專利名稱:等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種顯示器驅(qū)動芯片用高低壓器件及其制備方法,尤其適用于等離子顯示器(Plasma Display Panel, PDP)用行選址驅(qū)動芯片和列選址驅(qū)動芯片。
背景技術(shù):
等離子顯示器是由行驅(qū)動芯片和列驅(qū)動芯片共同控制驅(qū)動,從而實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。芯片內(nèi)部電路由低壓邏輯控制電路和高壓輸出驅(qū)動器件兩部分組成,其中高壓輸出驅(qū)動器件直接點(diǎn)亮和控制PDP顯示屏。隨著驅(qū)動芯片的設(shè)計(jì)水平和工藝制造水平的不斷提高,低成本、高頻率、高可靠性、低功耗等特征已經(jīng)成為顯示器驅(qū)動芯片的發(fā)展方向?;诘蛪夯パa(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的低壓邏輯控制電路的制造工藝基本成熟,除了在電路層面進(jìn)行電路改進(jìn)外,在器件工藝方面的改進(jìn)潛力越來越小,然而占用芯片較大面積,占芯片制造成本較高的高壓輸出驅(qū)動器件部分改進(jìn)潛力很大。傳統(tǒng)驅(qū)動芯片基本由高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管來作為高壓輸出驅(qū)動器件,然而高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的電流能力不足,設(shè)計(jì)上為了滿足對電流能力的需要,芯片內(nèi)一般均是由幾個高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管相并聯(lián)實(shí)現(xiàn)電流能力的提高,這樣就是以付出更大芯片面積為代價(jià)的,同時(shí)并聯(lián)器件的勻流問題會影響到芯片的可靠性。如今高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的制作工藝水平逐漸成熟,由于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的電流能力比高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管強(qiáng)很多,在相同電流能力下,高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的尺寸要小很多,會節(jié)省很大的芯片面積,在芯片的成本、可靠性和功耗等方面會有較大的改進(jìn)。傳統(tǒng)的隔離方式主要是基于體硅的PN結(jié)隔離或單槽隔離,其中PN隔離結(jié)構(gòu)占用芯片面積可達(dá)20X以上,而單槽隔離對芯片的面積占用很小,可以控制在5%以內(nèi),然而在隔離的可靠性方面仍存在不足。本發(fā)明是基于絕緣體上硅技術(shù),同時(shí)采用雙槽隔離充分發(fā)揮絕緣體上硅結(jié)構(gòu)理想的全介質(zhì)隔離性能、相對簡單的隔離工藝、顯著減弱的寄生效應(yīng),使其速度高、功耗低、耐高溫運(yùn)行的優(yōu)點(diǎn)得以體現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示器驅(qū)動芯片用高低壓器件及其制備方法,尤其適用于等離子顯示器用行選址驅(qū)動芯片和列選址驅(qū)動芯片,所述芯片結(jié)構(gòu)具有芯片功耗低,芯片面積小,可靠性高的優(yōu)點(diǎn),而且能夠兼容標(biāo)準(zhǔn)低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制造工藝。 本發(fā)明所述等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件的技術(shù)方案如下 —種等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,包括P型襯底,在P型襯底上設(shè)有埋氧
層,在埋氧層上設(shè)有高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半
導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、高壓二極管和
低壓器件,其特征在于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化
6物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管相鄰且高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的漏端與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源端相鄰;高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管相鄰且高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏端與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源端相鄰;高壓二極管位于高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管與低壓器件之間;在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管一側(cè)設(shè)有第一雙槽結(jié)構(gòu),在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管另一側(cè)與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管之間設(shè)有第二雙槽結(jié)構(gòu);在高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管之間設(shè)有第三雙槽結(jié)構(gòu);在高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管與高壓二極管之間設(shè)有第四雙槽結(jié)構(gòu);在高壓二極管與低壓器件之間設(shè)有第五雙槽結(jié)構(gòu);在低壓器件另一側(cè)沒有槽結(jié)構(gòu)隔離;第一雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成,第二雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成,第三雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成,第四雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成,第五雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成。
