專利名稱：襯底處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對襯底進(jìn)行處理的襯底處理裝置。
背景技術(shù)：
在日趨高密度化的DRAM等的半導(dǎo)體裝置中，作為柵極絕緣膜和電容器絕緣膜，例如使用含有鉿(Hf)元素或鋯(Zr)元素的高介電常數(shù)膜(高_(dá)k膜)。這是因?yàn)槔缒ず駷?1. 6nm的HfO2膜能夠獲得與膜厚為4. 5nm的SiO2膜同等程度的高介電常數(shù)。作為形成含 有Hf元素或鋯&元素的高介電常數(shù)膜的方法，例如使用ALD (Atomic Layer Deposition, 原子層堆積)法等，即將通過氣化器使TEMAH(Hf [N(CH3)CH2CHJ4 四(乙基甲胺基)鉿) 或TEMAZ [N(CH3) CH2CHJ4:四(乙基甲基氨基)鋯)等的有機(jī)類化合物(液體原料)氣 化而生成的氣化氣體和臭氧(O3)氣體等的氧化氣體交替供給至收納有硅晶片等的襯底的 處理室內(nèi)。在使用TEMAH或TEMAZ等有機(jī)類化合物形成高介電常數(shù)膜時(shí)，有時(shí)在氣化器內(nèi)殘 留碳化物，有時(shí)在連接氣化器內(nèi)和處理室內(nèi)的配管內(nèi)形成氣化氣體的包含不純物的副生成 物、例如氣化氣體的氧化物。這些碳化物和氧化物有可能成為產(chǎn)生導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的制造 成品率惡化的顆粒(異物)的主要原因。另外，TEMAH或TEMAZ這樣的有機(jī)類化合物具有 易于與水分反應(yīng)的性質(zhì)。因此，在更換氣化器或配管等之后，在為了除去水分而實(shí)施的氣化 器內(nèi)或配管內(nèi)的凈化不充分、或者氣化器或配管的加熱產(chǎn)生不均時(shí)，有時(shí)殘留在氣化器內(nèi) 或配管內(nèi)的水分會與有機(jī)類化合物反應(yīng)而生成顆粒。為了抑制在氣化器內(nèi)或配管內(nèi)產(chǎn)生的顆粒向處理室內(nèi)擴(kuò)散，在現(xiàn)有的襯底處理裝 置中，在連接氣化器和處理室的配管中設(shè)有過濾器。但是，在該結(jié)構(gòu)中，在更換過濾器時(shí)，存 在氣化器內(nèi)或配管內(nèi)暴露于大氣，在它們的內(nèi)壁附著了水分，會導(dǎo)致產(chǎn)生顆粒的情況。也有 人考慮隨著過濾器的更換，一并更換暴露于大氣的部分配管部件等的方法。但是，在該方法 中，過濾器更換作業(yè)所需要的時(shí)間的增長和成本的增加是問題。尤其是，在更換配管部件等 時(shí)，有時(shí)也必須一并進(jìn)行設(shè)置在配管周邊的加熱用加熱器等的裝卸，因此過濾器的更換操 作所需要的時(shí)間的增長和成本的增加是問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制顆粒向處理室內(nèi)擴(kuò)散、降低過濾器的更換所 需要的成本的襯底處理裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種襯底處理裝置，該襯底處理裝置具有處理襯底的 處理室和對該處理室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部，所述氣體供給部具有配置于所述處 理室內(nèi)的氣體供給噴嘴；配置于所述氣體供給噴嘴內(nèi)的、用于去除所述處理氣體所含有的 不純物的過濾器；和開設(shè)于所述氣體供給噴嘴上的、將由所述過濾器去除了所述不純物后 的所述處理氣體供給至所述處理室內(nèi)的氣體供給口。采用本發(fā)明所涉及的襯底處理裝置，能夠抑制顆粒向處理室內(nèi)擴(kuò)散，能夠降低過濾器的更換所需要的成本。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置的簡要結(jié)構(gòu)圖。圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置所有的處理爐的簡要結(jié)構(gòu) 圖，圖2 (a)、圖2 (b)分別表示處理爐的縱截面簡要視圖和處理爐的橫截面簡要視圖。圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的氣化氣體噴嘴及其周邊的局部放大圖。圖4是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的過濾器的簡要結(jié)構(gòu)圖。圖5是現(xiàn)有的氣化氣體噴嘴及其周邊的局部放大圖。圖6是例示處理室內(nèi)的溫度分布的測定結(jié)果的圖表。圖7是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的氣化氣體噴嘴及其周邊的局部放大圖。附圖標(biāo)記說明200晶片(襯底)201處理室248a氣化氣體供給孔(氣體供給口) 325氣體導(dǎo)入噴嘴346過濾器346a過濾器部件。
具體實(shí)施例方式(1)襯底處理裝置的結(jié)構(gòu)首先，關(guān)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置101的結(jié)構(gòu)例，使用圖1 進(jìn)行說明。如圖1所示，本實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置101具有框體111。為了將由硅 等構(gòu)成的晶片(襯底)200向框體111的內(nèi)外運(yùn)送，使用作為收納多個(gè)晶片200的晶片載體 (襯底收納容器)的盒體110。在框體111內(nèi)側(cè)的前方(圖中的右側(cè))設(shè)置有盒體載置臺 (襯底收納容器交接臺)114。盒體110構(gòu)成為，通過未圖示的工序內(nèi)運(yùn)送裝置被載置于盒 體載置臺114上，再從盒體載置臺114上被運(yùn)往框體111外。盒體110通過工序內(nèi)運(yùn)送裝置以盒體110內(nèi)的晶片200成為垂直姿勢、盒體110 的晶片出入口朝向上方的方式被載置于盒體載置臺114上。盒體載置臺114構(gòu)成為，能夠 使盒體110朝向框體111的后方沿縱向旋轉(zhuǎn)90°，使盒體110內(nèi)的晶片200變?yōu)樗阶藙荩?從而使盒體110的晶片出入口朝向框體111內(nèi)的后方。在框體111內(nèi)的前后方向的大致中央部，設(shè)置有盒體架(襯底收納容器載置 架)105。盒體架105構(gòu)成為按多層多列保管多個(gè)盒體110。在盒體架105中設(shè)置有移載架 123，該移載架123收納有成為后述的晶片移載機(jī)構(gòu)125的運(yùn)送對象的盒體110。另外，在盒 體載置臺114的上方設(shè)有預(yù)備盒體架107，用于預(yù)備保管盒體110。在盒體載置臺114和盒體架105之間設(shè)有盒體運(yùn)送裝置(襯底收納容器運(yùn)送裝 置)118。盒體運(yùn)送裝置118具有保持著盒體110仍可升降的盒體升降機(jī)(襯底收納容器 升降機(jī)構(gòu))118a ；和作為保持著盒體110仍可水平移動的運(yùn)送機(jī)構(gòu)的盒體運(yùn)送機(jī)構(gòu)(襯底 收納容器運(yùn)送機(jī)構(gòu))118b。通過這些盒體升降機(jī)118a和盒體運(yùn)送機(jī)構(gòu)118b的協(xié)同動作，在 盒體載置臺114、盒體架105、預(yù)備盒體架107和移載架123之間運(yùn)送盒體110。在盒體架105的后方設(shè)有晶片移載機(jī)構(gòu)(襯底移載機(jī)構(gòu))125。晶片移載機(jī)構(gòu)125具有使晶片200沿水平方向旋轉(zhuǎn)或直線運(yùn)動的晶片移載裝置(襯底移載裝置)125a ；和使晶片移載裝置125a升降的晶片移載裝置升降機(jī)(襯底移載裝置升降機(jī)構(gòu))125b。另外，晶 片移載裝置125a具有以水平姿勢保持晶片200的夾鉗(襯底移載用夾具)125c。通過這些 晶片移載裝置125a和晶片移載裝置升降機(jī)125b的協(xié)同動作，從移載架123上的盒體110內(nèi) 拾取晶片200向后述的舟皿(襯底支承部件)217裝填(裝載)，從舟皿217卸下(卸裝) 晶片200向移載架123上的盒體110內(nèi)收納。在框體111的后部上方設(shè)有處理爐202。在處理爐202的下端部設(shè)置開口，該開口 構(gòu)成為由爐口閘門(爐口開閉機(jī)構(gòu))147進(jìn)行開閉。另外，關(guān)于處理爐202的結(jié)構(gòu)后述。在處理爐202的下方設(shè)有使舟皿217升降以向處理爐202內(nèi)外運(yùn)送的作為升降機(jī) 構(gòu)的舟皿升降機(jī)(襯底支承部件升降機(jī)構(gòu))115。在舟皿升降機(jī)115的升降臺設(shè)有作為連 結(jié)構(gòu)件的臂128。在臂128上以水平姿勢設(shè)有垂直地支承舟皿217并且在已由舟皿升降機(jī) 115使舟皿217上升時(shí)氣密地封閉處理爐202的下端部的作為蓋體的密封蓋219。主要由 晶片移載機(jī)構(gòu)125 (晶片移載裝置125a、晶片移載裝置升降機(jī)125b和夾鉗125c)、舟皿升降 機(jī)115、臂128構(gòu)成將至少一片晶片200向處理室201內(nèi)外運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)入運(yùn)出機(jī)構(gòu)。