專利名稱：有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例總體上涉及有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)，更具體地說，涉及透明的有機
發(fā)光二極管顯示器。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管顯示器包括多個有機發(fā)光二極管，每個二極管具有空穴注入電 極、有機發(fā)射層和電子注入電極。從空穴注入電極如陽極供給的空穴和從電子注入電極如 陰極供給的電子可以在有機發(fā)射層中復(fù)合為激子，即電子_空穴對。有機發(fā)射層可以在激 子回到基能態(tài)，例如激子從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)時發(fā)光。有機發(fā)光二極管顯示器可以利用該光 發(fā)射來顯示圖像。基于這種原理，有機發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特征，而且由于與液晶顯示器 不同，有機發(fā)光二極管顯示器并不需要光源，因此有機發(fā)光二極管顯示器能夠具有相對小 的厚度和重量。進(jìn)一步，有機發(fā)光二極管顯示器通常具有諸如低功耗、高亮度和快響應(yīng)時間 等多種有益特性。因此，有機發(fā)光二極管顯示器可以用作便攜式電子裝置的可選顯示器。另外，基于有機發(fā)光二極管顯示器的特征，有機發(fā)光二極管顯示器可以被制造為 透明顯示裝置，該透明顯示裝置使用戶在位于相對側(cè)的物體或圖像透過有機發(fā)光二極管顯 示器被投影時，能夠看到該物體或圖像。也就是說，有機發(fā)光二極管顯示器能夠被制造得在 其處于關(guān)斷狀態(tài)時，位于相對側(cè)的物體或圖像能夠被投影，并且在有機發(fā)光二極管顯示器 處于開啟狀態(tài)時，有機發(fā)光二極管顯示器發(fā)射的圖像能夠被看到。然而，在有機發(fā)光二極管顯示器處于關(guān)斷狀態(tài)時，位于相對側(cè)的物體或圖像在被 傳送給用戶之前，可能經(jīng)過諸如薄膜晶體管和各種配線之類的圖案之間的空間，以及經(jīng)過 有機發(fā)光二極管顯示器被投影。典型地，圖案之間的間隙為大約幾百nm，并且具有與可見區(qū) 域中光的波長相同的級別，從而導(dǎo)致透射光的散射。因此，傳送給用戶的圖像可能是失真的 圖像。在該背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于增強對所描述的技術(shù)的背景的理解， 因此，上述信息可能包括不構(gòu)成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在本國已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此，實施例致力于有機發(fā)光二極管顯示器，其基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限 制和缺點而導(dǎo)致的一種或多種問題。因此，實施例的特征在于提供一種通過抑制透射光的散射來防止失真的有機發(fā)光
二極管顯示器。因此，實施例的另外的特征在于提供一種通過抑制透射光的散射來防止失真的透 明的有機發(fā)光二極管顯示器。上述和其它特征以及優(yōu)點中的至少一個可以通過提供一種有機發(fā)光二極管顯示 器來實現(xiàn)，該有機發(fā)光二極管顯示器包括透明區(qū)域和多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域彼此隔
4開，并且所述透明區(qū)域介于所述像素區(qū)域之間，所述顯示器包括基板構(gòu)件；位于所述基板 構(gòu)件上的薄膜晶體管和電容器元件，所述薄膜晶體管和所述電容器元件與所述像素區(qū)域重 疊；位于所述基板構(gòu)件上的柵線、數(shù)據(jù)線和共用電源線，所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用 電源線與所述像素區(qū)域和所述透明區(qū)域重疊，并且被連接至所述薄膜晶體管和/或所述電 容器元件中的相應(yīng)一個；以及位于所述基板構(gòu)件上的像素電極，所述像素電極與所有的所 述薄膜晶體管和所述電容器元件重疊，并且與所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的 與所述像素區(qū)域重疊的相應(yīng)部分重疊。所述像素區(qū)域可以基本上和/或完全與所述像素電極覆蓋的區(qū)域相同。