專利名稱：：成像裝置和相機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及固態(tài)成像器件和成像裝置。并且，本發(fā)明還涉及成像裝置和相機，其包括諸如CCD(電荷耦合器件)、CMOS(互補金屬氧化物半導體)傳感器等的成像器件。
背景技術(shù)：
：由于近些年數(shù)碼相機已得到廣泛應(yīng)用，甚至低價相機也需要有高分辨率。而且，不僅在數(shù)碼相機中，而且在攝像機、蜂窩式電話上的相機等中也已要求高分辨率。一般而言，光學尺寸(固態(tài)成像器件的外部尺寸)未改變，因而，像素數(shù)量的增加就等同于像素的微型制造(microfabrication)。像素的微型制造與減少進入像素的光子數(shù)量有直接聯(lián)系，從而導致絕對靈敏度降低，其不能用量子效率的改善來被彌補。對CCD圖像傳感器和CM0S圖像傳感器來說都是如此。但是，由于金屬配線較高(厚)，所以，CM0S圖像傳感器通常難以聚集光線，因而靈敏度較低。根據(jù)上述內(nèi)容，已提出一種技術(shù)，其中，從圖像處理的觀點考慮，在提高敏感度的同時抑制分辨率的降低。下面將參照圖30描述該技術(shù)。如圖30中所示，已知利用所謂的蜂窩式像素陣列，每個像素111都由傾斜的正方形像素陣列構(gòu)成，從而，甚至利用一半的實際像素數(shù)量就能夠抑制在垂直和水平方向上的空間分辨率的降低?？衫孟嗤挠行袼貐^(qū)域?qū)⑾袼財?shù)量減少到一半，于是，增大了每單元像素的面積，因而能夠提高靈敏度。沿垂直和水平方向存在大量具有人造間隔的線，并以XY坐標來表示像素數(shù)據(jù)，因而這兩個軸的空間分辨率對于分辨率的感應(yīng)很重要，因而，可以認為，蜂窩式像素陣列在很多情況下具有較高的靈敏度。但是，蜂窩式像素陣列不適合被集成。通常，像素數(shù)據(jù)是具有垂直和水平軸的兩個軸的數(shù)據(jù)陣列，且正方形柵格(grid)圖像傳感器的像素也是與其一致的陣列。連同此，還沿垂直方向和水平方向進行控制(驅(qū)動和讀出)。另一方面，利用蜂窩式像素陣列，像素由傾斜的正方形柵格組成，因而，控制像素的陣列呈鋸齒形圖案。例如，對于CMOS圖像傳感器，在常用的正方形柵格像素陣列情況下，可以通過改變垂直和水平方向的軸的每個金屬配線層來有效地進行配線。另一方面，對于蜂窩式像素陣列，相鄰行或相鄰列的像素被插入到同一行或同一列的像素之間，從而不可避免地以鋸齒形方式設(shè)置配線，這樣，有時難以與如形成在處于與配線重疊的部分處的硅表面上的晶體管等部件相連接。蜂窩式像素陣列存在配線密度高的問題。因而，需要通過減少配線的數(shù)量來保持較大的金屬開口(metalopening)。有效的方式是共享像素晶體管(參見日本未審定的公布專利申請第2004-128193號)。但是，對于日本未審定的公布專利申請第2004-128193號披露的技術(shù)，不可避免地會使精細像素的特性惡化。也就是說，通過如圖31A所示的日本未審定的公布專利申請第2004-128193號披露的技術(shù)，電荷到電壓(charge-to-voltage)轉(zhuǎn)換單元的傳輸門(transfergate)TG被被布置在像素111的側(cè)部，其讀出特性很優(yōu)秀，但是包括聚光點面積(condensingspotarea)被壓縮的問題。而且，即使在像素之間設(shè)置充當電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的浮動擴散FD的共享部分，在兩像素之間共享像素晶體管也會使得難以充分保證光電二極管PD面積。同樣，對于多個像素排列成二維正方形的像素組，如圖31B所示，充當要被共享的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的浮動擴散FD經(jīng)傳輸門TG被布置在像素111的角部。在相互斜鄰的兩像素之間，從其像素111的聚光中心到傳輸門TG的距離可以通過將傳輸門TG被布置在其像素111的角而分離開，從而抑制由傳輸門TG吸收光而導致的靈敏度的降低。采用使用CM0S(互補金屬氧化物半導體)的CMOS圖像裝置作為如相機等的成像器件，并且，該CMOS圖像裝置包括諸如對于CCD(電荷耦合器件)成像裝置來說很難的部分讀出功能，這有利于降低功耗和減小成像裝置的尺寸。近年來，存在增加CMOS成像裝置中的像素數(shù)量的要求。但是，CMOS成像裝置在一個像素內(nèi)包括許多驅(qū)動器元件，如光電二極管、傳輸晶體管、復位晶體管、放大晶體管、選擇晶體管等，因而，難以減小像素的尺寸。并且，由于增加了像素的數(shù)量，所以，增大了像素電路的驅(qū)動負載和來自像素電路的信號的讀出負載，這導致不利于高速驅(qū)動的情況。該問題的一個解決方法是通過共享晶體管來減小負載。例如，利用其中由多個光電二極管和傳輸晶體管共享放大晶體管的配置，可以減少諸如要連接到垂直信號線的放大晶體管等的元件的數(shù)量，從而可在讀出輸出信號時減小垂直信號線的負載。而且，已提出了一種方法，其中，通過共享光電轉(zhuǎn)換單元來改善輸出信號的圖像質(zhì)量(參見日本未審定的專利申請公布第2006-54276號)。此外，關(guān)于像素的微型制造的一個解決方案是這樣的方法，其中，共享像素內(nèi)的晶體管，減小每一個像素的晶體管的數(shù)量，從而減小像素的尺寸(例如，參見日本未審的專利申請公布第2001-298177號)。例如，進行以下配置，其中，針對多個光電二極管中的每個設(shè)置傳輸晶體管，并針對多個光電二極管和傳輸晶體管共享選擇晶體管、復位晶體管和放大晶體管。在不共享晶體管的情況下，通常提供每像素四個晶體管。但是，另一方面，對于共享三個晶體管的四個像素，晶體管的數(shù)量可以下降到每像素1.75個。注意，取決于晶體管驅(qū)動方法等，可以有不包括選擇晶體管的配置(參見日本未審的專利申請公布第2006-54276號)。
發(fā)明內(nèi)容已認識到需要解決的問題在于，根據(jù)所謂的蜂窩式像素陣列，電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元被置于像素的側(cè)部，這優(yōu)化了讀出特性，但是包括聚光點面積受到壓縮的問題，而且，即使在像素之間布置電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的共享部分(例如，作為電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的浮動擴散floatingdiffusion,FD)，在兩像素之間的共享像素晶體管也使得難以充分確保光電轉(zhuǎn)換單元(例如，光電二極管PD)的面積。因此，已認識到需要提高光學特性、以及允許通過設(shè)計晶體管群的布局來提供有效的像素陣列，其中晶體管群為例如電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元、傳輸晶體管、放大晶體管、復位晶體管等。此外，對于通過共享像素電路的晶體管而提出的方法，公知的一個問題是存在其中每個晶體管的控制受到約束的很多情況。因此，已經(jīng)認識到需要這樣的成像裝置和相機，由此可減小施加給信號線的負載，對信號的讀出具有非常小的影響，且能夠提高像素的數(shù)量。此外，通過上述解決方法，共享多個部件，于是可減少部件的數(shù)量，但是，每個像素內(nèi)的布局由于每個部件的形狀和尺寸等因素而變得不均勻。下面將進行有關(guān)布局的不均勻性的說明。圖32是描述在共享多個部件的情況下的布局不均勻性的圖。對于如圖32所示的布局，沿針對于電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元2的對角線方向相鄰的兩個光電轉(zhuǎn)換單元3001共享電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元3002，這些光電轉(zhuǎn)換單元3001通過配線3004來連接，以便共享晶體管區(qū)域3003a(沿柵極(gate)長度方向的寬度L3003a)和晶體管區(qū)域3003b(沿柵極長度方向的寬度L3003b)，晶體管區(qū)域3003a和晶體管區(qū)域3003b各自沿柵極長度方向具有不同的寬度。這里提到的晶體管區(qū)域是由組成像素的晶體管形成的電路，例如，晶體管區(qū)域3003a由復位晶體管形成，而晶體管區(qū)域3003b由放大晶體管和選擇晶體管形成。當微型制造像素時，一旦布置該像素內(nèi)的全部晶體管，沿晶體管的柵極長度方向的寬度L便比一個像素的一側(cè)的寬度長。因此，對于如圖32所示的位置布局，劃分并設(shè)置了晶體管區(qū)域。在如圖32中所示的位置布局的情況下，晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸取決于共享的晶體管的組合而改變。所占據(jù)的尺寸大于晶體管區(qū)域3003a的晶體管區(qū)域3003b在位置布局上容易相互干擾，并且，難以實現(xiàn)用來防止這種干擾的晶體管的布局。而且，晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸容易影響噪聲特性，因而，所占據(jù)的尺寸越大，噪聲特性就越好。下面將描述所占據(jù)的尺寸與噪聲特性的關(guān)系，其中利用了下面的表達式〈Vn2>°^1/(WL)..(1)表達式(1)是與被配置為放大電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元電壓的放大晶體管有關(guān)的1/f噪聲量的通式，其表示電壓的噪聲擴散Vn(noisediffusion)中的均方值〈Vn2>與由放大晶體管的寬度W和柵極長度L之間的積獲得的柵極面積WL成反比。因此，根據(jù)表達式(l)，晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸，例如放大晶體管的柵極面積WL越大，1/f噪聲量下降便越多，接收到的隨機噪聲影響就越小。但是，在增加像素數(shù)量的同時減小像素的情況下，需要減小晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸。在此情況下，放大晶體管的噪聲特性變差，并且，由柵極接口中的電荷的俘獲等引起隨機噪聲也增加。而且，部件的尺寸還影響部件的位置布局。在位置布局受部件尺寸的限制的情形中，改善制造工藝對于排除限制因素是有效的。但是，為了排除限制因素，需要轉(zhuǎn)換到微制造工藝。這導致了以下問題，即制造設(shè)備的投資是不可避免的，且增加了制造工藝的數(shù)量。而且，利用CCD或CMOS成像裝置，像素單元具有與很多情況下的電路圍繞像素單元的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)，這導致了制造成本增加的問題。排除限制因素的另一種技術(shù)是通過共享部件來增加像素數(shù)量的上述技術(shù)。但是，利用該技術(shù)，除了增加上述的布局不均勻性外，還需要在分開的像素間布線，因而配線的布局很擁擠，而且，放大晶體管輸入單元的浮動節(jié)點電容(floatingnodecapacity)增加，其導致轉(zhuǎn)換效率降低。因而，有必要提高半導體板上的面積利用因子，并通過優(yōu)化部件的位置布局而使晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸盡可能大。因此，已發(fā)現(xiàn)需要提供這樣的成像裝置和相機，由此能夠提高半導體板的面積利用因子，并可增大晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸。根據(jù)本發(fā)明實施方式的固態(tài)成像器件包括組成向掃描方向傾斜的斜柵格陣列的多個像素，其包括被配置為將入射光量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘柕墓怆娹D(zhuǎn)換單元；以及電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元，其被配置為將從所述光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷海龉怆娹D(zhuǎn)換單元被布置在所述多個像素的沿對角線方向的像素中彼此相鄰的兩個像素之間，其中，所述兩個像素共享所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元；并且，其中，一組晶體管群被布置在共享塊中，該共享塊由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成由所述沿對角線彼此相鄰的所述兩個像素組成的像素對；以及與該像素對相鄰的像素對，其包括與所述每個像素對的所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元連接的配線。利用根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像器件，用于將從光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元被布置在沿像素對角線方向彼此相鄰的兩個像素之間，因而在獲得高讀出特性的同時保證了聚光點面積。提供了包括兩對像素對和連接每個像素對的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的配線的共享區(qū)域。一組晶體管群被布置在共享塊內(nèi)，其組成在四個像素之間共享像素晶體管的配置，從而充分保證光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積。注意，用兩個像素難以充分保證光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積。而且，對于超過四個像素的情況，電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電容(例如，浮動擴散(floatingdiffusion))增大，因而電荷到電壓轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換效率會大大降低。