專利名稱：：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地說(shuō)涉及半導(dǎo)體器件和在內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)的各部分之間形成空腔的方法。下部半導(dǎo)體管芯被安裝在空腔中以將短信號(hào)路徑提供給上部半導(dǎo)體管芯。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中通常會(huì)發(fā)現(xiàn)有半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件在電部件的數(shù)量和密度上有變化。分立的半導(dǎo)體器件一般包括一種電部件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號(hào)晶體管、電阻器、電容器、電感器、以及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0SFET)。集成半導(dǎo)體器件通常包括數(shù)百到數(shù)百萬(wàn)的電部件。集成半導(dǎo)體器件的實(shí)例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CCD)、太陽(yáng)能電池、以及數(shù)字微鏡器件(DMD)。半導(dǎo)體器件執(zhí)行多種功能，例如高速計(jì)算、發(fā)射和接收電磁信號(hào)、控制電子器件、將日光轉(zhuǎn)換成電、以及為電視顯示器生成可視投影。在娛樂(lè)、通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)、以及消費(fèi)品領(lǐng)域中有半導(dǎo)體器件的存在。在軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器、以及辦公設(shè)備中也有半導(dǎo)體器件的存在。半導(dǎo)體器件利用半導(dǎo)體材料的電特性。半導(dǎo)體材料的原子結(jié)構(gòu)允許通過(guò)施加電場(chǎng)或基極電流(basecurrent)或者通過(guò)摻雜工藝來(lái)操縱(manipulated)它的導(dǎo)電性。摻雜把雜質(zhì)引入半導(dǎo)體材料中以操縱和控制半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性。半導(dǎo)體器件包括有源和無(wú)源電結(jié)構(gòu)。有源結(jié)構(gòu)(包括雙極和場(chǎng)效應(yīng)晶體管)控制電流的流動(dòng)。通過(guò)改變摻雜水平并且施加電場(chǎng)或基極電流，晶體管促進(jìn)或限制電流的流動(dòng)。無(wú)源結(jié)構(gòu)(包括電阻器、電容器、和電感器)產(chǎn)生執(zhí)行多種電功能所必需的電壓和電流之間的關(guān)系。無(wú)源和有源結(jié)構(gòu)被電連接以形成電路，所述電路能夠使半導(dǎo)體器件執(zhí)行高速計(jì)算和其它有用的功能。通常利用兩個(gè)復(fù)雜的制造工藝來(lái)制造半導(dǎo)體器件，即前端制造和后端制造，每個(gè)可能包括數(shù)百個(gè)步驟。前端制造包括在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)管芯。每個(gè)管芯通常相同并且包括通過(guò)電連接有源和無(wú)源部件形成的電路。后端制造包括從已完成的晶片單體化(singulating)單個(gè)管芯并且封裝管芯以提供結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。半導(dǎo)體制造的一個(gè)目標(biāo)是制造更小的半導(dǎo)體器件。更小的半導(dǎo)體器件通常消耗更少功率、具有更高的性能、并且能夠被更有效地制造。另外，更小的半導(dǎo)體器件具有更小的占地面積(footprint)，其對(duì)于更小的最終產(chǎn)品而言是期望的。通過(guò)改善導(dǎo)致產(chǎn)生具有更小、更高密度的有源和無(wú)源部件的管芯的前端工藝可以實(shí)現(xiàn)更小的管芯尺寸。通過(guò)改善電互連和封裝材料，后端工藝可以產(chǎn)生具有更小占地面積的半導(dǎo)體器件封裝?？梢岳脤?dǎo)電直通硅通路(TSV)、直通孔通路(THV)、或鍍銅導(dǎo)電柱實(shí)現(xiàn)包含堆疊于多級(jí)之上的半導(dǎo)體器件的扇出型晶片級(jí)芯片規(guī)模封裝(F0-WLCSP)中的電互連。利用激光鉆孔或深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)在管芯周圍的硅或有機(jī)材料中形成通路。例如使用電鍍工藝通過(guò)銅沉積，利用導(dǎo)電材料來(lái)填充所述通路，以形成導(dǎo)電TSV和THV。所述TSV和THV進(jìn)一步通過(guò)跨越每個(gè)半導(dǎo)體管芯形成的內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)連接。在例如在通信應(yīng)用中使用的高速半導(dǎo)體器件中，堆疊半導(dǎo)體管芯需要以快速和有效的方式通信。在常規(guī)F0-WLCSP中，堆疊管芯之間的信號(hào)必須通過(guò)內(nèi)建互連層、以及TSV和THV被路由(routed)，這引起長(zhǎng)的信號(hào)路徑。更長(zhǎng)的信號(hào)路徑降低F0-WLCSP的操作速度。另外，即使在不用于信號(hào)路由的區(qū)域中，內(nèi)建互連層也跨越每個(gè)半導(dǎo)體管芯形成，這不必要地增加了制造材料和成本。
發(fā)明內(nèi)容在F0-WLCSP中存在對(duì)高速垂直互連結(jié)構(gòu)的需要。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明是包括以下步驟的制造半導(dǎo)體器件的方法提供臨時(shí)載體，安裝第一半導(dǎo)體管芯并且它的有源表面面向所述臨時(shí)載體，在第一半導(dǎo)體管芯和臨時(shí)載體上沉積密封劑，除去臨時(shí)載體以暴露密封劑的第一側(cè)和第一半導(dǎo)體管芯的有源表面，在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成掩蔽層，以及在密封劑的第一側(cè)上形成第一互連結(jié)構(gòu)。所述掩蔽層阻擋在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)。所述方法進(jìn)一步包括以下步驟除去掩蔽層以在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成空腔，以及在空腔中安裝第二半導(dǎo)體管芯。第二半導(dǎo)體管芯被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明是包括以下步驟的制造半導(dǎo)體器件的方法提供臨時(shí)載體，安裝第一半導(dǎo)體管芯并且它的有源表面面向所述臨時(shí)載體，在第一半導(dǎo)體管芯和臨時(shí)載體上沉積密封劑，除去臨時(shí)載體以暴露密封劑的第一側(cè)，在密封劑的第一側(cè)上形成第一互連結(jié)構(gòu)而不覆蓋第一半導(dǎo)體管芯的有源表面，以及在第一互連結(jié)構(gòu)的各部分之間的第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上安裝半導(dǎo)體部件。