專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光裝置封裝元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置(LED)封裝元件，特別涉及一種包含基板穿孔(TSV)的發(fā)光裝置(LED)封裝元件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，光學(xué)裝置，例如發(fā)光二級(jí)管(LED)、激光二級(jí)管與紫外光(UV)光檢測(cè)器的使用已愈來(lái)愈多。第三族氮化物化合物(Group-Ill nitridecompound)，例如氮化鎵(GaN) 及其相關(guān)合金已知適合于光學(xué)裝置的形成。第三族氮化物化合物的寬能隙(bandgap)與高電子飽和速率(electron saturationvelocity)也使其成為應(yīng)用于高溫與高速功率電子裝置的極佳候選人。由于在一般成長(zhǎng)溫度下氮的高平衡壓力，致獲得氮化鎵(GaN)主體結(jié)晶極為困難。因此，氮化鎵(GaN)層與各別發(fā)光二級(jí)管(LED)通常形成于其他可與氮化鎵(GaN)特性匹配的基板上。藍(lán)寶石(sapphire)(氧化鋁(Al2O3))為一經(jīng)常使用的基板材料。圖1揭示一發(fā)光二級(jí)管(LED)封裝元件的一剖面圖。包括多層氮化鎵(GaN)主體層的發(fā)光二級(jí)管 (LED) 2形成于藍(lán)寶石基板4上。藍(lán)寶石基板4進(jìn)一步安裝于導(dǎo)線架6上。電極8與10借由金導(dǎo)線12電性連接發(fā)光二級(jí)管(LED) 2至導(dǎo)線架6。藍(lán)寶石具有一低熱傳導(dǎo)性，因此，發(fā)光二級(jí)管(LED) 2產(chǎn)生的熱無(wú)法有效地分散通過(guò)藍(lán)寶石基板4。反而，這些熱大部分分散通過(guò)發(fā)光二級(jí)管(LED) 2的頂端并通過(guò)金導(dǎo)線12。 然而，金導(dǎo)線12延伸至導(dǎo)線架6的必要長(zhǎng)度使得熱分散效率下降。此外，電極10占據(jù)芯片面積，降低可利用于發(fā)光二級(jí)管(LED)光輸出的總芯片面積。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，根據(jù)本發(fā)明一觀點(diǎn)，提供一種發(fā)光裝置封裝元件，包括一發(fā)光裝置芯片與一載體芯片。該載體芯片包括一第一接合焊盤(pán)與一第二接合焊盤(pán)，于該載體芯片的一表面上；以及一第三接合焊盤(pán)與一第四接合焊盤(pán)，于該載體芯片的該表面上，并分別電性連接該第一接合焊盤(pán)與該第二接合焊盤(pán)。該第一接合焊盤(pán)、該第二接合焊盤(pán)、該第三接合焊盤(pán)與該第四接合焊盤(pán)位于該載體芯片的相同表面上。該發(fā)光裝置封裝元件還包括一第一金屬凸塊與一第二金屬凸塊，借由倒裝芯片接合分別將該第一接合焊盤(pán)與該第二接合焊盤(pán)接合于該發(fā)光裝置芯片上；以及一窗型模塊基板，借由倒裝芯片接合與該第三接合焊盤(pán)與該第四接合焊盤(pán)接合。該窗型模塊基板包括一窗戶(hù)，該發(fā)光裝置芯片朝該窗戶(hù)發(fā)射光。本發(fā)明也揭示其他實(shí)施例。本發(fā)明發(fā)光裝置封裝元件的散熱能力是高的，其改善優(yōu)于傳統(tǒng)熱路徑包含低熱傳導(dǎo)性材料的發(fā)光裝置封裝。此外，借由發(fā)光裝置芯片產(chǎn)生的光經(jīng)由透明材料構(gòu)成的基板發(fā)射出去，并未為任何導(dǎo)線或接合焊盤(pán)所阻攔。因此，光輸出效率改善優(yōu)于傳統(tǒng)光可能部分為封裝元件阻攔的發(fā)光裝置封裝。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能還明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖2 圖7是根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例， 于中間階段的剖面示意圖1為一傳統(tǒng)形成于一藍(lán)寶石基板上的發(fā)光裝置(LED)封裝結(jié)構(gòu)的一剖面示意
