專利名稱：有機發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種包括陽極、陰極以及布置在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層的 有機發(fā)光裝置，其中所述陰極包括多層金屬層。
背景技術(shù)：
隨著21世紀的到來，已加速趨向信息社會，并且隨著在任何時間、任何地點接收 和傳輸信息的需要，常規(guī)陰極射線管(CRT)顯示器正在被平板顯示器取代。目前使用的最 普通類型的平板顯示器之一為液晶顯示器(LCD)。這是因為LCD輕質(zhì)且功耗低。然而，由 于LCD不是自發(fā)光裝置，而是接收并發(fā)光裝置，所以LCD在對比度、視角和面積尺寸方面存 在技術(shù)限制。因此，世界范圍內(nèi)正在開發(fā)能夠克服此類技術(shù)限制的新平板顯示器。此類新 平板顯示器之一為有機發(fā)光二極管(OLED)。OLED可在低功率下驅(qū)動，具有寬視角和快速響 應速度，為自發(fā)光、輕質(zhì)且薄的裝置。因此，在日本、韓國和美國，OLED正在增加。目前用于移動顯示器的有源矩陣有機發(fā)光裝置(AMOLED)的陰極由包括鎂(Mg)和 銀(Ag)的組合物形成，但在AMOLED的尺寸為14"或更大時，要求更低的電阻。在這點上， 當陰極由Mg和Ag形成時，在14"或更大的AMOLED內(nèi)發(fā)生IR下降現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機發(fā)光裝置，包括陽極、陰極以及布置在所述陽極和所述陰極 之間的發(fā)光層，其中所述陰極具有包括第一金屬層和第二金屬層的結(jié)構(gòu)，或者具有包括第 一金屬層、第二金屬層以及選自由氧化物層、氮化物層和氮氧化物層構(gòu)成的組中的一種的 結(jié)構(gòu)，且其中所述陰極具有低電阻。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種有機發(fā)光裝置，包括陽極；陰極；以及布置在 所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，其中所述陰極具有包括第一金屬層和第二金屬層的結(jié) 構(gòu)，或者具有包括第一金屬層、第二金屬層以及選自由氧化物層、氮化物層和氮氧化物層構(gòu) 成的組中的覆蓋層的結(jié)構(gòu)。所述第二金屬層可包括電阻在0. 1 lOohm/sq范圍內(nèi)的金屬，且所述第一金屬層 可包括功函在約3. 5 約4. 5eV范圍內(nèi)的金屬和Ag的合金。所述第二金屬層可包括電阻在0. 5 3ohm/Sq范圍內(nèi)的金屬，且所述第一金屬層 可包括功函在約3. 5 約4. OeV范圍內(nèi)的金屬和Ag的合金。所述第二金屬層可包括Ag、Al、Cu或Cr，且所述第一金屬層可包括Ag和選自由 Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、 Cf、Es、Fm、Md和No構(gòu)成的組中的金屬的合金。
所述第二金屬層可包括Ag或Al，且所述第一金屬層可包括金屬Ag和Yb、La、Y、 Sm、Ba或Sr的合金。所述第二金屬層可包括Ag，且所述第一金屬層可包括Ag和Yb的合金。所述第一金屬層中所述金屬與Ag的重量比可為約0. 1 1 約1 5 1。所述第一金屬層中所述金屬與Ag的重量比可為約4 1 約10 1。所述第一金屬層的厚度可為約30A ~約300A。所述第一金屬層的厚度可為約60A ~約100A。所述第二金屬層的厚度可為約50A ~約500A。所述第二金屬層的厚度可為約IOOA ~約300A。所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮氧化物層的折射率可為約1. 5 約2. 5。所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮氧化物層的折射率可為約1. 7 約2. 2。所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮氧化物層的厚度可為約100人~ 約 1500A。所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮氧化物層的厚度可為約300A ~約700A。所述氧化物層可包括選自由Mo0x、Al203、Sb203、Ba0、Cd0、Ca0、Ce203、Co0、Cu20、Dy0、 GdO、HfO2, La2O3> Li2O, MgO, NbO, NiO、Nd2O3> PdO、Sm2O3, ScO、SiO2, SrO, Ta2O3, TiO、W03、VO2, YbO, Y2O3, ZnO和ZrO構(gòu)成的組中的至少一種，其中χ為2 4。所述氮化物層可包括選自由A1N、BN、NbN, SiN, TaN, TiN, VN、YbN和構(gòu)成的組 中的至少一種。所述氮氧化物層可包括SiON或A10N。