所述半導(dǎo)體部件被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明是包括以下步驟的制造半導(dǎo)體器件的方法提供第一半導(dǎo)體管芯，在第一半導(dǎo)體管芯上沉積密封劑，在密封劑上形成第一互連結(jié)構(gòu)而不覆蓋第一半導(dǎo)體管芯的有源表面，以及在第一互連結(jié)構(gòu)的各部分之間的第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上安裝半導(dǎo)體部件。所述半導(dǎo)體部件被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明是包括第一半導(dǎo)體管芯和沉積在第一半導(dǎo)體管芯上的密封劑的半導(dǎo)體器件。第一互連結(jié)構(gòu)形成在密封劑上而不覆蓋第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。半導(dǎo)體部件被安裝在第一互連結(jié)構(gòu)的各部分之間的第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上。所述半導(dǎo)體部件被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。圖1示出具有安裝到其表面的不同類型封裝的PCB；圖2a_2c示出安裝到所述PCB的典型半導(dǎo)體封裝的更多細(xì)節(jié)；圖3a_3g示出在內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)的各部分之間形成空腔用于上部和下部堆疊管芯之間的短信號(hào)路徑的工藝；圖4示出具有在上部和下部堆疊半導(dǎo)體管芯之間的短信號(hào)路徑的F0-WLCSP；圖5示出被暴露的上部半導(dǎo)體管芯的后表面；圖6示出通過(guò)上部半導(dǎo)體管芯形成的TSV；圖7示出在下部半導(dǎo)體管芯周圍形成的密封劑；圖8示出形成在上部半導(dǎo)體管芯上的TIM和熱沉；圖9示出通過(guò)形成在上部半導(dǎo)體管芯上的TIM和熱沉形成的TSV；圖10示出形成在下部半導(dǎo)體管芯周圍的EMI屏蔽層；圖11示出被安裝在空腔中并且被附著到上部管芯的分立半導(dǎo)體部件；圖12示出在上部半導(dǎo)體管芯上的另外的半導(dǎo)體管芯和頂側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)；圖13示出被安裝在空腔中并且被附著到上部半導(dǎo)體管芯的散熱器(heatspreader)；圖14a_14i示出在內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)中形成空腔用于上部和下部堆疊半導(dǎo)體管芯之間的短信號(hào)路徑的另一個(gè)工藝；以及圖15示出具有在上部和下部堆疊半導(dǎo)體管芯之間的短信號(hào)路徑的F0-WLCSP。具體實(shí)施例方式一般利用兩個(gè)復(fù)雜的制造工藝制造半導(dǎo)體器件前端制造和后端制造。前端制造包括在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)管芯。晶片上的每個(gè)管芯包括有源和無(wú)源電部件，所述有源和無(wú)源電部件被電連接以形成功能電路。有源電部件，例如晶體管和二極管，具有控制電流的流動(dòng)的能力。無(wú)源電部件，例如電容器、電感器、電阻器、和變壓器，產(chǎn)生執(zhí)行電路功能所必需的電壓和電流之間的關(guān)系。通過(guò)包括摻雜、沉積、光刻、刻蝕、和平面化的一系列工藝步驟在半導(dǎo)體晶片的表面上形成無(wú)源和有源部件。摻雜通過(guò)例如離子注入或熱擴(kuò)散的技術(shù)將雜質(zhì)引入到半導(dǎo)體材料中。所述摻雜工藝改變有源器件中的半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性，將半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變成絕緣體、導(dǎo)體，或響應(yīng)于電場(chǎng)或基極電流動(dòng)態(tài)改變半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性。晶體管包括有變化的摻雜類型和程度的區(qū)域，所述區(qū)域根據(jù)需要被設(shè)置為使晶體管能夠在施加電場(chǎng)或基極電流時(shí)促進(jìn)或限制電流的流動(dòng)。通過(guò)具有不同電特性的材料的層形成有源和無(wú)源部件。所述層可以通過(guò)部分地由被沉積的材料的類型決定的多種沉積技術(shù)形成。例如，薄膜沉積可以包括化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、電解電鍍、以及無(wú)電電鍍(electrolessplating)工藝。每個(gè)層通常被圖案化以形成有源部件、無(wú)源部件、或部件之間的電連接的各部分?？梢岳霉饪虉D案化所述層，所述光刻包括在將被圖案化的層上沉積光敏材料，例如光致抗蝕劑。利用光將圖案從光掩模轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑。利用溶劑將經(jīng)受光的光致抗蝕劑圖案部分除去，暴露將被圖案化的下層的各部分。光致抗蝕劑的剩余物被除去，留下被圖案化的層。可替換地，利用例如無(wú)電電鍍或電解電鍍的技術(shù)通過(guò)直接將材料沉積到通過(guò)先前的沉積/刻蝕工藝形成的區(qū)域或空隙中來(lái)圖案化一些類型的材料。在現(xiàn)有圖案上沉積材料的薄膜可能會(huì)放大下面的圖案并且引起不均勻的平面。需要均勻的平面來(lái)制造更小和更密集包裝的有源和無(wú)源部件?？梢岳闷矫婊瘡木谋砻娉ゲ牧虾椭圃炀鶆蚱矫?。平面化包括利用拋光墊拋光晶片的表面。在拋光期間，磨料和腐蝕性化學(xué)品被添加到晶片的表面。組合的磨料機(jī)械作用和化學(xué)品腐蝕作用除去了任何不規(guī)則的表面形貌(topography)，產(chǎn)生均勻的平面。后端制造指的是將已完成的晶片切割或單體化成單個(gè)管芯，并且然后封裝管芯用于結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。為單體化管芯，沿被叫做劃片街區(qū)(sawstreet)或劃線的晶片非功能區(qū)域刻劃和斷開(kāi)所述晶片。利用激光切割工具或鋸條來(lái)單體化晶片。在單體化之后，單個(gè)管芯被安裝到封裝襯底，所述封裝襯底包括用來(lái)與其它系統(tǒng)部件互連的引腳或接觸焊盤。形成在半導(dǎo)體管芯上的接觸焊盤然后被連接到封裝內(nèi)的接觸焊盤?？梢岳煤噶贤箟K、柱形凸塊(studbump)、導(dǎo)電膠、或線結(jié)合(wirebond)來(lái)制作電連接。密封劑或其它成型材料被沉積到封裝上以提供物理支撐和電隔離。已完成的封裝然后被插入電系統(tǒng)中并且半導(dǎo)體器件的功能可以用到其它系統(tǒng)部件。圖1示出具有芯片載體襯底或印刷電路板(PCB)52的電子器件50，所述芯片載體襯底或印刷電路板(PCB)52具有多個(gè)安裝在它的表面上的半導(dǎo)體封裝。