所述顯示器驅(qū)動芯片用高低壓器件的制備方法如下 第一步取雜質(zhì)濃度為1. 0el5cm-3的P型襯底,對其進(jìn)行預(yù)清洗;在P型襯底上制備埋氧層;然后生長P型雜質(zhì)濃度為lel5cm-3的外延層;通過劑量為5el2cm-2的磷離子注入,在P型外延層上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的高壓N阱、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的高壓N阱、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的高壓N阱和高壓二極管的高壓N阱,簡單處理快速熱退火后,直接普注劑量為3el2cm-2的硼并高溫退火形成高壓P阱;在P型外延層上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的P型體區(qū)和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的P型體區(qū);在P型外延層上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的低壓N阱,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的低壓N阱,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的低壓N阱,高壓二極管的低壓N阱和低壓器件的低壓N阱;接著在簡單處理快速熱退火后,普注硼形成高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的低壓P阱,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的低壓P阱,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的低壓P阱,高壓二極管的低壓P阱和低壓器件的低壓P阱;然后在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的低壓N阱內(nèi)制作N型緩沖層,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的低壓N阱內(nèi)制作N型緩沖層,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的低壓N阱內(nèi)制作N型體區(qū),低壓器件的低壓N阱內(nèi)制作低壓N阱;再接著刻蝕隔離槽結(jié)構(gòu),場氧化層的生長,填充槽,然后進(jìn)行對高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管漂移區(qū)上方場氧化層進(jìn)行反刻得到柵氧化層;然后進(jìn)行場氧注入,形成高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的P型阱、漏端P型緩沖層和低壓器件低壓P阱上齊納二極管的P型阱,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和低壓器件中N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的閾值調(diào)整注入;接下來高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的厚柵氧生長和低壓器件中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的薄柵氧生長,淀積刻蝕多晶硅形成
7高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的多晶硅柵極和場板,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的多晶硅柵極,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 的多晶硅柵極和場板,高壓二極管的多晶硅場板,低壓管的多晶硅柵極和多晶硅電阻條。
第二步制備高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的源端N型重?fù)诫s阱,高壓P型橫 向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源端N型重?fù)诫s體接觸阱,高壓N型橫向雙擴(kuò) 散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源端N型重?fù)诫s阱和漏端N型重?fù)诫s阱、高壓二極管 的N型重?fù)诫s阱及低壓器件的N型重?fù)诫s阱區(qū),高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的P型 重?fù)诫s體接觸阱和漏端P型重?fù)诫s阱,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體 管的源端P型重?fù)诫s阱和漏端P型重?fù)诫s阱、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效 應(yīng)晶體管的P型重?fù)诫s體接觸阱、高壓二極管的P型重?fù)诫s阱以及低壓器件的P型重?fù)诫s 阱區(qū);淀積氧化層,刻蝕接觸孔,蒸鋁,反刻鋁,形成電極,最后,鈍化處理。