所述透明區(qū)域相對于所述像素區(qū)域和所述透明區(qū)域的總面積的面積比可以在 20%至90%的范圍內(nèi)。所述像素電極可以包括反射式導(dǎo)電材料。所述顯示器可以進(jìn)一步包括順序形成在所述像素電極上的有機發(fā)射層和共用電 極，其中所述有機發(fā)射層可以適于朝著所述共用電極的方向發(fā)光以顯示圖像。位于所述像素區(qū)域中的相鄰像素區(qū)域上的所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源 線可以在所述透明區(qū)域之上互連。所述顯示器可以包括位于所述基板構(gòu)件上的絕緣層、平整化層和像素限定層，其 中所述平整化層和所述像素限定層包括透明材料。所述基板構(gòu)件的透射率可以高于或等于形成在所述基板構(gòu)件上的層的總的透射率。上述和其它特征以及優(yōu)點中的至少一個還可以通過提供一種有機發(fā)光二極管顯 示器而單獨實現(xiàn)，該有機發(fā)光二極管顯示器包括透明區(qū)域和多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域 彼此隔開，并且所述透明區(qū)域介于所述像素區(qū)域之間，所述顯示器包括基板構(gòu)件；位于所 述基板構(gòu)件上的像素電極，所述像素電極對應(yīng)于所述顯示器的所述像素區(qū)域；與所述像素 電極完全重疊的薄膜晶體管和電容器元件；以及連接至所述薄膜晶體管和/或所述電容器 元件中的相應(yīng)一個的柵線、數(shù)據(jù)線和共用電源線，所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線 中的每一個包括與所述像素電極中的相應(yīng)一個直接重疊的像素部分，以及在所述像素電極 中的相鄰像素電極之間延伸，以分別連接所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的所述 像素部分中的相鄰像素部分的互連部分，其中只有所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源 線的互連部分被布置在所述顯示器的所述透明區(qū)域上。所述基板構(gòu)件可以包括玻璃、石英、陶瓷和/或塑料。所述基板構(gòu)件的透射率可以高于或等于布置在所述基板構(gòu)件上的所有的層和/ 或元件的總的透射率，所述層和/或元件包括布置在所述基板構(gòu)件上的緩沖層、絕緣層、層 間絕緣層和平整化層。除所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的互連部分之外，只有透明層和/或 元件可以布置在所述基板構(gòu)件的與所述顯示器的所述透明區(qū)域重疊的部分上。所述顯示器可以進(jìn)一步包括位于所述基板構(gòu)件上的緩沖層；位于所述緩沖層上 的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的平整化層；以及位于所述柵絕緣層上的像素限定層， 其中所述緩沖層、所述柵絕緣層、所述平整化層和所述像素限定層可以僅包括透明材料。所述像素限定層可以布置在所述基板構(gòu)件的與所述顯示器的所述透明區(qū)域?qū)?yīng)
5的部分上。所述像素電極可以以包括沿第一方向延伸的行和沿第二方向延伸的列的矩陣圖 案被布置，所述第一方向與所述第二方向相交。所述柵線可以沿所述第一方向延伸，并且所述柵線的所述互接部分在所述像素電 極中被布置在一行中的相鄰像素電極的相向側(cè)之間延伸。所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線可以沿所述第二方向延伸，并且所述數(shù)據(jù)線和所述 共用電源線的互連部分在所述像素電極中的布置在一列中的相鄰像素電極的相向側(cè)之間 延伸。所述顯示器的所述像素區(qū)域可以對應(yīng)于所述像素電極的區(qū)域。在所述顯示器的顯示區(qū)域內(nèi)，所述透明區(qū)域?qū)?yīng)于所述顯示區(qū)域的除所述像素區(qū) 域之外的區(qū)域。


通過參考附圖詳細(xì)描述示例性實施例，上述和其它特征以及優(yōu)點對于本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員來說將變得更明顯，其中圖1示出有機發(fā)光二極管顯示器的示例性實施例的布局圖；圖2示出圖1的一部分的放大布局圖；以及圖3示出沿圖2的線III-III截取的圖1中的示例性有機發(fā)光二極管顯示器的剖 面圖。