電子器件50可以具有一種半導(dǎo)體封裝、或多種半導(dǎo)體封裝，這取決于應(yīng)用。為了說(shuō)明的目的，在圖1中示出不同類型的半導(dǎo)體封裝。電子器件50可以是利用半導(dǎo)體封裝來(lái)執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)電功能的獨(dú)立系統(tǒng)。可替換地，電子器件50可以是更大系統(tǒng)的子部件。例如，電子器件50可以是能被插入計(jì)算機(jī)中的圖形卡、網(wǎng)絡(luò)接口卡、或其它信號(hào)處理卡。半導(dǎo)體封裝可以包括微處理器、存儲(chǔ)器、專用集成電路(ASIC)、邏輯電路、模擬電路、RF電路、分立器件、或其它半導(dǎo)體管芯或電部件。在圖1中，PCB52提供普通的襯底用于安裝在PCB上的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)支撐和電互連。利用蒸發(fā)、電解電鍍、無(wú)電電鍍、絲網(wǎng)印刷、或其它合適的金屬沉積工藝將導(dǎo)電信號(hào)跡線(trace)54形成在PCB52的表面上或各層內(nèi)。信號(hào)跡線54提供半導(dǎo)體封裝、安裝的部件、以及其它外部系統(tǒng)部件中的每一個(gè)之間的電通信。跡線54也將電源和地連接提供給半導(dǎo)體封裝中的每一個(gè)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以具有兩個(gè)封裝級(jí)。第一級(jí)封裝是用來(lái)將半導(dǎo)體管芯以機(jī)械和電的方式附著到中間載體的技術(shù)。第二級(jí)封裝包括將所述中間載體以機(jī)械和電的方式附著到PCB。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以僅具有第一級(jí)封裝，其中管芯被以機(jī)械和電的方式直接安裝到PCB。為了說(shuō)明的目的，幾種第一級(jí)封裝，包括線結(jié)合封裝56和倒裝芯片58，被示出在PCB52上。另外，幾種第二級(jí)封裝，包括球柵陣列(BGA)60、凸塊芯片載體(BCC)62、雙列直插式封裝(DIP)64、岸面柵格陣列(landgridarray，LGA)66、多芯片模塊(MCM)68、四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝(quadflatnon-leadedpackage，QFN)70、以及四側(cè)扁平封裝72被示出安裝在PCB52上。根據(jù)系統(tǒng)要求，利用第一和第二級(jí)封裝形式的任何組合配置的半導(dǎo)體封裝的任何組合、以及其它電子部件，可以被連接到PCB52。在一些實(shí)施例中，電子器件50包括單個(gè)附著的半導(dǎo)體封裝，雖然其它實(shí)施例要求多互連封裝。通過(guò)在單個(gè)襯底上組合一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體封裝，制造商可以將預(yù)先制作的部件并入電子器件和系統(tǒng)中。因?yàn)樗霭雽?dǎo)體封裝包括復(fù)雜功能，所以可以利用更便宜的部件和流水線制造工藝來(lái)制造電子器件。所得到的器件較少可能失效并且制造起來(lái)花費(fèi)較少，對(duì)用戶而言導(dǎo)致更低的成本。圖2a_2c示出示范性半導(dǎo)體封裝。圖2a示出安裝在PCB52上的DIP64的更多細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯74包括包含模擬或數(shù)字電路的有源區(qū)，所述模擬或數(shù)字電路被實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)形成在管芯內(nèi)并且被電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器、以及形成在半導(dǎo)體管芯74的有源區(qū)內(nèi)的其它電路元件。接觸焊盤76是導(dǎo)電材料(例如鋁(AL)、銅(Cu)、錫(Sn)、鎳(Ni)、金(Au)、或銀(Ag))的一個(gè)或多個(gè)層，并且電連接到形成在半導(dǎo)體管芯74內(nèi)的電路元件。在DIP64的組裝期間，利用金硅共晶層或粘附材料(例如熱的環(huán)氧樹(shù)脂)將半導(dǎo)體管芯74安裝到中間載體78。封裝體包括絕緣封裝材料，例如聚合物或陶瓷。導(dǎo)體引線80和線結(jié)合82在半導(dǎo)體管芯74和PCB52之間提供電互連。密封劑84被沉積在封裝上用于通過(guò)防止?jié)駳馀c粒子進(jìn)入所述封裝以及污染管芯74或線結(jié)合82來(lái)進(jìn)行環(huán)境保護(hù)。圖2b示出安裝在PCB52上的BCC62的更多細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯88利用底層填料(underfill)或環(huán)氧樹(shù)脂粘附材料92被安裝到載體90上。線結(jié)合94在接觸焊盤96和98之間提供第一級(jí)包裝(packing)互連。模塑料或密封劑100被沉積在半導(dǎo)體管芯88和線結(jié)合94上以為所述器件提供物理支撐和電隔離。接觸焊盤102利用電解電鍍或無(wú)電電鍍這樣合適的金屬沉積形成在PCB52的表面上以防止氧化。接觸焊盤102電連接到PCB52中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電信號(hào)跡線54。凸塊104被形成在BCC62的接觸焊盤98與PCB52的接觸焊盤102之間。在圖2c中，利用倒裝芯片型第一級(jí)封裝將半導(dǎo)體管芯58面朝下地安裝到中間載體106。半導(dǎo)體管芯58的有源區(qū)108包含模擬或數(shù)字電路，所述模擬或數(shù)字電路被實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)形成的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器、以及在有源區(qū)108內(nèi)的其它電路元件。半導(dǎo)體管芯58通過(guò)凸塊110被電連接和機(jī)械連接到載體106。BGA60利用凸塊112電連接和機(jī)械連接到具有BGA型第二級(jí)封裝的PCB52。半導(dǎo)體管芯58通過(guò)凸塊110、信號(hào)線114、以及凸塊112電連接到導(dǎo)電信號(hào)跡線54。模塑料或密封劑116被沉積在半導(dǎo)體管芯58和載體106上以為所述器件提供物理支撐和電隔離。倒裝芯片半導(dǎo)體器件提供從半導(dǎo)體管芯58上的有源器件到PCB52上的導(dǎo)電軌跡的短導(dǎo)電路徑以便減小信號(hào)傳播距離、降低電容、并且改善總的電路性能。在另一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯58可以在沒(méi)有中間載體106的情況下利用倒裝芯片型第一級(jí)封裝被以機(jī)械和電的方式直接連接到PCB52。相對(duì)于圖1和2a_2c，圖3a_3g示出在FO-WLCSP中在內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)的各部分之間形成空腔用于上部和下部堆疊半導(dǎo)體管芯之間的短信號(hào)路徑的工藝。