舟皿217具有多根保持部件，構(gòu)成為將多片(例如50片至150片左右)晶片200 以水平姿勢且以將其中心對齊的狀態(tài)在垂直方向上整齊排列并以多層保持。關(guān)于舟皿217 的詳細(xì)結(jié)構(gòu)后述。在盒體架105的上方設(shè)有具有供給風(fēng)扇和防塵過濾器的凈化單元134a。凈化單元 134a構(gòu)成為，使?jié)崈艋说沫h(huán)境氣體即凈化空氣在框體111的內(nèi)部流通。另外，在晶片移載裝置升降機(jī)125b以及舟皿升降機(jī)115側(cè)的相反側(cè)即框體111的 左側(cè)端部，為了供給凈化空氣而設(shè)置有具有供給風(fēng)扇和防塵過濾器的凈化單元(未圖示)。 從未圖示的所述凈化單元吹出的凈化空氣在晶片移載裝置125a以及舟皿217的周圍流通 之后，被吸入未圖示的排氣裝置而被排放至框體111的外部。(2)襯底處理裝置的動作接下來，關(guān)于本實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置101的動作進(jìn)行說明。首先，盒體110通過未圖示的工序內(nèi)運(yùn)送裝置以晶片200成為垂直姿勢而盒體110 的晶片出入口朝向上方的方式被載置于盒體載置臺114上。之后，盒體110通過盒體載置 臺114朝向框體111的后方沿縱向旋轉(zhuǎn)90°。其結(jié)果，盒體110內(nèi)的晶片200變?yōu)樗阶?勢，盒體110的晶片出入口朝向框體111內(nèi)的后方。盒體110通過盒體運(yùn)送裝置118被自動向盒體架105或者預(yù)備盒體架107的指定 架位置運(yùn)送并交接并被暫時(shí)保管，然后從盒體架105或者預(yù)備盒體架107被移載至移載架 123，或者盒體110通過盒體運(yùn)送裝置118被直接運(yùn)送至移載架123。在盒體110被移載至移載架123時(shí)，由晶片移載裝置125a的夾鉗125c通過晶片 出入口從盒體Iio拾取晶片200，并通過晶片移載裝置125a和晶片移載裝置升降機(jī)125b的 連續(xù)動作，將晶片200裝填(裝載)于位于移載室124后方的舟217中。將晶片200交接 給舟皿217的晶片移載機(jī)構(gòu)125返回盒體110，并將下一個(gè)晶片200裝填至舟皿217中。在預(yù)先指定的片數(shù)的晶片200被裝填至舟皿217中時(shí)，由爐口閘門147封閉著的 處理爐202的下端部被爐口閘門147開放。接著，通過舟皿升降機(jī)115使密封蓋219上升， 將保持著晶片200的組的舟皿217向處理爐202內(nèi)運(yùn)入(裝料)。在裝料之后，通過處理爐202對晶片200實(shí)施任意的處理。關(guān)于該處理后述。在處理之后，晶片200以及盒體110按與上述順序相反的順序被運(yùn)往框體111的外部。(3)處理爐的結(jié)構(gòu)接著，關(guān)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的處理爐202的結(jié)構(gòu)，參照附圖進(jìn)行說 明。圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置所具備的處理爐202的簡要略結(jié) 構(gòu)圖，圖2(a)表示處理爐的縱截面簡要視圖，圖2(b)表示圖2(a)所示的處理爐202的橫 截面簡要視圖。(處理室)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的處理爐202具有反應(yīng)管203和歧管209。反應(yīng)管 203由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等具有耐熱性的非金屬材料構(gòu)成，成為上端部封閉、 下端部開放的圓筒形狀。歧管209例如由SUS等的金屬材料構(gòu)成，成為上端部及下端部都 開放的圓筒形狀。反應(yīng)管203由歧管209從下端部側(cè)沿豎直方向支承。反應(yīng)管203和歧管 209配置為同心圓狀。歧管209的下端部構(gòu)成為，在上述舟皿升降機(jī)115上升時(shí)被密封蓋 219氣密地密封。在歧管209的下端部和密封蓋219之間，設(shè)有對處理室201內(nèi)氣密地密封 的0型環(huán)等密封部件220。在反應(yīng)管203和歧管209的內(nèi)部，形成有收納作為襯底的晶片200的處理室201。 作為襯底保持構(gòu)件的舟皿217從下方插入到處理室201內(nèi)。反應(yīng)管203和歧管209的內(nèi)徑 大于裝填了晶片200的舟皿217的最大外徑。舟皿217將多片(例如75片至100片)的晶片200以大致水平狀態(tài)并具有預(yù)定 間隙(襯底間距間隙)地分多層保持。舟皿217被搭載于切斷來自舟皿217的熱傳導(dǎo)的隔 熱蓋218上。隔熱蓋218由旋轉(zhuǎn)軸255從下方支承。旋轉(zhuǎn)軸255以保持處理室201內(nèi)的氣 密性且貫通密封蓋219的中心部的方式設(shè)置。在密封蓋219的下方設(shè)有使旋轉(zhuǎn)軸255旋轉(zhuǎn) 的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267。通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267使旋轉(zhuǎn)軸255旋轉(zhuǎn)，從而能夠在保持處理室201內(nèi)的氣 密性的同時(shí)使搭載有多片晶片200的舟皿217旋轉(zhuǎn)。在反應(yīng)管203的外周，與反應(yīng)管203成同心圓狀地設(shè)有作為加熱構(gòu)件(加熱機(jī)構(gòu)) 的加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，被圖3所示的作為保持板的加熱器基座207a支承 而垂直地安裝。加熱器207將處理室201內(nèi)的晶片200的處理區(qū)域、即由舟皿217分多層 保持著晶片200的區(qū)域加熱至預(yù)定的成膜溫度(例如使后述的氣化氣體熱分解的溫度)。(氣化氣體供給系統(tǒng))在歧管209設(shè)有氣化氣體噴嘴233a。氣化氣體噴嘴233a構(gòu)成為有垂直部和水平 部的L字形狀。氣化氣體噴嘴233a的垂直部以沿著反應(yīng)管203內(nèi)壁的方式沿垂直方向配 設(shè)。在氣化氣體噴嘴233a的垂直部側(cè)面(筒部)，沿著垂直方向設(shè)有將作為處理氣體的氣 化氣體導(dǎo)入處理室201內(nèi)的作為氣體供給口的多個(gè)氣化氣體供給孔248a。氣化氣體供給孔 248a的開口直徑分別可以從下部直至上部都是同樣的，也可以從下部直至上部逐漸增大。 氣化氣體噴嘴233a的水平部以貫通歧管209的側(cè)壁的方式設(shè)置。在從歧管209的側(cè)壁突出的氣化氣體噴嘴233a的水平端部(上游側(cè))，連接有將 作為處理氣體的氣化氣體向處理室201內(nèi)供給的氣化氣體供給管240a。在氣化氣體供給管 240a的上游側(cè)連接有氣化器260。氣化器260具有未圖示的壓力容器。在壓力容器內(nèi)部形 成有被加熱至預(yù)定的溫度環(huán)境的氣化空間。液體原料被供給至氣化空間內(nèi)。在壓力容器的夕卜周設(shè)有對氣化空間進(jìn)行加熱的未圖示的通電加熱加熱器。在由通電加熱加熱器將氣化空 間加熱至預(yù)定的溫度環(huán)境時(shí)，已供給至氣化空間內(nèi)的液體原料被氣化，從而生成氣化氣體 (原料氣體)。在氣化氣體供給管240a上設(shè)有開關(guān)閥241a。通過打開開關(guān)閥241a，將在氣 化器260中生成的氣化氣體向處理室201內(nèi)供給。在氣化器260的上游側(cè)分別連接有將液體原料供給至氣化器260的氣化空間內(nèi) 的液體原料供給管240c、和將運(yùn)載氣體供給至氣化器260的氣化空間內(nèi)的運(yùn)載氣體供給管 240fo在液體原料供給管240c的上游側(cè)連接有儲存作為液體原料的TEMAH或TEMAZ等 有機(jī)類化合物的液體原料供給罐266。液體原料供給管240c的上游側(cè)端部浸入儲存在液體 原料供給罐266內(nèi)的液體原料內(nèi)。在液體原料供給管240c上，按從上游側(cè)開始的順序依次 設(shè)有開關(guān)閥243c、液體流量控制器(LMFC) 242c和開關(guān)閥241c。在液體原料供給罐266的上表面部連接有供給He氣體等惰性氣體的壓力輸送氣 體供給管240d。壓力輸送氣體供給管240d的上游側(cè)連接于供給作為壓力輸送氣體的He氣 體等的惰性氣體的未圖示的壓力輸送氣體供給源。在壓力輸送氣體供給管240d上設(shè)置有 開關(guān)閥241d。通過打開開關(guān)閥241d而將壓力輸送氣體供給至液體原料供給罐266內(nèi)，通過 進(jìn)一步打開開關(guān)閥243c和開關(guān)閥241c，將液體原料供給罐266內(nèi)的液體原料向氣化器260 壓力輸送(供給)。另外，向氣化器260供給的液體原料的供給流量(即，在氣化器260中 生成向處理室201內(nèi)供給的氣化氣體的流量)能夠由液體流量控制器242c控制。運(yùn)載氣體供給管240f的上游側(cè)連接于供給作為運(yùn)載氣體的氦氣(He)、氖氣(Ne)、 氬氣(Ar)、氮?dú)?N2)等的惰性氣體的未圖示的運(yùn)載氣體供給源。