專利名稱：一種用于集成電路加工設備的晶片載臺和反應腔室的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及微電子技術(shù)領域，尤其涉及一種用于集成電路加工設備的晶片載
臺和反應腔室。
背景技術(shù)：
在集成電路晶片的加工過程中，通常將晶片放置于反應腔室內(nèi)部的晶片載臺上， 工藝氣體注入反應腔室，在高頻電場作用下產(chǎn)生等離子體來加工晶片表面。晶片表面的工 藝氣體分布將決定晶片加工的速率以及晶片加工的均勻性，非均勻性的氣體分布將導致晶 片表面的加工速率和均勻性有較大的變化，對晶片的加工質(zhì)量以及性能具有很大影響。因 而，提供均勻的工藝氣體分布對于集成電路晶片的加工非常重要。
圖1為現(xiàn)有集成電路加工設備的反應腔室的常用結(jié)構(gòu)。如圖1所示，反應腔室上部
的中心安裝有噴嘴，所需加工的半導體晶片放置在晶片載臺上，工藝氣體通過噴嘴進入到
腔體內(nèi)，對晶片進行加工，然后流經(jīng)晶片載臺外圍的排氣件，從腔室下面被排氣系統(tǒng)抽走。
可以通過改進噴嘴和排氣件的結(jié)構(gòu)，促進晶片表面的氣流更加均勻。然而，由于排氣件位于
晶片載臺的外圍，始終無法最終解決晶片表面上方和外部的氣流分布差異。 隨著技術(shù)進步和行業(yè)發(fā)展，晶片的加工對氣流均勻性和產(chǎn)率同時提出了更高的要
求，不僅要求提高工藝氣體的均勻性，同時要求有更大的晶片產(chǎn)率，也就是在單位時間內(nèi)能
夠加工更大面積的晶片，而且關(guān)鍵尺寸卻要更小。晶片面積逐步增加，反應腔室的體積也相
應的增大，這使得要想提供均勻的工藝氣體分布變得更加困難。而由于現(xiàn)有集成電路加工
設備的排氣方式存在缺陷，如果加工更大面積的晶片，由于排氣結(jié)構(gòu)的限制，就會造成晶片
中心區(qū)域和外部區(qū)域氣流分布的更大差異，影響晶片的加工質(zhì)量，導致不能實現(xiàn)更精細的工藝。
實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的在于，提供一個用于集成電路加工設備的晶片載臺，能夠 提高晶片上方工藝氣體分布的均勻性。 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為 —種用于集成電路加工設備的晶片載臺，晶片載臺上沿平行于中心軸線方向設有 用于排氣的通孔。 采用上述技術(shù)方案后，該晶片載臺用于集成電路加工設備時，在晶片加工過程中， 晶片載臺自身可以通過通孔排氣，這樣就促進了晶片載臺上方即所加工晶片上方工藝氣體 分布的均勻性；而且由于通孔的排氣，進一步擴大了晶片載臺上方均勻性工藝氣體的覆蓋 面積，也就加大了可加工晶片的面積，提高了產(chǎn)率。 本實用新型的另一主要目的在于，提供一個用于集成電路加工設備的反應腔室，
能夠提高晶片上方工藝氣體分布的均勻性。 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為
3[0011] —種用于集成電路加工設備的反應腔室，包括腔體、腔體上方中心的噴嘴、腔體中 部的晶片載臺和晶片載臺與腔體內(nèi)壁之間的排氣件，晶片載臺上沿平行于中心軸線方向設 有用于排氣的通孔。 采用上述技術(shù)方案后，該反應腔室用于集成電路加工設備時，在晶片加工過程中， 工藝氣體由噴嘴進入腔體后，可以分別通過晶片載臺上的通孔和晶片載臺與腔體內(nèi)壁之間 的排氣件同時進行排氣，減小了晶片載臺上方中部和外部的氣流差異，促進了晶片載臺上 方即所加工晶片上方工藝氣體分布的均勻性；而且，由于晶片載臺上的通孔和晶片載臺外 圍的排氣件同時排氣，進一步擴大了晶片載臺上均勻性工藝氣體的覆蓋面積，也就加大了 可加工晶片的面積，提高了產(chǎn)率。