在圖3a中，晶片形式的襯底或載體120包括臨時(shí)或犧牲基底材料，例如硅、聚合物、聚合物復(fù)合材料、金屬、陶瓷、玻璃、玻璃纖維環(huán)氧樹(shù)脂、氧化鈹、或用于結(jié)構(gòu)支撐的其它合適的低成本、剛性材料或體半導(dǎo)體材料。載體120也可以是帶(tape)。在一個(gè)實(shí)施例中，載體120的直徑是20.3厘米(cm)。可以在載體120上形成可選界面層122作為臨時(shí)結(jié)合膜或腐蝕停層。半導(dǎo)體管芯或部件124利用面朝下向著載體120的有源表面128上的接觸焊盤126被安裝到界面層122。有源表面128包括模擬或數(shù)字電路，所述模擬或數(shù)字電路被實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能形成在管芯內(nèi)并且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、和形成在有源表面128內(nèi)的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)模擬電路或數(shù)字電路，例如數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、ASIC、存儲(chǔ)器、或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯124也可以包括IPD，例如電感器、電容器、和電阻器，用于RF信號(hào)處理。典型的RF系統(tǒng)需要在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體封裝中的多個(gè)IPD以執(zhí)行必要的電功能。在圖3b中，利用漿料印刷(pasteprinting)、壓縮模塑、傳遞模塑、液體密封劑模塑、真空層壓、或其它合適的施加器(applicator)將密封劑或模塑料130沉積在半導(dǎo)體管芯124上。密封劑130可以是聚合物復(fù)合材料，例如具有填充物的環(huán)氧樹(shù)脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或具有合適填充物的聚合物。密封劑130不導(dǎo)電并且在環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物的影響。在圖3c中，通過(guò)化學(xué)腐蝕、機(jī)械剝離、CMP、機(jī)械研磨、熱烘、激光掃描、或濕法脫模(wetstripping)來(lái)除去載體120和可選界面層122。掩蔽層132被形成在接觸焊盤126之間的有源表面128上。在圖3d中，底側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134形成在半導(dǎo)體管芯124和密封劑130上。內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134包括絕緣或鈍化層136，所述絕緣或鈍化層136包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化鋁(Al2O3)、或具有類似絕緣和結(jié)構(gòu)特性的其它材料的一個(gè)或多個(gè)層。利用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)、或熱氧化來(lái)形成絕緣層136。底側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134進(jìn)一步包括利用圖案化和金屬沉積工藝(例如PVD、CVD,濺射、電解電鍍、和無(wú)電電鍍(electrolessplating))形成在絕緣層136中的導(dǎo)電層138。導(dǎo)電層138可以是Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、或其它合適的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)層。導(dǎo)電層138的一部分被電連接到半導(dǎo)體管芯124的接觸焊盤126。導(dǎo)電層138的其它部分可以根據(jù)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和功能是電共有的(electricallycommon)或被電隔離。掩蔽層132阻擋在半導(dǎo)體管芯124的有源表面128上形成內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134。在圖3e中，掩蔽層132被除去，留下了空腔140，這從半導(dǎo)體管芯124的底側(cè)暴露有源表面128。在圖3f中，半導(dǎo)體管芯或部件142利用面向上的接觸焊盤144在內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134的各部分之間的空腔140內(nèi)被安裝到有源表面128上的接觸焊盤。凸塊146提供接觸焊盤144和有源表面128之間的電連接。半導(dǎo)體管芯142包括包含模擬或數(shù)字電路的有源表面，所述模擬或數(shù)字電路被實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能形成在管芯內(nèi)并且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、和形成在有源表面內(nèi)的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)模擬電路或數(shù)字電路，例如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器、或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯142也可以包括IPD，例如電感器、電容器、和電阻器，用于RF信號(hào)處理。典型的RF系統(tǒng)需要在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體封裝中的多個(gè)IPD以執(zhí)行必要的電功能。利用蒸發(fā)、電解電鍍、無(wú)電電鍍、球滴(balldrop)、或絲網(wǎng)印刷工藝將導(dǎo)電凸塊材料沉積到內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134上并且電連接到導(dǎo)電層138。所述凸塊材料可以是Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料、及其組合，連同可選的焊劑溶液一起。例如，所述凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料、或無(wú)鉛焊料。利用合適的附著或結(jié)合工藝將所述凸塊材料結(jié)合到導(dǎo)電層138。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將所述凸塊材料加熱到它的熔點(diǎn)以上，所述凸塊材料回流以形成球形球或凸塊148。在一些應(yīng)用中，凸塊148二次回流以改善到導(dǎo)電層138的電接觸。所述凸塊也可以被壓縮結(jié)合到導(dǎo)電層138。凸塊148表示一種可以形成在導(dǎo)電層138上的互連結(jié)構(gòu)。