具體實施例方式以下將參考附圖更全面地描述示例性實施例；然而，示例性實施例可以采用不同 的形式具體化，而不應(yīng)該解釋為限于這里給出的實施例。更確切地說，提供這些實施例是為 了使本公開更充分和完整，并將向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員更全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。進(jìn)一步，為了描述方便，圖中示出的元件的尺寸和厚度被任意示出，因此實施例不 限于那些示出的尺寸和厚度。圖中，對厚度進(jìn)行了放大，以清楚地描繪多個層和區(qū)域。說明書中相同的附圖標(biāo)記 始終表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提到諸如層、膜、區(qū)域或者基板之類的一元件在另一元 件“上”時，該元件可以直接在該另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)提到一元 件“直接”在另一元件“上”時，則不存在中間元件。整個說明書中，省略了公知或者對于理 解示例性實施例不必要的方面。另外，盡管附圖中示出具有一個像素包括兩個TFT和一個電容器的2TR_lCap結(jié)構(gòu) 的有源矩陣(AM)型有機發(fā)光二極管顯示器，但實施例不限于此。相應(yīng)地，例如，有機發(fā)光二 極管顯示器可以在一個像素中包括三個或更多個薄膜晶體管以及兩個或更多個電容器元 件。有機發(fā)光顯示器可以有具有額外的配線的多種結(jié)構(gòu)。這里，像素區(qū)域是指可以形成像素的區(qū)域。像素是指用于顯示圖像的最小單元。有 機發(fā)光二極管顯示器可以通過多個像素顯示圖像。更具體地說，有機發(fā)光二極管顯示器可 以包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，并且可以在顯示器的顯示區(qū)域中通過多個像素顯示圖像。以下將參考圖1至圖3描述示例性實施例。圖1示出有機發(fā)光二極管顯示器100
6的示例性實施例的布局圖。圖2示出圖1的示例性發(fā)光二極管顯示器100的一部分的放大 布局圖。圖3示出沿圖2的線III-III截取的圖1的示例性有機發(fā)光二極管顯示器100的 剖面圖。如圖1所示，有機發(fā)光二極管顯示器100可以包括透明區(qū)域TA和多個像素區(qū)域 PA。像素區(qū)域PA可以彼此隔開。透明區(qū)域TA可以介于像素區(qū)域PA之間。像素區(qū)域PA和 透明區(qū)域TA可以被形成得使透明區(qū)域TA相對于像素區(qū)域PA和透明區(qū)域TA的總面積的面 積比可以在大約20%至大約90%的范圍內(nèi)。進(jìn)一步，在一些實施例中，例如，顯示器100可 以包括顯示區(qū)域和例如外圍區(qū)域(未示出)，并且顯示區(qū)域可以只包括像素區(qū)域PA和透明 區(qū)域TA。如圖2所示，有機發(fā)光二極管顯示器100的每個像素區(qū)域PA可以包括開關(guān)薄膜晶 體管10、驅(qū)動薄膜晶體管20、電容器元件80以及有機發(fā)光二極管(OLED) 70。有機發(fā)光二極管顯示器100可以進(jìn)一步包括柵線151、數(shù)據(jù)線171和共用電源線 172。柵線151可以沿第一方向，例如y方向在像素區(qū)域PA和透明區(qū)域TA上延伸。數(shù)據(jù)線 171可以與柵線151絕緣，并且可以沿與柵線151相交的第二方向，例如χ方向在像素區(qū)域 PA和透明區(qū)域TA上延伸。χ方向可以與y方向垂直。共用電源線172可以與柵線151絕 緣，并且可以沿第二方向，例如χ方向在像素區(qū)域PA和透明區(qū)域TA上延伸。柵線151、數(shù)據(jù) 線171和/或共用電源線172可以被形成為盡可能多地與像素區(qū)域PA重疊?？梢砸砸粓D 案形成柵線151、數(shù)據(jù)線171和/或共用電源線172，使得柵線151、數(shù)據(jù)線171和/或共用 電源線172的在像素區(qū)域PA中的相鄰像素區(qū)域上的相應(yīng)部分可以被互連。在一些實施例 中，參見圖1，例如，只有柵線151、數(shù)據(jù)線171和共用電源線172的互連部分151i、171i和 172 可以與透明區(qū)域TA重疊。柵線151、數(shù)據(jù)線171和共用電源線172可以被形成為盡可 能少地與透明區(qū)域TA重疊，即被形成為具有與透明區(qū)域TA重疊的最小可能的區(qū)域。參見圖3，有機發(fā)光元件70可以包括像素電極710、有機發(fā)射層720和共用電極 730。有機發(fā)射層720可以形成在像素電極710上。共用電極730可以形成在有機發(fā)射層 720上。像素電極710可以是陽(+)極，例如空穴注入電極。