在運(yùn)載氣體供給管240f 上，按從上游開始的順序依次設(shè)有流量控制器(MFC)242f、開關(guān)閥241f。通過打開開關(guān)閥 241f和開關(guān)閥241a，將運(yùn)載氣體供給至氣化器260內(nèi)，氣化氣體和運(yùn)載氣體的混合氣體經(jīng) 由氣化氣體供給管240a被供給至處理室201內(nèi)。通過將運(yùn)載氣體供給至氣化器260內(nèi)，能 夠促使氣化氣體從氣化器260內(nèi)排出以及向處理室201內(nèi)供給。運(yùn)載氣體向氣化器260的 供給流量(即運(yùn)載氣體向處理室201內(nèi)的供給流量)能夠由流量控制器242f控制。另外， 在本實(shí)施方式中，即使是在不對氣化器260內(nèi)供給液體原料時(shí)(沒有生成氣化氣體時(shí))，也 能夠始終對氣化器260內(nèi)持續(xù)供給一定量的運(yùn)載氣體。主要由氣化氣體噴嘴233a、氣化氣體供給孔248a、氣化氣體供給管240a、氣化器 260、開關(guān)閥241a、液體原料供給管240c、運(yùn)載氣體供給管240f、液體原料供給罐266、開關(guān) 閥243c、液體流量控制器242c、開關(guān)閥241c、壓力輸送氣體供給管240d、未圖示的壓力輸送 氣體供給源、開關(guān)閥241d、未圖示的運(yùn)載氣體供給源、流量控制器242f和開關(guān)閥241f構(gòu)成 本實(shí)施方式所涉及的氣化氣體供給系統(tǒng)。(反應(yīng)氣體供給系統(tǒng))在岐管209設(shè)有反應(yīng)氣體噴嘴233b。反應(yīng)氣體噴嘴233b構(gòu)成為具有垂直部和水 平部的L字形狀。反應(yīng)氣體噴嘴233b的垂直部以沿著反應(yīng)管203內(nèi)壁的方式沿垂直方向 配設(shè)。在反應(yīng)氣體噴嘴233b的垂直部側(cè)面，沿著垂直方向設(shè)有多個(gè)反應(yīng)氣體供給孔248b。 反應(yīng)氣體供給孔248b的開口直徑分別可以從下部直至上部都是同樣的，也可以從下部直 至上部逐漸增大。反應(yīng)氣體噴嘴233b的水平部以貫通歧管209的側(cè)壁的方式設(shè)置。在從歧管209的側(cè)壁突出的反應(yīng)氣體噴嘴233b的水平端部(上游側(cè))，連接有將反應(yīng)氣體向處理室201內(nèi)供給的反應(yīng)氣體供給管240b。在作為反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)的反應(yīng)氣 體供給管240b的上游側(cè)連接有生成作為反應(yīng)氣體的臭氧(O3)氣體(氧化氣體)的臭氧發(fā) 生器270。在反應(yīng)氣體供給管240b上，按從上游開始的順序依次設(shè)有流量控制器(MFC) 242b 和開關(guān)閥241b。在臭氧發(fā)生器270上連接有氧氣供給管240e。氧氣供給管240e的上游側(cè) 連接有供給氧氣(O2)的未圖示的氧氣供給源。在氧氣供給管240e上設(shè)置有開關(guān)閥241e。 通過打開開關(guān)閥241e而將氧氣供給至臭氧發(fā)生器270，通過打開開關(guān)閥241b而將在臭氧發(fā) 生器270產(chǎn)生的臭氧氣體經(jīng)由反應(yīng)氣體供給管240b向處理室201內(nèi)供給。另外，臭氧氣體 向處理室201內(nèi)的供給流量能夠由流量控制器242b控制。主要由反應(yīng)氣體噴嘴233b、反應(yīng)氣體供給孔248b、反應(yīng)氣體供給管240b、臭氧發(fā) 生器270、流量控制器242b、開關(guān)閥241b、氧氣供給管240e、未圖示的氧氣供給源以及開關(guān) 閥241e構(gòu)成本實(shí)施方式中的反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)。(通氣管)在氣化氣體供給管240a上的氣化器260與開關(guān)閥241a之間連接氣化氣體通氣管 240 的上游側(cè)。氣化氣體通氣管240i的下游側(cè)連接于后述的排氣管231的下游側(cè)(后述 的APC閥231a與真空泵231b之間)。在氣化氣體通氣管240i上設(shè)有開關(guān)閥241i。通過 關(guān)閉開關(guān)閥241a而打開開關(guān)閥241i，能夠在繼續(xù)進(jìn)行氣化器260中的氣化氣體的生成的同 時(shí)停止向處理室201內(nèi)供給氣化氣體。為了穩(wěn)定地生成氣化氣體需要規(guī)定的時(shí)間，但是通 過開關(guān)閥241a和開關(guān)閥241i的切換動作能夠在極短的時(shí)間內(nèi)切換氣化氣體向處理室201 內(nèi)的供給/停止。同樣，在反應(yīng)氣體供給管240b中的臭氧發(fā)生器270和流量控制器242b之間，連接 反應(yīng)氣體通氣管240j的上游側(cè)。反應(yīng)氣體通氣管240j的下游側(cè)連接于排氣管231的下游 側(cè)(APC閥231a與真空泵231b之間)。在反應(yīng)氣體通氣管240j上設(shè)有開關(guān)閥241 j。通過 關(guān)閉開關(guān)閥241b而打開開關(guān)閥241 j，能夠在由臭氧發(fā)生器270繼續(xù)進(jìn)行臭氧氣體的生成 的同時(shí)停止向處理室201內(nèi)供給臭氧氣體。為了穩(wěn)定地生成臭氧氣體需要規(guī)定的時(shí)間，但 是通過開關(guān)閥241b和開關(guān)閥241 j的切換動作能夠在極短的時(shí)間內(nèi)切換臭氧氣體向處理室 201內(nèi)的供給/停止。(凈化氣體供給管)在氣化氣體供給管240a中的開關(guān)閥241a的下游側(cè)連接第一凈化氣體管240g的 下游側(cè)。在第一凈化氣體管240g上，按從上游側(cè)開始的順序依次設(shè)有供給N2氣體等惰性 氣體的未圖示的凈化氣體供給源、流量控制器(MFC)242g和開關(guān)閥241g。通過關(guān)閉開關(guān)閥 241a而打開開關(guān)閥241i和開關(guān)閥241g，能夠繼續(xù)氣化氣體的生成而停止向處理室201內(nèi) 供給氣化氣體，并且開始向處理室201內(nèi)供給凈化氣體。通過向處理室201內(nèi)供給凈化氣 體，能夠促使氣化氣體從處理室201內(nèi)排出。同樣，在反應(yīng)氣體供給管240b中的開關(guān)閥241b的下游側(cè)連接第二凈化氣體管 240h的下游側(cè)。在第二凈化氣體管240h上，按從上游側(cè)開始的順序依次設(shè)有供給N2氣體 等惰性氣體的未圖示的凈化氣體供給源、流量控制器(MFC)242h和開關(guān)閥241h。通過關(guān)閉 開關(guān)閥241b而打開開關(guān)閥241 j和開關(guān)閥241h，能夠停止向處理室201內(nèi)供給臭氧氣體，并 且在繼續(xù)生成臭氧的同時(shí)開始向處理室201內(nèi)供給凈化氣體。通過向處理室201內(nèi)供給凈 化氣體，能夠促使臭氧氣體從處理室201內(nèi)排出。
(排氣系統(tǒng))在岐管209的側(cè)壁連接有對處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體進(jìn)行排氣的排氣管231。在 排氣管231上，按從上游側(cè)開始的順序依次設(shè)有作為壓力檢測器的壓力傳感器245、作為壓 力調(diào)節(jié)器的APC(AutoPresSure Controller,自動壓力控制器)閥231a、和作為真空排氣裝置的真空泵231b。通過在使真空泵231b動作的同時(shí)調(diào)節(jié)APC閥242的開關(guān)閥的開度，能夠 將處理室201內(nèi)調(diào)節(jié)為預(yù)期的壓力。主要由排氣管231、壓力傳感器245、APC閥231a和真 空泵231b構(gòu)成本實(shí)施方式所涉及的排氣系統(tǒng)。(密封蓋)在岐管209的下方設(shè)有能夠氣密地封閉岐管209的下端開口的作為爐口蓋體的密 封蓋219。密封蓋219從垂直方向下側(cè)與岐管209的下端抵接。密封蓋219例如由不銹鋼 等的金屬構(gòu)成，形成為圓盤狀。在密封蓋219的上表面設(shè)有與岐管209的下端抵接的作為 密封部件的0型環(huán)220b。在密封蓋219的與處理室201相反一側(cè)，設(shè)置有使舟皿217旋轉(zhuǎn) 的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267的旋轉(zhuǎn)軸255貫通密封蓋219從下方支承舟皿217，通過使 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267動作就能夠使晶片200旋轉(zhuǎn)。密封蓋219通過垂直配置在反應(yīng)管203的外部 的作為升降機(jī)構(gòu)的舟皿升降機(jī)215而在垂直方向上升降，由此能夠?qū)⒅勖?17向處理室201 內(nèi)外運(yùn)送。(控制器)作為控制部(控制機(jī)構(gòu))的控制器280被連接于加熱器207、APC閥231a、真空泵 231b、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267、舟皿升降機(jī)215、通電加熱加熱器264、開關(guān)閥241a、241b、242c、243c、 241(1、2416、241廠2418、24111、241丨、241]\液體流量控制器 242c、流量控制器 242b、242f、 242g、242h等。