因此，使用其中一個像素晶體管在四個像素之間共享的配置。根據(jù)本發(fā)明實施方式的成像裝置包括光學聚光單元，其被配置為聚集入射光；固態(tài)成像器件，其被配置為接收由所述光學聚光單元匯聚的光，從而使其進行光電轉(zhuǎn)換；以及信號處理單元，其被配置為處理被進行了光電轉(zhuǎn)換的信號。其中，所述固態(tài)成像器件包括組成向掃描方向傾斜的斜柵格陣列的多個像素，其包括被配置為將入射光量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘柕墓怆娹D(zhuǎn)換單元；以及電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元，其被配置為將從所述光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷海龉怆娹D(zhuǎn)換單元被布置在所述多個像素的沿對角線方向的像素中彼此相鄰的兩個像素之間；其中，所述兩個像素共享所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元；并且，其中，一組晶體管群被布置在共享塊中，該共享塊由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成由沿對角線彼此相鄰的所述兩個像素組成的像素對；以及與該像素對相鄰的像素對，其包括與所述每個像素對的所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元連接的配線。利用根據(jù)本發(fā)明實施方式的成像裝置，使用了根據(jù)本發(fā)明實施方式的固態(tài)成像器件，因此按照上述描述，可以充分保證每個像素的光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積。利用根據(jù)本發(fā)明實施方式的成像裝置，排列多個像素電路，其至少包括被配置為將通過成像而獲得的信號輸出到信號線的輸出晶體管，且在不被同時訪問的多個像素電路之間共享與該信號線連接的輸出晶體管的輸出側(cè)擴散層。連接信號線的輸出晶體管的輸出側(cè)擴散層可以在沿信號線的配線方向相鄰的兩個像素電路之間共享，兩個像素電路在不同定時被訪問。兩個像素電路可以包括多個晶體管，并且，該多個晶體管形成為在兩個像素電路之間具有相反的陣列方向性。輸出晶體管的輸出側(cè)擴散層可以在沿像素電路陣列對角線方向相鄰的兩個像素電路之間共享，兩個像素電路在不同時間被訪問。兩個像素電路可以包括沿垂直于信號線配線方向的方向上排列的多個晶體管，該多個晶體管形成為在兩個像素電路之間具有相反的陣列方向性。像素電路可以包括多個光電轉(zhuǎn)換單元，該多個光電轉(zhuǎn)換單元共享輸出電路，從而形成像素區(qū)。多個像素電路以矩陣形狀排列，輸出晶體管的輸出側(cè)擴散層按照奇數(shù)和偶數(shù)行連接到不同的信號線上，成像裝置從每行的輸出晶體管讀出輸出信號。成像裝置可以包括用于調(diào)節(jié)輸出信號的讀出定時的定時調(diào)節(jié)單元，該輸出信號在輸出信號讀出時間時輸出到每行不同的信號線。定時調(diào)節(jié)單元包括用于根據(jù)輸出信號是從奇數(shù)行或偶數(shù)行輸出來選擇輸出信號的選擇開關(guān)；和用于在奇數(shù)行輸出信號和偶數(shù)行輸出信號之間提供延遲的延遲電路，其中延遲電路選擇性地輸出提供有延遲的信號。根據(jù)本發(fā)明實施方式的相機包括成像裝置；用于將入射光導向成像裝置的成像區(qū)域的光學系統(tǒng)，其中對于該成像裝置，排列有多個像素電路，至少包括被配置為將通過成像而獲得的信號電荷輸出到信號線的輸出晶體管；其中，在不被同時訪問的多個像素電路之間共享連接到信號線的輸出晶體管的輸出側(cè)擴散層。根據(jù)本發(fā)明的實施例，在不被同時訪問的多個像素電路之間共享輸出晶體管的輸出側(cè)擴散層，包括至少一個輸出晶體管。根據(jù)本發(fā)明實施方式的成像裝置包括多個用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷的光電轉(zhuǎn)換單元；和包括多個晶體管的多個共享塊，其由每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，從而輸出該電壓；其中對于共享塊，在這樣的共享塊中劃分晶體管布置區(qū)域并對其進行布線，交替排列多個共享塊，在共享塊中多個占據(jù)尺寸不同的晶體管被布置在不同位置。該多個光電轉(zhuǎn)換單元可以沿對角線方向相鄰設(shè)置，以共享該多個晶體管。該多個光電轉(zhuǎn)換單元可以沿配線方向相鄰設(shè)置，以共享多個晶體管。該多個晶體管至少包括被配置為復位電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的復位晶體管，和用于放大電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的放大晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實施例的成像裝置包括多個用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷的光電轉(zhuǎn)換單元；和包括多個晶體管的共享塊，其由每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，從而輸出該電壓；其中在這樣的共享塊中劃分晶體8管布置區(qū)域并對其進行布線，通過在每列處沿配線方向進行變化的方式排列多個共享塊，從而與列之間的多個晶體管的占據(jù)尺寸相匹配。該多個光電轉(zhuǎn)換單元可以沿對角線方向相鄰設(shè)置，以共享多個晶體管。該多個光電轉(zhuǎn)換單元可以沿配線方向相鄰設(shè)置，以共享多個晶體管。該多個晶體管包括至少一個用于復位電荷電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的復位晶體管，和一個用于放大電荷電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的放大晶體管。根據(jù)本發(fā)明實施方式的相機包括成像裝置；和用于將入射光導向成像裝置的成像區(qū)域的光學系統(tǒng)，其中成像裝置包括多個用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷的光電轉(zhuǎn)換單元，和包括多個晶體管的共享塊，其由每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，從而輸出該電壓；其中對于共享塊，在這樣的共享塊中劃分晶體管布置區(qū)域并對其進行布線，交替排列多個共享塊，在共享塊中多個占據(jù)尺寸不同的晶體管被布置在不同位置。根據(jù)本發(fā)明實施方式的相機包括成像裝置；和用于將入射光導向成像裝置的成像區(qū)域的光學系統(tǒng)，其中成像裝置包括多個用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷的光電轉(zhuǎn)換單元，和包括多個晶體管的共享塊，其由每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，從而輸出該電壓；其中在這樣的共享塊中劃分晶體管布置區(qū)域并對其進行布線，通過在每列處沿配線方向變化的方式排列多個共享塊，從而使其與列之間的多個晶體管的占據(jù)尺寸相匹配。根據(jù)本發(fā)明的實施例，對于由多個光電轉(zhuǎn)換單元和多個晶體管群成的共享塊，一個光電轉(zhuǎn)換單元由多個晶體管共享，交替排列多個共享塊，在共享塊中占據(jù)尺寸不同的多個晶體管被布置在不同位置。根據(jù)本發(fā)明實施方式的固態(tài)成像器件，具有充分確保每個像素的光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積的優(yōu)點，從而在保持分辨率的同時實現(xiàn)了較高的靈敏度，由此提高了光學特性。而且，使用了其中像素晶體管由四個像素共享的配置，從而能夠簡化配線，提供了有效的像素布局。根據(jù)本發(fā)明實施方式的成像裝置，使用了固態(tài)成像器件，從而也能夠獲得上述的優(yōu)點，并能夠獲得其中實現(xiàn)例如高靈敏度的像素特性的優(yōu)點。根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種成像裝置和一種相機，其中減少了像素電路的驅(qū)動負載。根據(jù)本發(fā)明的實施例，能夠提高半導體板的面積使用效率，增加晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸。圖1是說明根據(jù)本發(fā)明實施例(第一實施例)的固態(tài)成像器件的平面布局圖；圖2是共享塊的放大圖；圖3是說明根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像器件的彩色陣列示例的平面布局圖；圖4是說明根據(jù)本發(fā)明實施例(第二實施實施例)的固態(tài)成像器件的平面布局圖；圖5是說明根據(jù)第二實施例的固態(tài)成像器件的彩色陣列示例的平面布局框圖;圖6是是說明根據(jù)第二實施例的固態(tài)成像器件的配線示例的配線圖；圖7是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的成像裝置的框圖8是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的成像裝置的主要單元的一個結(jié)構(gòu)示例的圖9A和圖9B是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的單元像素電路的一個結(jié)構(gòu)示例的圖；圖IOA和圖IOB是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的像素電路的一個布局示例的圖11是其中圖10A所示的像素塊組GRP2001沿垂直信號線VSGNL排列成矩陣形狀的圖圖；狀的圖框圖；圖12是描述根據(jù)第三實施例的成像裝置2001的操作的時序圖13A和圖13B是說明根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的像素電路的一個布局示例的圖14是其中圖13A所示的像素塊組GRP2002沿垂直信號線VSGNL排列成矩陣形圖15是描繪根據(jù)第四實施例的定時調(diào)節(jié)單元的一個結(jié)構(gòu)示例及其操作的圖；圖16是說明根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的成像裝置的主要單元的一個結(jié)構(gòu)示例的圖17是描繪根據(jù)第五實施例的定時調(diào)節(jié)單元的一個結(jié)構(gòu)示例及其操作的圖；圖18描繪根據(jù)第六實施例的定時調(diào)節(jié)單元的一個結(jié)構(gòu)示例及其操作的圖；圖19說明根據(jù)第七實施例的像素塊的一個結(jié)構(gòu)示例的示意圖，其中以CMOS成像裝置為例說明；圖20A和圖20B是說明根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的像素電路的一個布局示例的圖；圖21A和圖21B是說明根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的像素電路的一個布局示例的圖；圖22是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的成像裝置的主要單元的一個結(jié)構(gòu)示例的框圖；圖23是說明根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例的成像裝置的一個結(jié)構(gòu)示例的等效電路圖；圖24是說明根據(jù)第十一實施例的第一位置布局示例的圖圖25是描繪根據(jù)第十一實施例的等效電路操作的時序圖圖26是說明根據(jù)第十一實施例的第二位置布局示例的圖圖27是說明根據(jù)第十一實施例的第三位置布局示例的圖圖28是描繪根據(jù)第十一實施例的共享塊BLK3010所屬的行的變換的圖；圖29是描繪根據(jù)第十一實施例的相機的總體結(jié)構(gòu)的框圖；圖30是說明公共蜂窩式像素陣列的一個示例的平面布局圖；圖31A和圖31B是說明現(xiàn)有的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的共享狀態(tài)的一個示例的平面布局圖；以及圖32是描繪在共享多個部件的情況下布局不均勻的圖。10具體實施例方式下面將參照圖1所示的平面布局圖和圖2中共享塊的放大圖，描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的固態(tài)成像器件。圖1和圖2說明了諸如被配置為將光學或電學特性最大化的放大器等的晶體管的布局。如圖1和圖2所示，固態(tài)成像器件1被提供有多個像素11，每個像素具有被配置為將入射光轉(zhuǎn)換為電信號的光電轉(zhuǎn)換電路(例如，光電二極管)12。多個像素ll通過在行方向或列方向上相對于相鄰的像素移動而被排列，這就組成了所謂的蜂窩式像素陣列?，F(xiàn)在，以在相對于掃描方向傾斜45度的方向上傾斜的傾斜的方形柵格像素陣列作為示例。在多個像素11中，在沿對角線方向彼此相鄰的兩個像素11(11A)和11(11B)之間，布置電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13，其被配置為將從光電轉(zhuǎn)換單元12(12A)和(12B)讀出的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓。該電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13由兩個像素IIA和IIB共享。而且，固態(tài)成像器件l被提供有共享塊16，其包括兩對像素對和控制信號線15，該兩對像素對包括由沿像素的對角線方向(垂直方向或水平方向，該圖中是垂直方向)相鄰的兩個像素11A和11B組成的像素對14(14A)、以及與像素對14A相鄰的像素對14(14B)，控制信號線15連接每個像素對14A和14B的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13(13A)和(13B)，并且，一組晶體管群21被布置在共享塊16中。例如，晶體管群21包括用作信號放大單元的放大晶體管TrA、復位晶體管TrR和選擇晶體管TrS。也就是說，四個像素包括一組晶體管群21。在構(gòu)成的布局中，在一塊中包含等同于四行的像素。而且，每個光電轉(zhuǎn)換單元12的傳輸門TG被布置在光電轉(zhuǎn)換單元12的角部，并且，電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13的浮動擴散FD在沿垂直方向(光電轉(zhuǎn)換單元12的對角線方向)上相鄰的像素11A和11B之間被共享。而且，在浮動擴散FD和光電轉(zhuǎn)換單元12之間提供傳輸門TG。共享塊16沿垂直方向和水平方向以二維方式均勻間隔排列。而且，組成晶體管群21的多個要被同時訪問的晶體管以上述傾斜方向排成一列。很容易就能夠理解，共享塊16被清楚地分離為其中布置傳輸門TG的區(qū)域A和其中布置諸如放大器等的晶體管群21的區(qū)域B，從而可進行布線，而不會使每個用于控制的配線變得復雜。注意，在該圖中，每條配線(傳輸門線TG1、傳輸門線TG2、復位線RST、選擇線SEL、傳輸門線TG3、傳輸門線TG4等)用直線表示，但實際上，其被設(shè)置為避免在光電轉(zhuǎn)換單元12之上。下面，將參照圖4中的平面布局圖來說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的固態(tài)成像器件。根據(jù)第二實施例的固態(tài)成像器件2是通過改善根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像器件1而得到的裝置。對于如圖1中的C部分所示的固態(tài)成像器件1，產(chǎn)生了其中兩個晶體管群21和21被布置在光電轉(zhuǎn)換單元區(qū)12的兩側(cè)的部分。因此，當試圖使光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積的尺寸相同時，需要將光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積和與具有較小光接收表面的光電轉(zhuǎn)換單元匹配，這導致飽和電荷量減少。而且，如圖3所示，當使用如傾斜45度的公共拜耳陣列(Bayerarray)的彩色陣列時，這樣的彩色陣列的特點在于，即使對于諸如像素A和像素B的相同顏色的像素，光電轉(zhuǎn)換單元(例如，光電二極管)12的朝向也不同。對于共享的結(jié)構(gòu)，陰影(shading)取決于光電轉(zhuǎn)換單元12的朝向而改變，需要對每種顏色沿兩11個方向提供圖像陰影校正表(shadingcorrectiontables)。因此，對于如圖4所示的根據(jù)第二實施例的固態(tài)成像器件2，不妨假定，單元塊的結(jié)構(gòu)基本與第一實施例中的單元塊的結(jié)構(gòu)相同。第二實施例的特征在于，晶體管群21(如放大器、復位等)沿傾斜方向上的一條直線布置。于是，可減小已成為根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像器件1的問題的半導體體表面的無效區(qū)域，從而可使光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積最大化。而且，關(guān)于圖5所示的彩色陣列，甚至對于斜拜耳陣列，相同顏色也具有相同的朝向，如像素A和像素B，從而可以抑制陰影表的數(shù)量。注意，對于固態(tài)成像器件2的布局配置，被布置在同一行的光電轉(zhuǎn)換單元12的讀出方向變?yōu)閮蓚€方向，從而使得對傳輸門TG的控制信號線15增加，并且，所有控制線(傳輸門線TG1、傳輸門線TG2、復位線RST、選擇線SEL、傳輸門線TG3、傳輸門線TG4等)在由像素晶體管列組成的晶體管群21上通過，從而限制了配線。因此，對于根據(jù)第二實施例的固態(tài)成像器件2，同一行上的光電轉(zhuǎn)換單元12A和12B的傳輸門TG和TG與第一層的金屬配線局部相連，而且，用第二層的金屬配線進行水平方向上的配線，從而抑制金屬配線的密度的增加。在此情況下，如圖6所示，布置共享塊16，并且，對于復位線RST和選擇線SEL，控制線在列之間不同。對于根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實施例的固態(tài)成像裝置1和2，被配置為將從光電轉(zhuǎn)換單元12(12A)和12(12B)讀出的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13被布置在沿像素的對角線方向彼此相鄰的兩個像素11(11A)和(11B)之間，從而在獲得高讀出特性的同時確保聚光點面積。而且，提供了包括兩對像素對14(14A)和14(14B)、以及連接像素對14A和14B的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13A和13B的控制信號線15的共享塊16，并且，一組晶體管21被布置在共享塊16中，從而提供了其中在四個像素之間共享像素晶體管的配置，并且，因此充分保證了光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積。注意，對于在兩個像素之間的共享，難以充分確保光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積，但另一方面，對于在不少于四個像素之間的共享，電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電容(例如，浮動擴散)會增大，因而電荷到電壓轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換效率大大降低，電壓檢測的準確性也會大大降低。因此，使用其中像素晶體管在四個像素間共享的配置。于是，充分保證了每個像素的光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積，從而在保持分辨率的同時實現(xiàn)高靈敏度，提供了改善光學特性的優(yōu)點。而且，使用其中像素晶體管在四個像素間共享的配置，從而簡化了配線，還提供有效的像素布局。下面將參照圖7所示的框圖說明根據(jù)本發(fā)明實施例的成像裝置。如圖7所示，成像裝置50包括在成像單元51處的固態(tài)成像器件(未顯示)。被配置為形成圖像的圖像形成光學系統(tǒng)52被布置在成像單元51的聚光側(cè)，而且，成像單元51與信號處理單元53相連接，信號處理單元53包括用于驅(qū)動圖像形成光學系統(tǒng)52的驅(qū)動電路、被配置為使在固態(tài)成像器件處進行光電轉(zhuǎn)換的信號經(jīng)過圖像處理的信號處理電路等等。而且，在信號處理單元處理過的圖像信號能夠由圖像存儲單元(未顯示)存儲。對于這樣的成像裝置50，上述實施例的固態(tài)成像器件1和固態(tài)成像器件2可用于上述固態(tài)成像器件。對于根據(jù)本發(fā)明實施例的成像裝置50，使用根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的固態(tài)成像裝置1或固態(tài)成像裝置2，從而通過上述描述，充分保證了每個像素的光電轉(zhuǎn)換單元的面積。于是，提供了實現(xiàn)例如高靈敏度的像素特性的優(yōu)點。12注意，根據(jù)本發(fā)明實施例的成像裝置50不限于上述配置，其可被應(yīng)用于任意配置，只要成像裝置使用固態(tài)成像器件即可。固態(tài)成像器件1和2可以被形成為一個芯片，或者可為具有成像功能的模塊，其中信號處理單元或光學系統(tǒng)與成像單元被整體封裝。而且，本發(fā)明的實施例不僅可被應(yīng)用于固態(tài)成像器件，而且還能夠被應(yīng)用于成像裝置。在該情況中，作為成像裝置，可獲得實現(xiàn)高圖像質(zhì)量的效果。這里，成像裝置意味著相機或具有成像功能的便攜式設(shè)備。而且，"成像"不僅包括在普通相機攝影時拍攝圖像，還包括廣義上定義的指紋檢測。相應(yīng)地，附圖標號1表述固態(tài)成像器件，11表示像素，12表示光電轉(zhuǎn)換單元，13表示電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元，14表示像素對，15表示信號控制線，16表示共享塊，并且，21表示晶體管群。第三實施例下面將參照本發(fā)明的第三實施例。圖8是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的成像裝置的主要單元的一個結(jié)構(gòu)示例的框圖。成像裝置2001包括像素電路2010像素陣列單元2011、水平掃描電路(HSCN)2012、放大器2121、垂直掃描電路(VSCN)2013、信號處理電路2014、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D)2015、定時調(diào)節(jié)單元2016、定時發(fā)生器(TG)2017、以及透鏡2018。對于像素陣列單元2011，例如，像素電路2010以預定陣列模式排列成矩陣形狀。而且，對于像素陣列單元2011，垂直掃描電路2013和像素陣列的每行都與復位線RSTL，傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL相連接，并且，像素陣列的每行都與垂直信號線VSGNL排成陣列。水平掃描電路2012中包括與每個垂直信號線VSGNL相連的放大器2121。注意，取決于成像裝置的結(jié)構(gòu)，可使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015代替放大器2121。信號處理電路2014被配置為調(diào)整從水平掃描電路2012輸入的信號的信號電平，并將該信號輸出到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015。模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015被配置為將從信號處理電路2014輸入的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并將該數(shù)字信號輸出到定時調(diào)節(jié)電路2016。定時調(diào)節(jié)電路2016被配置為將從模數(shù)轉(zhuǎn)換電路2015輸入的數(shù)字信號按照預定程序延遲預定時間，并輸出該數(shù)字信號。下面的描述是有關(guān)定時調(diào)節(jié)裝置2016的操作。定時發(fā)生器2017被配置為產(chǎn)生預定時鐘，并控制水平掃描電路2012、垂直掃描電路2013和定時調(diào)節(jié)單元2016的驅(qū)動定時。而且，本成像裝置包括光學系統(tǒng)透鏡2018，并且，將光信號輸入到像素陣列單元2011的像素電路2010。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的單元像素電路的結(jié)構(gòu)示例。圖9A和圖9B是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的單元像素電路的一個結(jié)構(gòu)示例的圖，其說明了COMS成像裝置的一個示例。圖9A是根據(jù)第三實施例的單元像素電路的示意圖。如圖9A所示的單元像素電路2002a包括光電二極管PD2021a、傳輸門TRFG2022a、傳輸門電極2023、復位門RSTG2024a、復位門電極2025、電源電極2026a、放大門2027a、選擇門SELG2028a、選擇門電極2029、放大晶體管的源擴散層2210a、以及放大晶體管的源電極2211a。光電二極管PD2021a被配置為將入射光光電轉(zhuǎn)換為對應(yīng)于其光量的電荷量的信號電荷(例如，電子)。傳輸門TRFG2022a包括傳輸門電極2023。在施加預定電壓到傳輸門電極2023的情況下，傳輸門2022a的電位降低，傳輸門2022a從關(guān)閉狀態(tài)切換為打開狀態(tài)，并且，傳輸門2022a將存儲在光電二極管PD2021a中的信號電荷傳輸?shù)轿丛趫D9A中顯示的浮動擴散FD層。在不施加預定電壓到傳輸電極2023的情況下，傳輸門2022a保持在關(guān)閉狀態(tài)，并且，信號電荷被存儲在光電二極管PD2021a中。復位門RSTG2024a包括復位門電極2025。在施加預定電壓到復位門RSTG2024a的情況下，復位門RSTG2024a的電位降低，復位門RSTG2024a從關(guān)閉狀態(tài)切換到打開狀態(tài)。隨后，存儲在圖9A未顯示的浮動擴散FD層中的信號電荷被釋放。在不施加預定電壓到復位門RSTG2024a的情況下，復位門RSTG2024a保持在關(guān)閉狀態(tài)，并且，信號電荷被傳輸?shù)椒糯箝TAMPG2027a。施加了預定電源電壓VDD的電源電極2026a被配置為控制是否打開復位門RSTG2024a和選擇門2028a的門。放大門2027a在圖9A未顯示的浮動擴散FD層中存儲信號電荷。在選擇門2028a由施加到選擇門2028a的預定電壓打開的情況下，浮動擴散FD層的電壓被放大，并且，存儲在浮動擴散FD層中的信號電荷被輸出到用作輸出晶體管的放大晶體管的源電極2211a。選擇門2028a包括選擇門電極2029。