這些步驟與標(biāo)準(zhǔn)低壓外延互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管工藝兼容,與現(xiàn) 有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn) (1)本發(fā)明采用高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管代替高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化
物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管作為高壓輸出驅(qū)動器件,使得芯片中高壓器件所占的面積降低,成 本下降,功耗降低,可靠性增加。 (2)本發(fā)明是基于SOI工藝,其埋氧層將外延層與襯底完全電隔離,避免了體硅或 外延工藝的襯底漏電流問題,芯片功耗更低,可靠性能更好。 (3)本發(fā)明采用雙槽結(jié)構(gòu)作為高壓器件之間或高壓器件與低壓器件之間的隔離, 這樣的隔離結(jié)構(gòu),使器件間實(shí)現(xiàn)了全介質(zhì)隔離,抗閂鎖性能更好,同時(shí)隔離結(jié)構(gòu)的面積非常 小,相對較寬的單槽工藝實(shí)現(xiàn)容易、隔離可靠性更高。 (4)本發(fā)明的高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源區(qū)和厚柵 氧相接鳥嘴區(qū)域的下方設(shè)有P型阱區(qū),這樣可以保證器件有效開啟。 (5)本發(fā)明先制備高壓部分所特有結(jié)構(gòu),然后再制備低壓及低壓與高壓部分共有 的結(jié)構(gòu),鑒于低壓器件部分制備在后,高壓器件部分的制備在先,故不會對低壓金屬氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管管產(chǎn)生影響,所以本發(fā)明的高壓器件結(jié)構(gòu)的制備方法能夠兼容標(biāo)準(zhǔn)低 壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制造工藝。 (6)本發(fā)明中高低壓器件較為齊全,高壓部分包括高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶 體管、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化 物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、高壓二極管,低壓部分包括低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)
晶體管,齊納二極管,低壓二極管,多晶硅電阻,使PDP驅(qū)動芯片設(shè)計(jì)在器件使用方面更加 方便靈活。
圖1是本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件剖面圖。 圖2是本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件剖面圖,圖示了根據(jù)本發(fā)明的 SOI高壓顯示器驅(qū)動芯片由初始狀態(tài)的P型襯底經(jīng)過一系列工藝最終完成器件制作的整個 制備工藝步驟。 圖3是本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件模擬圖,其中圖3(a)示出了本相同的高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(n-cha皿el LateralInsulated Gate Bipolar Transistor,nLIGBT)和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(n-channel Lateral Double Diffuse M0SFET, nLDM0S)開態(tài)電流曲線比較圖;圖3(b)示出了高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管擊穿特性曲線比較圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 下面結(jié)合附圖,對本發(fā)明結(jié)構(gòu)作詳細(xì)說明,如圖1所示,一種等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,包括P型襯底10,在P型襯底10上設(shè)有埋氧層8,在埋氧層8上設(shè)有高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3、高壓二極管4和低壓器件5,其特征在于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2相鄰且高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的漏端與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的源端相鄰;高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3相鄰且高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的漏端與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的源端相鄰;高壓二極管4位于高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3與低壓器件5之間;在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1 一側(cè)設(shè)有第一雙槽結(jié)構(gòu),在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1另一側(cè)與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2之間設(shè)有第二雙槽結(jié)構(gòu);在高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3之間設(shè)有第三雙槽結(jié)構(gòu);在高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3與高壓二極管4之間設(shè)有第四雙槽結(jié)構(gòu);在高壓二極管4與低壓器件5之間設(shè)有第五雙槽結(jié)構(gòu);在低壓器件5另一側(cè)沒有槽結(jié)構(gòu)隔離;第一雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層91A和第二氧化隔離層91B組成,第二雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層92A和第二氧化隔離層92B組成,第三雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層93A和第二氧化隔離層93B組成,第四雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層94A和第二氧化隔離層94B組成,第五雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層95A和第二氧化隔離層95B組成。 