通過控制器280，進(jìn)行加熱器207的溫度調(diào)節(jié)動作、APC閥231a的開關(guān)以及 壓力調(diào)節(jié)動作、真空泵231b的啟動/停止、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)、舟皿升降機(jī)215 的升降動作、開關(guān)閥 241a、241b、242c、243c、241d、241e、241f、241g、241h、241i、241j 的開 關(guān)動作、液體流量控制器242c、流量控制器242b、242f、242g、242h的流量調(diào)節(jié)等的控制。(4)氣體供給部接下來，關(guān)于本實(shí)施方式所涉及的氣體供給部的結(jié)構(gòu)，參照附圖進(jìn)行說明。圖3是 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的氣化氣體噴嘴233a及其周邊的局部放大圖，圖4是本發(fā)明 的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的過濾器的簡要結(jié)構(gòu)圖。如圖3所示，作為氣體供給噴嘴的氣化氣體噴嘴233a具有配設(shè)于處理室201內(nèi) 的氣體導(dǎo)入噴嘴325 ；和連接于氣體導(dǎo)入噴嘴325的前端(即下游端)的氣體整流噴嘴347。 氣體導(dǎo)入噴嘴325以水平姿勢貫通岐管209的側(cè)壁，構(gòu)成了氣化氣體噴嘴233a的水平部。 在氣體導(dǎo)入噴嘴325和岐管209的側(cè)壁之間設(shè)有0型環(huán)209c，以確保處理室201內(nèi)的氣 密性。氣體導(dǎo)入噴嘴325的上游側(cè)突出至岐管209的側(cè)壁外側(cè)，與設(shè)置于氣化氣體供給管 240a的下游端239a的連接部237a氣密地接合。氣體導(dǎo)入噴嘴325的下游端在處理室201 內(nèi)朝向垂直上方彎曲。在氣體導(dǎo)入噴嘴325的下游端，通過0型環(huán)357氣密地連接著氣體 整流噴嘴347的上游端。氣體整流噴嘴347是通過使旋蓋356緊固而被固定于氣體導(dǎo)入噴 嘴325上，上述旋蓋356以圍繞氣體導(dǎo)入噴嘴325的下游端外周的方式設(shè)置。這樣，氣體導(dǎo) 入噴嘴325和氣體整流噴嘴347的連接部位設(shè)于處理室201內(nèi)。氣體整流噴嘴347以沿著 反應(yīng)管203內(nèi)壁的方式沿垂直方向配設(shè)，構(gòu)成氣化氣體噴嘴233a的垂直部。氣體整流噴嘴347的上端封閉，在氣體整流噴嘴347的筒部在垂直方向上設(shè)有多個(gè)上述的氣化氣體供給孔 248a。在氣體導(dǎo)入噴嘴325的上游側(cè)和氣化氣體供給管240a的外周，以圍繞它們的方式 設(shè)有配管加熱器238a。配管加熱器238a構(gòu)成為，以使氣化氣體的供給路徑即氣體導(dǎo)入噴嘴 325的上游側(cè)和氣化氣體供給管240a內(nèi)分別變?yōu)轭A(yù)定溫度以上的方式加熱，以抑制氣化氣 體的再次液化。另外，在氣體導(dǎo)入噴嘴325的彎曲部的下方設(shè)置有噴嘴傾斜調(diào)整機(jī)構(gòu)，該噴 嘴傾斜調(diào)整機(jī)構(gòu)具有設(shè)置于岐管209內(nèi)壁的基座209b和沿垂直方向貫通設(shè)置于基座209b 的螺釘孔的傾斜調(diào)整螺釘209a。通過調(diào)整傾斜調(diào)整螺釘209a的高度使其上端從下方與氣 體導(dǎo)入噴嘴325的彎曲部抵接，從而能夠調(diào)整氣體整流噴嘴347的傾斜(氣化氣體供給孔 248a與晶片200的距離)。在氣體整流噴嘴347中的上游側(cè)前端部的內(nèi)部，在氣體導(dǎo)入噴嘴325與氣體整流 噴嘴347的連接部位，設(shè)置有用于去除碳化物和氧化物等的不純物的過濾器346。S卩，氣體 整流噴嘴347在上游側(cè)前端部內(nèi)具有流路截面面積大的中空部，在該中空部內(nèi)設(shè)有過濾器 346。過濾器346如圖4所示具有作為構(gòu)成圓筒狀的圓筒部的金屬圓筒部346b ；和氣密地 連接于金屬圓筒部346b上端的圓柱狀的過濾器部件346a。過濾器部件346a能夠由例如具 有與SUS316L同樣的物理性質(zhì)的不銹鋼合金、具有與HASTELL0Y(注冊商標(biāo))C22同樣的物 理性質(zhì)的鎳(Ni)合金、高純度鎳等構(gòu)成。氣體整流噴嘴347的內(nèi)徑構(gòu)成為大于過濾器346 的最大外徑。過濾器346的下端(金屬圓筒部346b的下端外周)通過0型環(huán)358氣密地 連接于氣體整流噴嘴347的下游端內(nèi)周。這樣一來，氣體整流噴嘴347的前端部作為過濾 器346的安裝端口而構(gòu)成。因此，能夠再現(xiàn)性良好地容易地進(jìn)行過濾器346的安裝和定位。另外，為了使氣體整流噴嘴347的內(nèi)壁和過濾器346的外壁之間的氣化氣體的流 動阻力降低從而無阻滯地將氣化氣體供給至處理室201內(nèi)，優(yōu)選氣體整流噴嘴347的內(nèi)徑 構(gòu)成為比過濾器346的最大外徑大例如3mm以上。另外，優(yōu)選根據(jù)向處理室201內(nèi)的氣化 氣體的供給流量，調(diào)整過濾部件346a的長度、直徑而適當(dāng)?shù)卣{(diào)整過濾器的表面積(或者容 積)。例如，優(yōu)選，在使氣化氣體的供給流量增大的情況下，使過濾部件346a的長度、直徑變 大而確保過濾器的表面積(或者容積)。從氣體導(dǎo)入噴嘴325供給的氣化氣體被供給至過濾器346的金屬圓筒部346b內(nèi)， 經(jīng)由過濾器部件346a內(nèi)被供給至氣體整流噴嘴347內(nèi)，之后從氣化氣體供給孔248a被供 給至處理室201內(nèi)。此時(shí)，在氣化器260內(nèi)和氣化氣體供給管240a內(nèi)產(chǎn)生了的碳化物和氧 化物等的不純物被過濾器346 (過濾器部件346a)捕獲，從而抑制了顆粒向處理室201內(nèi)擴(kuò)散。這樣，在本實(shí)施方式中，金屬圓筒部346b和過濾器部件346a設(shè)置在氣體整流噴嘴 347的內(nèi)部，過濾器部件346a的表面不會直接暴露于處理室201內(nèi)。由此，在實(shí)施后述的成 膜工序(S30)時(shí)，能夠抑制在過濾器部件346a的表面形成薄膜，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生和過 濾器部件346a的堵塞。另外，在本實(shí)施方式中，在設(shè)置于氣體整流噴嘴347的筒部的氣化氣體供給孔 248a、和過濾器部件346a之間設(shè)有間隙。具體而言，過濾器部件346a配置在比開設(shè)有氣化 氣體供給孔248a的區(qū)域更靠下方的位置。由此，能夠抑制過濾器部件346a的表面與處理 室201內(nèi)的環(huán)境氣體接觸。因此，在實(shí)施后述的成膜工序(S30)時(shí)，能夠抑制在過濾器部件346a的表面形成薄膜，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生和過濾器部件346a的堵塞。另外，在本實(shí)施方式中，過濾器部件346a配置在處理室201內(nèi)的晶片200的處理 區(qū)域(由舟皿217保持晶片200的區(qū)域)的外側(cè)、具體而言是處理區(qū)域的下方。如上所述， 加熱器207將處理室201內(nèi)的晶片200的處理區(qū)域加熱至成膜溫度(例如氣化氣體熱分解 的溫度)。采用本實(shí)施方式，通過將過濾器部件346a配置在處理區(qū)域的下方(S卩，氣體整流 噴嘴347內(nèi)的上游前端部內(nèi))，在實(shí)施后述的成膜工序(S30)期間能夠使過濾器部件346a 的溫度低于氣化氣體熱分解的溫度。由此，能夠抑制供給至過濾器部件346a的氣化氣體熱 分解，能夠抑制過濾器部件346a的堵塞，能夠謀求延長過濾器部件346a的壽命。另外，通 過將過濾器部件346a配置在溫度在氣化氣體的蒸汽壓力溫度以上的位置，能夠抑制氣化 氣體的再次液化。例如，在將使TEMAZ或TEMAH氣化所得的氣化氣體作為處理氣體使用的 情況下，在溫度在氣化氣體的蒸汽壓力溫度(例如130°C )以上、且在氣化氣體開始熱分解 的溫度(例如160°C)以下的位置，配置過濾器部件346a。另外，采用本實(shí)施方式，沒有必 要為了防止再次液化而設(shè)置專用的加熱裝置等，因此能夠謀求節(jié)省氣體整流噴嘴347周圍 的空間。另外，能夠抑制襯底處理裝置的構(gòu)成部件的增加。雖然通過上述結(jié)構(gòu)抑制了過濾器部件346a的堵塞，但由于反復(fù)執(zhí)行后述的成膜 工序(S30)，所以還是有在過濾器部件346a逐漸發(fā)生堵塞的情況。一旦在過濾器部件346a 發(fā)生堵塞，向處理室201內(nèi)供給的氣化氣體的流量就可能會降低，因此優(yōu)選定期更換過濾 器346。在本實(shí)施方式中，氣體導(dǎo)入噴嘴325與氣體整流噴嘴347的連接部位設(shè)在處理室 201內(nèi)，因此能夠在處理室201內(nèi)進(jìn) 行過濾器346的更換。即，在保持開關(guān)閥241a關(guān)閉的狀 態(tài)下，使密封蓋219下降，松開旋蓋356從氣體導(dǎo)入噴嘴325中拉出氣體整流噴嘴347使過 濾器346露出，因此能夠在處理室201內(nèi)容易地進(jìn)行過濾器346的更換。