圖1是現(xiàn)有集成電路加工設備反應腔室的常用結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本實用新型晶片載臺實施例俯視示意圖。 圖3是本實用新型晶片載臺實施例放置多個晶片的俯視示意圖。 圖4是本實用新型晶片載臺通孔處安裝有排氣件的俯視示意圖。 圖5是本實用新型晶片載臺另一實施例示意圖。 圖6是本實用新型反應腔室的實施例結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7是本實用新型反應腔室的晶片載臺通孔處安裝有排氣件的俯視示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的實施方式做進一步詳細說明。 本實用新型的晶片載臺，晶片載臺上沿平行于中心軸線方向設有用于排氣的通 孔。 該晶片載臺用于集成電路加工設備時，在晶片加工過程中，晶片載臺自身可以通 過通孔排氣，促進了晶片載臺上方工藝氣體分布的均勻性；而且由于通孔的排氣，進一步擴 大了晶片載臺上均勻性工藝氣體的覆蓋面積，也就加大了可加工晶片的面積，提高了產(chǎn)率。 下面對本實用新型晶片載臺的實施例進行具體描述。 實施例1 如圖2所示，本實用新型晶片載臺實施例，所述通孔設置在本實用新型晶片載臺
的中心區(qū)域。本實施例晶片載臺用于集成電路加工設備時，在晶片加工過程中，工藝氣體可
以從晶片載臺中心區(qū)域的通孔排出，這樣就提高了晶片載臺上方工藝氣體分布的均勻性；
而且，由于通孔的排氣，進一步擴大了該晶片載臺上均勻性工藝氣體的覆蓋面積，可以實現(xiàn)
多個晶片放置在上面同時加工，如圖3所示，多個晶片同時進行加工，提高了產(chǎn)率。 進一步地，如圖4所示，所述通孔處安裝有排氣件5，排氣件5可控制排氣的速率，
促進氣流分布更加均勻；排氣件5的種類不限，可以為排氣環(huán)、排氣閥等；排氣件5的數(shù)量
不限；排氣件5的種類和數(shù)量根據(jù)實際情況設置； 進一步地，本實用新型晶片載臺可設置為旋轉(zhuǎn)臺，這樣方便晶片的取放，提高生產(chǎn) 效率。可將該晶片載臺設置為雙層臺，兩層臺中所述通孔的相對位置是一致的，上層臺與下 層臺之間用轉(zhuǎn)軸活動連接；使用時，下層臺固定，上層臺可繞轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)；可通過旋轉(zhuǎn)上層臺
4進行晶片的取放，方便快捷，提高生產(chǎn)效率；但上述設計僅為旋轉(zhuǎn)臺的一種設計方式，本實 用新型晶片載臺的旋轉(zhuǎn)臺設計不限于上述方式，可有多種設計方式； 進一步地，本實用新型晶片載臺的形狀不限，可以為圓形、多邊形等；通孔的形狀 不限，通孔與晶片載臺的相對尺寸不限，根據(jù)實際情況設置；通孔與晶片載臺以對稱形狀為佳。 實施例2 如圖5所示，本實用新型晶片載臺實施例2，同實施例1不同的是，所述通孔設置在 本實用新型晶片載臺的中心區(qū)域及中心區(qū)域與外邊緣之間。本實施例晶片載臺用于集成電 路加工設備時，在晶片加工過程中，工藝氣體可以從晶片載臺中心區(qū)域以及中心區(qū)域與外 邊緣之間的通孔排出，減小了晶片載臺中心區(qū)域和中心區(qū)域與外邊緣之間的區(qū)域的氣流分 布差異，提高了工藝氣體分布的均勻性；同樣的，由于通孔的排氣，進一步擴大了該晶片載 臺上均勻性工藝氣體的覆蓋面積，可以實現(xiàn)多個晶片放置在上面進行同時加工，提高了產(chǎn)率。 進一步地，同實施例l，所述通孔處安裝有排氣件，排氣件可控制排氣的速率，促進 氣流分布更加均勻； 進一步地，本實用新型晶片載臺可設置為旋轉(zhuǎn)臺，這樣方便晶片的取放，提高生產(chǎn) 效率；旋轉(zhuǎn)臺的設計方式同實施例1 ; 進一步地，同實施例1，本實用新型晶片載臺的形狀不限，可以為圓形、多邊形等； 通孔的形狀不限，通孔與晶片載臺的相對尺寸不限，根據(jù)實際情況設置；通孔及晶片載臺以 對稱形狀為佳。 本實用新型還提供了一種用于集成電路加工設備的反應腔室，如圖6所示，所述 反應腔室包括腔體1、腔體上方中心的噴嘴2、腔體中部的晶片載臺3和晶片載臺與腔體內(nèi) 壁之間的排氣件4 ;晶片載臺3上沿平行于中心軸線方向設有用于排氣的通孔。 本實用新型反應腔室用于集成電路加工設備時，在晶片加工過程中，晶片放置在 晶片載臺3上；工藝氣體由噴嘴2進入腔體1內(nèi)，對晶片進行加工；工藝氣體可以分別通過 晶片載臺3上的通孔和晶片載臺與腔體內(nèi)壁之間的排氣件4同時排出，減小了晶片上方中 心和外部的氣流差異，促進了晶片載臺上方工藝氣體分布的均勻性；而且，由于晶片載臺3 上的通孔和晶片載臺與腔體內(nèi)壁之間的排氣件4同時排氣，進一步擴大了晶片載臺上均勻 性工藝氣體的覆蓋面積，也就加大了可加工晶片的面積，提高了產(chǎn)率。 本實用新型反應腔室外部通常連接有排氣系統(tǒng)，排氣系統(tǒng)一般由分子泵和氣路組