-包含一發(fā)光裝置(LED)的封裝元件工藝其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下
公知圖1
2 --發(fā)光二級(jí)管；
4 --藍(lán)寶石基板；
6 -導(dǎo)線架；
8、10 電極；
12 金導(dǎo)線。
本發(fā)明圖2 圖7
20、62 基板；
22 發(fā)光裝置；
24 未摻雜氮化鎵層；
26 η型氮化鎵層；
28 多重量子阱；
30 P型氮化鎵層；
32 反射器；
34 上電極(接合焊盤(pán)
36、40、70 焊錫凸塊；
36__1 偽焊錫凸塊；
36__2 活性焊錫凸塊；
38、66、66_3、82 接合燒
42 斜面切口 ；
44 發(fā)光裝置芯片；
60 載體晶片；
60' 載體芯片；
63 切割道；
64 (熱)基板穿孔；
66__1 偽接合焊盤(pán)；
66__2 活性接合焊盤(pán)；
68 (歐姆)導(dǎo)線；
72、84 填膠；
74 硅透鏡；
76 -、封裝元件(結(jié)構(gòu))
78 -、窗型模塊基板；
80 -、窗戶(hù)；
86 -、熱界面材料；
88 -、散熱片。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種新穎的發(fā)光裝置(light-emitting device，LED)封裝元件 (package component)及其形成方法。此處，揭示一工藝中間階段的實(shí)施例，隨后并討論不同實(shí)施例。于不同觀點(diǎn)與說(shuō)明實(shí)施例中，類(lèi)似的數(shù)字用來(lái)標(biāo)明類(lèi)似元件。圖2揭示晶片100，其包括形成于基板20上的發(fā)光裝置(LED)22。在一實(shí)施例中， 基板20由藍(lán)寶石(sapphire)(透明的氧化鋁(Al2O3))所形成，其也可由其他接近發(fā)光裝置(LED) 22中各層特性的材料所形成(可包括第三與第五族元素或已知的三-五族化合物半導(dǎo)體材料)。基板20也可為一碳化硅基板、一具有一碳化硅層于其上的硅基板、一硅鍺 (silicon germanium)基板或其他可應(yīng)用的半導(dǎo)體基板。在一實(shí)施例中，未摻雜的氮化鎵(U-GaN)層M形成于基板20上并可與其接觸。 在一實(shí)施例中，未摻雜的氮化鎵(U-GaN)層M大體上不含鎵(Ga)與氮(N)以外的其他元素。發(fā)光裝置(LED) 22形成于未摻雜的氮化鎵(U-GaN)層M上并可與其接觸。發(fā)光裝置 (LED) 22可包括多層。在一實(shí)施例中，每一發(fā)光裝置(LED) 22包括η型氮化鎵(n-GaN)層 (以一 η型雜質(zhì)摻雜氮化鎵(GaN)) 26、多重量子講(multiple quantum well, MQff) 28, ρ M 氮化鎵(P-GaN)層(以一 ρ型雜質(zhì)摻雜氮化鎵(GaN))30、反射器32與上電極(也為接合焊盤(pán))34。反射器32可由一金屬所形成，例如鋁或銅。多重量子阱(MQW08可由例如氮化銦鎵(InGaN)所形成，作為發(fā)射光線的活性層。上述各層沈、28、30、32與34的形成為已知技術(shù)，其細(xì)節(jié)不在此重贅。