通過在處理室201 內(nèi)進(jìn)行過濾器346的更換，能夠抑制氣化氣體供給路徑內(nèi)部(氣體導(dǎo)入噴嘴325的上游端 內(nèi)部、氣化氣體供給管240a內(nèi)部等)暴露于大氣，能夠抑制水分附著于它們的內(nèi)壁，從而能 夠抑制顆粒的產(chǎn)生。另外，不需要隨著過濾器346的更換而更換構(gòu)成氣化氣體供給系統(tǒng)的 配管部件和裝卸配管加熱器238a，因此能夠縮短過濾器346的更換作業(yè)所需的時(shí)間，能夠 降低更換所需要的成本。另外，通過在過濾器346的更換作業(yè)時(shí)用惰性氣體等持續(xù)凈化處 理室201內(nèi)，能夠更有效地抑制大氣向氣化氣體供給路徑內(nèi)進(jìn)入。主要由氣化氣體噴嘴233a (氣體導(dǎo)入噴嘴325、氣體整流噴嘴347、氣化氣體供給 孔248a、旋蓋356、0型環(huán)357、358)、過濾器346 (金屬圓筒部346b、過濾器部件346a)、連接 部237a、0型環(huán)209c、配管加熱器238a、基座209b以及傾斜調(diào)整螺釘209a構(gòu)成本實(shí)施方式 所涉及的氣體供給部。(5)襯底處理工序 接下來，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的襯底處理工序進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施 方式所涉及的襯底處理工序，是使用CVD (Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相沉積)法 之一的ALD法在晶片200的表面形成高介電常數(shù)膜的方法，作為半導(dǎo)體裝置的制造工序之 一予以實(shí)施。另外，在下面的說明中，構(gòu)成襯底處理裝置的各部的動作由控制器280控制。(襯底運(yùn)入工序(SlO))首先，將多片晶片200裝填(晶片裝載)至舟皿217。接著，由舟皿升降機(jī)215舉 起保持著多片晶片200的舟皿217而將其運(yùn)入(舟皿裝載)處理室201內(nèi)。在這樣的狀態(tài)下，成為密封蓋219通過O型環(huán)220b密封了岐管209的下端的狀態(tài)。在襯底運(yùn)入工序(SlO)中，打開開關(guān)閥241g、開關(guān)閥241h，將凈化氣體持續(xù)供給至氣體導(dǎo)入噴嘴325內(nèi)、氣體整流 噴嘴347內(nèi)、處理室201內(nèi)。由此，能夠有效地抑制大氣進(jìn)入處理室201內(nèi)。另外，能夠抑 制處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體和進(jìn)入了處理室201內(nèi)的大氣經(jīng)由氣化氣體供給孔248a流入 氣體整流噴嘴347內(nèi)、氣體導(dǎo)入噴嘴325內(nèi)、氣化氣體供給管240a內(nèi)。而且，能夠抑制過濾 器部件346a的污染，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生和過濾器部件346a的堵塞。另外，能夠抑制過濾 器部件346a的劣化，能夠謀求延長過濾器部件346a的壽命。(減壓以及升溫工序(S2O))接下來，關(guān)閉開關(guān)閥241g、開關(guān)閥241h，通過真空泵231b對處理室201內(nèi)進(jìn)行排 氣(S20)，使得處理室201內(nèi)變?yōu)轭A(yù)期的壓力(真空度)。此時(shí)，用壓力傳感器245測定處 理室201內(nèi)的壓力，并基于該測定的壓力對APC閥231a的開度進(jìn)行反饋控制。另外，通過 加熱器207進(jìn)行加熱(S20)，以使處理室201內(nèi)變?yōu)轭A(yù)期的溫度。此時(shí)，基于溫度傳感器檢 測到的溫度信息對向加熱器207的通電情況進(jìn)行反饋控制，以使處理室201內(nèi)變?yōu)轭A(yù)期的 溫度分布。另外，通過配管加熱器238a進(jìn)行加熱，以使作為氣化氣體供給路徑的氣體導(dǎo)入 噴嘴325的上游側(cè)以及氣化氣體供給管240a內(nèi)分別變?yōu)橐?guī)定溫度以上。而且，由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 267使舟皿217旋轉(zhuǎn)，從而使晶片200旋轉(zhuǎn)。(成膜工序(S30))接下來，實(shí)施成膜工序(S30)。在成膜工序(S30)中，將對晶片200上供給氣化氣 體的工序(S31)、對處理室201內(nèi)進(jìn)行凈化的工序(S32)、對晶片200上供給反應(yīng)氣體的工 序(S33)和對處理室201內(nèi)進(jìn)行凈化的工序(S34)作為一個(gè)循環(huán)，以規(guī)定次數(shù)實(shí)施該循環(huán)。在供給氣化氣體的工序(S31)中，打開開關(guān)閥241d，將壓力輸送氣體供給至液體 原料供給罐266內(nèi)。接著，打開開關(guān)閥243c、241c，向氣化空間內(nèi)壓力輸送(供給)液體原 料供給罐266內(nèi)的液體原料(TEMAH或TEMAZ等的有機(jī)類化合物)。而且，為了使氣化空間 變?yōu)橐?guī)定溫度的氣體環(huán)境(例如從120°C到150°C )而由通電加熱器進(jìn)行加熱，使供給至氣 化空間內(nèi)的液體原料氣化而生成氣化氣體(原料氣體)。另外，打開開關(guān)閥241f將運(yùn)載氣 體供給至氣化器260。在氣化氣體穩(wěn)定地生成之前，關(guān)閉開關(guān)閥241a而打開開關(guān)閥241i， 使氣化氣體與運(yùn)載氣體的混合氣體從氣化氣體通氣管240i排出。一旦氣化氣體能穩(wěn)定地 生成，則關(guān)閉開關(guān)閥241i而打開開關(guān)閥241a，向處理室201內(nèi)供給氣化氣體與運(yùn)載氣體的 混合氣體。其結(jié)果，對層疊著的晶片200之間供給混合氣體，使氣化氣體的氣體分子附著于 晶片200的表面。一旦混合氣體的供給持續(xù)了規(guī)定時(shí)間，則關(guān)閉開關(guān)閥241a而打開開關(guān)閥 241i，在保持繼續(xù)生成氣化氣體的狀態(tài)下停止向處理室201內(nèi)供給混合氣體。在凈化處理室201內(nèi)的工序(S32)中，打開開關(guān)閥241g向處理室201內(nèi)供給凈化 氣體，促使氣化氣體從處理室201內(nèi)排出。一旦處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體被置換為凈化氣 體，則關(guān)閉開關(guān)閥241g而停止向處理室201內(nèi)供給凈化氣體。在對晶片200上供給反應(yīng)氣體的工序(S33)中，打開開關(guān)閥241e將氧氣供給至 臭氧發(fā)生器270，生成作為反應(yīng)氣體的臭氧氣體。在反應(yīng)氣體穩(wěn)定地生成之前，關(guān)閉開關(guān)閥 241b而打開開關(guān)閥241 j，使反應(yīng)氣體從反應(yīng)氣體通氣管240j排出。一旦反應(yīng)氣體能穩(wěn)定 地生成，則關(guān)閉開關(guān)閥241 j而打開開關(guān)閥241b，向處理室201內(nèi)供給反應(yīng)氣體。其結(jié)果，對 層疊著的晶片200之間供給反應(yīng)氣體，使吸附于晶片200的表面的氣化氣體的氣體分子與反應(yīng)氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在晶片200的表面上生成含有從一個(gè)原子層到數(shù)個(gè)原子層的Hf元素或&元素的高介電常數(shù)膜(高_(dá)k膜)。一旦反應(yīng)氣體的供給持續(xù)了規(guī)定時(shí)間，則關(guān)閉開 關(guān)閥241b而打開開關(guān)閥241 j，在保持繼續(xù)生成反應(yīng)氣體的狀態(tài)下停止向處理室201內(nèi)供給 反應(yīng)氣體。在對處理室201內(nèi)進(jìn)行凈化的工序(S34)中，打開開關(guān)閥241h向處理室201內(nèi)供 給凈化氣體，促使從處理室201內(nèi)排出反應(yīng)氣體以及反應(yīng)生成物。一旦處理室201內(nèi)的環(huán) 境氣體被置換為凈化氣體，則關(guān)閉開關(guān)閥241h停止向處理室201內(nèi)供給凈化氣體。將以上對晶片200上供給氣化氣體的工序(S31) 對處理室201內(nèi)進(jìn)行凈化的工 序(S34)作為一個(gè)循環(huán)，以規(guī)定次數(shù)實(shí)施該循環(huán)，從而在晶片200上形成了預(yù)期厚度的高介 電常數(shù)膜，于是結(jié)束成膜工序(S30)。另外，一旦成膜工序(S30)結(jié)束，則打開開關(guān)閥241g、 開關(guān)閥241h，對處理室201內(nèi)持續(xù)供給凈化氣體。即，對氣體導(dǎo)入噴嘴325內(nèi)以及氣體整流 噴嘴347內(nèi)持續(xù)供給凈化氣體。另夕卜，在現(xiàn)有的 CVD(Chemical Vapor Deposition)法或 ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沉積)法中，例如在采用CVD法的情況下，同時(shí)供給含有構(gòu)成所形成的 膜的多種元素的多種氣體；在采用ALD法的情況下，交替供給含有構(gòu)成所形成的膜的多種 元素的多種氣體。