在施加預定電壓到選擇門2028a的情況下，選擇門2028a的電位降低，選擇門2028a從關(guān)閉狀態(tài)切換到打開狀態(tài)，并且，選擇門2028a經(jīng)放大門2027a將其電位被放大的信號電荷傳輸?shù)叫盘柧€VSGNL。在不施加預定電壓到選擇門2028a的情況下，選擇門2028a保持在關(guān)閉狀態(tài)，并且，信號電荷保持在浮動擴散FD層中的存儲狀態(tài)。圖9B是圖9A所示的單元像素電路2002a的等效電路圖。如圖9B所示的單元像素電路2002b包括光電二極管PD2021b、傳輸晶體管TTR2022b、復位晶體管RTR2024b、電位線VDDL、放大晶體管ATR2027b、選擇晶體管STR2028b、信號輸出端子2211b和節(jié)點ND2212。對于光電二極管2021b，陽極接地，而陰極連接到傳輸晶體管TTR2022b的源極。對于傳輸晶體管TTR2022b，源極連接到光電二極管2021b的陰極，漏極連接到節(jié)點ND2212，而柵極連接到傳輸選擇線TRFL。對于復位晶體管RTR2024b，源極連接到節(jié)點ND2212，漏極連接到預定電位線VDDL，而柵極連接到復位線RSTL。注意，節(jié)點ND2212等效于浮動擴散FD層。對于作為輸出晶體管的放大晶體管ATR2027b，漏極連接到預定電位線VDDL，源極到連接選擇晶體管STR2028b的漏極，而柵極連接到節(jié)點ND2212。信號輸出端子2211b連接到輸出側(cè)擴散層的放大晶體管ATR2027b的源極。對于選擇晶體管STR2028b，漏極連接到放大晶體管ATR2027b的源極，源極連接到信號輸出端子2211b，而柵極連接到選擇線SELL。光電二極管PD2021b通過光電轉(zhuǎn)換，根據(jù)入射光的光量而產(chǎn)生信號電荷，并將其存儲。對于傳輸晶體管TTR2022b，當高電平電壓施加到傳輸選擇線TRFL時，開關(guān)導通(導電狀態(tài))，并且，信號傳輸?shù)焦?jié)點ND2212。對于復位晶體管RTR2024b，當高電平電壓施加到復位線RSTL時，開關(guān)導通，并且，節(jié)點ND2212的電位被復位到電源電壓VDD。對于放大晶體管ATR2027b，當節(jié)點ND2212的電位切換到高電平時，開關(guān)導通，節(jié)點ND2212的電位被放大，并且，信號被傳播到垂直信號線VSGNL。對于選擇晶體管STR2028b，當高電平電壓施加到選擇信號SELL時，開關(guān)導通，并且，將信號經(jīng)信號輸出端子2211b傳輸?shù)酱怪毙盘柧€VSGNL。而且，由垂直掃描電路2013選擇性地驅(qū)動被布線到像素陣列的每行的傳輸選擇線TRFL、選擇線SELL和復位線RSTL，并且，垂直信號線VSGNL選擇性地將從像素讀出的信號傳輸?shù)剿綊呙桦娐?012。對于水平掃描電路2012和垂直掃描電路2013，由定時發(fā)生器2017控制驅(qū)動定時。下面的描述是有關(guān)根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的像素電路的布局示例。圖IOA和10B是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的像素電路的一個布局示例的圖。圖IOA所示的像素組GRP2001是這樣的一個示例，其中，圖9A所示的兩個像素電路2002a共享放大晶體管的源擴散層2210a、且所述兩個像素電路2002a與源擴散層2210a相互相反地放置。圖IOB是圖10A所示的像素組GRP2001的等效電路圖。圖IOA所示的像素組GRP2001是這樣的一個示例，其中，圖9B所示的兩個等效電路2002b共享信號輸出端2211b，且與信號輸出端2211b相互相反地放置。圖11是圖IOA所示的像素組GRP2001沿垂直信號線VSGNL排列成矩陣形狀的圖。對于像素組GRP2001，每個傳輸門電極2023連接到傳輸選擇線TRFL，每個復位門電極2025連接到復位線RSTL，每個電源電極2026a連接到電位線VDDL，每個選擇門電極2029連接到選擇線SELL，并且，放大晶體管的源電極2211和垂直信號線VSGNL都連接到信號線2031。下面將參照圖11描述以下過程對于第三實施例，在光電二極管PD2021a處產(chǎn)生的信號電荷被轉(zhuǎn)換為電壓信號，并且，電壓信號被輸出到垂直信號線VSGNL。圖12是說明根據(jù)第三實施例的成像裝置1操作的時序圖。從圖12中可以看出，(a)圖解了被配置為控制選擇晶體管STR2028b的選擇信號SEL的定時，(b)在圖12中，圖解了被配置為控制復位晶體管RTR2024b的定時，以及(c)在圖12中，圖解了用于控制傳輸晶體管TTR2022b的控制信號TRF的定時。注意，圖12僅說明了像素組GRP2001中的復位晶體管RTR2024b、傳輸晶體管TTR2022b和選擇晶體管STR2028b的時序圖。在時間點tl處，成像裝置的快門打開，穿過成像裝置的透鏡形成圖像的入射光進入光電二極管PD2021b。此時，傳輸晶體管TTR2022b、復位晶體管RTR2024b和選擇晶體管STR2028b處于關(guān)斷(OFF)狀態(tài)。在時間點tl到時間點t2處，由于光電效應(yīng)而在光電二極管PD2021b處產(chǎn)生信號電荷，并且，該信號電荷被存儲在光電二極管PD2021b中，直到復位晶體管RTR2024b被導通時的時間點t2。從時間點tl到時間點t2的周期是信號電荷的存儲時間。在時間點t2處，高電平選擇信號SEL從垂直掃描電路2013傳播到選擇信號線SELL，由此導通選擇晶管STR2028b。在時間點t2到時間點t10，選擇晶體管STR2028b保持在導通(ON)狀態(tài)。15而言，高電平復位信號RST從垂直掃描電路2013傳播到復位線RSTL，從而導通復位晶體管RTR2024b，并且，節(jié)點ND2212的電壓被復位到電源電位VDD。在時間點t3處，低電平復位信號RST從垂直掃描電路2013傳播到復位線RSTL，從而關(guān)斷復位晶體管RTR2024b，并完成節(jié)點ND2212的復位。在時間點t4到時間點t5，節(jié)點ND2121的電位被讀出作為參考信號SGLB。不妨假定，將該電位的讀出周期取為Read2001。在時間點t6處，高電平傳輸信號TRF從垂直信號線2013傳播到傳輸選擇線TRFL，從而導通傳輸晶體管TTR2022b，存儲在光電二極管PD2021b中的信號電荷被傳輸?shù)焦?jié)點ND2212。而且，在時間點t6到時間點t7處，傳輸晶體管TTR2022b保持在導通狀態(tài)。在時間點t7處，低電平傳輸信號TRF從垂直掃描電路2013傳播到傳輸掃描線TRFL，從而關(guān)斷傳輸晶體管TTR2022b。在時間點t8到時間點t9處，由于從節(jié)點ND2212傳輸?shù)男盘栯姾?，?jié)點ND2212的電壓和在讀出周期Read2001期間讀出的參考信號SGLB的電壓之間差作為信號被讀出。不妨假定，將該信號讀出周期取為Read2002。而且，在讀出該信號時，放大晶體管ATR2027b導通，節(jié)點ND2212的電壓被放大，并經(jīng)信號輸出端2211b而被輸出到垂直信號線VSGNL。在時間點t10處，低電平選擇信號SEL從垂直掃描電路2013傳輸?shù)竭x擇信號線SELL，從而關(guān)斷選擇晶體管STR2028b，并完成對水平掃描電路2012的信號輸出。在時間點tll處，在成像裝置2001的快門打開之前，高電平復位信號RST從垂直掃描電路2013傳播到復位線RSTL，從而導通復位晶體管RTR2024b，并且，節(jié)點ND2212的電位被復位到電源電位VDD。而且，與此同時，高電平傳輸信號TRF從垂直掃描電路2044傳播到傳輸選擇線TRFL，從而導通傳輸晶體管2052。下文中，對于本實施例，信號讀出周期基于信號讀出周期Read2002。但是，注意，對于本實施例，共享被限制為在不被同時訪問的像素電路2002a之間的共享。根據(jù)第三實施例，兩個像素電路2002a共享放大晶體管的源擴散層電極2210a，因此，兩個像素電路2002a被相互相反地設(shè)置(參見圖10A)。與第一實施例中的不共享放大晶體管的源擴散層2210a的情形相比，放大晶體管的源擴散層的面積可減小到一半。而且，從垂直信號線VSGNL看去的連同像素組GRP2001的最大負載是放大晶體管2027b的擴散層電容。對于根據(jù)第一實施例的像素組GRP2001的布局示例，兩個像素電路2002a共享放大晶體管的源擴散層2210a，并且，放大晶體管的源電極2211a和垂直信號線VSGNL與同一信號線2031連接。于是，兩個像素電路2002a共享同一垂直信號線VSGNL，因而，可以減少在信號讀出時的垂直信號線VSGNL的負載。但是，注意，放大晶體管的源擴散層電極2210a在兩個像素電路2002a之間被共享，所以，共享被限制為在不被同時訪問的像素電路2002a之間的共享。如上所述，根據(jù)第三實施例，減小了對連接到每個像素電路的垂直信號線的負載。下面，將描述作為第四實施例的像素電路的第二布局示例。第四實施例下面的描述是關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的像素電路的布局示例。圖13A和圖13B是說明根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的像素電路的一個布局示例的示意圖。圖13A所示的像素組GRP2002是下述一個示例，其中，圖9A所示的兩個像素電路共享放大晶體管的源擴散層2210a，且兩個像素電路2002a被布置在放大晶體管的源擴散層2210a的對角線方向上。圖13B是圖13A所示的像素組GRP2002的等效電路圖。圖13B所示的像素組GRP2002是下述一個示例，其中圖13B所示的兩個單位等效電路2002b共享信號輸出端2211b，并被布置在信號輸出端2211b的對角線方向上。圖14是其中圖13A所示的像素組GRP2002沿垂直信號線VSGNL排列成矩陣形狀的示意圖。對于像素組GRP2002，每個傳輸門電極2023都連接到傳輸選擇線TRFL，每個復位門電極2025都連接復位線RSTL，每個電源電極2026a都連接到電位線VDDL，并且，每個選擇門電極2029都連接到選擇線SELL。像素組GRP2002的放大晶體管的源電極2211a通過在每行移位而與垂直信號線VSGNL相連接，如圖14所示。在圖14中，如果在設(shè)置放大晶體管的源電極2211a的位置對行計數(shù)，則第j行的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i+l)，第(j+l)行的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i)或垂直信號線VSGNL(i+l)，而第(j+2)行的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i+l)。箭頭2071表示從放大晶體管的源電極221la到垂直信號線VSGNL(i)到VSGNL(i+2)的信號讀出方向。關(guān)于圖14，略去關(guān)于傳輸選擇線TRFL、復位線RSTL、電位線VDDL和選擇線SELL的描述。對于根據(jù)第四實施例的像素組GRP2002，將在光電二極管PD2021a處產(chǎn)生的信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓信號、并將該電壓信號輸出到垂直信號電壓VSGNL的過程與第三實施例中的該過程相同，因而略去其描述。但是，應(yīng)當注意，上述過程被限制為在不被同時訪問的像素電路2002a之間共享。附帶地，對于根據(jù)第四實施例的像素組GRP2002的布局，放大晶體管的源電極2211a根據(jù)像素陣列單元的奇數(shù)行或偶數(shù)行而連接到不同的垂直信號線VSGNL。因此，在讀出信號時，輸出信號輸出到每個像素組GRP2002的不同垂直信號線VSGNL。具體而言，從第j行的信號組GRP2002輸出的信號輸出到垂直信號線(i+l)，從第(j+l)行的信號組GRP2002輸出的信號輸出到垂直信號線(i)和垂直信號線(i+l)，從第(j+2)行的信號組GRP2002輸出的信號輸出到垂直信號線(i+l)。因而，例如，垂直信號線(i+l)由水平掃描電路2012選擇(此時的時間設(shè)為時間點t)，在連接到垂直信號線(i+l)的像素組GRP2002的信號讀出時間處，僅讀出來自第j行和第(j+2)行的信號組GRP2002的信號，而不讀出來自第(j+l)行的信號組GRP2002的信號。例如，從第(j+l)行的像素組GRP2002讀出信號的時間是水平掃描電路2012選擇垂直信號線VSGNL(i)和垂直信號線(i+2)的時間，即，在時間點t之前或之后At的時間。此時，可以從第(j+l)行的像素組GRP2002讀出信號。因而，從像素組GRP2002到垂直信號線VSGNL的信號讀出僅移動了時間At，時間17At等價于其中選擇垂直信號線VSGNL的一個列值(col咖nworth)。如上所述，對于根據(jù)第四實施例的成像裝置2001，需要調(diào)節(jié)要讀出數(shù)據(jù)的時滯。下面，將參照圖15，通過列舉一個結(jié)構(gòu)示例，來描述用于在讀出輸出信號時調(diào)節(jié)輸出信號時滯的定時調(diào)節(jié)單元2016。圖15是描述根據(jù)第四實施例的定時調(diào)節(jié)單元的一個結(jié)構(gòu)示例及其操作的示意圖。像素陣列單元2011經(jīng)垂直信號線VSGNL(i)連接到水平掃描電路2012。水平掃描電路2012包括列選擇開關(guān)組2081，其輸入側(cè)連接到像素陣列單元2011，且輸出側(cè)連接到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015的輸入側(cè)。而且，水平掃描電路2012由列選擇脈沖控制，通過斷開/閉合列選擇開關(guān)組2081來選擇垂直信號線VSGNL(i)，從像素陣列單元2011讀出信號，并將該信號輸出到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015。對于模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015，輸入側(cè)連接到水平掃描電路2012的輸出側(cè)，輸出側(cè)經(jīng)節(jié)點ND2085連接到定時調(diào)節(jié)單元2016的輸入側(cè)。