成，同通孔及排氣件4相連接，用于抽離氣體、控制氣體排出速率、維持腔體1內(nèi)的反應壓強等。 晶片載臺3可采用實施例1和實施例2所述的結(jié)構(gòu)，這里不再贅述，圖6所示本實 用新型反應腔室實施例，晶片載臺3即采用實施例1的結(jié)構(gòu)。圖7為晶片載臺3的通孔處 加置排氣件5的示意圖，排氣件5同排氣件4一起工作，控制氣流的排出速率，使晶片載臺 3上方工藝氣體的分布更加均勻。 以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限 于此，任何熟悉本技術(shù)領域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化 或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權(quán) 利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求一種用于集成電路加工設備的晶片載臺，其特征在于所述晶片載臺上沿平行于中心軸線方向設有用于排氣的通孔。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片載臺，其特征在于所述通孔設置在所述晶片載臺的中 心區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片載臺，其特征在于所述通孔設置在所述晶片載臺的中 心區(qū)域及中心區(qū)域與外邊緣之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的晶片載臺，其特征在于所述通孔處安裝有排氣件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片載臺，其特征在于所述晶片載臺為旋轉(zhuǎn)臺。
6. —種用于集成電路加工設備的反應腔室，包括腔體、腔體上方的噴嘴、腔體內(nèi)部的晶 片載臺及晶片載臺與腔體內(nèi)壁之間的排氣件，其特征在于所述晶片載臺上沿平行于中心軸線方向設有用于排氣的通孔。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應腔室，其特征在于所述通孔設置在所述晶片載臺的中 心區(qū)域。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應腔室，其特征在于所述通孔設置在所述晶片載臺的中 心區(qū)域及中心區(qū)域與外邊緣之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項所述的反應腔室，其特征在于所述通孔處安裝有排氣件。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應腔室，其特征在于所述晶片載臺為旋轉(zhuǎn)臺。
專利摘要本實用新型公開了一種用于集成電路加工設備瘀 晶片載臺和反應腔室，涉及微電子技術(shù)領域，為提高工藝氣體分布的均勻性而設計。本實用新型晶片載臺上沿平行于中心軸線方向設有用于排氣的通孔。本實用新型反應腔室包括腔體、腔體上方的噴嘴、腔體內(nèi)部的晶片載臺及晶片載臺與腔體內(nèi)壁之間的排氣件，晶片載臺上沿平行于中心軸線方向設有用于排氣的通孔。本實用新型晶片載臺和反應腔室用于集成電路晶片的加工。
文檔編號H01L21/3065GK201549485SQ20092024644
公開日2010年8月11日 申請日期2009年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月23日
發(fā)明者王志升 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司