參照附圖，本發(fā)明的以上和其他特征、優(yōu)點通過詳細說明其示例性實施方式將變 得顯而易見，其中圖IA為說明根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為說明根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為表示Mg/Ag和Yb/Ag層在17θΑ的相同厚度下的透射率結(jié)果隨波長變化的 曲線圖；圖3為表示(Mg/Ag)/Ag和(Yb/Ag)/Ag層在相同厚度下的透射率結(jié)果隨波長變化 的曲線圖；圖4為表示第一金屬層的金屬比例固定為5 1時，根據(jù)第一金屬層和第二金屬 層的厚度的透射率結(jié)果隨波長變化的曲線圖；圖5為根據(jù)氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度的透射率結(jié)果隨波長變化的 曲線圖；圖6為表示實施例5和對比例的有機發(fā)光裝置的電流密度隨電壓變化的曲線圖； 和圖7為表示本發(fā)明有機發(fā)光裝置制造過程的一個實施方式的流程圖。
具體實施例方式以下，將參照示出本發(fā)明示例性實施方式的附圖更完整地說明本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光裝置(OLED)包括陽極、陰極以及布置在陽極和 陰極之間的發(fā)光層，其中陰極具有包括第一金屬層和第二金屬層的結(jié)構(gòu)，或者具有包括第 一金屬層、第二金屬層以及選自由氧化物層、氮化物層和氮氧化物層構(gòu)成的組中的一種的 結(jié)構(gòu)。圖IA為說明根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。用于目前使用的移動顯示器的有機發(fā)光裝置的陰極通常由包括鎂(Mg)和銀(Ag) 的組合物形成，且陰極的尺寸為2" 3"。因此，陰極不會引起IR下降且具有寬視角。然 而，如果陰極用于尺寸為14"或更大的大尺寸顯示器時，陰極由于它們的Mg/Ag組合物而 具有較高的電阻。因此，會發(fā)生約40ohm/Sq的IR下降且視角減小，由此透射率隨波長增大 而降低。因此，需要補償紅色視角。為了補償紅色視角，可沉積Ag形成第二層以補充第一 層內(nèi)的低電阻，其中陰極可具有包括由Mg和Ag形成的第一層以及由Ag形成的第二層的雙 層結(jié)構(gòu)。在此，根據(jù)單層Mg/Ag電極中Mg與Ag的比例進行性能分析，并根據(jù)雙層(Mg/Ag)/ Ag電極中的雙層厚度進行性能分析。然而，單層Mg/Ag電極的厚度相對小，因而加工余量和 層均勻性仍很低。參照圖1A，根據(jù)本實施方式的有機發(fā)光裝置包括陽極、陰極以及布置在陽極和陰 極之間的發(fā)光層。陰極具有由第一金屬層和第二金屬層組成的結(jié)構(gòu)，其中第一金屬層布置 在發(fā)光層上，且第二金屬層布置在第一金屬層上。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第二金屬層可由電阻在0. 1 lOohm/sq范圍內(nèi)的金屬形 成，且第一金屬層可由功函在約3. 5 約4. 5eV的金屬和Ag的合金形成。當布置在發(fā)光層上的第一金屬層由功函在約3. 5 約4. 5eV的金屬和Ag的合金 形成時，因發(fā)光未受較大影響而無需紅色補償。在可見光區(qū)域內(nèi)透射性良好，且由于透射率 偏差低，故透射率曲線圖中的曲線基本上為直線。布置在第一金屬層上的第二金屬層具有在0. 1 lOohm/sq范圍內(nèi)的低電阻，從而 補充也具有低電阻的第一金屬層。根據(jù)這樣的陰極結(jié)構(gòu)，由于第一金屬層進行發(fā)光，而第二金屬層降低電阻，故該陰 極具有低電阻。當?shù)谝唤饘賹又薪饘俚墓^4. 5eV時，OLED的驅(qū)動電壓會增力卩，且效率會降低。同時，當?shù)诙饘俚碾娮璩鰈Oohm/sq時，OLED的驅(qū)動電壓會增加，且效率會降 低。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第二金屬層的金屬可具有在0. 5 3ohm/Sq范圍內(nèi)的電 阻，且第一金屬層中的金屬可具有在約3. 5 約4. OeV范圍內(nèi)的功函。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第二金屬層的金屬可為Ag、Al、Cu或Cr ；且第一金屬層可 由金屬禾口 Ag的合金形成，該金屬選自由Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Eu、Tb、Dy、Ho、 Er、Tm、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md 禾口 No 構(gòu)成的組中。