所述互連結(jié)構(gòu)也可以使用結(jié)合線(bondwire)、柱形凸塊(studbump)、微凸塊、或其它電互連。在圖3g中，底層填料材料150(例如環(huán)氧樹(shù)脂)被沉積到半導(dǎo)體管芯124和142之間。利用鋸條或激光切割裝置152將半導(dǎo)體管芯124單體化(singulate)成單個(gè)半導(dǎo)體器件。圖4示出單體化之后的FO-WLCSP154。半導(dǎo)體管芯142被安裝在利用掩蔽層132形成在底側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134的各部分之間的空腔140中。半導(dǎo)體管芯124和142利用凸塊146電互連。通過(guò)將半導(dǎo)體管芯142放置在空腔140中，管芯之間的間隔被減小，導(dǎo)致短且有效的信號(hào)路徑以改善電性能并且提高FO-WLCSP154的操作速度。半導(dǎo)體管芯142(包括凸塊146)的高度小于凸塊148的高度。利用以上新穎的制造工藝和結(jié)構(gòu)，F(xiàn)O-WLCSP154的總高度被減小。在圖5中，通過(guò)刻蝕工藝除去密封劑130的一部分以暴露半導(dǎo)體管芯124的后表面156。在圖6中，通過(guò)刻蝕工藝除去密封劑130的一部分以暴露半導(dǎo)體管芯124的后表面156。利用激光鉆孔或刻蝕工藝，例如DRIE，通過(guò)半導(dǎo)體管芯124形成多個(gè)通路。使用PVD、CVD、電解電鍍、無(wú)電電鍍工藝、或其它合適的金屬沉積工藝，利用Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、鈦(Ti)、W、多晶硅、或其它合適的導(dǎo)電材料來(lái)填充所述通路，以形成導(dǎo)電TSV158。TSV158可以在將管芯安裝到圖3a中的界面層122之前形成在半導(dǎo)體管芯124中。TSV158可以根據(jù)管芯的設(shè)計(jì)電互連。圖7示出利用漿料印刷、壓縮模塑、傳遞模塑、液體密封劑模塑、真空層壓、或其它合適的施加器沉積在半導(dǎo)體管芯142之上以及周圍的密封劑或模塑料160。密封劑160可以是聚合物復(fù)合材料，例如具有填充物的環(huán)氧樹(shù)脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或具有合適填充物的聚合物。密封劑160不導(dǎo)電并且在環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物的影響。在圖8中，密封劑130的一部分被除去以暴露半導(dǎo)體管芯124的后表面156。在與有源表面128相對(duì)的半導(dǎo)體管芯124的后表面156上沉積熱界面材料(TIM)162。TIM162可以是氧化鋁、氧化鋅、氮化硼、或粉狀銀。熱沉164被安裝在TIM162和密封劑130上。熱沉164可以是Al、Cu、或具有高熱導(dǎo)率的另外的材料，以為半導(dǎo)體管芯124提供熱耗散。TIM162幫助散布和耗散由半導(dǎo)體管芯124產(chǎn)生的熱。在圖9中，通過(guò)刻蝕工藝除去密封劑130的一部分以暴露半導(dǎo)體管芯124的后表面156。利用激光鉆孔或刻蝕工藝，例如DRIE，通過(guò)半導(dǎo)體管芯124形成多個(gè)通路。使用PVD、CVD、電解電鍍、無(wú)電電鍍工藝、或其它合適的金屬沉積工藝，利用Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、W、多晶硅、或其它合適的導(dǎo)電材料來(lái)填充所述通路，以形成導(dǎo)電TSV170。TSV170可以在將管芯安裝到圖3a中的界面層122之前形成在半導(dǎo)體管芯124中。TSV170可以根據(jù)管芯的設(shè)計(jì)電互連。在與有源表面128相對(duì)的半導(dǎo)體管芯124的后表面156上沉積TIM172。TIM172可以是氧化鋁、氧化鋅、氮化硼、或粉狀銀。熱沉174被安裝在TIM172和密封劑130上。熱沉174可以是Al、Cu、或具有高熱導(dǎo)率的另外的材料，以為半導(dǎo)體管芯124提供熱耗散。TIM172幫助散布和耗散由半導(dǎo)體管芯124產(chǎn)生的熱。圖10示出形成在半導(dǎo)體管芯142上的屏蔽層176。屏蔽層176可以是Cu、Al、鐵氧體或羰基鐵(carbonyliron)、不銹鋼、鎳銀、低碳鋼、硅鐵鋼、箔、環(huán)氧樹(shù)脂、導(dǎo)電樹(shù)脂、以及能夠阻擋或吸收電磁干擾(EMI)、射頻干擾(RFI)、和其它器件之間的干擾的其它金屬和復(fù)合物。屏蔽層176也可以是非金屬材料(例如碳黑)或鋁片(aluminumflake)，以減小EMI和RFI的影響。屏蔽層176通過(guò)導(dǎo)電層178到凸塊148而接地。圖11示出被安裝到空腔140中的有源表面128上的接觸焊盤的無(wú)源部件180。無(wú)源部件180可以是電阻器、電容器、電感器、或分立的有源器件。在圖12中，利用激光鉆孔或刻蝕工藝，例如DRIE，通過(guò)密封劑130形成多個(gè)通路。使用PVD、CVD、電解電鍍、無(wú)電電鍍工藝、或其它合適的金屬沉積工藝，利用Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、W、多晶硅、或其它合適的導(dǎo)電材料來(lái)填充所述通路，以形成導(dǎo)電THV182。可替換地，在沉積密封劑130之前在半導(dǎo)體管芯124的周圍形成導(dǎo)電柱182。通過(guò)下述步驟來(lái)形成導(dǎo)電柱182沉積光致抗蝕劑層，在光致抗蝕劑中刻蝕多個(gè)通路，利用導(dǎo)電材料填充所述通路，以及除去所述光致抗蝕劑層，留下導(dǎo)電柱。頂側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)184形成在密封劑130上。內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)184包括絕緣或鈍化層186，所述絕緣或鈍化層186包括Si02、Si3N4,SiON,Ta2O5,Al2O3、或具有類似絕緣和結(jié)構(gòu)特性的其它材料的一個(gè)或多個(gè)層。利用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)、或熱氧化來(lái)形成絕緣層186。頂側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)184進(jìn)一步包括利用圖案化和金屬沉積工藝(例如PVD、CVD,濺射、電解電鍍、和無(wú)電電鍍)形成在絕緣層186中的導(dǎo)電層188。導(dǎo)電層188可以是Al、CU、Sn、Ni、AU、Ag、或其它合適的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)層。導(dǎo)電層188的一部分被電連接到導(dǎo)電通路182。導(dǎo)電層188的其它部分可以根據(jù)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和功能是電共有的或被電隔離。導(dǎo)電通路182是底側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)134和頂側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)184之間的ζ方向互連。