共用電極730可以是陰(-) 極，例如電子注入電極。實施例不限于此。例如，在一些實施例中，根據(jù)有機發(fā)光二極管顯 示器100的驅(qū)動方法，像素電極710可以是陰極，而共用電極730可以是陽極?？昭ê碗娮?可以分別從像素電極710和共用電極730注入到有機發(fā)射層720中。在注入的空穴和注入 的電子結(jié)合時可以形成激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)時，有機發(fā)射層720可以發(fā)光。參見圖2，像素電極710可以與整個像素區(qū)域PA重疊，即像素電極710覆蓋的區(qū)域 可以與像素區(qū)域PA基本和/或完全相同。在這種實施例中，像素電極710可以與開關(guān)薄膜 晶體管10、驅(qū)動薄膜晶體管20、電容器元件80、柵線151、數(shù)據(jù)線171和共用電源線172的 與像素區(qū)域PA重疊的所有部分重疊。開關(guān)薄膜晶體管10可以包括開關(guān)半導(dǎo)體層131、開關(guān)柵極152、開關(guān)源極173和開 關(guān)漏極174。驅(qū)動薄膜晶體管20可以包括驅(qū)動半導(dǎo)體層132、驅(qū)動?xùn)艠O155、驅(qū)動源極176和驅(qū) 動漏極177。電容器元件80可以包括第一維持電極158和第二維持電極178。如圖3所示，第 一維持電極158和第二維持電極178可以被布置為使層間絕緣層160介于二者之間。
開關(guān)薄膜晶體管10可以用作開關(guān)元件來選擇要發(fā)光的像素。開關(guān)柵極152可以 連接至柵線151。開關(guān)源極173可以連接至數(shù)據(jù)線171。開關(guān)漏極174可以與開關(guān)源極172 隔開，并且連接至第一維持電極158。對于所選的要發(fā)光的像素，相應(yīng)驅(qū)動薄膜晶體管20可以向相應(yīng)像素電極710施加 驅(qū)動力，從而可以使相應(yīng)有機發(fā)光元件70的有機發(fā)射層720能夠發(fā)光。驅(qū)動?xùn)艠O155可以 連接至第一維持電極158。驅(qū)動源極176和第二維持電極178可以連接至共用電源線172。 驅(qū)動漏極177可以通過接觸孔182連接至有機發(fā)光元件70的像素電極710。通過這種結(jié)構(gòu)，開關(guān)薄膜晶體管10可以由施加給柵線151的柵電壓操作，并且可 以用于將施加給數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓傳遞給驅(qū)動薄膜晶體管20。與從共用電源線172施 加給驅(qū)動薄膜晶體管20的共用電壓和從開關(guān)薄膜晶體管10傳送的數(shù)據(jù)電壓之間的差對應(yīng) 的電壓可以被存儲在電容器元件80中，并且與存儲在電容器元件80中的電壓對應(yīng)的電流 可以通過驅(qū)動薄膜晶體管20流向有機發(fā)光元件70，從而可以使有機發(fā)光元件70能夠發(fā)光。以下將參考圖3描述有機發(fā)光二極管顯示器100的結(jié)構(gòu)。圖3示出有機發(fā)光二 極管顯示器100的剖面圖，具體集中于驅(qū)動薄膜晶體管20、有機發(fā)光元件70和電容器元件 80。以下將就驅(qū)動薄膜晶體管20來詳細(xì)描述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。對于開關(guān)薄膜晶體 管10，將僅簡要地描述與驅(qū)動薄膜晶體管20的不同之處?；鍢?gòu)件110例如可以包括由例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的透明絕緣基 板?；鍢?gòu)件110的透射率可以高于或等于形成在基板構(gòu)件110之上的各層的總的透射率。 緩沖層120、驅(qū)動半導(dǎo)體層132、柵絕緣層140、層間絕緣層160、平整化層180、有機發(fā)射層 720以及各種導(dǎo)線和電極(參見下文)可以形成在基板構(gòu)件110之上。緩沖層120可以形成在基板構(gòu)件110之上。緩沖層120可以具有減少和/或防止 雜質(zhì)滲透并且用于使表面平整的功能。緩沖層120可以包括例如用于執(zhí)行這種功能的各種 材料。例如，緩沖層120可以包括氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiO2)膜和/或氧-氮化硅膜 (SiOxNy) ο實施例不限于此。例如，在一些實施例中，可以不使用緩沖層120，即在一些實施 例中，依據(jù)基板構(gòu)件110的類型和/或工藝條件可以省略緩沖層120。