而且，通過控制氣體供給時(shí)的溫度、壓力、氣體流量、時(shí)間、等離子功率等 的供給條件，形成例如SiO2膜或Si3N4膜。在這些技術(shù)中，在形成例如SiO2膜的情況下，以 使膜的組成比成為是化學(xué)計(jì)量組成的0/Si 2為目的控制供給條件，在形成例如Si3N4膜的 情況下，以使膜的組成比成為是化學(xué)計(jì)量組成的N/Si 1. 33為目的控制供給條件。相對于此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，以使所形成的膜的組成比成為與化學(xué)計(jì)量組 成不同的規(guī)定的組成比為目的，控制供給條件。即，也可以以使構(gòu)成所形成的膜的多種元素 中的至少一種元素成為相比其他元素相對于化學(xué)計(jì)量組成而言過?；蛘卟蛔銥槟康?，以一 邊控制構(gòu)成所形成的膜的多種元素的比率、即膜的組成比一邊進(jìn)行成膜的方式，控制供給 條件。例如，使形成含有第一元素和第二元素中的一種元素的一層的工序中的處理容器 內(nèi)的溫度、壓力、氣體供給流量或者氣體供給時(shí)間，相比形成具有化學(xué)計(jì)量組成的薄膜的情 況下的一層的工序中的處理容器內(nèi)的溫度、壓力、氣體供給流量或者氣體供給時(shí)間變大或 變長?；蛘撸剐纬珊械谝辉睾偷诙刂械牧硪环N元素的另一層的工序中的處理容 器內(nèi)的溫度、壓力、氣體供給流量或者氣體供給時(shí)間，相比形成具有化學(xué)計(jì)量組成的薄膜的 情況下的另一層的工序中的處理容器內(nèi)的溫度、壓力、氣體供給流量或者氣體供給時(shí)間變 小或變短。由此，形成具有相對于化學(xué)計(jì)量組成來說一種元素比另一元素過剩的組成的薄膜。(升壓工序(S40)、襯底運(yùn)出工序(S50))接下來，減小APC閥231a的開度，打開開關(guān)閥241g、開關(guān)閥241h，對處理室201內(nèi) 供給凈化氣體直到處理室201內(nèi)的壓力變?yōu)榇髿鈮?S40)。接著，按與襯底運(yùn)入工序(SlO) 相反的步驟，從處理室201內(nèi)運(yùn)出已成膜的晶片200(S50)。優(yōu)選，在襯底運(yùn)出工序(S50) 中，打開開關(guān)閥241g、開關(guān)閥241h，持續(xù)向處理室201內(nèi)供給凈化氣體。(過濾器更換工序(S60))
如上所述，在實(shí)施工序SlO至S50時(shí)，會在氣化器260內(nèi)殘留碳化物，在連結(jié)氣化 器260和處理室201內(nèi)的氣化氣體供給管240a內(nèi)等形成氣化氣體的包含不純物的副生成 物、例如氣化氣體的氧化物。過濾器346 (過濾器部件346a)捕獲在氣化器260和氣化氣 體供給管240a內(nèi)產(chǎn)生的碳化物和氧化物，抑制了顆粒向處理室201內(nèi)擴(kuò)散，但在反復(fù)實(shí)施 工序SlO至S50后，存在被捕獲的碳化物和氧化物使過濾器部件346a堵塞，導(dǎo)致向處理室 201內(nèi)供給的氣化氣體的流量降低等的情況。因此，在本實(shí)施方式中，定期實(shí)施更換過濾器 346 (過濾器部件346a)的工序(S60)。在更換過濾器346的工序(S60)中，首先，關(guān)閉開關(guān)閥241a、241b，使密封蓋219下 降。接著，松開旋蓋356，從氣體導(dǎo)入噴嘴325拉出氣體整流噴嘴347使過濾器346露出。 接著，更換過濾器346 (或者過濾器部件346a)，然后使氣體整流噴嘴347再次與氣體導(dǎo)入噴 嘴325的上端接合，緊固旋蓋356而將氣體整流噴嘴347固定在氣體導(dǎo)入噴嘴325上。另 夕卜，在使密封蓋219下降期間，打開開關(guān)閥241g，用凈化氣體凈化處理室201內(nèi)、氣化氣體供 給管240a內(nèi)以及氣化氣體噴嘴233a內(nèi)，以抑制大氣向處理室201內(nèi)和氣化氣體供給路徑 內(nèi)(氣化氣體供給管20a內(nèi)、氣化氣體噴嘴233a內(nèi))侵入(水分附著于它們的內(nèi)壁)。(6)本實(shí)施方式所取得的效果
采用本實(shí)施方式，起到如下所述的一個(gè)或多個(gè)效果。(a)采用本實(shí)施方式，將金屬圓筒部346b和過濾器部件346a設(shè)置在氣體整流噴嘴 347的內(nèi)部，使過濾器部件346a的表面不會直接暴露于處理室201內(nèi)。由此在實(shí)施后述的 成膜工序(S30)時(shí)，能夠抑制在過濾器部件346a的表面形成薄膜，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生和 過濾器部件346a的堵塞。(b)采用本實(shí)施方式，在設(shè)置于氣體整流噴嘴347的筒部的氣化氣體供給孔248a、 和過濾器部件346a之間設(shè)有間隙。具體而言，過濾器部件346a配置在比氣化氣體供給孔 248a更靠下方的位置。由此，能夠抑制過濾器部件346a的表面與處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體 接觸。因此，在實(shí)施后述的成膜工序(S30)時(shí)，能夠抑制在過濾器部件346a的表面形成薄 膜，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生和過濾器部件346a的堵塞。(c)采用本實(shí)施方式，過濾器部件346a配置在處理室201內(nèi)的晶片200的處理區(qū) 域(由舟皿217保持晶片200的區(qū)域)的外側(cè)、具體而言是處理區(qū)域的下方。由此，在實(shí)施 上述的成膜工序(S30)期間，能夠使過濾器部件346a的溫度低于氣化氣體熱分解的溫度。 由此，能夠抑制供給至過濾器部件346a的氣化氣體熱分解，能夠抑制過濾器部件346a的堵 塞，能夠謀求延長過濾器部件346a的壽命。另外，通過將過濾器部件346a配置在溫度在氣 化氣體的蒸汽壓力溫度以上的位置，不設(shè)置專用的加熱裝置也能夠抑制氣化氣體的再次液 化。圖6是例示處理室201內(nèi)的溫度分布的測定結(jié)果的圖表。圖6的橫軸表示處理室 201內(nèi)的高度位置(mm)，縱軸表示由設(shè)置在氣體導(dǎo)入噴嘴325的側(cè)面的熱電偶測量到的溫 度、即氣體導(dǎo)入噴嘴325的表面溫度(°C)。圖中的 表示對處理室201內(nèi)進(jìn)行真空排氣后 的情況，■表示以5slm的流量對處理室201內(nèi)導(dǎo)入了氮?dú)獾那闆r。在圖6所示的例子中可 知，在圖中表示為“過濾器最佳位置”的高度范圍(120mm至210mm左右)配置過濾器部件 346a，從而防止已供給至過濾器部件346a的氣化氣體的再次液化、同時(shí)還抑制熱分解。(d)采用本實(shí)施方式，氣體導(dǎo)入噴嘴325與氣體整流噴嘴347的連接部位設(shè)在處理室201內(nèi)。而且，過濾器346設(shè)置在氣體整流噴嘴347的內(nèi)部，且設(shè)置在氣體導(dǎo)入噴嘴325 與氣體整流噴嘴347的連接部位。S卩，能夠在處理室201內(nèi)進(jìn)行過濾器346的更換。其結(jié) 果，在更換過濾器346時(shí)，能夠抑制氣化氣體供給路徑內(nèi)部(氣體導(dǎo)入噴嘴325的上游端內(nèi) 部、氣化氣體供給管240a內(nèi)部等)暴露于大氣中，能夠抑制水分附著于它們的內(nèi)壁，能夠抑 制水分與有機(jī)類化合物反應(yīng)而生成顆粒。另外，不需要隨著過濾器346的更換而更換構(gòu)成 氣化氣體供給系統(tǒng)的配管部件和裝卸配管加熱器238a，能夠縮短過濾器346的更換作業(yè)所 需的時(shí)間，能夠降低更換所需要的成本。另外，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生，因此能夠延長過濾器 346的更換頻率，能夠降低襯底處理成本。作為參考，圖5示出了現(xiàn)有的襯底處理裝置中的氣體供給部周邊的結(jié)構(gòu)。如圖5所 示，現(xiàn)有的襯底處理裝置中的過濾器346’并沒有設(shè)在處理室201’內(nèi)，而是設(shè)置在氣化氣體 供給管240a，上(處理室201，外)。因此，在要更換過濾器346，時(shí)，氣化氣體供給管240a’ 內(nèi)部和氣化氣體供給噴嘴233a’內(nèi)部暴露于大氣中。其結(jié)果，必須隨著過濾器346’的更換 而一并更換暴露于大氣中的部分配管部件等，進(jìn)而也必須一并進(jìn)行加熱用加熱器238’等的 裝卸。其結(jié)果，過濾器的更換作業(yè)需要時(shí)間，更換所需的成本增加。相對于此，采用將過濾器 346設(shè)置于處理室201內(nèi)的本實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置，與圖5所示的襯底處理裝置 相比較，能夠?qū)⑦^濾器的更換時(shí)間縮短至例如1/3左右，能夠?qū)⒏鼡Q成本縮短至例如1/2左 右ο(e)采用本實(shí)施方式，在實(shí)施襯底運(yùn)入工序(SlO)、成膜工序(S30)后，在襯底運(yùn)出 工序(S50)、更換過濾器工序(S60)中，打開開關(guān)閥241g、開關(guān)閥241h，將凈化氣體持續(xù)供給 至氣體導(dǎo)入噴嘴325內(nèi)、氣體整流噴嘴347內(nèi)、處理室201內(nèi)。