利用凸塊192將半導(dǎo)體管芯或部件190安裝到內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)184。半導(dǎo)體管芯190包括包含模擬或數(shù)字電路的有源表面193，所述模擬或數(shù)字電路被實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能形成在管芯內(nèi)并且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、和形成在有源表面193內(nèi)的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)模擬電路或數(shù)字電路，例如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器、或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯190也可以包括IPD，例如電感器、電容器、和電阻器，用于RF信號(hào)處理。典型的RF系統(tǒng)需要在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體封裝中的多個(gè)IPD以執(zhí)行必要的電功能。底層填料材料194，例如環(huán)氧樹(shù)脂，被沉積在半導(dǎo)體管芯190之下。圖13示出利用凸塊198安裝到半導(dǎo)體管芯124的有源表面128的空腔140中的散熱器196。散熱器196散布和耗散由半導(dǎo)體管芯124產(chǎn)生的熱。圖14a_14i示出在內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)的各部分之間形成空腔用于FO-WLCSP中上部和下部堆疊半導(dǎo)體管芯之間的短信號(hào)路徑的另一個(gè)工藝。在圖14a中，晶片形式的襯底或載體200包括臨時(shí)或犧牲基底材料，例如硅、聚合物、聚合物復(fù)合材料、金屬、陶瓷、玻璃、玻璃纖維環(huán)氧樹(shù)脂、氧化鈹、或用于結(jié)構(gòu)支撐的其它合適的低成本、剛性材料或體半導(dǎo)體材料。載體200也可以是帶。在一個(gè)實(shí)施例中，載體200的直徑是20.3cm?？梢栽谳d體200上形成可選界面層202作為臨時(shí)結(jié)合膜或腐蝕停層。多個(gè)可選可濕性焊盤(wettablepad)可以形成在載體200上。多個(gè)壩墻(damwall)204被沉積在界面層202上以在半導(dǎo)體管芯208的有源表面將要位于的指定區(qū)域周圍形成包圍(enclosure)。在圖14b中，凸塊206被形成在界面層202上。利用面向下朝向載體200的有源表面212上的接觸焊盤210在凸塊206上安裝半導(dǎo)體管芯或部件208?？商鎿Q地，可以在將半導(dǎo)體管芯208安裝到載體200之前在接觸焊盤210上形成凸塊206。有源表面212包括模擬或數(shù)字電路，所述模擬或數(shù)字電路被實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能形成在管芯內(nèi)并且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、和形成在有源表面212內(nèi)的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)模擬電路或數(shù)字電路，例如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器、或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯208也可以包括IPD，例如電感器、電容器、和電阻器，用于RF信號(hào)處理。典型的RF系統(tǒng)需要在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體封裝中的多個(gè)IPD以執(zhí)行必要的電功能。圖14c示出被安裝到界面層202上的凸塊206的半導(dǎo)體管芯208的接觸焊盤210。凸塊206的高度大約與壩墻204的高度相同。壩墻204在界面層202和有源表面212之間被指定用于有源表面212的區(qū)域周圍形成密封的包圍。在圖14d中，利用漿料印刷、壓縮模塑、傳遞模塑、液體密封劑模塑、真空層壓、或其它合適的施加器將密封劑或模塑料214沉積在半導(dǎo)體管芯208上。密封劑214可以是聚合物復(fù)合材料，例如具有填充物的環(huán)氧樹(shù)脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或具有合適填充物的聚合物。密封劑214不導(dǎo)電并且在環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物的影響。由壩墻204形成的包圍提供密封以防止密封劑214蔓延到接觸焊盤210之間的有源表面212的內(nèi)部部分。因此，壩墻204在半導(dǎo)體管芯208的有源表面212下形成空腔216。在圖14e中，通過(guò)化學(xué)腐蝕、機(jī)械剝離、CMP、機(jī)械研磨、熱烘、激光掃描、或濕法脫模來(lái)除去載體200和可選界面層202。掩蔽層218被形成在接觸焊盤210之間的有源表面212上的空腔216中。在圖14f中，底側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)220形成在半導(dǎo)體管芯208和密封劑214上。內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)220包括絕緣或鈍化層222，所述絕緣或鈍化層222包括Si02、Si3N4,SiON,Ta2O5,Al2O3、或具有類似絕緣和結(jié)構(gòu)特性的其它材料的一個(gè)或多個(gè)層。利用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)、或熱氧化來(lái)形成絕緣層222。底側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)220進(jìn)一步包括利用圖案化和金屬沉積工藝(例如PVD、CVD,濺射、電解電鍍、和無(wú)電電鍍)形成在絕緣層222中的導(dǎo)電層224。導(dǎo)電層224可以是Al、CU、Sn、Ni、AU、Ag、或其它合適的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)層。導(dǎo)電層224的一部分通過(guò)凸塊206被電連接到半導(dǎo)體管芯208的接觸焊盤210。導(dǎo)電層224的其它部分可以根據(jù)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和功能是電共有的或被電隔離。掩蔽層218阻擋在半導(dǎo)體管芯208的有源表面212上形成內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)220。在圖14g中，掩蔽層218被除去，留下空腔226，這從半導(dǎo)體管芯208的底側(cè)暴露出有源表面212。在圖14h中，半導(dǎo)體管芯或部件230利用面向上的接觸焊盤232在內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)220的各部分之間的空腔226內(nèi)被安裝到有源表面212上的接觸焊盤。凸塊234提供接觸焊盤232和有源表面212之間的電連接。