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第二金屬層的金屬可為Ag或Al ；且第一金屬層可由金屬 和Ag的合金形成，其中，該金屬為Yb、La、Y、Sm、Ba或Sr。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第二金屬層的金屬可為Ag ；且第一金屬層可由Ag和Yb的合金形成。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一金屬層中金屬與Ag的重量比可為約0.1 1 約 15 1，且可為約4 1 約10 1。當?shù)谝唤饘賹又薪饘倥cAg的重量比大于15 1時，透射率會降低，OLED的驅(qū)動 電壓會增加，且效率會降低。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一金屬層的厚度可為約30A ~約300人。當?shù)谝唤饘賹拥暮穸刃∮?0A時，OLED的驅(qū)動電壓會增加，當?shù)谝唤饘賹拥暮穸?大于300A時，透射率會降低，從而效率會降低。在本發(fā)明的實施方式中，第一金屬層的厚度可為約6θΑ~約100A。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第二金屬層的厚度可為約50A ~約500A。當?shù)诙饘賹拥暮穸刃∮?0A時，OLED的驅(qū)動電壓會增加，當?shù)诙饘賹拥暮穸?大于500A時，效率會因透射率降低而降低。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第二金屬層的厚度可為約IOOA ~約300A。圖IB為說明根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1B，根據(jù)本發(fā)明此實施方式的有機發(fā)光裝置包括陽極、陰極以及布置在陽 極和陰極之間的發(fā)光層。陰極具有由第一金屬層、第二金屬層以及選自由氧化物層、氮化物 層和氮氧化物層構(gòu)成的組中的一種所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層在第二金屬層上形成覆蓋層，并通過確 保透射率來提高有機發(fā)光裝置的光學特性。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率可為 約1. 5 約2. 5。當所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率小于1. 5時，覆蓋層的厚度 會增加，從而透射率會降低。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率可為 約1. 7 約2. 2。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度范圍可 為約IOOA ~ 約 1500A。當所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度小于IOOA時，透射率會降低， 從而效率會降低。而當所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度大于1500A時，透射 率會降低，從而效率會降低。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，所述的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度可為約 300A 約 700A。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，氧化物層可由選自由MoOxU = 2 4)、Al203、Sb203、Ba0、 CdO、CaO, Ce2O3> CoO、Cu2O, DyO、GdO, HfO2, La2O3, Li2O, MgO, NbO, NiO、Nd203、PdO、Sm2O3, ScO、 SiO2, SrO, Ta2O3, TiO、W03、VO2, YbO, Y2O3, ZnO和ZrO構(gòu)成的組中的至少一種形成。氧化物 層可為 MoOx (χ = 2 4)、WO3> A1203、NbO、TiO 或 YbO。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，氮化物層可由選自由AlN、BN、NbN、SiN、TaN、TiN、VN、YbN 和構(gòu)成的組中的至少一種形成。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，氮氧化物層可由SiON或AlON形成。