而且，模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015將從水平掃描電路2012輸入的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并將其輸出到定時調(diào)節(jié)單元2016。對于定時調(diào)節(jié)單元2016，輸入側(cè)經(jīng)節(jié)點ND2085連接到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015的輸出下面將將描述根據(jù)第四實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。例如，定時調(diào)節(jié)單元2016包括延遲電路2821到2823、行選擇開關(guān)SWO、行選擇開關(guān)SWE和信號線28411到28414。對于延遲電路2821，輸入側(cè)經(jīng)信號線28411連接到節(jié)點ND2085，而輸出側(cè)經(jīng)信號線28412連接到行選擇開關(guān)SWO的第一端子。對于延遲電路2822，輸入側(cè)經(jīng)信號線28413連接到節(jié)點ND2085，而輸出側(cè)連接到延遲電路2823的輸入側(cè)。對于延遲電路2823，輸入側(cè)連接到延遲電路2822的輸出側(cè)，而輸出側(cè)經(jīng)信號線28414連接到行選擇開關(guān)SWE的第一端子。對于行選擇開關(guān)SW0，第一端子經(jīng)信號線28412連接延遲電路2821的輸出側(cè)，第二端子連接到節(jié)點ND2086。對于行選擇開關(guān)SWE，第一端子經(jīng)信號線28414連接到延遲電路2823的輸出側(cè)，而第二端子連接到節(jié)點ND2086。延遲電路2821到2823由定時發(fā)生器2017產(chǎn)生的時鐘CLK控制，并延遲時間At輸出輸入信號。延遲電路2822和2823被串聯(lián)連接，于是，直到將信號輸入到延遲電路2S22、并從延遲電路2823輸出為止，信號總共被延遲了2At。在信號從被布置在像素陣列單元2011的奇數(shù)行的信號電路2002(a)(參見圖13A)輸出情況下，導通行選擇掃描開關(guān)SWO(導電狀態(tài))。在信號從被布置在像素陣列單元2011的偶數(shù)行的信號電路2002(a)(參見圖13A)輸出情況下，導通行選擇掃描開關(guān)SWE(導電狀態(tài))。注意，對于定時調(diào)節(jié)單元2016，延遲電路2821和2822被配置為進行如消隱時間等的時間調(diào)節(jié)，并且，例如，在偶數(shù)行關(guān)于奇數(shù)行延遲時間At的情況下，作為一個實施例，可僅使用包括延遲電路2823的電路結(jié)構(gòu)。下面，將描述第四實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016的操作。在下面的描述中，如圖14所示，不妨假定，在奇數(shù)行上排列的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i+l)，而在偶數(shù)行上排列的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i)、或垂直信號線VSGNL(i+2)?！床襟EST1>水平掃描電路2012使用列選擇脈沖選擇第i列的選擇開關(guān)SW(i)，并且，第i列的垂直信號線VSGNL(i)改變?yōu)閷щ姞顟B(tài)?！床襟EST2>從連接到垂直信號線VSGNL(i)的第(j+1)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號，并將該信號輸入到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015?！床襟EST3〉定時調(diào)節(jié)單元2016關(guān)斷行選擇開關(guān)SW0，并導通行選擇開關(guān)SWE?！床襟EST4〉從模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015輸出的信號輸入到延遲電路2821到2823中的每個?！床襟EST5〉行選擇開關(guān)SWE導通，從而，延遲電路2822和2823將輸入信號延遲時間2At，并經(jīng)節(jié)點ND2086輸出該信號。行選擇開關(guān)SWO關(guān)斷，從而，輸入到延遲電路2821的信號不被輸出到節(jié)點ND2086?！床襟EST6〉水平掃描電路2012用列選擇脈沖選擇第(i+l)列的選擇開關(guān)SW(i+l)，第(i+l)列的垂直信號線VSGNL(i+l)變?yōu)閷щ姞顟B(tài)?！床襟EST7〉從連接到垂直信號線VSGNL(i+l)的第j行和第(j+2)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號，并將該信號輸入到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015?！床襟EST8〉定時調(diào)節(jié)單元2016關(guān)斷行選擇開關(guān)SWE，而導通行選擇開關(guān)SWO?！床襟EST9〉從模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015輸出的信號輸入到延遲電路2821到2823中的每個?！床襟ESTIO〉行選擇開關(guān)SWE關(guān)斷，從而，輸入到延遲電路2822和2823的信號不被輸出到節(jié)點ND2086。行選擇開關(guān)SWO導通，從而，延遲電路2821將輸入信號延遲時間At，并經(jīng)節(jié)點ND2086輸出信號?！床襟ESTll〉處理回到步驟ST1，其中，執(zhí)行相同的操作。定時調(diào)節(jié)單元2016執(zhí)行步驟ST1到步驟STll的上述操作，從而，甚至在放大晶體管的源電極2211a取決于行連接到奇數(shù)行還是偶數(shù)行、而連接到不同垂直信號線VSGNL的情況下，也可以校正信號輸出到垂直信號線VSGNL的時間間隔。如上所述，根據(jù)本實施例，減少了連接到每個像素電路的垂直信號線的負載。下面，將作為根據(jù)本發(fā)明的第五個實施例，描述根據(jù)第四實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016的第四個結(jié)構(gòu)示例。第五實施例下面，將參照附圖描述本發(fā)明的第五實施例。圖16是說明根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的成像裝置的主要單元的一個結(jié)構(gòu)示例的框圖。本成像裝置2001a包括像素電路2010、像素陣列單元2011、水平掃描電路(HSCN)2012a、放大器2121、垂直掃描電路(VSCN)2013、信號處理電路2014、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D)2015、定時調(diào)節(jié)單元2016a、定時發(fā)生器TG(2017)和透鏡2018。定時調(diào)節(jié)單元2016a被布置在水平掃描電路2012a的內(nèi)部，將經(jīng)放大器2121從像素陣列單元2011輸入的模擬信號按照預定程序而延遲預定時間，并將其輸出到信號處理電路2014。下面將描述定時調(diào)節(jié)單元2016的操作。除了定時調(diào)節(jié)單元2016a的設(shè)置之外，本成像裝置2001a具有與根據(jù)本發(fā)明的第三實施例和第四實施例相同的結(jié)構(gòu)，因而略去其描述。而且，第五實施例使用了與根據(jù)第二實施例的像素組GRP2002的布局(參見圖13和14)相同的配置，所以略去關(guān)于像素組GRP2002的布局及其操作的描述。圖17是描述根據(jù)第五實施例的定時調(diào)節(jié)單元的一個結(jié)構(gòu)示例及其操作的示意圖。像素陣列單元2011經(jīng)垂直信號線VSGNL(i)連接到水平掃描電路2012。水平掃描電路2012a包括列選擇開關(guān)組2081，其輸入側(cè)連接到像素陣列單元2011，并且，輸出側(cè)經(jīng)輸出緩沖器2091連接到信號處理電路2014(參見16)的輸入側(cè)。列選擇開關(guān)組2081被布置在像素陣列單元2011的輸出側(cè)和定時調(diào)節(jié)單元2016a的輸入側(cè)。而且，利用列選擇脈沖而被控制的水平掃描電路2012a通過斷開/閉合列選擇開關(guān)組2081來選擇垂直信號線VSGNL(i)，從像素陣列單元2011讀出信號，并將該信號輸出到信號處理電路2014。對于被布置在水平掃描電路2012a內(nèi)部的定時調(diào)節(jié)電源2016a，輸入側(cè)與定時發(fā)生器2017的輸出側(cè)相連接(參見圖16)，輸出側(cè)與輸出緩沖器2091的輸入終端相連接。下面將描述根據(jù)第五實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016a的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。例如，定時調(diào)節(jié)單元2016a包括延遲電路2082、延遲電路組2092、行選擇開關(guān)SW0、行選擇開關(guān)SWE、開關(guān)控制信號線SWL(i)和信號線2041。對于行選擇開關(guān)SWO，第一端子連接到節(jié)點ND2931，而第二端子經(jīng)信號線2941連接到節(jié)點ND2932。對于行選擇開關(guān)SWE，第一端子連接到節(jié)點ND2931，而第二端子連接到延遲電路2082的輸入側(cè)。對于延遲電路2082，輸入側(cè)連接到行選擇開關(guān)SWE的第二端子，而輸出側(cè)連接到節(jié)點ND2932。延遲電路組2092包括多個延遲電路2921，并連接在節(jié)點ND2932和節(jié)點ND2093(i)之間。注意，延遲電路組2092執(zhí)行如消隱時間等的時間調(diào)節(jié)，于是，由任意數(shù)量的延遲電路2921組成。延遲電路2922被布置在節(jié)點ND2093(i)和節(jié)點ND2093(i+l)之間。注意，延遲電路2922執(zhí)行如消隱時間等的時間調(diào)節(jié)。開關(guān)控制信號線SWL(i)連接在列選擇開關(guān)SW(i)和節(jié)點ND2093(i)之間。延遲電路2082將輸入信號延遲時間At，并將其輸出。延遲電路2921將輸入信號延遲時間Atl，并將其輸出。延遲電路2922將輸入信號延遲時間At2，并將其輸出。延遲電路組2092將輸入信號延遲時間Atln，并將其輸出。在輸入奇數(shù)列選擇脈沖的情形中，導通其斷開/閉合操作由定時發(fā)生器2017(參見圖16)控制的行選擇開關(guān)SWO。在輸入偶數(shù)列選擇脈沖的情形中，導通其斷開/閉合操作由定時發(fā)生器2017(參見圖16)控制的行選擇開關(guān)SWE。下面將描述根據(jù)第五實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016a的操作。在下面的描述中，不妨假定，排列在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i+l)，排列在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i)或垂直信號線VSGNL(i+2)。首先，從連接到垂直信號線VSGNL(i)的放大晶體管的源電極2211a讀出信號。〈步驟ST12>被布置在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i)，于是，行掃描開關(guān)SWE導通，行掃描開關(guān)SWO斷開。選擇第i列的列選擇脈沖輸入到時間調(diào)節(jié)單元2016a?！床襟EST13>行選擇開關(guān)SWE導通，所以列脈沖經(jīng)延遲電路2082輸入到延遲電路組2092，經(jīng)過時間At+Atln的延遲，然后輸出到節(jié)點ND2093(i)?！床襟EST14>列選擇脈沖被傳播到開關(guān)控制信號線SWL(i)，且列選擇開關(guān)SW(i)導通。在此情況下，從連接到垂直信號線VSGNL(i)的偶數(shù)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號，并將讀出的信號輸出到輸出緩沖器2091。之后，從連接到垂直信號線VSGNL(i+l)的放大晶體管的源電極2211a讀出。〈步驟ST15>被布置在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i+l)，于是，行選擇開關(guān)SWE關(guān)斷，而行選擇開關(guān)SWO導通。選擇第(i+1)列的列選擇脈沖被輸入到定時調(diào)節(jié)單元2016a。〈步驟ST16>行選擇開關(guān)SWE導通，于是，將選擇脈沖列經(jīng)節(jié)點ND2932輸入到延遲電路組2092，經(jīng)過時間Atln的延遲，然后輸出到節(jié)點ND2093(i)。〈步驟ST17>列選擇脈沖在延遲電路2922處延遲了時間At2，被傳播到開關(guān)控制信號線SWL(i+l)，并導通列選擇開關(guān)SW(i+l)。在此情況下，信號從連接到垂直信號線VSGNL(i+l)的奇數(shù)行放大晶體管的源電極2211a讀出，并且，讀出的信號輸出到輸出緩沖器2091。