的厚度為 2mm的磁尺2000相比，磁滯變大。在磁尺2000中，內(nèi)插精度越小，則檢測精度越好，另外，磁滯越小，則檢測精度越 好。因而，可以說，永磁體2300的厚度為2mm的磁尺2000與永磁體2300的厚度為Imm的 磁尺2000相比，檢測精度要好，其影響比(B · H)max的大小的影響要大。(磁尺2000的制造方法)
以下，參照圖14至圖17，說明磁尺2000的制造方法。圖17㈧ (E)為表示采用 本發(fā)明的磁尺的制造方法的說明示意圖。另外，在進行磁化時，采用在對磁體原料的一個面 配置磁化頭、而對另一個面配置磁軛的狀態(tài)下對磁化頭的磁化線圈進行通電的方法，或者 對磁體原料的兩個面配置磁化頭并對磁化線圈進行通電的方法，但在圖17中，省略磁化頭 的圖示。為了制造磁尺2000，首先，如圖17(A)所示，在磁體原料2600 (無磁化狀態(tài)的永磁 體2300)的背面，利用雙面膠帶等固定襯底板2100。接著，如圖17(B)所示，在第1磁化工 序中，通過對磁體原料2600使用磁化頭進行兩面磁化，沿磁體原料2600的長邊方向(移動 方向)形成N極與S極交替排列的1列的軌道2500’。接著，如圖17(C)所示，在第2磁化工序中，對磁體原料2600的一部分使用磁化頭 進行兩面磁化。利用該工序，在磁體原料2600的一部分上的磁化圖形重新磁化，完成形成 了 3列的軌道2500的永磁體2300。這里，永磁體2300是磁極僅面對著正反方向的各向異 性磁體。另外，軌道2500是3列的軌道2500(2500A、2500B、2500C)沿寬度方向并列而形成 的，而且，在相鄰的3列軌道2500A、2500B、2500C之間，N極及S極的位置是在長邊方向偏 移1個磁極的大小而形成。在第1磁化工序及第2磁化工序之后，如圖17(D)所示，在永磁體2300的表面上 固定保護板2200。然后，通過在永磁體2300的側面、而且在襯底板2100與保護板2200之 間，充填密封劑2400并使其硬化，得到圖17(E)所示的磁尺2000。另外，在本制造方法中，相鄰的軌道2500A與軌道2500B的邊界部分、以及軌道 2500B與軌道2500C的邊界部分，雖然是由以下形成的，例如當中沒有不存在磁極的無磁化 部分或非磁性部分，而使相鄰的該邊界部分的N極與S極直接接觸，但如果是能夠產(chǎn)生使得 圖14(A)的磁傳感器裝置3000能夠檢測出的強度大的旋轉磁場的程度，則該邊界部分當中 也可以有不存在磁極的無磁化部分或非磁性部分。(磁尺的其它制造方法)圖18(A) (D)為表示本發(fā)明中使用的磁尺的其它制造方法的說明示意圖，圖18 中也省略磁化頭的圖示。在本形態(tài)中，在制造磁尺2000時，首先，如圖18(A)所示，在磁體 原料2600 (無磁化狀態(tài)的永磁體2300)的背面，利用雙面膠帶等固定襯底板2100。接著， 如圖18(B)所示，在磁化工序中，通過對磁體原料2600使用磁化頭在兩面進行多極磁化，完 成具備3條軌道2500的永磁體2300。這里，永磁體2300是磁極僅面對著正反方向的各向 異性磁體。軌道2500是3列軌道2500 (2500A、2500B、2500C)沿寬度方向并列而形成的，而 且，在相鄰的3列軌道2500A、2500B、2500C之間，N極及S極的位置是在長邊方向偏移1個 磁極的大小而形成的。在磁化工序后，如圖18(C)所示，在永磁體2300的表面上固定保護板2200。然后， 通過在永磁體2300的側面、而且在襯底板2100與保護板2200之間，充填密封劑2400并使 其硬化，得到圖18(D)所示的磁尺2000。另外，在本制造方法中也同樣，在相鄰的軌道2500A與軌道2500B的邊界部分、以 及軌道2500B與軌道2500C的邊界部分，如果是能夠產(chǎn)生使得圖14(A)的磁傳感器裝置 3000能夠檢測出的強度大的旋轉磁場的程度，則該邊界部分當中也可以有不存在磁極的無 磁化部分或非磁性部分。