現(xiàn)將說明根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)。 根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光裝置可具有多種結(jié)構(gòu)。在這點上，選自由空穴注入層、空穴 傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層構(gòu)成的組中的至少一層可布置在第 一電極和第二電極之間。有機發(fā)光裝置可具有包括第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層、電子注入層和第二電極的結(jié)構(gòu)，或者可具有包括第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和第二電極的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)將說明制造具有上述結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光裝置的方法。首先，用沉積法或濺射法將具有高功函的用于陽極的材料沉積在基板上，且該材 料用作陽極，即第一電極。這里，基板可為有機發(fā)光裝置常用的基板。所述基板可為具有優(yōu) 異的透明度、表面光滑度、易處理性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板。用于陽極的材料 可為透明且導電性優(yōu)異的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)。然后，將空穴注入層材料熱沉積或旋涂在陽極上?？昭ㄗ⑷雽硬牧系膶嵗ㄌ?菁化合物，例如銅酞菁(CuPc)；星爆型胺衍生物，例如TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB ；或可溶 性導電聚合物，例如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚 (4-苯乙烯磺酸酯)(PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)或(聚苯胺)/聚(4-苯 乙烯磺酸酯)(PANI/PSS))，但不限于此。 然后，將空穴傳輸層材料真空熱沉積或旋涂在空穴注入層上以形成空穴傳輸層。 空穴傳輸層材料的實例包括1，3，5_三咔唑基苯、4，4'-雙咔唑基聯(lián)苯、聚乙烯基咔唑、 間-雙咔唑基苯、4，4'-雙咔唑基-2，2' - 二甲基聯(lián)苯、4，4'，4〃 -三(N-咔唑基)三 苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、雙(4-咔 唑基苯基)硅烷、N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基-(1，1'-聯(lián)苯基)-4，4' 二 胺(TPD)、N，N' -二(萘-1-基)-N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺(α -NPD)、N，N' - 二苯基-N， N'-雙(1-萘基)_(1，1'-聯(lián)苯基)-4，4' -二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-共-N-(4-丁 苯基)二苯胺)(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-共-雙-(4-丁苯基-雙-Ν，Ν-苯基-1，4-苯 二胺)(PFB)，但不限于此。 然后，將發(fā)光層布置在空穴傳輸層上。發(fā)光層材料無特別限制。發(fā)光層材料可包括 主體和摻雜劑。主體可為4，4'-雙咔唑基聯(lián)苯(CBP)、TCB、TCTA、SDI-BH-18、SDI-BH-19、 SDI-BH-22、SDI-BH-23、dmCBP、Liq、TPBI, Balq或BCP，且摻雜劑可為熒光摻雜劑，諸如由 Idemitsu公司購得的IDE102或IDE105，或者可為磷光摻雜劑，諸如作為周知的綠色磷光摻 雜劑的Ir (PPy) 3或作為藍色磷光摻雜劑的(4，6_F2ppy) 2Irpic。這樣的摻雜劑可與主體一 起真空熱沉積在空穴注入層上。 摻雜濃度無特別限制，但其范圍可為0. 5 12wt%。通過真空沉積法或旋涂法可 在發(fā)光層上形成薄電子傳輸層。同時，當發(fā)光層中包含磷光摻雜劑時，可在發(fā)光層上通過真空熱沉積空穴阻擋材料另外形成空穴阻擋層以防止三線態(tài)激子或空穴擴散到電子傳輸層?？昭ㄗ钃醪牧蠠o特別 限制，但必須具有電子傳輸能力以及相比發(fā)光化合物具有更高的電離勢?？昭ㄗ钃醪牧系?實例包括Balq和BCP。用真空沉積法或旋涂法可在發(fā)光層或空穴阻擋層上形成薄電子傳輸層。電子傳輸層可由周知的材料Alq3形成?？稍陔娮觽鬏攲由闲纬呻娮幼⑷雽?。電子注入層可由LiF、NaCl、CsF, Li2O或BaO 形成，但不限于此。然后，在電子注入層上形成陰極，其中該陰極具有包括第一金屬層和第二金屬層 的結(jié)構(gòu)，或者具有包括第一金屬層、第二金屬層以及選自由氧化物層、氮化物層和氮氧化物 層構(gòu)成的組中的一種的結(jié)構(gòu)。