上述第一雙槽結(jié)構(gòu)用于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1與本發(fā)明以外且制作于同一片芯片上的其它器件的隔離;若與低壓器件5相鄰的是高壓器件,則應(yīng)加入雙槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離。在本實(shí)施例中,第一雙槽結(jié)構(gòu)、第二雙槽結(jié)構(gòu)、第三雙槽結(jié)構(gòu)、第四雙槽結(jié)構(gòu)和第五雙槽結(jié)構(gòu)中均填充以二氧化硅介質(zhì)。 上述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)包括P型外延層(71),在P型外延層(71)內(nèi)設(shè)有P型體區(qū)(11)和高壓N阱(12),除高壓N阱(12)以外的區(qū)域均為高壓P阱,在高壓N阱(12)上設(shè)有低壓N阱(18),在低壓N阱(18)上設(shè)有N型緩沖層(13),在N型緩沖層(13)上設(shè)有漏端P型重?fù)诫s阱(19),在低壓N阱(18)以外的區(qū)域設(shè)有低壓P阱(16),在低壓P阱(16)上設(shè)有P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和源端N型重?fù)诫s阱(15),在P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和源端N型重?fù)诫s阱(15)、漏端P型重?fù)诫s阱(19)及溝道區(qū)以外的區(qū)域
9均設(shè)有場氧化層(9),在柵氧化層(50)上方及低壓P阱(16)和漏端P型重?fù)诫s阱(19)之間的場氧化層(9)近源一端上方設(shè)有多晶硅柵極和場板(17),在場氧化層(9)、P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、源端N型重?fù)诫s阱(15)、多晶硅柵極和場板(17)和漏端P型重?fù)诫s阱(19)的上方設(shè)有氧化層(6),在P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、源端N型重?fù)诫s阱(15)、多晶硅柵極(17)及漏端P型重?fù)诫s阱(19)上分別連接有金屬引線。 上述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2主要由高壓N阱20、低壓N阱21、低壓P阱22、 N型體區(qū)23、柵氧化層24、 N型重?fù)诫s體接觸阱25、源端P型重?fù)诫s阱26、P型阱27、多晶硅柵極28、漏端P型緩沖層29、漏端P型重?fù)诫s阱30及高壓N阱20以外的區(qū)域均為高壓P阱構(gòu)成。 上述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3主要由P型體區(qū)31、高壓N阱32、 N型緩沖層33、 P型重?fù)诫s體接觸阱34、源端N型重?fù)诫s阱35、低壓P阱36、多晶硅柵極和場板37、低壓N阱38、漏端N型重?fù)诫s阱39及高壓P阱等構(gòu)成。
上述高壓二極管4主要由高壓N阱40、P型重?fù)诫s阱41、低壓P阱42、多晶硅場板43、低壓N阱44、 N型重?fù)诫s阱45和高壓P阱等構(gòu)成。 上述低壓器件5中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管由低壓N型MOS管和低壓P型MOS管構(gòu)成,低壓P型MOS管設(shè)置在低壓N阱46上N型阱47中,低壓N型MOS管設(shè)置在低壓P阱48中。 上述低壓器件5中齊納二極管主要由低壓P阱48上場注P阱49及N型重?fù)诫s阱構(gòu)成。 上述低壓器件5中低壓二極管主要由低壓P阱48和N型重?fù)诫s阱構(gòu)成。
上述低壓器件5中多晶硅電阻主要由多晶硅條構(gòu)成。
實(shí)施例2 本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件的制備方法如下
第一步取雜質(zhì)濃度為1. 0el5cm-3的P型襯底10,對其進(jìn)行預(yù)清洗如圖2 (a)所示;在P型襯底10上制備埋氧層8如圖2 (b)所示;然后生長P型雜質(zhì)濃度為lel5cm-3的外延層7如圖2 (c)所示;通過劑量為5el2cm-2的磷離子注入,在P型外延層7上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的高壓N阱12、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的高壓N阱20、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的高壓N阱32和高壓二極管4的高壓N阱40,簡單處理快速熱退火后,直接普注劑量為3el2cm-2的硼并高溫退火形成高壓P阱如圖2(d)所示;在P型外延層7上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的P型體區(qū)11和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的P型體區(qū)31如圖2 (e)所示;在P型外延層7上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的低壓N阱18,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的低壓N阱21,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的低壓N阱38,高壓二極管4的低壓N阱44和低壓器件5的低壓N阱46如圖2(f)所示;接著在簡單處理快速熱退火后,普注硼形成高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的低壓P阱16,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的低壓P阱22,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的低壓P阱36,高壓二極管4的低壓P阱42和低壓器件5的低壓P阱48如圖2 (g)所示;然后在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的低壓N阱18內(nèi)制作N型緩沖層13,高
10壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的低壓N阱38內(nèi)制作N型緩沖層33,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的低壓N阱21內(nèi)制作N型體區(qū)23,低壓器件5的低壓N阱46內(nèi)制作低壓N阱47如圖2 (h)所示;再接著刻蝕隔離槽結(jié)構(gòu),場氧化層9的生長,填充槽,然后進(jìn)行對高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2漂移區(qū)上方場氧化層9進(jìn)行反刻得到柵氧化層24如圖2(i)所示;然后進(jìn)行場氧注入,形成高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的P型阱27、漏端P型緩沖層29和低壓器件5低壓P阱48上齊納二極管的P型阱49,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3和低壓器件5中N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的閾值調(diào)整注入如圖2(j)所示;接下來高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的厚柵氧生長和低壓器件5中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的薄柵氧生長,淀積刻蝕多晶硅形成高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的多晶硅柵極和場板17,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的多晶硅柵極28,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的多晶硅柵極和場板37,高壓二極管4的多晶硅場板43,低壓管的多晶硅柵極和多晶硅電阻條如圖2(k)所示。
第二步制備高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的源端N型重?fù)诫s阱15,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的源端N型重?fù)诫s體接觸阱25,高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的源端N型重?fù)诫s阱35和漏端N型重?fù)诫s阱39、高壓二極管4的N型重?fù)诫s阱45及低壓器件5的N型重?fù)诫s阱區(qū),高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的P型重?fù)诫s體接觸阱14和漏端P型重?fù)诫s阱19,高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2的源端P型重?fù)诫s阱26和漏端P型重?fù)诫s阱30、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管3的P型重?fù)诫s體接觸阱34、高壓二極管4的P型重?fù)诫s阱41以及低壓器件5的P型重?fù)诫s阱區(qū)如圖2(1)所示;淀積氧化層6,刻蝕接觸孔,蒸鋁,反刻鋁,形成電極,最后,鈍化處理如圖2(m)所示。 參照圖3(a)可以看出,高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管比基于相同工藝結(jié)構(gòu)基本相同的高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管開態(tài)電流高出一倍多,相同電流能力條件下高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管代替高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管將使器件尺寸縮小50%以上。 參照圖3(b)可以看出,高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管與基于相同工藝結(jié)構(gòu)基本相同的高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管相比,擊穿電壓基本相同。說明在電流能力提高的同時(shí)器件的關(guān)態(tài)耐壓水平基本不變。
權(quán)利要求