(第二實施形態(tài)的主要效果)如上所述，在本形態(tài)的磁編碼器裝置1000中，為了檢測出由磁尺2000形成的旋轉 磁場，即使以改善S/N比為目的而使磁傳感器裝置3000與磁尺200的間隙尺寸變窄，也能 夠穩(wěn)定得到正弦波分量。另外，在本發(fā)明中，由于將永磁體2300的厚度設定為Imm以上，最好為2mm，因此若 使用這樣的永磁體2300，則能夠得到能夠以高精度進行旋轉磁場檢測的磁場。由此，由于磁 阻元件7500能夠更確實檢測來自磁尺2000的信息，因此檢測精度高。另外，在本形態(tài)的磁編碼器裝置1000中，構成磁傳感器裝置3000的磁阻元件 7500的磁阻變化率(MR比)RO為-2. 5%，在磁阻元件7500的磁阻變化率R從-0. 5% (= ROX0. 2)變?yōu)?2. 5%時，使用它作為輸出信號。根據(jù)該結構，由于磁阻元件7500能夠更確 實地檢測來自磁尺2000的信息，因此檢測精度高。而且，在本形態(tài)中，由于使磁阻元件7500與軌道2500A、2500B、2500C的邊界部分 2520面對面，來檢測旋轉磁場，因此與使傳感器面垂直面對著永磁體2300的情況不同，能 夠避免在離開永磁體2300的位置磁場沒有達到準飽和靈敏度區(qū)域或飽和靈敏度區(qū)域的情 況，因此能夠提高磁編碼器裝置1000的檢測精度。再有另外，在本形態(tài)中，磁阻元件7500在寬度方向與3列軌道2500A、2500B、2500C 對置，而且，在磁阻元件7500的兩端部分對置的軌道2500A、2500C之間，移動方向的N極與 S極的位置一致。因此具有的優(yōu)點是，即使永磁體2300與磁阻元件7500的寬度方向的對置 位置產(chǎn)生偏移，檢測靈敏度也不變化。另外，在本形態(tài)中采用的結構是，磁阻元件7500的寬度方向的端部7510、7520分 別位于軌道2500A、2500C的寬度方向的中間的位置，但也可以采用下述結構，S卩，磁阻元件 7500的寬度尺寸大于永磁體2300的寬度尺寸，磁阻元件7500的端部7510、7520露出在永 磁體2300的寬度方向外側。[第二實施形態(tài)的實施例2]以下，一面參照附圖，一面說明本發(fā)明的第二實施形態(tài)的實施例2。另外，由于本實 施例有關的形態(tài)的磁編碼器裝置中的永磁體2300與磁阻元件7500的平面位置關系、與第 一實施形態(tài)的圖8所示的磁尺9(永磁體)與磁阻元件25的平面位置關系相同，因此使用 圖8來說明本實施例。在第二實施形態(tài)的實施例1中，軌道數(shù)為3列，但也可以采用以下結構，如圖8所 示，設軌道數(shù)為2列，在相鄰的2個軌道91A、91B之間，N極與S極的位置在移動方向偏移1 個磁極的大小從而構成磁尺9，使配置在磁傳感器裝置1的傳感器面250的磁阻元件25與 這樣的軌道91A、91B的邊界部分912面對面。這里，由于配置在傳感器面250的磁阻元件 25位于磁尺9(永磁體)的寬度方向的中間位置，因此磁阻元件25的寬度方向的一個端部 252位于2個軌道91A、9IB中的一個軌道9IA的寬度方向的中間位置，另一個端部251位于 另一個軌道91B的寬度方向的中間位置。另外，在這樣構成的磁編碼器裝置100中，將磁尺9(永磁體)的磁場的面內(nèi)方向 的指向對矩陣狀的每個微小區(qū)域進行了磁場分析，由于其結果與第一實施形態(tài)所示的圖 9(a) (c)所述的說明圖相同，因此省略這里的詳細說明，但在這樣構成的情況下，也能夠 用與第一實施形態(tài)所示的磁傳感器裝置1同樣的圖14(A)所示的磁傳感器裝置3000來檢