參照實施例將更詳細地說明根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光裝置。但這些實施例僅用于示 例性目的，而不是要限制本發(fā)明的范圍。實施例實施例1 (第一金屬層的特件比較)為了比較第一金屬層的透射率，分別將鐿(Yb)和銀(Ag)以10 1、5 1和1 1 的重量比真空沉積在玻璃基板上形成Yb/Ag金屬層。將Mg和Ag以10 1的重量比真空沉積在另一玻璃基板上形成厚度為170A的 Mg/Ag層，用于與Yb/Ag層進行比較。在170A的相同厚度下比較Mg/Ag和Yb/Ag層的透射率，且比較結(jié)果示于圖2中。 圖2為表示Mg/Ag和Yb/Ag層在170A的相同厚度下的透射率結(jié)果隨波長變化的曲線圖。 參照圖2，在530nm波長下，當Yb Ag層中Yb的量從1變到10時，Mg/Ag層具有30%的 透射率，重量比為5 1的Yb/Ag層具有50%的透射率。在此，Mg/Ag層的電阻為40ohm/ sq，重量比為5 1的Yb/Ag層的電阻為12ohm/sq?？紤]到與由Mg/Ag層形成的陰極相關的最常用的技術(shù)，并通過增加緩沖層來改善 Mg/Ag層的注入特性，以上比較顯示出本發(fā)明的實施方式與常規(guī)技術(shù)有顯著差異。實施例2 (比較陰極的透射率)為了比較陰極的透射率，將Yb和Ag以5 1的重量比真空沉積在玻璃基板上形成 厚度為IOOA的Yb/Ag層，然后在Yb/Ag層上真空沉積Ag至150A的厚度，以形成具有(Yb/ Ag)/Ag結(jié)構(gòu)的陰極。然后，將Mg和Ag以5 1的重量比在另一玻璃基板上真空沉積至IOOA的厚度以 形成Mg/Ag層，然后在Mg/Ag層上真空沉積Ag至150A的厚度，以形成具有(Mg/Ag)/Ag結(jié) 構(gòu)的陰極。在相同厚度下比較(Mg/Ag)/Ag陰極和(Yb/Ag)/Ag陰極的透射率，且比較結(jié)果示 于圖3中。圖3為表示在相同厚度下(Mg/Ag)/Ag和(Yb/Ag)/Ag陰極的透射率結(jié)果隨波長 變化的曲線圖。參照圖3，在550nm波長下，(Mg/Ag)/Ag陰極具有22%的透射率，(Yb/Ag)/ Ag陰極具有34%的透射率。(Yb/Ag) /Ag陰極在整個可見光區(qū)域內(nèi)的透射率變化相對較低， 為8%，但(Mg/Ag) /Ag陰極在整個可見光區(qū)域內(nèi)的透射率變化相對較高，為25%。Yb Ag/ Ag陰極在透射率上的小變化表明，窄視角問題能夠被克服。實施例3(比較陰極的特性)
在將Yb/Ag層的重量比固定為5 1時，測定隨Yb/Ag層和Ag層的厚度變化而變 化的透射率和電阻。將Yb/Ag層的重量比固定為5 1，并將Yb/Ag和Ag在玻璃基板上分別真空沉積 至110A/180A、110A/200A, 90入/180入和90入/200入的厚度以形成化卜/^)/^陰極。將Mg和Ag以5 1的重量比在另一玻璃基板上真空沉積至170A的厚度以形成 Mg/Ag陰極。測定各(Yb/Ag)/Ag陰極和Mg/Ag陰極的透射率，且測定結(jié)果示于圖4中。圖4為 表示將Yb/Ag層的重量比固定為5 1時，根據(jù)(Yb/Ag)/Ag陰極層和Mg/Ag陰極層的厚度 的透射率結(jié)果隨波長變化的曲線圖。參照圖4，隨著Ag層的厚度增加，透射率降低，且當Yb/Ag層和Ag層的厚度分別為 90入和180A時，(Yb/Ag)/Ag陰極的透射率在整個波長區(qū)域內(nèi)均高于Mg/Ag陰極的透射率。測定(Yb/Ag)/Ag陰極的電阻，且測定結(jié)果示于以下表1中。表 1 參照表1，在Yb/Ag層的厚度相對較低且Ag層的厚度相對較高時，電阻特性得到改 善。特別是在Yb/Ag層的厚度為90A且Ag層的厚度為200A時，電阻為1.6ohm/Sq。^mm 4 (immmAumm^iumMm)將Yb和Ag以5 1的比在玻璃基板上真空沉積至厚度為65A以形 成Yb/Ag層，然后將Ag真空沉積在Yb/Ag層上分別形成180A和250A的厚度，以 制備 Yb/Ag(5:l, 65A)/Ag(180A)和 Yb/Ag(5:l, 65A)/Ag(250A)的結(jié) 構(gòu)。然后，將 Μ。0Χ 真空沉積在 Yb/Ag(5:l, 65A)/Ag(180A)和 Yb/Ag(5:l, 65A)/Ag(250A)的結(jié)構(gòu)上，以形成 Yb/Ag(5:l，65A)/Ag(180A), Yb/Ag(5:l, 65A)/Ag(25()A)/MoOx(350A)和Yb/Ag(5:l，65A)/Ag(180A)/MoOx(65()A)的 結(jié)構(gòu)，其中χ的范圍為2 4。將Mg和Ag以5 1的重量比在另一玻璃基板上真空沉積至厚度為180Α 以形成Mg/Ag層，然后將MoOx真空沉積在Mg/Ag層上形成Mg/Ag(5 1, 180人)和
Mg/Ag(5:l, 180A)/MoC)x(600A)的結(jié)構(gòu)，其中 χ 為 2 4 的比例。