定時調(diào)節(jié)單元2016a執(zhí)行上述步驟ST12到步驟ST17的操作，從而甚至在放大晶體管的源電極2211a根據(jù)連接奇數(shù)行還是偶數(shù)行而連接到不同垂直信號線VSGNL的情況下，也校正其中信號輸出到垂直信號線VSGNL的時間間隔。如上所述，根據(jù)本實施例，可以減小連接到每個像素電路的垂直信號線的負載。下面作為根據(jù)本發(fā)明的第六實施例，描述根據(jù)第四實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016b的第三結(jié)構(gòu)示例。第六實施例將參照附圖描述本發(fā)明的第六實施例。根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的成像裝置2001a的主要單元與第五實施例中的相同，所以略去其描述。而且，對于第六實施例，像素組GRP2002具有與根據(jù)第四實施例的布局(參見圖13和14)相同的配置，所以略去關(guān)于像素組2002的操作和布局方法的描述。圖18是描述根據(jù)第六實施例的定時調(diào)節(jié)單元的一個結(jié)構(gòu)示例及其操作的示意圖。除了定時調(diào)節(jié)單元2016b夕卜，第六實施例的結(jié)構(gòu)與第五實施例中的相同，所以略去其描述。下面將描述根據(jù)第六實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016b的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。例如，定時調(diào)節(jié)裝置2016b包括延遲電路2821、行選擇開關(guān)SWR(i)、延遲電路2822和開關(guān)控制信號線SWL(i)。延遲電路2822包括多個延遲電路2821，并被串聯(lián)連接在節(jié)點ND2111和節(jié)點ND2011(i)之間。注意，延遲電路2822執(zhí)行如消隱等的時間調(diào)節(jié)，于是，其由任意數(shù)量的延遲電路2821組成。延遲電路2082(i)連接在節(jié)點ND(i)和節(jié)點ND(i+l)之間。行選擇開關(guān)SWR(i)連接到開關(guān)控制信號線SWL(i)，并改變到節(jié)點ND(i)側(cè)或節(jié)點ND(i+l)偵U。開關(guān)控制信號線SWL(i)連接到列選擇開關(guān)SW(i)和行選擇開關(guān)SWR(i)。延遲電路2821將輸入信號延遲時間At，并將其輸出。延遲電路2822將輸入信號延遲時間Atln，并將其輸出。在信號被延遲時間At的情況下，由定時發(fā)生器2017(見圖16)控制其斷開/閉合操作的行選擇開關(guān)SWR(i)改變到節(jié)點NDb偵U，而在信號不延遲時間△t的情況下改變到節(jié)點NDa側(cè)。下面，將描述根據(jù)第六實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016a的操作。在下面的描述中，不妨假定，排列在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i+l)，排列在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到直信號線VSGNL(i)或垂直信號線VSGNL(i+2)。首先，從連接到垂直信號線VSGNL(i)的放大晶體管的源電極2211a讀出信號?！床襟EST18>被布置在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i)，于是，行選擇開關(guān)SWR(i)改變到節(jié)點NDa側(cè)。選擇第i列的列選擇脈沖被輸入到定時調(diào)節(jié)單元2016b?！床襟EST19>行選擇開關(guān)SWR(i)連接到節(jié)點NDa側(cè)，于是，列選擇脈沖經(jīng)節(jié)點ND2111輸入到延遲電路2822，經(jīng)過時間Atln的延遲，然后輸出到節(jié)點ND2011(i)?！床襟EST20>列選擇脈沖傳播到開關(guān)控制信號線SWL(i)，并且，列選擇開關(guān)SW(i)導通。在此情況下，從連接到垂直信號線VSGNL(i)的偶數(shù)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號，且讀出的信號被輸出到輸出緩沖器2091。之后，從連接到垂直信號線VSGNL(i+l)的放大晶體管的源電極2211a讀出信號?！床襟EST21>被布置在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號線VSGNL(i+l)，于是，行選擇開關(guān)SWR(i)改變到節(jié)點NDb側(cè)，并且，行選擇開關(guān)SWR(i+l)改變到節(jié)點NDc側(cè)。選擇第(i+1)列的列選擇脈沖輸入到定時調(diào)節(jié)單元2016b?！床襟EST22>行選擇開關(guān)SWR(i)連接到節(jié)點NDb偵U，于是，列選擇脈沖輸入到延遲電路2082(i)，經(jīng)過時間At的延遲，然后被輸出到節(jié)點ND2011(i+l)?！床襟EST23>列選擇脈沖傳播到開關(guān)控制信號線SWL(i+l)，且列選擇開關(guān)SW(i+l)導通。此時，從連接垂到直信號線VSGNL(i+1)的奇數(shù)行的放大晶體管的源電極2211a讀出信號，并將讀出的信號輸出到輸出緩沖器2091。定時調(diào)節(jié)電源2016b執(zhí)行上述步驟ST18到步驟ST23的操作，從而，甚至在放大晶體管的源電極221la根據(jù)其連接到奇數(shù)行還是偶數(shù)行而連接到不同的垂直信號線VSGNL的情況下，也校正其中信號輸出到垂直信號線VSGNL的時間間隔。如上所述，根據(jù)本實施例，可以減小連接到每個像素電路的垂直信號線的負載。而且，甚至在其中一個放大晶體管由多個光學元件或像素電路等共享、且放大晶體管的源擴散層2210a由多個像素塊共享的配置的情況下，也可減小垂直信號線VSGNL的負載。下面將描述與此有關(guān)的根據(jù)本發(fā)明的第七實施例。第七實施例下面參照附圖描述本發(fā)明的第七實施例。圖19是說明根據(jù)第七實施例的像素塊的一個結(jié)構(gòu)示例的示意圖。圖19作為一個例子說明了CMOS成像裝置。圖19所示的像素塊2120包括包含光電二極管PD2021b和傳輸晶體管TTR2022b的光電二極管單元21201到21204、復位晶體管RTR2024b、選擇晶體管STR2028b、放大晶體管ATR2027b和信號輸出端2211b。光電二極管單元21201到21204各自連接到節(jié)點ND2212。對于放大晶體管2027b，漏極連接到選擇晶體管2028b的源極，源極連接到電位線VDDL，而柵極連接到節(jié)點ND2212。對于選擇晶體管2028b，漏極連接到電位線VDDL，源極連接到放大晶體管2027b的漏極，而柵極連接到選擇線SELL。信號輸出端2211b連接到放大晶體管2027b的源極和垂直信號線VSGNL。對于本發(fā)明的第七實施例，光電二極管單元21201到21204連接到節(jié)點ND2212。23注意，根據(jù)第七實施例的像素塊2120的操作與圖9A所示的像素電路2002a的等效電路2002b相同，所以略去其描述。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的像素塊2120的布局示例。圖20A和圖20B是說明根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的像素電路的布局示例的示意圖。圖20A所示的像素塊組GRPa下述一個示例，其中圖19所示的兩個像素塊2120共享信號輸出端2211b，且將兩個像素塊2120關(guān)于信號輸出端2211b相反地布置。圖20B是其中圖20A所示的像素塊組GRPa沿垂直信號線VSGNL排列成矩陣形狀的布局。每個傳輸晶體管TRT2022b的柵極連接到傳輸選擇線TRFL，每個復位晶體管RTR2024b的柵極連接到復位線RSTL，每個復位晶體管RTR2024b的漏極和選擇晶體管STR2028b的漏極連接到電位線VDDL，每個選擇晶體管STR2028b的柵極連接到選擇線SELL，并且，信號輸出端221lb和垂直信號線VSGNL連接到信號線2031。關(guān)于圖20A和圖20B，略去傳輸選擇線TRFL、復位線RSTL、電位線VDDL和選擇線SELL的描述。同樣，以與根據(jù)本發(fā)明的第三實施例相同的方式，關(guān)于根據(jù)第七實施例的像素塊組GRPa的布局，單個放大晶體管的源擴散層2120a可以由多個像素塊共享，并可以獲得相同的優(yōu)點。其詳細描述與第三實施例的相同，因而將被省略。但是，注意，兩個像素塊2120共享同一放大晶體管的源擴散層2210a，于是，共享被限制為不被同時訪問的像素塊2120之間的共享。如上所述，根據(jù)本實施例，可以減小連接到每個像素塊的垂直信號線的負載。下面作為第八實施例，將描述像素塊2120的第二布局示例。第八實施例圖21A和圖21B是說明根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的像素電路的一個布局示例的示意圖。圖21A所示的像素塊組GRPb是下述一個示例，其中圖20A所示的兩個像素塊2120共享信號輸出端2211b，且兩個像素塊2120關(guān)于像素輸出端2211b沿對角線方向而被相對地設(shè)置。圖21B是其中圖21A所示的像素塊組GRPb沿垂直信號線VSGNL排列成矩陣形狀的布局。每個傳輸晶體管TRT2022b的柵極連接到傳輸選擇線TRFL，每個復位晶體管RTR2024b的柵極連接到復位線RSTL，每個復位晶體管RTR2024b的漏極和每個選擇晶體管STR2028b的漏極連接到電位線VDDL，每個選擇晶體管STR2028b的柵極連接到選擇線SELL，并且，信號輸出端221lb和垂直信號線VSGNL連接到信號線2031。關(guān)于圖21A和圖21B，略去傳輸選擇線TRFL、復位線RSTL、電位線VDDL和選擇線SELL的描述。信號輸出端2211b通過在每行移位而連接到垂直信號線VSGNL，如圖21B所示。在圖21B中，如果在設(shè)置有信號輸出端2211b的位置對行計數(shù)，則第j行的信號輸出端2211b連接到垂直信號線VSGNL(i+l)，第(j+l)行的信號輸出端2211b連接到垂直信號線VSGNL(i)或垂直信號線VSGNL(i+l)，并且，第(j+2)行的信號輸出端2211b連接到垂直信號線VSGNL(i+l)。箭頭2071表示從信號輸出端2211b到垂直信號線VSGNL(i)到VSGNL(i+2)的信號讀出方向，其中在光電二極管PD2021b產(chǎn)生的信號電荷被傳輸?shù)椒糯缶w管ATR2027b。同樣，關(guān)于根據(jù)第八實施例的像素塊組GRPb的布局，單個放大晶體管可以與根據(jù)本發(fā)明的第四實施例相同的方式由多個像素塊共享，并可獲得相同的優(yōu)點。但應(yīng)注意，對于本發(fā)明的第八實施例，兩個像素塊2120共享同一垂直信號線VSGNL，于是，共享被限制為不被同時訪問的兩個像素塊2120之間的共享。而且，本實施例使從像素陣列單元2011輸出信號的時滯與第四實施例一樣。因此，對于本實施例，設(shè)置定時調(diào)節(jié)單元2016。其結(jié)構(gòu)和操作與第四實施例的相同，將略去定時調(diào)節(jié)單元2016的描述。如上所述，根據(jù)本實施例，可以減小連接到每個像素塊的垂直信號線的負載。第九實施例本實施例是通過用根據(jù)第五實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016a代替根據(jù)第八實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016獲得的。于是，對于本實施例，能夠獲得與第五實施例相同的優(yōu)點，因而可以減小連接到每個像素塊的垂直信號線的負載。第十實施例本實施例是通過用根據(jù)第六實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016a代替根據(jù)第八實施例的定時調(diào)節(jié)單元2016獲得的。于是，對于本實施例，能夠獲得與第六實施例相同的優(yōu)點，因而可以減小連接到每個像素塊的垂直信號線的負載。注意，關(guān)于根據(jù)第七到第十實施例的像素塊，可以通過使用任意的電路結(jié)構(gòu)獲得與本發(fā)明這些實施例相同的優(yōu)點，只要該結(jié)構(gòu)共享放大晶體管的源擴散層2210a即可。而且，對于像素電路或像素塊的布局方法，例如，甚至在使用蜂窩式像素陣列等的情況下，也可以與獲得本發(fā)明這些實施例相同的優(yōu)點。如上所述，對于根據(jù)本發(fā)明的第三實施例到第十實施例，該成像裝置在不被同時訪問的像素電路或像素塊之間共享放大晶體管的源極。因此，利用根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以減小連接到每個像素電路或每個像素塊的垂直信號線的負載。而且，能夠獲得高速驅(qū)動的成像裝置，從而減少讀出信號的傳輸時間，增加操作像素的數(shù)量。并且，可減小組成像素電路的放大晶體管的擴散層的電容，從而抑制與成像裝置的板耦合的信號，防止成像裝置的圖像劣化。注意，參考標記2002a表示像素電路，2021a和2021b表示光電二極管PD，2022a表示傳輸門TRFG，2023表示傳輸門電極，2024a表示復位門RSTG，2025表示復位門電極，2026a表示電源電極，2027a表示放大柵AMPG，2028a表示選擇門SELG，2029表示選擇門電極，2210a表示放大源擴散層，2211a和2211b表示信號輸出端，2022b表示傳輸晶體管TTR，2024b表示復位晶體管RTR，VDDL表示電位線，VDD表示電源電壓，2027b表示放大晶體管ATR，2028b表示選擇晶體管STR，VSGNL表示垂直信號線，TRFL表示傳輸選擇線，RSTL表示復位線，VDDL表示電源電位線，SELL表示選擇線，2120表示像素塊，2011表示像素陣列單元，2012表示水平掃描電路HSCN，2121表示放大器，2013表示垂直掃描電路VSCN，2014表示信號處理電路，2014表示信號處理電路，2015表示模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D)，2016表示定時調(diào)節(jié)單元，并且，2017表示定時發(fā)生器(TG)。