19測在相鄰的2個軌道91A、91B的邊界部分912產(chǎn)生的旋轉磁場。[第二實施形態(tài)的實施例3]以下，一面參照附圖，一面說明本發(fā)明的第二實施形態(tài)的實施例3。另外，由于本 實施例的形態(tài)的磁編碼器裝置中的永磁體2300與磁阻元件7500的平面位置關系、與第一 實施形態(tài)的圖12所示的磁尺9 (永磁體)與磁阻元件25的平面位置關系相同，因此使用圖 12來說明本實施例。在第二實施形態(tài)的實施例1中，軌道數(shù)為3列，但也可以采用以下結構，如圖12所 示，配置在傳感器面250的磁阻元件25在寬度方向與5列的軌道91A、91B、91C、91D、91E對 置，而且，在配置于傳感器面250的磁阻元件25的兩端部分251、252對置的軌道91A、91E 之間，移動方向的N極與S極的位置一致。在這樣構成的情況下，也與第二實施形態(tài)的實施 例1相同，具有的優(yōu)點是，即使圖14(A)所示的永磁體2300與磁傳感器裝置3000的寬度方 向的對置位置產(chǎn)生偏移，檢測靈敏度也不變化。[第二實施形態(tài)的實施例4]以下，一面參照附圖，一面說明本發(fā)明的第二實施形態(tài)的實施例4。圖19為表示本 發(fā)明的第二實施形態(tài)的實施例4的磁編碼器裝置中永磁體2300與磁傳感器裝置3000的平 面位置關系的說明圖。在第二實施形態(tài)的實施例1 3中，在相鄰的2個軌道之間，N極與S極的位置 在移動方向偏移1個磁極的大小，但也可以是以下結構，如圖19所示，在相鄰的2個軌道 2500A.2500B之間，N極與S極的位置在移動方向僅偏移1/2個磁極的大小。在這樣構成的 情況下，可以用圖14(A)所示的磁傳感器裝置3000來檢測在相鄰的2個軌道2500A、2500B 的邊界部分2520產(chǎn)生的旋轉磁場。[第二實施形態(tài)的實施例5]以下，一面參照附圖，一面說明本發(fā)明的第二實施形態(tài)的實施例5。另外，由于本實 施例有關的形態(tài)的磁編碼器裝置中的永磁體2300與磁阻元件7500的平面位置關系、與第 一實施形態(tài)的圖10所示的磁尺9 (永磁體)與磁阻元件25的平面位置關系相同，因此使用 圖10來說明本實施例。在第二實施形態(tài)的實施例1中，軌道數(shù)為3列，但在本實施例5中，如圖10所示， 形成1列的軌道91。另外，在磁尺9(永磁體)中，參照第一實施形態(tài)的圖11如后所述，在 軌道91的寬度方向的邊緣部分911，形成面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁場。因此，在本實施例中，使磁傳感器裝置1的傳感器面250 (磁阻元件25)與該軌道 91的邊緣部分911面對面。這里，軌道91的寬度尺寸例如為1mm，傳感器面250 (磁阻元件 25)寬度尺寸例如為2mm。另外，由于軌道91位于傳感器面250 (磁阻元件25)寬度方向的 中間位置，因此傳感器面250的寬度方向的端部250、251(磁阻元件25的寬度方向的端部) 露出在軌道91的寬度方向外側。在這樣構成的磁編碼器裝置100中，將磁尺9(永磁體)的磁場的面內(nèi)方向的指向 對矩陣狀的每個微小區(qū)域進行了磁場分析，由于其結果與第一實施形態(tài)所示的圖11(a) (c)所述的說明圖相同，因此省略這里的詳細說明，但在這樣構成的情況下也同樣，在軌道 91的寬度方向的邊緣部分911，如用圓L包圍的區(qū)域，形成面內(nèi)方向的指向變化的旋轉磁 場。