測定 Mg/Ag(5:l, 180A)、Mg/Ag(5:l, 180A)/MoC)x(600A)、Yb/Ag(5:l, 65A)/Ag(180A)、Yb/Ag(5:l , 65A)/Ag(250A)/MoC)x(350A)和Yb/Ag(5:l ,65AyAg(180A)/Mo〇x(650A)的各結(jié)構(gòu)的透射率，且測定結(jié)果示于圖5中。圖5為根 據(jù)上述各結(jié)構(gòu)的厚度的透射率結(jié)果隨波長變化的曲線圖。參照圖5，當MoOx層的厚度為350人時，透射率變化顯著，但在MoOx層的厚度為 650A時，在整個波長區(qū)域內(nèi)透射率為30 40%。實施例5(11—金屬層(Yb/Ag)/Il二金屬層Ag)ITO/Ag/ITO/HIL/HTL / 藍 色 EML/ETL/EIL/(Yb/Ag)(5:l,100A)/Ag(200A)/MoOx(500A),其中 χ 為 2 4。通過將Corning 15 Ω/cm2 (1200A)的 ITO 玻璃基板切割成 50mmX 50mmX 0. 7mm
的尺寸，分別用異丙醇和純水進行超聲波清洗各5分鐘，然后用UV臭氧清洗產(chǎn)物30分鐘制 備陽極。將m-MTDATA真空沉積在ITO玻璃基板上形成750A厚的空穴注入層。將《 _NPD 真空沉積在空穴注入層上形成150A厚的空穴傳輸層。在形成空穴傳輸層后，將3%的作為 摻雜劑的TBPe和作為主體的DSA真空沉積在空穴傳輸層上形成300入厚的發(fā)光層。然后， 將Alq3真空沉積在發(fā)光層上形成200A厚的電子傳輸層。在電子傳輸層上真空沉積LiF至 80A的厚度，從而形成電子注入層。最后，將Yb/Ag(5:l, 100A)/Ag(200A)/MoOx(500A)真空沉積在電子注入
層上形成陰極，其中χ的范圍為2 4，從而完成有機發(fā)光裝置的制造。^MM6(m-^.mm (Y/ar)/ 二金屬mki/m^mwoj用與實施例5相同的方式制作有機發(fā)光裝置，區(qū)別在于用Y/Ag層代替Yb/Ag層作 為第一金屬層，用Al層代替Ag層作為第二金屬層，且將WO3層用作覆蓋層。^MM 7(m-^.mm (Y/ar) / 二金屬m cu/m^m woj用與實施例5相同的方式制作有機發(fā)光裝置，區(qū)別在于用Y/Ag層代替Yb/Ag層作 為第一金屬層，用Cu層代替Ag層作為第二金屬層，且將WO3層用作覆蓋層。^MM 8(m-^.mm (Y/ar) / 二金屬m cr/m^m woj用與實施例5相同的方式制作有機發(fā)光裝置，區(qū)別在于用Y/Ag層代替Yb/Ag層作 為第一金屬層，用Cr層代替Ag層作為第二金屬層，且將WO3層用作覆蓋層。對比例用與實施例5相同的方式制作有機發(fā)光裝置，區(qū)別在于將Mg/Ag(5:l， 18 0A)/Alq3 (600Α)用作陰極。比較有機發(fā)光裝置的特件測定實施例5和對比例的各有機發(fā)光裝置中的電流密度隨電壓變化關系，且測定 結(jié)果示于圖6中。圖6為表示實施例5和對比例的有機發(fā)光裝置的電流密度隨電壓變化的 曲線圖。參照圖6，實施例5和對比例的有機發(fā)光裝置具有幾乎相同的電流_電壓特性。實 施例5的有機發(fā)光裝置在50mA/cm2附近表現(xiàn)出與對比例的有機發(fā)光裝置相類似的效率特 性，實現(xiàn)了所需的亮度，特別是甚至在高電流密度下該有機發(fā)光裝置也能夠維持高效率。因 此，與常規(guī)陰極相比，根據(jù)本發(fā)明實施方式的低電阻陰極具有高薄膜穩(wěn)定性。同時，根據(jù)實施例5的陰極電阻為1. 8ohm/sq。同樣，根據(jù)電流隨電壓變化的測定結(jié)果，實施例6 8的有機發(fā)光裝置與對比例的有機發(fā)光裝置具有幾乎相同的電流-電壓特性。根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光裝置的陰極具有優(yōu)異的透射率和低電阻，從而在 用于大面積顯示器時也具有優(yōu)異的視角。盡管已參照其示例性實施方式具體示出并說明了本發(fā)明，但本領域普通技術(shù)人員 應理解的是，可對其進行多種形式和細節(jié)改變而不背離權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神 和范圍。
權(quán)利要求