壩墻204和掩蔽層218的組合提供更深的空腔226以容納具有更大厚度的半導(dǎo)體管芯230。半導(dǎo)體管芯230包括包含模擬或數(shù)字電路的有源表面，所述模擬或數(shù)字電路被實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能形成在管芯內(nèi)并且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、和形成在有源表面內(nèi)的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)模擬電路或數(shù)字電路，例如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器、或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯230也可以包括IPD，例如電感器、電容器、和電阻器，用于RF信號(hào)處理。典型的RF系統(tǒng)需要在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體封裝中的多個(gè)IPD以執(zhí)行必要的電功能。利用蒸發(fā)、電解電鍍、無(wú)電電鍍、球滴、或絲網(wǎng)印刷工藝將導(dǎo)電凸塊材料沉積到內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)220上并且電連接到導(dǎo)電層224。所述凸塊材料可以是Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料、及其組合，連同可選的焊劑溶液一起。例如，所述凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料、或無(wú)鉛焊料。利用合適的附著或結(jié)合工藝將所述凸塊材料結(jié)合到導(dǎo)電層224。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將所述凸塊材料加熱到它的熔點(diǎn)以上，所述凸塊材料回流以形成球形球或凸塊236。在一些應(yīng)用中，凸塊236二次回流以改善到導(dǎo)電層224的電接觸。所述凸塊也可以被壓縮結(jié)合到導(dǎo)電層224。凸塊236表示一種可以形成在導(dǎo)電層224上的互連結(jié)構(gòu)。所述互連結(jié)構(gòu)也可以使用結(jié)合線、柱形凸塊、微凸塊、或其它電互連。在圖14i中，底層填料材料238，例如環(huán)氧樹(shù)脂，被沉積在半導(dǎo)體管芯208和230之間。利用鋸條或激光切割裝置240將半導(dǎo)體管芯208和230單體化成單個(gè)半導(dǎo)體器件。圖15示出單體化之后的FO-WLCSP242。半導(dǎo)體管芯230被安裝在利用壩墻204和掩蔽層218形成在半導(dǎo)體管芯208的底側(cè)內(nèi)建互連結(jié)構(gòu)220的各部分之間的空腔226中。半導(dǎo)體管芯208和230利用凸塊234電互連。通過(guò)將半導(dǎo)體管芯230放置在空腔226中，管芯之間的間隔被減小，導(dǎo)致短且有效的信號(hào)路徑以改善電性能并且增加FO-WLCSP242的操作速度。半導(dǎo)體管芯230(包括凸塊234)的高度小于凸塊236的高度。利用以上新穎的制造工藝和結(jié)構(gòu)，F(xiàn)0-WLCSP242的總高度被減小。在圖5-13中所示的多個(gè)實(shí)施例可適用于圖15。雖然已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由下列權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的范圍的情況下可以對(duì)那些實(shí)施例進(jìn)行變型和修改。1權(quán)利要求1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括提供臨時(shí)載體；安裝第一半導(dǎo)體管芯，并且它的有源表面面向所述臨時(shí)載體；在第一半導(dǎo)體管芯和臨時(shí)載體上沉積密封劑；除去臨時(shí)載體以暴露密封劑的第一側(cè)和第一半導(dǎo)體管芯的有源表面；在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成掩蔽層；在密封劑的第一側(cè)上形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述掩蔽層阻擋在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)；除去掩蔽層以在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成空腔；以及在空腔中安裝第二半導(dǎo)體管芯，第二半導(dǎo)體管芯被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)第一半導(dǎo)體管芯形成導(dǎo)電直通硅通路。3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在第二半導(dǎo)體管芯上形成屏蔽層。4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在與第一半導(dǎo)體管芯的有源表面相對(duì)的第一半導(dǎo)體管芯的后表面上形成第二互連結(jié)構(gòu)；以及將第三半導(dǎo)體管芯安裝到第二互連結(jié)構(gòu)。5.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括提供臨時(shí)載體；安裝第一半導(dǎo)體管芯，并且它的有源表面面向所述臨時(shí)載體；在第一半導(dǎo)體管芯和臨時(shí)載體上沉積密封劑；除去臨時(shí)載體以暴露密封劑的第一側(cè)；在密封劑的第一側(cè)上形成第一互連結(jié)構(gòu)而不覆蓋第一半導(dǎo)體管芯的有源表面；以及在第一互連結(jié)構(gòu)的各部分之間的第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上安裝半導(dǎo)體部件，所述半導(dǎo)體部件被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。6.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成掩蔽層；在密封劑的第一側(cè)上形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述掩蔽層阻擋在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)；以及除去掩蔽層以在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成空腔。7.