在一實(shí)施例中，η型氮化鎵(n-GaN)層沈、多重量子阱(MQW)觀與ρ 型氮化鎵(P-GaN)層30的形成方法包括外延成長(zhǎng)(印itaxial growth)。發(fā)光裝置(LED) 22 可具有多種設(shè)計(jì)，圖2僅顯示許多可用變化型式中的一典型例子。例如每一 η型氮化鎵 (n-GaN)層沈、多重量子阱(MQW)觀與ρ型氮化鎵(ρ-GaN)層30的材料可不同于上述討論的材料，可包括三元素(ternary)的三-五族化合物半導(dǎo)體材料，例如磷化鎵砷(GaAsP)、氮化鎵磷(GaPN)、砷化鋁銦鎵(AlInGaAs)、氮化鎵砷磷(GaAsPN)、砷化鋁鎵(AWaAs)與其類(lèi)似物。此外，η型氮化鎵(n-GaN)層沈與ρ型氮化鎵(p_GaN)層30的位置也可交換。每一發(fā)光裝置(LED) 22還包括接合焊盤(pán)38，用來(lái)連接η型氮化鎵(n-GaN)層26。 因此，接合焊盤(pán)34與38用來(lái)施予一電壓至各別的發(fā)光裝置(LED) 22，以使各別的發(fā)光裝置 (LED) 22活化發(fā)出光線。在一實(shí)施例中，每一發(fā)光裝置(LED)22中，至少其中之一電極34 在使用(發(fā)光)發(fā)光裝置(LED)22的過(guò)程中有一電流流經(jīng)，而一或多個(gè)電極34為偽電極 (dummy electrode)，當(dāng)施予電壓時(shí)，并無(wú)任何電流流經(jīng)。焊錫凸塊(solder bump) 36 (包括活性焊錫凸塊36_2與偽焊錫凸塊36_1)與40 形成于發(fā)光裝置(LED) 22上。焊錫凸塊36與40可由一般使用的焊錫材料所形成，例如無(wú)鉛焊錫(lead-free solder)、共晶焊錫(eutectic solder)或其類(lèi)似物。于焊錫凸塊36與 40形成后，晶片100切割成多個(gè)發(fā)光裝置(LED)芯片44，每一發(fā)光裝置(LED)芯片44包括一或多個(gè)發(fā)光裝置(LED)22。在一實(shí)施例中，每一發(fā)光裝置(LED)芯片44包括一個(gè)以上的發(fā)光裝置(LED) 22于一相同基板20上。于相同發(fā)光裝置(LED)芯片中的發(fā)光裝置(LED) 22 稱(chēng)為發(fā)光裝置(LED)單元。于發(fā)光裝置(LED)芯片44自晶片100切下后，斜面切口(bevel cut)42(未于圖2中顯示，請(qǐng)參閱圖4)可形成于發(fā)光裝置(LED)芯片44邊緣。因此，各別邊緣與各別基板20的表面形成一斜角(不等于90度)。斜面切口 42可減少最終封裝結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力。請(qǐng)參閱圖3，提供載體晶片60。載體晶片60包括基板62?；?2可為一例如一硅基板的半導(dǎo)體基板或一介電基板?；宕┛?through-substratevia，TSV)64形成于基板62中，并可電性連接基板62相對(duì)側(cè)上的結(jié)構(gòu)?；宕┛?TSV) 64可由銅或其他金屬所形成，例如鎢或其合金。接合焊盤(pán)66 (包括接合焊盤(pán)66_1、接合焊盤(pán)66_2與接合焊盤(pán)66_3) 形成于載體晶片60的一側(cè)并與基板穿孔(TSV)64連接。雖在操作過(guò)程中施予電壓，然偽基板穿孔(TSV) 64僅分散熱而不用來(lái)傳導(dǎo)電流。 說(shuō)明書(shū)中，偽基板穿孔(TSV)64可稱(chēng)為熱基板穿孔(TSV)。在發(fā)光裝置(LED)操作過(guò)程中，設(shè)計(jì)成有電流流經(jīng)的接合焊盤(pán)66稱(chēng)為活性接合焊盤(pán)(active bond pad) 66_2，而在發(fā)光裝置 (LED)操作過(guò)程中，無(wú)電流流經(jīng)的接合焊盤(pán)66，則稱(chēng)為偽接合焊盤(pán)(dummy bond pad)66_l。 