一種有機發(fā)光裝置，包括陽極；陰極；和布置在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，其中所述陰極具有包括第一金屬層和第二金屬層的結(jié)構(gòu)，或者具有包括第一金屬層、第二金屬層以及覆蓋層的結(jié)構(gòu)，所述覆蓋層選自由氧化物層、氮化物層和氮氧化物層構(gòu)成的組中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二金屬層包括電阻在0.1 10ohm/sq范圍內(nèi)的金屬，且所述第一金屬層包括功函在3. 5 4. 5eV的金屬和Ag的合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二金屬層包括電阻在0.5 3ohm/sq范圍內(nèi)的金屬，且所述第一金屬層包括功函在3. 5 4. OeV的金屬和Ag的合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二金屬層的金屬為Ag、Al、Cu或 Cr,且所述第一金屬層包括 Ag 和選自由 Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Eu、Tb、Dy、Ho、 Er、Tm、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md 和 No 構(gòu)成的組中的金屬的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二金屬層的金屬為Ag或Al，且所 述第一金屬層包括Ag和金屬Yb、La、Y、Sm、Ba或Sr的合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二金屬層的金屬為Ag，且所述第 一金屬層為Ag和Yb的合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中在所述第一金屬層中的所述金屬與Ag的 重量比為0. 1 1 15 1。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中在所述第一金屬層中的所述金屬與Ag的 重量比為4 1 10 1。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一金屬層的厚度為 3θΑ~ 300A。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一金屬層的厚度為6θΑ~ ιοοΑ。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二金屬層的厚度為 5OA ~ 500A。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二金屬層的厚度為 ιοοΑ~ 300A。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮 氧化物層具有的折射率為1. 5 2. 5。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮 氧化物層具有的折射率為1. 7 2. 2。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮 氧化物層具有的厚度為IOOA ~ 1500A。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述氧化物層、所述氮化物層或所述氮 氧化物層具有的厚度為300A ~ 700A。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述覆蓋層包括選自由Mo0x、Al2O3, Sb2O3>BaO、CdO,CaO, Ce203、CoO、Cu2O,DyO、GdO,HfO^La2O3,Li2O,MgO,NbO,NiO、Nd2O3,PdO、 Sm2O3, ScO、SiO2, SrO, Ta2O3, TiO、W03、VO2, YbO, Y2O3, ZnO 和 ZrO 構(gòu)成的組中的至少一種，其 中χ為2 4。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述覆蓋層包括選自由A1N、BN、NbN, SiN, TaN, TiN, VN、YbN和ZrN構(gòu)成的組中的至少一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述覆蓋層包括SiON或A10N。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機發(fā)光裝置，所述有機發(fā)光裝置包括陽極、陰極以及布置在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，其中所述陰極具有包括第一金屬層和第二金屬層的結(jié)構(gòu)，或者具有包括第一金屬層、第二金屬層以及選自由氧化物層、氮化物層和氮氧化物層構(gòu)成的組中的一種的結(jié)構(gòu)，且其中所述陰極具有低電阻。
文檔編號H01L51/56GK101901876SQ20101018248
公開日2010年12月1日 申請日期2010年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月1日
發(fā)明者吳一洙, 宋炯俊, 尹振瑛, 崔鎮(zhèn)白, 李昌浩, 李濬九, 李鐘赫, 趙世珍, 金元鐘, 金容鐸, 高熙周, 黃圭煥 申請人:三星移動顯示器株式會社