圖22是說明根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例的成像裝置的主要單元的一個結(jié)構(gòu)示例的框圖。圖22所示的成像裝置3010由以下部分組成像素電路(PIXEL)3011、像素陣列單元(對應(yīng)上述的成像區(qū)域)3012、水平掃描電路(HSCN)3013、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(AD)3131、垂直掃描電路(VSCN)3014、模擬前端單元3015、輸出緩沖器3016和定時發(fā)生器(TG)3017。對于像素陣列單元3012，例如，包含光電轉(zhuǎn)換單元的像素電路3011以預定陣列模式排列成矩陣形狀，垂直掃描電路3014和每行像素陣列分別與復位線RSTL、傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL相連接，并且，垂直信號線VSGNL被布置在每列像素陣列中。像素陣列單元3012的每個像素電路3011都由垂直掃描電路3014控制。而且，像素電路3011中包括的光電轉(zhuǎn)換單元(未顯示)將入射光根據(jù)其光量轉(zhuǎn)換為電信號，并將該電信號經(jīng)垂直信號線VSGNL輸出到水平掃描電路3013。垂直掃描電路3014通過復位線RSTL、傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL與像素陣列單元3012的每個像素電路3011相連接，并還與被布置在垂直掃描電路3014外部的定時發(fā)生器3017相連接。垂直掃描電路3014分別與來自定時發(fā)生器3017的預定時鐘同步地將復位信號、傳輸信號和選擇信號傳播到復位線RSTL、傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL，從而控制像素電路3011。而且，水平掃描電路3013包括連接到每條垂直信號線VSGNL的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(簡稱為AD轉(zhuǎn)換器)3131，其通過水平信號線HSCNL連接到模擬前端單元3015，并還與定時發(fā)生器3017連接。水平掃描電路3013與來自定時發(fā)生器3017的預定時鐘同步地將輸入電信號在AD轉(zhuǎn)換器3131處轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并將該數(shù)字信號經(jīng)水平信號線HSCNL輸出到模擬前端單元3015。注意，根據(jù)成像裝置的結(jié)構(gòu)，可以使用放大器代替AD轉(zhuǎn)換器3131。對于模擬前端單元3015，輸入側(cè)經(jīng)水平信號線HSCNL連接到水平掃描電路3013，而輸出側(cè)連接到輸出緩沖器3016。而且，模擬前端單元3015與定時發(fā)生器3017相連接。模擬前端單元3015與定時發(fā)生器3017的預定時鐘同步地調(diào)節(jié)從水平掃描電路3013輸入的數(shù)字信號的信號電平等，以將其輸出到輸出緩沖器3016。注意，可以根據(jù)成像裝置的結(jié)構(gòu)，用放大器或模數(shù)轉(zhuǎn)換器等代替模擬前端單元3015。對于輸出緩沖器3016，分別地，輸入側(cè)連接到模擬前端單元3015，而輸出側(cè)例如連接到信號處理電路。輸出緩沖器3016將輸入的數(shù)字信號輸出到該信號處理電路。注意，定時發(fā)生器3017產(chǎn)生預定時鐘，并控制水平掃描電路3013、垂直掃描電路3014和模擬前端電路3015。下面，將參照電路圖描述根據(jù)第十一實施例的成像裝置的一個結(jié)構(gòu)示例。注意在下面的描述中，示出CMOS成像裝置作為例子。圖23是說明根據(jù)第十一實施例的成像裝置的一個結(jié)構(gòu)示例的等效電路圖。如圖23所示，根據(jù)第十一實施例的成像裝置3010的像素陣列單元3012包括共享塊BLK3010，并且，該共享塊BLK3010由以下部件組成光電轉(zhuǎn)換單元(PD)3111;由傳輸晶體管(TTR)3112、復位晶體管(RTR)3121、放大晶體管(ATR)3122及選擇晶體管(STR)3123組成的四個像素電路3011;以及節(jié)點ND3121。下文中，該結(jié)構(gòu)稱為共享塊。注意，對于光電轉(zhuǎn)換單元3111，例如，使用光電二極管(在圖23中，光電二極管的標記被用于光電轉(zhuǎn)換單元3111，并且，下文中將此描述為光電二極管)。如圖23所示，對于像素電路3011的光電轉(zhuǎn)換單元(光電二極管)3111，陽極接地，而陰極連接到傳輸晶體管3112的源極。對于傳輸晶體管3112，分別地，源極連接到光電轉(zhuǎn)換單元3111的陰極，漏極共同連接到節(jié)點ND3121，而柵極連接到傳輸選擇線TRFL。對于復位晶體管3121，分別地，源極連接到節(jié)點ND3121，漏極連接到電源電位VDD，而柵極連接到復位線RSTL。而且，放大晶體管3122和選擇晶體管3123在源極和源極之間被串聯(lián)連接。對于放大晶體管3122，分別地，漏極連接到電源電位VDD，而柵極連接到節(jié)點ND3121。而且，對于選擇晶體管3123，分別地，源極連接到垂直信號線VSGNL，而柵極連接到選擇線SELL。對于上述結(jié)構(gòu)示例，光電轉(zhuǎn)換單元3111通過光電轉(zhuǎn)換，根據(jù)入射光的光量產(chǎn)生信號電荷，并將其存儲。而且，例如，當復位線RSTL的狀態(tài)從低電平變?yōu)楦唠娖綍r，復位晶體管3121導通(導電狀態(tài))，并且，節(jié)點ND3121的電位復位到電源電位VDD。而且，當傳輸選擇線TRFL的狀態(tài)變?yōu)楦唠娖綍r，傳輸晶體管3112導通，并且，光電轉(zhuǎn)換單元3111中存儲的信號電荷被傳輸?shù)焦?jié)點ND3121。在傳輸晶體管3112導通期間，放大晶體管3122放大節(jié)點ND3121的電位。而且，當選擇線SELL變?yōu)楦唠娖綍r，選擇晶體管3123導通，并且，信號電荷被輸出到垂直信號線VSGNL。如上所述，每個像素電路3011中的傳輸晶體管3112的漏極共同地連接到節(jié)點ND3121，并且，四組像素電路3011共享復位晶體管3121、放大晶體管3122和選擇晶體管3123。本實施例通過使用具有這種結(jié)構(gòu)的成像裝置，減小了元件數(shù)量和像素電路中的配線數(shù)量，進行了像素的微型制造，并提高了成像裝置的速度。第一位置布局示例下面將描述其中圖23所示的等效電路的每個部件被布局到半導體板上的第一位置布局示例。圖24是說明根據(jù)第十一實施例的第一位置布局示例的示意圖。對于根據(jù)第十一實施例的成像裝置，具有圖23所示的結(jié)構(gòu)的等效電路被布局在半導體板上。具體而言，共享塊BLK3010由光電轉(zhuǎn)換單元3111、傳輸晶體管3112、電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121、配線SGNL和晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002組成。而且，傳輸晶體管3112包括傳輸門31121。晶體管區(qū)域TRGN3001被形成在復位晶體管3121處，并且，其柵極長度方向上的寬度是L3001。注意，復位晶體管3121包括源極31212及其復位門31211。并且，晶體管區(qū)域TRGN3002形成在放大晶體管3122和選擇晶體管3123處，并且，其柵極長度方向上的寬度是L3002。注意，放大晶體管3122包括放大門31221，選擇晶體管3123包括選擇門31231。對于根據(jù)第十一實施例的第一位置布局，由光電轉(zhuǎn)換單元3111和傳輸晶體管3112組成的兩個像素電路3011共享電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121，并且，兩個光電轉(zhuǎn)換單元3111沿對角線方向設(shè)置，從而夾置(sandwich)電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121。并且，在單個共享塊BLK3010內(nèi)，兩個電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121每個都與配線SGNL相連接，從而使得其電極FD3121E、放大門31221的柵電極31221E和復位晶體管3121的源電極31212E共享以分布方式設(shè)置的晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002。因此，單個共享塊BLK3010包括四個光電轉(zhuǎn)換單元3111。而且，如圖24所示，對于當前的第一位置布局，多個共享塊BLK3010被交替設(shè)置，并且，沿柵極方向?qū)挾炔煌木w管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002以相互不同的方式被設(shè)置。此時，晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002沿柵極長度方向占據(jù)的總尺寸(Ll+L2)是恒定的。下面，參照時序圖描述使用第十一實施例的成像裝置3010的操作。注意，為了簡化圖23所示的像素電路描述，將描述單個像素電路3011。圖25是描繪根據(jù)第十一實施例的等效電路操作的時序圖。在圖25中，(a)是傳播到選擇線SELL的選擇信號SEL的時序圖，圖25中的(b)是傳播到復位線RSTL的復位信號RST的時序圖，而圖25中的(c)是傳播到傳輸選擇線TRFL的傳輸選擇信號TRF的時序圖。在時間點tl處，入射光進入光電轉(zhuǎn)換單元3111。此時，傳輸晶體管3112，復位晶體管3121和選擇晶體管3123處于關(guān)斷狀態(tài)(非導電狀態(tài))。在時間點tl到時間點t2處，光電轉(zhuǎn)換單元3111由于光電效應(yīng)而將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷。隨后，光電轉(zhuǎn)換單元3111存儲信號電荷，直到復位晶體管3121導通的時間點t2為止。從時間點tl到時間點t2的周期是信號電荷的存儲時間。在時間點t2處，來自垂直掃描電路3014的高電平選擇信號SEL被傳播到選擇線SELL,從而導通選擇晶體管3123。在時間點t2到時間t10處，選擇晶體管3123保持導通狀態(tài)。而且，在時間點t2處，節(jié)點ND3121的電壓被復位。具體而言，將高電平復位信號RST從垂直掃描電路3014傳播到復位線RSTL，從而導通復位晶體管3121，并且，節(jié)點ND3121的電位被復位到電源電位VDD。在時間點t3處，來自垂直掃描電路3014的低電平復位信號RST被傳播到復位線RSTL，從而關(guān)斷復位晶體管3121，并且，完成節(jié)點ND3121的電壓復位。在時間點t4到時間點t5處，讀出節(jié)點ND3121的電位，作為參考信號。將電位的讀出周期稱為Read3001。在時間點t6處，將高電平傳輸選擇信號TRT從垂直掃描電路3014傳播到傳輸選擇線TRFL，從而導通傳輸晶體管3112，并且，將光電轉(zhuǎn)換單元3111中存儲的信號電荷傳輸?shù)焦?jié)點ND3121。而且，在時間點t6到時間點t7處，傳輸晶體管3112保持在導通狀態(tài)。在時間點t7處，低電平傳輸選擇信號TRF從垂直掃描電路3014傳播到傳輸選擇線TRFL，從而關(guān)斷傳輸晶體管3112。從時間點t8到時間點t9處，由于從節(jié)點ND3121傳輸?shù)男盘栯姾?，?jié)點ND3121的電壓和在讀出周期Read3001過程中讀出的參考信號SGLB之間的電壓差被讀出作為一個信號。將該信號讀出周期命名為Read3002。而且，在讀出該信號時，放大晶體管ATR3122導通，節(jié)點ND3121的電位被放大，并且，放大的電壓信號經(jīng)信號輸出端3211b而被輸出到垂直信號線VSGNL。在時間點t10處，將低電平選擇信號SEL從垂直掃描電路3014傳播到選擇信號線28SELL，從而關(guān)斷選擇晶體管STR3123，并完成電壓信號輸出到水平掃描電路3013。對于第十一實施例，通過使用這種布局，減小了光電轉(zhuǎn)換單元3111等周圍的空白區(qū)域，并且，可有效地利用半導體板表面。因此，通過本實施例，不需要減小部件的使用區(qū)域，如晶體管區(qū)域等。而且，通過本實施例，可增加晶體管的柵極長度，從而能夠減小相同工序產(chǎn)生的最小像素尺寸。并且，通過第十一實施例，增加了放大晶體管的柵極長度，從而增大了柵極面積，并減小了隨機噪聲。第二位置布局示例下面將描述其中圖23所示的等效電路的每個部件被布置在半導體基板上的第二位置布局示例。圖26是說明根據(jù)第十一實施例的第二位置布局示例的示意圖。如圖26所示，本位置布局示例包括具有與第一位置布局示例相同的結(jié)構(gòu)的共享塊BLK3010。并且，多個共享塊BLK3010被交替地設(shè)置，并且，在柵極方向上的寬度不同的晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002以相互不同的方式設(shè)置，但是光電轉(zhuǎn)換單元3111的布置模式不同于第一位置布局示例。具體而言，如圖26所示，兩個光電轉(zhuǎn)換單元3111垂直于配線SGNL設(shè)置，從而夾置電荷電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121。