由此，能夠有效地抑制大氣 進(jìn)入處理室201內(nèi)。另外，能夠抑制處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體和進(jìn)入了處理室201內(nèi)的大 氣經(jīng)由氣化氣體供給孔248a逆流流入氣體整流噴嘴347內(nèi)和氣體導(dǎo)入噴嘴325內(nèi)、氣化氣 體供給管240a內(nèi)。而且，能夠抑制過濾器部件346a的污染，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生和過濾器 部件346a的堵塞。另外，能夠抑制過濾器部件346a的劣化，能夠謀求延長過濾器部件346a 的壽命。(f)采用本實(shí)施方式，氣體整流噴嘴347的前端部作為過濾器346的安裝端口而構(gòu) 成。因此，能夠再現(xiàn)性良好地容易地進(jìn)行過濾器346的安裝和定位。(g)采用本實(shí)施方式，過濾器346設(shè)置在處理室201內(nèi)(靠近晶片200的位置)。 艮口，顆粒的捕獲在靠近晶片200的位置進(jìn)行，盡可能地縮短了過濾器346的下游側(cè)的反應(yīng)氣 體的供給路徑。由此，顆粒減少的效果提高了。相對于此，在圖5所示的現(xiàn)有的襯底處理裝 置中，在處理室201’外設(shè)有過濾器346’，相對地增長了過濾器346’的下游側(cè)的反應(yīng)氣體 的供給路徑。因此，擴(kuò)散至處理室201’內(nèi)的顆粒的量，相比在本實(shí)施方式中擴(kuò)散至處理室 201內(nèi)的顆粒的量容易變多。(h)采用本實(shí)施方式，通過調(diào)整氣體整流噴嘴347相對于過濾器346的最大外徑的內(nèi)徑，從而使得氣體整流噴嘴347的內(nèi)壁和過濾器346的外壁之間的氣化氣體的流動阻力 降低，充分確保向處理室201內(nèi)供給的氣化氣體的流量，能夠向處理室201內(nèi)無阻滯地供給 氣化氣體。例如，將氣體整流噴嘴347的內(nèi)徑構(gòu)成為比過濾器346的最大外徑大3mm以上， 從而能夠充分確保向處理室201內(nèi)供給的氣化氣體的流量。(i)采用本實(shí)施方式，調(diào)整過濾器部件346a的長度、直徑而適當(dāng)?shù)卣{(diào)整過濾器部件346a的表面積(或者容積)，從而能夠在維持原料的蒸汽壓力以下的壓力的狀態(tài)下，將在 氣化器260內(nèi)氣化了的原料氣體作為氣化氣體供給，因此能夠充分確保向處理室201內(nèi)供 給的氣化氣體的流量。例如，通過增大過濾器部件346a的長度、直徑而使過濾器部件346a 的表面積(或者容積)增大，能夠充分確保向處理室201內(nèi)供給的氣化氣體的供給流量。 另外，通過調(diào)整過濾器部件346a的表面積(或者容積)，能夠減少例如在大流量的原料氣 體流過時(shí)壓力損失變大的情況，能夠不依賴氣體的供給量而穩(wěn)定地向處理室201內(nèi)供給氣 體，能夠抑制氣化氣體的含有不純物的副生成物的生成，所以能夠調(diào)整過濾器346的更換 周期。
(j)采用本實(shí)施方式，在使密封蓋219下降的狀態(tài)下，松開旋蓋356從氣體導(dǎo)入噴 嘴325拉出氣體整流噴嘴347，從而能夠使過濾器346容易地露出。因此，能夠容易地確認(rèn) 過濾器346的污染狀態(tài)(堵塞的程度)。(j)本實(shí)施方式所涉及的氣化氣體供給管240a能夠由具有柔性的柔性管構(gòu)成。通 過由柔性管構(gòu)成，能夠容易地進(jìn)行維護(hù)時(shí)的氣化氣體供給管240a的裝卸等。但是，在使氣 化氣體供給管240a撓曲等時(shí)，附著于氣化氣體供給管240a的內(nèi)壁的氣化氣體的包含不純 物的副生成物會剝落，可能引起處理室201內(nèi)的顆粒增加。采用本實(shí)施方式，在氣化氣體供 給管240a的下游側(cè)設(shè)有過濾器346，所以即使在由柔性管構(gòu)成氣化氣體供給管240a的情況 下，也能夠抑制由包含不純物的副生成物構(gòu)成的顆粒進(jìn)入處理室201內(nèi)。(本發(fā)明的其他實(shí)施方式)本實(shí)施方式所涉及的襯底處理裝置，具備作為屏蔽從加熱器207向過濾器346的 熱輻射的屏蔽部的屏蔽板400，這一點(diǎn)與上述實(shí)施方式不同。圖7是本實(shí)施方式所涉及的氣 化氣體噴嘴及其周邊的局部放大圖。如圖7所示，屏蔽板400設(shè)置在加熱器207和過濾器 346之間。采用本實(shí)施方式，能夠抑制來自加熱器207的直接的熱輻射的影響，能夠抑制過 濾器部件346a的劣化。例如，通過設(shè)置屏蔽板400，在實(shí)施上述的成膜工序(S30)期間，能 夠使過濾器部件346a的溫度低于氣化氣體熱分解的溫度。而且，能夠抑制供給至過濾器部 件346a的氣化氣體的熱分解，能夠抑制過濾器部件346a的堵塞，能夠謀求延長過濾器部 件346a的壽命。另外，根據(jù)過濾器部件346a的位置、加熱器207的輸出、氣化氣體的種類 等適當(dāng)調(diào)整屏蔽板400的形狀、大小、位置、材質(zhì)等。另外，通過調(diào)整屏蔽板400的形狀、大 小、位置、材質(zhì)，能夠使過濾器部件346a的溫度在氣化氣體的蒸汽壓力溫度以上，不設(shè)置專 用的加熱裝置就能夠抑制氣化氣體的再次液化。由此，能夠謀求節(jié)省氣體整流噴嘴347周 圍的空間，另外，能夠抑制襯底處理裝置的構(gòu)成部件的增加。另外，優(yōu)選，屏蔽板400不僅設(shè)置在加熱器207與過濾器346之間，還設(shè)置在晶片 200的處理區(qū)域與過濾器346之間。這樣一來，抑制了來自被加熱器207加熱的晶片200和 被加熱了的處理室201內(nèi)的部件的間接的熱輻射所產(chǎn)生的影響，能夠抑制過濾器346的劣化等。作為本實(shí)施方式的變形例，屏蔽部可以作為設(shè)置在加熱器207和過濾器346之間 的含有不透明石英的氣體供給噴嘴的一部分而構(gòu)成。也就是說，以圍繞過濾器部件346a 的外周的方式設(shè)置的氣體整流噴嘴347由不透明石英構(gòu)成，并且也可以作為上述屏蔽部使 用。通過由不透明石英構(gòu)成氣體整流噴嘴347中的位于加熱器207和過濾器部件346a之間的部分，能夠抑制來自加熱器207的直接的熱輻射的影響。此外，通過由不透明石英構(gòu)成 氣體整流噴嘴347中的位于晶片200的處理區(qū)域和過濾器346之間的部分，能夠抑制來自 被加熱器207加熱了的晶片200和處理室201內(nèi)的部件的間接的熱輻射所產(chǎn)生的影響。采 用該變形例，沒有必要在氣體整流噴嘴347周邊設(shè)置屏蔽板400等專用的屏蔽部，能夠謀求 進(jìn)一步節(jié)省氣體整流噴嘴347周圍的空間，另外，能夠進(jìn)一步抑制襯底處理裝置的構(gòu)成部 件的增加。(本發(fā)明的其他實(shí)施方式)例如，在上述實(shí)施方式中，關(guān)于實(shí)施對晶片200上交替供給氣化氣體和反應(yīng)氣體 的ALD法的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。即，只要使用使液體原料氣化而生 成的氣化氣體，實(shí)施例如CVD (化學(xué)氣相沉積)法等的其他方法的情況也能夠良好地應(yīng)用本 發(fā)明。另外，本發(fā)明不限于形成高介電常數(shù)膜的情況，也能夠良好地應(yīng)用于形成氮化膜、氧 化膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜等其他膜的襯底處理裝置。另外，上述實(shí)施方式所涉及的氣化氣體噴嘴233a以能夠分割為氣體導(dǎo)入噴嘴325 和氣體整流噴嘴347的方式構(gòu)成，但本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。即，氣化氣體噴嘴233a也可 構(gòu)成為氣體導(dǎo)入噴嘴325和氣體整流噴嘴347 —體不可分。通過這樣構(gòu)成，能夠減少部件 數(shù)量，降低襯底處理裝置的制造成本和維護(hù)工時(shí)。
另外，上述實(shí)施方式所涉及的過濾器346構(gòu)成為能夠從氣化氣體噴嘴233a卸下， 但本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。例如也可以構(gòu)成為過濾器346和氣化氣體噴嘴233a —體不可 分。另外，上述實(shí)施方式所涉及的氣化氣體噴嘴233a以氣化氣體被單獨(dú)供給的方式 構(gòu)成，但本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以構(gòu)成為在氣化氣體噴嘴233a的上游側(cè)將氣 化氣體和其他一種以上的氣體混合。以上，具體說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在不脫離 其要旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種各樣的變形。(本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式)下面，附記本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供一種襯底處理裝置，具有處理襯底的處理室； 和對該處理室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部，所述氣體供給部具有配置于所述處理室內(nèi) 的氣體供給噴嘴；配置于所述氣體供給噴嘴內(nèi)的、用于除去所述處理氣體所含有的不純物 的過濾器；和開設(shè)于所述氣體供給噴嘴上的、將由所述過濾器除去了所述不純物后的所述 處理氣體供給至所述處理室內(nèi)的氣體供給口。優(yōu)選，在所述過濾器和所述氣體供給口之間設(shè)有間隙。還優(yōu)選，所述過濾器具有配置于所述氣體供給噴嘴內(nèi)的圓筒部；和配置在所述 氣體供給噴嘴內(nèi)且連接于所述圓筒部的下游端的過濾器部件，所述圓筒部的上游端氣密地 連接于所述氣體供給噴嘴。還優(yōu)選，在所述氣體供給噴嘴的內(nèi)壁和所述過濾器部件的外壁之間設(shè)有間隙。還優(yōu)選，在所述氣體供給噴嘴的內(nèi)壁和所述過濾器部件的外壁之間設(shè)有3mm以上 的間隙。還優(yōu)選，所述處理氣體含有使液體原料氣化而得的氣體。