選擇性的導(dǎo)線68形成于載體晶片60中或載體晶片60上，以連接接合焊盤(pán)。導(dǎo)線68可為毆姆導(dǎo)線或具有可忽略電阻的金屬導(dǎo)線。焊錫凸塊(solder bump) 70形成于部分接合焊盤(pán)66 (以下稱(chēng)為接合焊盤(pán)66J3)上。 接合焊盤(pán)66_3借由導(dǎo)線68連接至活性接合焊盤(pán)66_2。請(qǐng)參閱圖4，多個(gè)自晶片100切下的發(fā)光裝置(LED)芯片44借由倒裝芯片接合接合至載體晶片60上。在接合的過(guò)程中，焊錫凸塊36與40回焊(re-flowed)。兩焊錫凸塊 36與40與不同的接合焊盤(pán)66與34/38接觸。圖中可看出，較高的焊錫凸塊70鄰近發(fā)光裝置(LED)芯片44，且借由例如歐姆導(dǎo)線68電性連接活性接合焊盤(pán)66_2。焊錫凸塊70的頂端延伸超過(guò)基板20的背表面。填膠72可選擇性地填入發(fā)光裝置(LED)芯片44與載體晶片60之間的空隙。斜面切口 42有利于減少填膠72。載體晶片60隨后可沿切割道63切開(kāi)分成多個(gè)封裝元件76，每一封裝元件76包括一個(gè)載體芯片60’(如圖5A所示)，且每一載體芯片60’接合上至少一發(fā)光裝置(LED)芯片44。請(qǐng)參閱圖5A，硅透鏡74鑄造于發(fā)光裝置(LED)芯片44上，以形成封裝結(jié)構(gòu)76。硅透鏡74與其模具為已知技術(shù)，遂細(xì)節(jié)不在此重贅。硅透鏡74可覆蓋發(fā)光裝置(LED)芯片 44。在無(wú)使用填膠(imderfill)72的實(shí)施例中，硅將填入發(fā)光裝置(LED)芯片44與載體芯片60’之間的空隙，因此，以硅代替實(shí)施填膠(imderfill)72的功能。在一特定實(shí)施例中， 焊錫凸塊70不為硅透鏡74所覆蓋而曝露在外。請(qǐng)參閱圖5A，封裝結(jié)構(gòu)76借由倒裝芯片接合(flip-chup bonding)接合于窗型模塊基板78上。窗型模塊基板78可由FR4、一強(qiáng)化金屬核心基板(metalcore-enhanced substrate)、一陶瓷基板或一有機(jī)基板所形成。窗型模塊基板78包括窗戶(hù)80，其尺寸符合硅透鏡74的尺寸。因此，硅透鏡74延伸進(jìn)入窗戶(hù)80且包括窗型模塊基板78相對(duì)側(cè)上的部分。接合焊盤(pán)82形成于窗型模塊基板78上。于焊錫凸塊70回焊后，接合焊盤(pán)82借由焊錫凸塊70接合于接合焊盤(pán)66_3上。制作進(jìn)一步電性連接(未圖示)至接合焊盤(pán)82，以施予一電壓至發(fā)光裝置(LED)芯片44，一電流將流經(jīng)電性連接、接合焊盤(pán)82與焊錫凸塊70。圖5B為圖5A所示結(jié)構(gòu)的一仰視圖，其中圖5A為圖5B沿剖面線5A-5A所得的剖面圖。請(qǐng)參閱圖6，填膠84填入封裝結(jié)構(gòu)76與窗型模塊基板78之間的空隙，以保護(hù)焊錫凸塊70。接著，如圖7所示，散熱片(heat sink) 88安裝于載體芯片60’上，并設(shè)計(jì)成與輸入/輸出電流電性隔絕。在一實(shí)施例中，散熱片88借由熱界面材料(thermal interface material, TIM)86與載體芯片60，連接，熱界面材料(TIM)86可由一具有一高熱傳導(dǎo)性的介電材料所形成。熱界面材料(TIM)86可由一可分散于載體芯片60’上的有機(jī)膏(organic paste)或純合金或金屬所形成。于散熱片88安裝于載體芯片60’后，進(jìn)行熱回焊(thermalre-flowed)或烘烤。于發(fā)光裝置(LED)芯片44中產(chǎn)生的熱可分散至載體芯片60’，的后再散至散熱片88。