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因而，在本形態(tài)的磁編碼器裝置100中，能夠用圖14 (A)所示的磁傳感器裝置3000 檢測在軌道91的邊緣部分911形成的旋轉磁場，并根據(jù)其結果，能夠檢測出磁傳感器裝置 3000與永磁體2300的對置移動速度和對置移動距離。[第二實施形態(tài)的其它實施形態(tài)]圖20(A) (D)分別為由采用本發(fā)明的磁編碼器裝置構成旋轉編碼器時的說明 圖。上述第二實施形態(tài)的實施例1 5都是構成磁編碼器裝置作為線性編碼器的例 子，但也可以如圖20㈧ ⑶所示，利用磁編碼器裝置1000構成旋轉編碼器。在這種情況 下，如圖20(A)、(B)所示，只要在旋轉體1100的端面1010，使得軌道2500沿圓周方向延伸 而構成永磁體2300，使配置在磁傳感器裝置3000的傳感器面的磁阻元件7500與這樣構成 的軌道2500對置即可。另外，也可以如圖20 (C)、(D)所示，在旋轉體1100的外周面1020， 使得軌道2500沿圓周方向延伸而構成永磁體2300，使配置在磁傳感器裝置3000的傳感器 面的磁阻元件7500與這樣構成的軌道2500對置。
權利要求
一種磁尺的制造方法，所述磁尺具備N極與S極交替排列的軌道在寬度方向并列多條軌道、并在相鄰的軌道之間N極與S極的位置在所述軌道的相對移動方向偏移的永磁體，其特征在于，包括對應該構成所述永磁體的磁體原料磁化以使N極與S極在所述軌道的相對移動方向交替排列的第1磁化工序；以及使相鄰的軌道之間的N極與S極的位置在所述軌道的相對移動方向偏移、將在所述第1磁化工序中賦予所述磁體原料的磁極的一部分重新磁化的第2磁化工序。
2.如權利要求1所述的磁尺的制造方法，其特征在于，在對所述磁體原料進行磁化時，進行磁極僅面對著該磁體原料的正反方向的各向異性磁化。
3.如權利要求1所述的磁尺的制造方法，其特征在于，在所述磁體原料的背面重疊襯底層之后，對該磁體原料進行所述磁化工序，形成所述 永磁體，在進行了該磁化工序之后，在所述永磁體的表面形成保護層。
4.一種磁尺的制造方法，所述磁尺具備N極與S極交替排列的軌道在寬度方向并列多 條軌道、并在相鄰的軌道之間的N極與S極的位置在所述軌道的相對移動方向偏移的永磁 體，其特征在于，包括對應該構成所述永磁體的磁體原料配置磁化頭進行多極磁化，以使在所述永磁體的寬 度方向，使N極的位置與S極的位置在相對移動方向偏移的磁化工序。
5.如權利要求4所述的磁尺的制造方法，其特征在于，在對所述磁體原料進行磁化時，進行磁極僅面對著該磁體原料的正反方向的各向異性磁化。
6.如權利要求4所述的磁尺的制造方法，其特征在于，在所述磁體原料的背面重疊襯底層之后，對該磁體原料進行所述磁化工序，形成所述 永磁體，在進行了該磁化工序之后，在所述永磁體的表面形成保護層。
全文摘要
提供一種磁尺的制造方法和一種即使磁傳感器裝置與磁尺的間隙尺寸變化、也能夠得到高的檢測精度的磁編碼器裝置(100)，在該磁編碼器裝置(100)中，磁傳感器裝置(10)以飽和靈敏度區(qū)域以上的磁場強度檢測磁尺(9)表面的旋轉磁場，并檢測磁尺(9)的移動位置。在磁傳感器裝置(10)中，+a相磁阻圖形25(+a)、-a相磁阻圖形25(-a)、+b相磁阻圖形25(+b)、以及-b相磁阻圖形25(-b)，呈格子狀配置在1塊剛性基板10的同一面上，+a相磁阻圖形25(+a)與-a相磁阻圖形25(-a)形成于對角的位置，+b相磁阻圖形25(+b)與-b相磁阻圖形25(-b)形成于對角的位置。
文檔編號H01F41/02GK101936750SQ20101026091
公開日2011年1月5日 申請日期2007年3月5日 優(yōu)先權日2006年3月6日
發(fā)明者有賀英吉, 森山克也, 溝口敏夫, 王瀧輝彥, 野口直之 申請人:日本電產(chǎn)三協(xié)株式會社