驅(qū)動半導(dǎo)體層132可以形成在緩沖層120之上。驅(qū)動半導(dǎo)體層132可以包括例如 多晶硅膜。驅(qū)動半導(dǎo)體層132可以包括溝道區(qū)135、源區(qū)136和漏區(qū)137，其中溝道區(qū)135 可不摻雜質(zhì)。源區(qū)136和漏區(qū)137可以通過例如ρ+摻雜形成在溝道區(qū)135的兩側(cè)。被摻 雜的離子例如可以是諸如硼(B)、主要是B2H6之類的ρ型雜質(zhì)。使用的雜質(zhì)可以依據(jù)薄膜 晶體管的類型而不同。盡管在此處描述的示例性實施例中，使用ρ型雜質(zhì)的PMOS結(jié)構(gòu)薄膜晶體管被用作 驅(qū)動薄膜晶體管20，但實施例不限于此。在一些實施例中，例如驅(qū)動薄膜晶體管20可以是 具有NMOS結(jié)構(gòu)、CMOS結(jié)構(gòu)等的薄膜晶體管。進(jìn)一步，應(yīng)當(dāng)理解，例如盡管圖3中示出的驅(qū)動薄膜晶體管20的示例性實施例被 描述為包括多晶硅膜的多晶薄膜晶體管，但開關(guān)薄膜晶體管10(見圖2)可以是多晶薄膜晶 體管或者是包括非晶硅膜的非晶薄膜晶體管。柵絕緣層140可以包括例如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiO2)。柵絕緣層140可 以形成在驅(qū)動半導(dǎo)體層132之上。包括例如驅(qū)動?xùn)艠O155的柵極配線可以形成在柵絕緣層140之上。更具體地說，柵極配線可以包括例如驅(qū)動?xùn)艠O155、柵線151 (見圖2)、第一維持 電極158等。驅(qū)動?xùn)艠O155可以被形成為與驅(qū)動半導(dǎo)體層132的至少一部分重疊，且更具 體地說，與溝道區(qū)135重疊。層間絕緣層160可以形成在柵絕緣層140上。層間絕緣層160可以覆蓋驅(qū)動?xùn)艠O 155。柵絕緣層140和層間絕緣層層160可以具有使例如驅(qū)動半導(dǎo)體層132的源區(qū)136和 漏區(qū)137暴露的通孔，例如共用通孔。層間絕緣層160和/或柵絕緣層140可以包括例如 氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等。包括例如驅(qū)動源極176和驅(qū)動漏極177的數(shù)據(jù)配線可以形成在層間絕緣層160之 上。更具體地說，數(shù)據(jù)配線可以包括例如驅(qū)動源極176、數(shù)據(jù)線171 (見圖2)、共用電源線 172、第二維持電極178等。驅(qū)動源極176和驅(qū)動漏極177可以通過相應(yīng)通孔分別被連接至 驅(qū)動半導(dǎo)體層132的源區(qū)136和漏區(qū)137。在一些實施例中，包括驅(qū)動半導(dǎo)體層132、驅(qū)動?xùn)艠O155、驅(qū)動源極176和驅(qū)動漏極 177的驅(qū)動薄膜晶體管20可以以上述示例性方式形成。然而，驅(qū)動薄膜晶體管20的結(jié)構(gòu) 不限于前述示例，而是可以以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠容易實現(xiàn)的多種公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改。平整化層180可以形成在層間絕緣層160上，并且可以覆蓋數(shù)據(jù)配線，例如共用電 源線172、驅(qū)動源極176、驅(qū)動漏極177和/或第二維持電極178。平整化層180可以具有覆 蓋梯狀部分的功能，并且可以具有平整化表面以提高有機發(fā)光元件70的發(fā)光效率的功能。 平整化層180可以包括使驅(qū)動漏極177的一部分暴露的接觸孔182。平整化層180可以包括例如聚丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚 酰亞胺樹脂、不飽和聚脂樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂和/或苯并環(huán)丁烯樹脂(BCB)中 的一種或多種。有機發(fā)光元件70的像素電極710可以形成在平整化層180之上。像素電極710 可以通過平整化層180的接觸孔182連接至驅(qū)動漏極177。在像素區(qū)域PA中，驅(qū)動?xùn)艠O155、驅(qū)動源極176、驅(qū)動漏極177、第一維持電極158、 第二維持電極178、柵線151 (見圖2)以及共用電源線172可以都布置在像素電極710下， 例如布置在像素電極710與基板構(gòu)件110之間。