由圖中可看出，自發(fā)光裝置(LED)芯片44至散熱片88，并無(wú)低熱傳導(dǎo)性的材料。因此，發(fā)光裝置(LED)芯片44與散熱片88之間路徑中的熱阻是低的，使得所述結(jié)構(gòu)可達(dá)到高的熱分散效率(heat-dissipating efficiency) 0因此，本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)適合用于熱分散對(duì)其最適元件操作來(lái)說(shuō)極為重要的高功率發(fā)光裝置(LED)元件。當(dāng)一電壓施予發(fā)光裝置(LED)芯片44至發(fā)光時(shí)，偽焊錫凸塊36_1并未有任何電流流經(jīng)。然而，偽焊錫凸塊36_1可幫助傳導(dǎo)發(fā)光裝置(LED)芯片44中產(chǎn)生的熱通過(guò)載體芯片60，至散熱片88。由于發(fā)光裝置(LED)芯片44先借由倒裝芯片接合(flip-chipbonding)接合至載體芯片60’，得到的封裝元件再進(jìn)一步接合至其他電路元件，例如借由一額外的倒裝芯片接合再接合至窗型模塊基板78，因此，圖7所示結(jié)構(gòu)稱(chēng)為一雙倒裝芯片封裝元件(double flip-chippackage component)。此種接合方式可使光以一方向(例如朝向圖7的底部)發(fā)射，而熱則朝其相反方向散失，因此，可同時(shí)提升發(fā)光與散熱效率。例如發(fā)光裝置(LED)芯片44中產(chǎn)生的熱可借由多個(gè)偽焊錫凸塊36_1、熱基板穿孔(TSV)64與載體芯片60’分散進(jìn)入散熱片88。因此，根據(jù)不同實(shí)施例，本發(fā)明發(fā)光裝置(LED)封裝元件的散熱能力是高的， 其改善優(yōu)于傳統(tǒng)熱路徑包含低熱傳導(dǎo)性材料的發(fā)光裝置(LED)封裝。此外，借由發(fā)光裝置 (LED)芯片44產(chǎn)生的光經(jīng)由透明材料構(gòu)成的基板20發(fā)射出去，并未為任何導(dǎo)線或接合焊盤(pán)所阻攔。因此，光輸出效率改善優(yōu)于傳統(tǒng)光可能部分為封裝元件阻攔的發(fā)光裝置(LED)封裝。雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作還動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置封裝元件，包括 一發(fā)光裝置芯片；一載體芯片，包括一第一接合焊盤(pán)與一第二接合焊盤(pán)，于該載體芯片的一表面上；以及一第三接合焊盤(pán)與一第四接合焊盤(pán)，于該載體芯片的該表面上，并分別電性連接該第一接合焊盤(pán)與該第二接合焊盤(pán)，其中該第一接合焊盤(pán)、該第二接合焊盤(pán)、該第三接合焊盤(pán)與該第四接合焊盤(pán)位于該載體芯片的相同表面上；一第一金屬凸塊與一第二金屬凸塊，借由倒裝芯片接合分別將該第一接合焊盤(pán)與該第二接合焊盤(pán)接合于該發(fā)光裝置芯片上；以及一窗型模塊基板，借由倒裝芯片接合與該第三接合焊盤(pán)與該第四接合焊盤(pán)接合，其中該窗型模塊基板包括一窗戶(hù)，該發(fā)光裝置芯片朝該窗戶(hù)發(fā)射光。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝元件，其中該發(fā)光裝置芯片包括兩電極，電性連接該第一接合焊盤(pán)與該第二接合焊盤(pán)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝元件，還包括一偽基板穿孔，于該載體芯片中，其中該偽基板穿孔電性連接該第一金屬凸塊，當(dāng)該發(fā)光裝置芯片發(fā)射光時(shí)，該偽基板穿孔未通過(guò)任何電流。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝元件，還包括一散熱片與一熱界面材料，該熱界面材料鄰近與位于該散熱片與該載體芯片之間。