如圖26所示，第二位置布局這樣配置，即在柵極方向上的寬度不同的晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002彼此相鄰地組合。此時，晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002在柵極長度方向上占據(jù)的總尺寸(L3001+L3002)是恒定的。同樣，對于該第二位置布局示例，能有效利用半導體板表面，并增加晶體管的柵極長度，從而獲得與根據(jù)第十一實施例的第一位置布局示例相同的優(yōu)點。第三位置布局示例下面，將描述其中圖23所示的等效電路的每個部件被布置在半導體基板上的第三位置布局示例。圖27是說明根據(jù)第十一實施例的第三位置布局示例的示意圖。如圖27所示，本位置布局示例包括共享塊BLK3010，其中光電轉(zhuǎn)換單元3111的布置模式與第一位置布局示例相同，但是多個共享塊BLK3010的布置模式不同于第一位置布局示例。具體而言，如圖27所示，共享塊BLK3010按逐列移位而設(shè)置。對于本位置布局示例，共享塊BLK3010在每列處都移位，并如此設(shè)置，即晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002在柵極長度方向上占據(jù)的總尺寸(L3001+L3002)是恒定的。但是，注意，如圖27所示，共享塊BLK3010通過在每列移位而被布局，于是，共享塊BLK3010所屬的行在相鄰列之間不同。下面，將參照圖28描述共享塊BLK3010所屬行的移位。圖28是說明共享塊BLK3010所屬行的移位的示意圖。在圖28中，共享i央BLK3010的VSL表示光電轉(zhuǎn)換單元3111，TRF3001到TRF3004表示第一到第四傳輸晶體管柵極31121，RST表示復位門31211，SEL表示選擇門31231。對于圖28所示的單個共享塊BLK3010，共享電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121的兩個光電轉(zhuǎn)換單元3111與配線SGNL相連接。因此，單個共享塊BLK3010共享四個光電轉(zhuǎn)換單元3111。具有這種結(jié)構(gòu)的共享塊BLK3010布置成在每行移位，從而相同列的晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002在柵極長度方向上的總寬度是恒定的。具體而言，相同一行的復位門31211—般與復位線RSTL相連接，相同一行的選擇門31231—般與選擇線SELL相連接。但是，復位門31211和選擇門31231每個都根據(jù)列而與不同的復位線RSTL和選擇線SELL相連接。例如，如圖27所示，如果假定復位線RSTL或選擇線SELL位于一行上，則i行j列和i行(j+2)列的復位門31211和選擇門31231通常相連，(i+1)行(j+1)列和(i+1)行(j+3)列的復位門31211和選擇門31231通常相連。而且，同一行的第一傳輸門31121(TRF3001)和第三傳輸門31121(TRF3003)一般與傳輸選擇線TRFL相連，而同一行的第二傳輸門31121(TRF3002)和第四傳輸門31121(TRF3004)—般與傳輸選擇線TRFL相連。如圖28所示，相同一行方向的第一到第四傳輸門31121與傳輸選擇線TRFL共同相連，從而在每行處都控制第一到第四傳輸門31121。但是，每列的復位門31211和選擇門31231通過移動一行值(rowworth)而連接到不同的復位線RSTL和選擇線SELL。因此，按照列，垂直掃描電路3014(參見圖22)通過將行移動一行值，而將分別控制復位門31211和選擇門31232的復位信號和掃描信號傳播到復位線RSTL和選擇線SELL。同樣，對于本位置布局示例，能有效利用半導體板表面，增加晶體管的柵極長度，從而獲得與根據(jù)本實施例的第一或第二位置布局示例相同的優(yōu)點。注意，本位置布局示例使用的光電轉(zhuǎn)換單元3111的布置模式與第一位置布局示例的相同，但是也可以使用與第二位置布局示例相同的布置模式。對此，同樣可以獲得與根據(jù)本實施例的第一，第二或第三位置布局示例相同的優(yōu)點。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例的相機。圖29是說明根據(jù)第十一實施例的相機總體結(jié)構(gòu)的框圖。相機3020被配置為包括成像裝置3010;被配置為將入射光導向成像裝置3010的像素陣列單元3012的光學系統(tǒng)；例如用于將入射光(圖像光)在成像表面形成圖像的透鏡3021;用于處理成像裝置3010輸出信號的信號處理電路3022等。關(guān)于相機3020，對于成像裝置3010，使用了根據(jù)上述實施例的成像裝置。信號處理電路3022對來自成像裝置3010的輸出緩沖器3016的輸出信號Vout進行各種類型的信號處理，并輸出畫面信號。根據(jù)本相機3020，通過使用根據(jù)上述實施例的成像裝置3010，可以獲得對應(yīng)像素數(shù)量增加的高質(zhì)量拍攝圖像。注意，成像裝置3010可以是形成為一個芯片的成像裝置，或是形成為多芯片組件的模塊型成像裝置?？梢酝ㄟ^分別形成用于成像的傳感器芯片和用于進行數(shù)字信號處理的信號處理芯片來形成多芯片組件的成像裝置，有時還包括光學系統(tǒng)。如上所述，本實施例包括由復位晶體管群成的晶體管區(qū)域，和由選擇晶體管和放大晶體管群成的晶體管區(qū)域，并且形成了其中由多個光電轉(zhuǎn)換單元共享這些晶體管區(qū)域的共享塊。該共享塊如此布置，即在晶體管區(qū)域中在柵極長度方向上占據(jù)的總尺寸恒定，且各晶體管區(qū)域彼此相鄰地組合。因此，減小了光電轉(zhuǎn)換單元等周圍的空白區(qū)域，有效利用了半導體板表面。而且，增加了放大晶體管的柵極長度，從而獲得了增加柵極面積的優(yōu)點，這可防止放大晶體管容易受噪聲影響。注意，本實施例包括由復位晶體管群成的晶體管區(qū)域，和由選擇晶體管和放大晶體管群成的晶體管區(qū)域。組成晶體管區(qū)域的組件的組合沒有限制，只要使用了其中在多個位置設(shè)置共享部件的布局就行。而且，用于本實施例的部件的晶體管可以是n溝道型或p溝道型。注意，參考標記3011表示像素電路(PIXEL),3012表示像素陣列單元，3013表示水平掃描電路(HSCN)，3131表示AD轉(zhuǎn)換器，3014表示垂直掃描電路(VSCN)，3015表示模擬前端電路，3016表示輸出緩沖器，3017表示定時發(fā)生器(TG)，BLK3010表示共享塊，3111表示光電轉(zhuǎn)換單元(PD)，3112表示傳輸晶體管(TTR)，3121表示復位晶體管(RTR)，3122表示放大晶體管(ATR)，3123表示選擇晶體管(STR)，F(xiàn)D3121表示電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元，TRGN3001和TRGN3002表示晶體管區(qū)域，31121表示傳輸門，31212表示復位晶體管的源極，31211表示復位門，31221表示放大門，31231表示選擇門，Ll和L2表示沿柵極方向的寬度，SGNL表示配線，RSTL表示復位線，TRFL表示傳輸選擇線，SELL表示選擇線，VSGNL表示垂直信號線，并且，HSCNL表示水平信號線。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解到，根據(jù)設(shè)計需要和其他因素可以進行各種修改，組合，再組合或替換改變，它們都在后附權(quán)利要求或其等價物的范圍內(nèi)。權(quán)利要求一種成像裝置，包括多個光電轉(zhuǎn)換單元，其被配置為將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷；以及包括多個晶體管的多個共享塊，其由所述每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，所述多個共享塊被配置為將在該光電轉(zhuǎn)換單元處獲得的所述信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，并輸出所述電壓；其中，對于所述共享塊，劃分該共享塊內(nèi)的晶體管分布區(qū)域，并對該晶體管分布區(qū)域進行布線，且交替排列多個共享塊，在所述多個共享塊中，所占據(jù)的尺寸不同的所述多個晶體管被布置在不同位置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述多個光電轉(zhuǎn)換單元被布置為沿對角線方向相鄰，從而共享所述多個晶體管。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述多個光電轉(zhuǎn)換單元被布置為沿配線方向相鄰，從而共享所述多個晶體管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述多個晶體管至少包括復位晶體管，其被配置為復位所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的所述電壓；禾口放大晶體管，其被配置為放大所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的所述電壓。5.—種成像裝置，包括多個光電轉(zhuǎn)換單元，其被配置為將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷；以及包括多個晶體管的多個共享塊，其由所述每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，所述多個共享塊被配置為將在該光電轉(zhuǎn)換單元處獲得的所述信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，并輸出所述電壓；其中，劃分該共享塊內(nèi)的晶體管分布區(qū)域，并對該晶體管分布區(qū)域進行布線，并且，所述多個共享塊通過沿配線方向在每列移動來排列，從而與列之間的所述多個晶體管占據(jù)的尺寸相匹配。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成像裝置，其中，所述多個光電轉(zhuǎn)換單元被布置為沿對角線方向相鄰，從而共享所述多個晶體管。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成像裝置，其中，所述多個光電轉(zhuǎn)換單元被布置為沿配線方向相鄰，從而共享所述多個晶體管。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成像裝置，其中，所述多個晶體管至少包括復位晶體管，其被配置為復位所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的所述電壓；和放大晶體管，其被配置為放大所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的所述電壓。9.一種相機，包括成像裝置；以及光學系統(tǒng)，其被配置為將入射光導向所述成像裝置的成像區(qū)域；其中，所述成像裝置包括多個光電轉(zhuǎn)換單元，其被配置為將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷；以及包括多個晶體管的多個共享塊，其由所述每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，所述多個共享塊被配置為將在該光電轉(zhuǎn)換單元處獲得的所述信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，并輸出所述電壓；其中，對于所述共享塊，劃分該共享塊內(nèi)的晶體管分布區(qū)域，并對該晶體管分布區(qū)域進行布線，且交替排列多個共享塊，在所述多個共享塊中，所占據(jù)的尺寸不同的所述多個晶體管被布置在不同位置。10.—種相機，包括成像裝置；以及光學系統(tǒng)，用于將入射光引導到所述成像裝置的成像區(qū)域；其中所述成像裝置包括多個光電轉(zhuǎn)換單元，其被配置為將入射光轉(zhuǎn)換為信號電荷；以及包括多個晶體管的多個共享塊，其由所述每個光電轉(zhuǎn)換單元共享，所述多個共享塊被配置為將在該光電轉(zhuǎn)換單元處獲得的所述信號電荷轉(zhuǎn)換為電壓，并輸出所述電壓；其中，劃分該共享塊內(nèi)的晶體管分布區(qū)域，并對該晶體管分布區(qū)域進行布線，并且，所述多個共享塊通過沿配線方向在每列移動來排列，從而與列之間的所述多個晶體管占據(jù)的尺寸相匹配。全文摘要一種固態(tài)成像器件，包括組成向掃描方向傾斜的斜柵格陣列的多個像素，其包括用于將入射光量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘柕墓怆娹D(zhuǎn)換單元；以及用于將從所述光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷旱碾姾傻诫妷恨D(zhuǎn)換單元，所述光電轉(zhuǎn)換單元被布置在所述多個像素的沿對角線方向彼此相鄰的兩個像素之間；其中，所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元由所述兩個像素共享；其中，一組晶體管群被布置在共享塊中，該共享塊由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成由沿對角線彼此相鄰的兩個像素組成的像素對，和與該像素對相鄰的像素對，包括與每個像素對的所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元連接的配線。文檔編號H01L27/146GK101777567SQ20101011837公開日2010年7月14日申請日期2007年10月15日優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日發(fā)明者工藤義治申請人:索尼株式會社