像素限定層190可以形成在平整化層180上。像素限定層190可以包括用以使像 素電極710暴露的開口。也就是說，像素電極710可以對應(yīng)于像素限定層190的開口布置。 在一些實施例中，形成有像素限定層190的部分可以與除形成有像素電極710的部分之外 的部分類似。也就是說，形成有像素限定層190的區(qū)域例如可以與透明區(qū)域TA類似和/或 對應(yīng)。像素限定層190例如可以包括諸如聚丙烯酸樹脂和聚酰亞胺樹脂之類的樹脂或 者硅基無機材料。有機發(fā)射層720可以形成在像素電極710之上。共用電極730可以形成在有機發(fā) 射層720上。在一些實施例中，包括像素電極710、有機發(fā)射層720和共用電極730的有機 發(fā)光元件70可以以上述的示例性方式形成。有機發(fā)射層720可以包括例如低分子有機材料或高分子有機材料。有機發(fā)射層 720可以包括多層。例如，有機發(fā)射層720可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)。在這種實施例中，空穴注入層(HIL)可 以布置在作為正極的像素電極710上，并且空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)以 及電子注入層(EIL)可以順序堆疊在空穴注入層(HIL)上。在一些實施例中，有機發(fā)光二極管顯示器100可以是前向發(fā)射類型。在這種實施 例中，有機發(fā)射層720可以朝著共用電極730的方向發(fā)光以顯示圖像。像素電極710可以包括反射式導(dǎo)電材料。反射式導(dǎo)電材料可以包括例如鋰(Li)、 鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)和/或金 (Au)0然而，實施例不限于此。例如，像素電極710可以包括多層，包括透明導(dǎo)電層和反射 層。共用電極730可以包括例如透明導(dǎo)電材料或者半透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料可 以包括例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)和/或氧化銦(In2O3)。半透明 導(dǎo)電材料可以包括例如包括鎂(Mg)和銀(Ag)中的至少一種的共沉積材料，或者可以是來 自于鎂(Mg)、銀(Ag)、鈣(Ca)、鋰(Li)和/或鋁(Al)中的一種或多種材料。緩沖層120、柵絕緣層140、層間絕緣層160、平整化層180以及像素限定層190可 以被形成為透明。實施例中，除柵線151、數(shù)據(jù)線171和共用電源線172的相應(yīng)部分之外，只 有透明部件，例如緩沖層120、柵絕緣層140、層間絕緣層160、平整化層180以及像素限定層 190可以布置在透明區(qū)域TA中。進(jìn)一步，如上面所討論的，實施例中，柵線151、數(shù)據(jù)線171 和共用電源線172可以被布置為與透明區(qū)域TA的重疊最小化。如以上在圖1中所示，像素區(qū)域PA和透明區(qū)域TA可以被形成為使透明區(qū)域TA相 對于像素區(qū)域PA和透明區(qū)域TA的總面積的面積比在大約20%至大約90%的范圍內(nèi)。與具有可比性的傳統(tǒng)顯示器相比，有機發(fā)光二極管顯示器的實施例，例如圖1中 的有機發(fā)光顯示器100可以抑制透射光的散射，從而可以獲得由減少和/或防止失真而產(chǎn) 生的透明度。包括上述一個或多個特征的實施例可以使用戶能夠在有機發(fā)光二極管顯示器100 處于關(guān)斷狀態(tài)時，透過有機發(fā)光二極管顯示器，例如上述顯示器100，看到位于相對側(cè)的具 有減少的和/或無失真的物體或圖像，并且可以在有機發(fā)光二極管顯示器，例如上述顯示 器100，處于開啟狀態(tài)時看到有機發(fā)光元件發(fā)出的圖像。如果透明區(qū)域TA相對于像素區(qū)域PA和透明區(qū)域TA的總面積的面積比小于20 %， 則能夠透過有機發(fā)光二極管顯示器100的光量小。因此，用戶可能難以看到位于有機發(fā)光 二極管顯示器的相對側(cè)的物體或圖像，所以有機發(fā)光二極管顯示器可能不以透明為特征。另一方面，如果透明區(qū)域TA相對于像素區(qū)域PA和透明區(qū)域TA的總面積的面積比 大于90%，則有機發(fā)光二極管顯示器100的像素集成度可能太低，以致不能通過有機發(fā)光 元件70的發(fā)光實現(xiàn)穩(wěn)定的圖像。也就是說，像素區(qū)域PA的面積更小，則可能必須增加從有 機發(fā)光元件，例如有機發(fā)光元件70發(fā)出的光的亮度，以補償所減少的像素區(qū)域PA，即像素 區(qū)域PA可能與像素的發(fā)光元件的亮度成反比。然而，當(dāng)有機發(fā)光元件，例如有機發(fā)光元件 70以高亮度狀態(tài)操作時，其壽命會急劇縮短。而且，如果透明區(qū)域TA的面積比增加至高于 90 %，同時將每個像素區(qū)域PA保持在合適的尺寸，則像素區(qū)域PA的數(shù)目會減少。這里已公開了示例性實施例，盡管使用了特定的術(shù)語，但這些特定的術(shù)語僅從一 般和描述意義上使用和解釋，并不用于限制的目的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，