還優(yōu)選，根據(jù)供給至所述處理室內(nèi)的所述處理氣體的導(dǎo)入量，設(shè)定所述過濾器部 件的表面積或容積。還優(yōu)選，所述氣體供給噴嘴具有氣體導(dǎo)入噴嘴；和與所述氣體導(dǎo)入噴嘴的下游 端連接的氣體整流噴嘴，所述氣體導(dǎo)入噴嘴和所述氣體供給噴嘴的連接部位設(shè)置于所述處 理室內(nèi)，所述過濾器能夠在所述處理室內(nèi)更換。還優(yōu)選，具有對所述處理室內(nèi)的所述襯底的處理區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)，所述 過濾器配置在所述處理區(qū)域外。還優(yōu)選，具有對所述處理室內(nèi)的所述襯底的處理區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)；和 屏蔽從所述加熱部向所述過濾器的熱輻射的屏蔽部。還優(yōu)選，所述屏蔽部是設(shè)置于所述加熱部和所述過濾器之間的屏蔽板。還優(yōu)選，具有處理襯底的處理室；將至少一片所述襯底相對于所述處理室內(nèi)外運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)入運(yùn)出部；和將至少一種處理氣體導(dǎo)入所述處理室內(nèi)的氣體供給部，所述氣 體供給部具有配置于所述處理室內(nèi)的氣體供給噴嘴；配置于所述氣體供給噴嘴內(nèi)的、用 于除去所述處理氣體所含有的不純物的過濾器；和開設(shè)于所述氣體供給噴嘴的局部的、將 由所述過濾器除去了所述不純物后的所述處理氣體供給至所述處理室內(nèi)的氣體供給口。還優(yōu)選，所述屏蔽部作為設(shè)置在所述加熱部和所述過濾器之間的含有不透明石英 的所述氣體供給噴嘴的一部分構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施方式，提供一種襯底處理裝置，具有將至少一種處理氣體 導(dǎo)入收納襯底的處理室內(nèi)的氣體供給部，所述氣體供給部具有配置于所述處理室內(nèi)的氣 體導(dǎo)入噴嘴；連接于所述氣體導(dǎo)入噴嘴的前端的、具有將處理氣體導(dǎo)入所述處理室內(nèi)的氣 體供給口的氣體整流噴嘴；和配置于所述氣體整流噴嘴的內(nèi)部的過濾器，所述處理氣體從 所述氣體導(dǎo)入噴嘴經(jīng)由所述過濾器被向所述氣體整流噴嘴導(dǎo)入，從所述氣體供給口被導(dǎo)入 所述處理室內(nèi)。優(yōu)選，所述氣體整流噴嘴的內(nèi)徑大于所述過濾器的外徑。還優(yōu)選，所述處理氣體是使液體原料氣化而得的氣體。還優(yōu)選，根據(jù)導(dǎo)入所述處理室內(nèi)的所述處理氣體的導(dǎo)入量，設(shè)定所述過濾器的表 面積(或容積)。根據(jù)本發(fā)明的其他的實(shí)施方式，提供一種襯底處理裝置，具有處理襯底的處理 室；將至少一片所述襯底相對于所述處理室內(nèi)外運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)入運(yùn)出機(jī)構(gòu)；和將至少一種 處理氣體導(dǎo)入所述處理室內(nèi)的氣體供給部，所述氣體供給部具有導(dǎo)入至少一種處理氣體 的氣體導(dǎo)入噴嘴；連接于所述氣體導(dǎo)入噴嘴的前端的、具有將處理氣體導(dǎo)入所述處理室內(nèi) 的氣體供給口的氣體整流噴嘴；和配置于所述氣體整流噴嘴的內(nèi)部的過濾器。優(yōu)選，所述氣體導(dǎo)入噴嘴和所述氣體整流噴嘴的連接部位設(shè)置于所述處理室內(nèi)， 所述過濾器能夠在所述處理室內(nèi)更換。
權(quán)利要求
一種襯底處理裝置，具有處理襯底的處理室；和對該處理室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部，所述氣體供給部具有配置于所述處理室內(nèi)的氣體供給噴嘴；配置于所述氣體供給噴嘴內(nèi)的、用于除去所述處理氣體所含有的不純物的過濾器；和開設(shè)于所述氣體供給噴嘴上的、將由所述過濾器除去了所述不純物后的所述處理氣體供給至所述處理室內(nèi)的氣體供給口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于， 在所述過濾器和所述氣體供給口之間設(shè)有間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述過濾器具有配置于所述氣體供給噴嘴內(nèi)的圓筒部；和配置在所述氣體供給噴嘴 內(nèi)且與所述圓筒部的下游端連接的過濾器部件，所述圓筒部的上游端氣密地連接于所述氣體供給噴嘴。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于，在所述氣體供給噴嘴的內(nèi)壁和所述過濾器部件的外壁之間設(shè)有間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于，在所述氣體供給噴嘴的內(nèi)壁和所述過濾器部件的外壁之間設(shè)有3mm以上的間隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述處理氣體含有使液體原料氣化而得到的氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于，根據(jù)供給至所述處理室內(nèi)的所述處理氣體的導(dǎo)入量，設(shè)定所述過濾器部件的表面積或 容積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述氣體供給噴嘴具有氣體導(dǎo)入噴嘴；和與所述氣體導(dǎo)入噴嘴的下游端連接的氣體 整流噴嘴，所述氣體導(dǎo)入噴嘴和所述氣體供給噴嘴的連接部位設(shè)置于所述處理室內(nèi)，所述過濾器 能夠在所述處理室內(nèi)更換。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有對所述處理室內(nèi)的所述襯底的處理區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)， 所述過濾器配置在所述處理區(qū)域外。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有對所述處理室內(nèi)的所述襯底的處理區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)；和屏蔽從所述加 熱部向所述過濾器的熱輻射的屏蔽部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述屏蔽部是設(shè)置于所述加熱部和所述過濾器之間的屏蔽板。
12.一種襯底處理裝置，具有處理襯底的處理室；將至少一片所述襯底相對于所述處 理室內(nèi)外運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)入運(yùn)出部；和將至少一種處理氣體導(dǎo)入所述處理室內(nèi)的氣體供給 部，所述氣體供給部具有配置于所述處理室內(nèi)的氣體供給噴嘴；配置于所述氣體供給噴嘴內(nèi)的、用于除去所述處理氣體所含有的不純物的過濾器；和開設(shè)于所述氣體供給噴嘴的 局部的、將由所述過濾器除去了所述不純物后的所述處理氣體供給至所述處理室內(nèi)的氣體供給口。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述屏蔽部作為設(shè)置在所述加熱部和所述過濾器之間的含有不透明石英的所述氣體 供給噴嘴的一部分構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明的襯底處理裝置能夠抑制顆粒向處理室內(nèi)擴(kuò)散，降低氣體過濾器的更換所需要的成本。本發(fā)明的襯底處理裝置具有處理襯底的處理室；和對該處理室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部，所述氣體供給部具有配置于處理室內(nèi)的氣體供給噴嘴；配置于氣體供給噴嘴內(nèi)的、用于除去處理氣體所含有的不純物的過濾器；和開設(shè)于氣體供給噴嘴上的、將由過濾器除去了不純物后的處理氣體供給至處理室內(nèi)的氣體供給口。
文檔編號H01L21/00GK101814423SQ20101011824
公開日2010年8月25日 申請日期2010年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月23日
發(fā)明者中川崇, 岡田格, 竹林雄二 申請人:株式會社日立國際電氣