一種等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,它由如下部分組成P型襯底(10),在所述P型襯底(10)上設(shè)有埋氧層(8),在所述埋氧層(8)上設(shè)有高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)、高壓二極管(4)和低壓器件(5),其特征在于,所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)與所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)相鄰且高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的漏端與所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)的源端相鄰,所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)與所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)相鄰且所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)的漏端與所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的源端相鄰,所述高壓二極管(4)位于所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)與所述低壓器件(5)之間,在所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)一側(cè)設(shè)有第一雙槽結(jié)構(gòu),在所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)另一側(cè)與所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)之間設(shè)有第二雙槽結(jié)構(gòu),在所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)與所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)之間設(shè)有第三雙槽結(jié)構(gòu),在所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)與所述高壓二極管(4)之間設(shè)有第四雙槽結(jié)構(gòu),在所述高壓二極管(4)與所述低壓器件(5)之間設(shè)有第五雙槽結(jié)構(gòu),在所述低壓器件(5)另一側(cè)沒有槽結(jié)構(gòu)隔離,所述第一雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(91A)和第二氧化隔離層(91B)組成,所述第二雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(92A)和第二氧化隔離層(92B)組成,所述第三雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(93A)和第二氧化隔離層(93B)組成,所述第四雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(94A)和第二氧化隔離層(94B)組成,所述第五雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(95A)和第二氧化隔離層(95B)組成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,其特征在于,所述高壓 N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)包括P型外延層(71),在所述P型外延層(71)內(nèi)設(shè)有P 型體區(qū)(11)和高壓N阱(12),除所述高壓N阱(12)以外的區(qū)域均為高壓P阱,在所述高 壓N阱(12)上設(shè)有低壓N阱(18),在所述低壓N阱(18)上設(shè)有N型緩沖層(13),在所述 N型緩沖層(13)上設(shè)有漏端P型重?fù)诫s阱(19),在所述低壓N阱(18)以外的區(qū)域設(shè)有低 壓P阱(16),在所述低壓P阱(16)上設(shè)有P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和源端N型重?fù)诫s阱 (15),在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和所述源端N型重?fù)诫s阱(15)、所述漏端P型重?fù)?雜阱(19)及溝道區(qū)以外的區(qū)域均設(shè)有場氧化層(9),在柵氧化層(50)上方及所述低壓P 阱(16)和所述漏端P型重?fù)诫s阱(19)之間的所述場氧化層(9)近源一端上方設(shè)有多晶硅 柵極和場板(17),在所述場氧化層(9)、所述P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、所述源端N型重?fù)?雜阱(15)、所述多晶硅柵極和場板(17)和所述漏端P型重?fù)诫s阱(19)的上方設(shè)有氧化層 (6),在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、所述源端N型重?fù)诫s阱(15)、所述多晶硅柵極(17) 及所述漏端P型重?fù)诫s阱(19)上分別連接有金屬引線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,其特征在于,所述高壓 P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)包括P型外延層(72),在所述P型外 延層(72)內(nèi)設(shè)有高壓N阱(20),除高壓N阱(20)以外的區(qū)域均為高壓P阱,在所述高壓N阱(20)上設(shè)有低壓N阱(21),在所述低壓N阱(21)上設(shè)有N型體區(qū)(23),在所述低壓N 阱(21)以外的區(qū)域設(shè)有低壓P阱(22),在所述低壓P阱(22)上設(shè)有P型緩沖層(29),在 所述P型緩沖層(29)上設(shè)有漏端P型重?fù)诫s阱(30),在所述N型體區(qū)(23)上設(shè)有N型重 摻雜體接觸阱(25)和源端P型重?fù)诫s阱(26),在所述漏端P型重?fù)诫s阱(30)、所述N型重 摻雜體接觸阱(25)和所述源端P型重?fù)诫s阱(26)以外的區(qū)域均設(shè)有柵氧化層(24)和場 氧化層(9)且所述柵氧化層(24)位于所述源端P型重?fù)诫s阱(26)與所述漏端P型重?fù)诫s 阱(30)之間,在所述柵氧化層(24)的與所述源端P型重?fù)诫s阱(26)相鄰的鳥嘴下方設(shè)有 P型阱(27),在所述柵氧化層(24)上方設(shè)有多晶硅柵極(28),在所述場氧化層(9)、所述柵 氧化層(24)、所述N型重?fù)诫s體接觸阱(25)、所述源端P型重?fù)诫s阱(26)、所述多晶硅柵 