10可以在不背離所附權(quán)利要求中給出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在形式和細(xì)節(jié)方面做 出各種改變。
權(quán)利要求
一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括透明區(qū)域和多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域彼此隔開，并且所述透明區(qū)域介于所述像素區(qū)域之間，所述有機發(fā)光二極管顯示器包括基板構(gòu)件；位于所述基板構(gòu)件上的薄膜晶體管和電容器元件，所述薄膜晶體管和所述電容器元件與所述像素區(qū)域重疊；位于所述基板構(gòu)件上的柵線、數(shù)據(jù)線和共用電源線，所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線與所述像素區(qū)域和所述透明區(qū)域重疊，并且被連接至所述薄膜晶體管和/或所述電容器元件中的相應(yīng)一個；以及位于所述基板構(gòu)件上的像素電極，所述像素電極與所有的所述薄膜晶體管和所述電容器元件重疊，并且與所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的與所述像素區(qū)域重疊的相應(yīng)部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述像素區(qū)域與所述像素電極覆蓋的區(qū)域相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述透明區(qū)域相對于所述像素 區(qū)域和所述透明區(qū)域的總面積的面積比在20%至90%的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述像素電極包括反射式導(dǎo)電 材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括順序形成在所述像素電極上的有機發(fā)射層和共用電極，其中所述有機發(fā)射層適于朝著所述共用電極的方向發(fā)光以顯示圖像。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中位于所述像素區(qū)域中的相鄰像 素區(qū)域上的所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線在所述透明區(qū)域之上互連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括位于所述基板構(gòu)件上的絕緣層、平整化層和像素限定層，其中所述平整化層和所述像素限定層包括透明材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述基板構(gòu)件的透射率高于或 等于形成在所述基板構(gòu)件上的層的總的透射率。
9.一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括透明區(qū)域和多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域彼此隔 開，并且所述透明區(qū)域介于所述像素區(qū)域之間，所述有機發(fā)光二極管顯示器包括基板構(gòu)件；位于所述基板構(gòu)件上的像素電極，所述像素電極對應(yīng)于所述有機發(fā)光二極管顯示器的 所述像素區(qū)域；與所述像素電極完全重疊的薄膜晶體管和電容器元件；以及連接至所述薄膜晶體管和/或所述電容器元件中的相應(yīng)一個的柵線、數(shù)據(jù)線和共用電 源線，所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線中的每一個包括與所述像素電極中的相應(yīng) 一個直接重疊的像素部分，以及在所述像素電極中的相鄰像素電極之間延伸、以分別連接 所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的所述像素部分中的相鄰像素部分的互連部分， 其中只有所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的互連部分被布置在所述有機發(fā)光二極 管顯示器的所述透明區(qū)域上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述基板構(gòu)件包括玻璃、石 英、陶瓷和/或塑料。