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在所述臨時(shí)載體上形成壩墻；將第一半導(dǎo)體管芯安裝到所述臨時(shí)載體以便所述有源表面存在于所述壩墻內(nèi)；在第一半導(dǎo)體管芯和臨時(shí)載體上沉積密封劑，所述壩墻防止所述密封劑蔓延到第一半導(dǎo)體管芯的有源區(qū)域；除去所述臨時(shí)載體；在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成掩蔽層；在密封劑的第一側(cè)上形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述掩蔽層阻擋在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)；以及除去掩蔽層以在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成空腔。8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述半導(dǎo)體部件是半導(dǎo)體管芯或分立半導(dǎo)體器件。9.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)第一半導(dǎo)體管芯形成導(dǎo)電直通硅通路。10.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括將散熱器安裝到第一半導(dǎo)體管芯的有源表11.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體部件的周圍沉積第二密封劑。12.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體部件上形成屏蔽層。13.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括將熱沉安裝到與第一半導(dǎo)體管芯的有源表面相對(duì)的第一半導(dǎo)體管芯的后表面。14.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在與第一半導(dǎo)體管芯的有源表面相對(duì)的第一半導(dǎo)體管芯的后表面上形成第二互連結(jié)構(gòu)；以及將第二半導(dǎo)體管芯安裝到第二互連結(jié)構(gòu)。15.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括提供第一半導(dǎo)體管芯；在第一半導(dǎo)體管芯上沉積密封劑；在密封劑上形成第一互連結(jié)構(gòu)而不覆蓋第一半導(dǎo)體管芯的有源表面；以及在第一互連結(jié)構(gòu)的各部分之間的第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上安裝半導(dǎo)體部件，所述半導(dǎo)體部件被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。16.如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成掩蔽層；在密封劑和第一半導(dǎo)體管芯上形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述掩蔽層阻擋在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)；以及除去掩蔽層以在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成空腔。17.如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面周圍形成壩墻；在第一半導(dǎo)體管芯上沉積密封劑，所述壩墻防止所述密封劑蔓延到第一半導(dǎo)體管芯的有源區(qū)域；在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成掩蔽層；在密封劑上形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述掩蔽層阻擋在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)；以及除去掩蔽層以在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成空腔。18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述半導(dǎo)體部件是半導(dǎo)體管芯或分立半導(dǎo)體器件。19.如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)第一半導(dǎo)體管芯形成導(dǎo)電直通硅通路。20.如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括在與第一半導(dǎo)體管芯的有源表面相對(duì)的第一半導(dǎo)體管芯的后表面上形成第二互連結(jié)構(gòu)；以及將第二半導(dǎo)體管芯安裝到第二互連結(jié)構(gòu)。21.一種半導(dǎo)體器件，包括第一半導(dǎo)體管芯；沉積在第一半導(dǎo)體管芯上的密封劑；形成在密封劑上而不覆蓋第一半導(dǎo)體管芯的有源表面的第一互連結(jié)構(gòu)；以及安裝在第一互連結(jié)構(gòu)的各部分之間的第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上的半導(dǎo)體部件，所述半導(dǎo)體部件被電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體部件是半導(dǎo)體管芯或分立半導(dǎo)體器件。23.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括通過(guò)第一半導(dǎo)體管芯形成的導(dǎo)電直通硅通路。24.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括形成在所述半導(dǎo)體部件上的屏蔽層。25.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括形成在與第一半導(dǎo)體管芯的有源表面相對(duì)的第一半導(dǎo)體管芯的后表面上的第二互連結(jié)構(gòu)；以及安裝到第二互連結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體管芯。全文摘要本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。在半導(dǎo)體器件中，安裝第一半導(dǎo)體管芯并且它的有源表面面向臨時(shí)載體。在第一半導(dǎo)體管芯和臨時(shí)載體上沉積密封劑。除去臨時(shí)載體以暴露密封劑的第一側(cè)和第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成掩蔽層。在密封劑的第一側(cè)上形成第一互連結(jié)構(gòu)。所述掩蔽層阻擋在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)。除去掩蔽層以在第一半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成空腔。在空腔中安裝第二半導(dǎo)體管芯。第二半導(dǎo)體管芯以短信號(hào)路徑電連接到第一半導(dǎo)體管芯的有源表面。文檔編號(hào)H01L25/00GK101996893SQ20101024923公開(kāi)日2011年3月30日申請(qǐng)日期2010年8月6日優(yōu)先權(quán)日2009年8月7日發(fā)明者R·A·帕蓋拉申請(qǐng)人:新科金朋有限公司