極(28)及所述漏端P型重?fù)诫s阱(30)的上方設(shè)有氧化層(6),在所述N型重?fù)诫s體接觸阱 (25)、所述源端P型重?fù)诫s阱(26)、所述多晶硅柵極(28)及所述漏端P型重?fù)诫s阱(30)上 分別連接有金屬引線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,其特征在于,所述高壓N 型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)包括P型外延層(73),在所述P型外延 層(73)內(nèi)設(shè)有P型體區(qū)(31)和高壓N阱(32),除所述高壓N阱(32)以外的區(qū)域均為高 壓P阱,在所述高壓N阱(32)上設(shè)有低壓N阱(38),在所述低壓N阱(38)上設(shè)有N型緩沖 層(33),在所述N型緩沖層(33)上設(shè)有漏端N型重?fù)诫s阱(39),在低所述壓N阱(38)以 外的區(qū)域設(shè)有低壓P阱(36),在所述低壓P阱(36)上設(shè)有P型重?fù)诫s體接觸阱(34)和源 端N型重?fù)诫s阱(35),在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(34)和所述源端N型重?fù)诫s阱(35)、所 述漏端N型重?fù)诫s阱(39)及溝道區(qū)以外的區(qū)域均設(shè)有場氧化層(9),在所述柵氧化層(50) 上方和低壓P阱(36)與所述漏端N型重?fù)诫s阱(39)之間的場氧化層(9)近源一端上方設(shè) 有多晶硅柵極和場板(37),在所述場氧化層(9)、所述P型重?fù)诫s體接觸阱(34)、所述源端 N型重?fù)诫s阱(35)、所述多晶硅柵極和場板(37)和所述漏端N型重?fù)诫s阱(39)的上方設(shè) 有氧化層(6),在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(34)、所述源端N型重?fù)诫s阱(35)、所述多晶硅 柵極和場板(37)及所述漏端N型重?fù)诫s阱(39)上分別連接有金屬引線。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,其特征在于,所述高壓 二極管(4)包括P型外延層(74),在所述P型外延層(74)內(nèi)設(shè)有高壓N阱(40)、低壓N阱 (44),在所述高壓N阱(40)以外的區(qū)域均為高壓P阱,在所述低壓N阱(44)上設(shè)有N型重 摻雜阱(45),在所述低壓N阱(44)以外區(qū)域均為低壓P阱(42),在所述低壓P阱(42)上 設(shè)有P型重?fù)诫s阱(41),在所述低壓P阱(42)上P型重?fù)诫s阱(41)和所述低壓N阱(44) 上N型重?fù)诫s阱(45)以外的區(qū)域均設(shè)有場氧化層(9),在所述P型重?fù)诫s阱(41)和所述N 型重?fù)诫s阱(45)之間的場氧化層(9)上方設(shè)有多晶硅場板(43),在所述場氧化層(9)、所 述P型重?fù)诫s阱(41)、所述多晶硅場板(43)及所述N型重?fù)诫s阱(45)的上方設(shè)有氧化層 (6),在所述P型重?fù)诫s阱(41)和所述N型重?fù)诫s阱(45)上分別連接有金屬引線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,其特征在于,所述第一 雙槽結(jié)構(gòu)、所述第二雙槽結(jié)構(gòu)、所述第三雙槽結(jié)構(gòu)、所述第四雙槽結(jié)構(gòu)及所述第五雙槽結(jié)構(gòu) 始自所述埋氧層(8),進(jìn)入所述P型外延層(7)并止于所述半導(dǎo)體管的氧化層(6)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,其特征在于,所述高 壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的P型體區(qū)(11)和所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的P型體區(qū)(31)貫穿整個所述外延層(7)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2、3、4或5所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件,其特征在于,所 述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的高壓N阱(12)、所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)的高壓N阱(20)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半 導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的高壓N阱(32)和所述高壓二極管(4)的高壓N阱(40)貫穿整個 所述外延層(7)。
9. 一種用于如權(quán)力要求1所述的等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件的制備方法,其特 征在于包括以下制備步驟第一步取雜質(zhì)濃度為1. 0el5cm-3的所述P型襯底(10),對其進(jìn)行預(yù)清洗;在所述P型 襯底(10)上制備所述埋氧層(8);然后生長P型雜質(zhì)濃度為lel5cm-3的所述外延層(7); 通過劑量為5el2cm-2的磷離子注入,在所述P型外延層(7)上制作所述高壓N型橫向絕 緣柵雙極型晶體管(1)的高壓N阱(12)、所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效 應(yīng)晶體管(2)的高壓N阱(20)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (3)的高壓N阱(32)和所述高壓二極管(4)的高壓N阱(40),簡單處理快速熱退火后,直 接普注劑量為3el2cm-2的硼并高溫退火形成高壓P阱;在所述P型外延層(7)上制作所述 高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的P型體區(qū)(11)和所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的P型體區(qū)(31);在所述P型外延層(7)上制作高壓N型 橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的低壓N阱(18),所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo) 體場效應(yīng)晶體管(2)的低壓N阱(21),所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng) 晶體管(3)的低壓N阱(38),所述高壓二極管(4)的低壓N阱(44)和低壓器件(5)的低壓 N阱(46);接著在簡單處理快速熱退火后,普注硼形成所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體 管(1)的低壓P阱(16),所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)的 低壓P阱(22),所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的低壓P阱 (36),所述高壓二極管(4)的低壓P阱(42)和所述低壓器件(5)的低壓P阱(48);然后在 所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的低壓N阱(18)內(nèi)制作所述N型緩沖層(13), 所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的低壓N阱(38)內(nèi)制作N 型緩沖層(33),所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)的低壓N阱 (21)內(nèi)制作N型體區(qū)(23),所述低壓器件(5)的低壓N阱(46)內(nèi)制作所述低壓N阱(47); 再接著刻蝕隔離槽結(jié)構(gòu),所述場氧化層(9)的生長,填充槽,然后進(jìn)行對所述高壓P型橫向 雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)漂移區(qū)上方場氧化層(9)進(jìn)行反刻得到所述柵 氧化層(24);然后進(jìn)行場氧注入,形成所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng) 晶體管(2)的P型阱(27)、漏端P型緩沖層(29)和所述低壓器件(5)低壓P阱(48)上齊 納二極管的P型阱(49),所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)和 所述低壓器件(5)中N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的閾值調(diào)整注入;接下來所述高 壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶 體管(3)的厚柵氧生長和所述低壓器件(5)中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 的薄柵氧生長,淀積刻蝕多晶硅形成所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的多晶硅 柵極和場板(17),所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)的多晶硅 柵極(28),所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的多晶硅柵極和場板(37),所述高壓二極管(4)的多晶硅場板(43),低壓管的多晶硅柵極和多晶硅電阻條。 第二步制備所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的源端N型重?fù)诫s阱(15), 所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(2)的源端N型重?fù)诫s體接觸 阱(25),所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的源端N型重?fù)诫s 阱(35)和漏端N型重?fù)诫s阱(39)、高壓二極管(4)的N型重?fù)诫s阱(45)及所述低壓器件 (5)的N型重?fù)诫s阱區(qū),所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的P型重?fù)诫s體接觸阱 (14)和漏端P型重?fù)诫s阱(19),所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (2)的源端P型重?fù)诫s阱(26)和漏端P型重?fù)诫s阱(30)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧 化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(3)的P型重?fù)诫s體接觸阱(34)、高壓二極管(4)的P型重?fù)诫s 阱(41)以及低壓器件(5)的P型重?fù)诫s阱區(qū);淀積所述氧化層(6),刻蝕接觸孔,蒸鋁,反 刻鋁,形成電極,最后,鈍化處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示驅(qū)動芯片用高低壓器件及制備方法,所述器件由高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、高壓二極管和低壓器件構(gòu)成;所述制備方法為在P型襯底上制作埋氧層,淀積P型外延層,制作高壓器件的高壓N阱和高壓P阱,高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的P型體區(qū),各低壓阱。本發(fā)明所述芯片結(jié)構(gòu)具有芯片功耗低,芯片面積小,可靠性高的優(yōu)點(diǎn),而且能夠兼容標(biāo)準(zhǔn)低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制造工藝。
文檔編號H01L21/82GK101714552SQ20091021276
公開日2010年5月26日 申請日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月9日
發(fā)明者劉俠, 易揚(yáng)波, 李海松, 王欽, 陳文高 申請人:蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計(jì)有限公司