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述基板構(gòu)件的透射率高于 或等于布置在所述基板構(gòu)件上的所有的層和/或元件的總的透射率，所述層和/或元件包 括布置在所述基板構(gòu)件上的緩沖層、絕緣層、層間絕緣層和平整化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中除所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所 述共用電源線的互連部分之外，只有透明層和/或元件被布置在所述基板構(gòu)件的與所述有 機發(fā)光二極管顯示器的所述透明區(qū)域重疊的部分上。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括 位于所述基板構(gòu)件上的緩沖層；位于所述緩沖層上的柵絕緣層； 位于所述柵絕緣層上的平整化層；以及位于所述柵絕緣層上的像素限定層，其中所述緩沖層、所述柵絕緣層、所述平整化層和 所述像素限定層僅包括透明材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述像素限定層被布置在所 述基板構(gòu)件的與所述有機發(fā)光二極管顯示器的所述透明區(qū)域?qū)?yīng)的部分上。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述像素電極以包括沿第一方向延伸的行和沿第二方向延伸的列的矩陣圖案被布置，所述第一方向與所述第二方向相 、-父。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述柵線沿所述第一方向延 伸，并且所述柵線的互連部分在所述像素電極中被布置在一行中的相鄰像素電極的相向側(cè) 之間延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源 線沿所述第二方向延伸，并且所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的互連部分在所述像素電極中 被布置在一列中的像素電極的相向側(cè)之間延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機發(fā)光二極管顯示器 的所述像素區(qū)域?qū)?yīng)于所述像素電極的區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中在所述有機發(fā)光二極管顯示 器的顯示區(qū)域內(nèi)，所述透明區(qū)域?qū)?yīng)于所述顯示區(qū)域的除所述像素區(qū)域之外的區(qū)域。
全文摘要
一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括多個像素區(qū)域和介于所述多個像素區(qū)域之間的透明區(qū)域，所述顯示器包括基板構(gòu)件；位于所述基板構(gòu)件上的薄膜晶體管和電容器元件，所述薄膜晶體管和所述電容器元件與所述像素區(qū)域重疊；位于所述基板構(gòu)件上的柵線、數(shù)據(jù)線和共用電源線，所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線與所述像素區(qū)域和所述透明區(qū)域重疊，并且被連接至所述薄膜晶體管和/或所述電容器元件中的相應(yīng)一個；以及位于所述基板構(gòu)件上的像素電極，所述像素電極與所有的所述薄膜晶體管和所述電容器元件重疊，并且與所述柵線、所述數(shù)據(jù)線和所述共用電源線的與所述像素區(qū)域重疊的相應(yīng)部分重疊。
文檔編號H01L27/32GK101958340SQ20101023376
公開日2011年1月26日 申請日期2010年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月20日
發(fā)明者姜鎮(zhèn)求, 崔相武, 金禁男, 金茂顯 申請人:三星移動顯示器株式會社