5.一種發(fā)光裝置封裝元件，包括 一窗型模塊基板，包括一窗戶(hù)；以及一第一接合焊盤(pán)與一第二接合焊盤(pán)，于該窗型模塊基板的一表面上，鄰近該窗戶(hù)； 一載體芯片，包括一第三接合焊盤(pán)與一第四接合焊盤(pán)，于該載體芯片的一第一側(cè)上；以及一偽基板穿孔，于該載體芯片中；一第一焊錫凸塊與一第二焊錫凸塊，借由倒裝芯片接合分別將該窗型模塊基板的該第一接合焊盤(pán)與該第二接合焊盤(pán)接合于該載體芯片的該第三接合焊盤(pán)與該第四接合焊盤(pán)；以及一發(fā)光裝置芯片，借由倒裝芯片接合與該載體芯片接合，其中該發(fā)光裝置芯片位于該載體芯片的該第一側(cè)上并重迭至少一部分的該窗戶(hù)。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置封裝元件，其中該發(fā)光裝置芯片包括兩電極，電性連接該載體芯片的該第三接合焊盤(pán)與該第四接合焊盤(pán)。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置封裝元件，還包括一散熱片與一熱界面材料，該散熱片位于該載體芯片的一第二側(cè)上，該第二側(cè)相對(duì)于該第一側(cè)，該熱界面材料鄰近與位于該散熱片與該載體芯片之間。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置封裝元件，還包括一偽焊錫凸塊，電性連接該偽基板穿孔至該發(fā)光裝置芯片的一電極，其中當(dāng)一電壓施予該窗型模塊基板的該第一接合焊盤(pán)與該第二接合焊盤(pán)時(shí)，該偽焊錫凸塊未通過(guò)任何電流。
9.一種發(fā)光裝置封裝元件，包括一載體芯片，包括一偽基板穿孔，自該載體芯片的一主要側(cè)延伸至該載體芯片的一相對(duì)側(cè)；以及一第一接合焊盤(pán)與一第二接合焊盤(pán)，于該載體芯片的該主要側(cè)上，彼此電性連接； 一窗型模塊基板，借由倒裝芯片接合與該載體芯片的該第一接合焊盤(pán)接合，其中該窗型模塊基板包括一窗戶(hù)；以及一發(fā)光裝置芯片，借由倒裝芯片接合與該載體芯片的該第二接合焊盤(pán)接合。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置封裝元件，還包括一散熱片與一熱界面材料，該熱界面材料鄰近與位于該散熱片與該載體芯片之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置封裝元件，該元件包括發(fā)光裝置芯片與載體芯片。該載體芯片包括第一與第二接合焊盤(pán)，于該載體芯片的表面上；以及第三與第四接合焊盤(pán)，于該載體芯片的該表面上，并分別電性連接該第一與該第二接合焊盤(pán)。該第一、第二、第三與第四接合焊盤(pán)位于該載體芯片的相同表面上。該發(fā)光裝置封裝元件還包括第一與第二金屬凸塊，借由倒裝芯片接合分別將該第一與第二接合焊盤(pán)接合于該發(fā)光裝置芯片上；以及窗型模塊基板，借由倒裝芯片接合與該第三與第四接合焊盤(pán)接合。該窗型模塊基板包括窗戶(hù)，該發(fā)光裝置芯片朝該窗戶(hù)發(fā)射光。本發(fā)明的散熱能力是高的，其改善優(yōu)于傳統(tǒng)熱路徑包含低熱傳導(dǎo)性材料的發(fā)光裝置封裝。
文檔編號(hào)H01L33/64GK102194987SQ20101024365
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月2日
發(fā)明者王忠裕 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司