專利名稱：：減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法。
背景技術(shù)：
：在大規(guī)模集成電路(IC)的制造過程中，隨著集成電路的集成度的不斷增加，半導(dǎo)體元件的面積逐漸縮小，集成電路的設(shè)計(jì)線寬也越來越小。在現(xiàn)有技術(shù)中，一般都是通過刻蝕的方法在半導(dǎo)體元件上形成極細(xì)微尺寸的電路結(jié)構(gòu)，而等離子體刻蝕則是最常用的刻蝕方法之一。在所述的等離子體蝕刻中，一般是使用一組大功率的射頻激勵(lì)電源使得反應(yīng)腔內(nèi)的刻蝕氣體在高頻電場(chǎng)(頻率通常為13.56MHz)作用下產(chǎn)生輝光放電，使刻蝕氣體的分子或原子發(fā)生電離，形成高密度的等離子體(Plasma)；然后由另一組功率較小的偏壓電源引導(dǎo)上述所形成的等離子體垂直于被刻蝕物體運(yùn)動(dòng)，然后與暴露在等離子體下的待蝕刻材料分子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成具有揮發(fā)性的生成物，從而去除所需蝕刻的待蝕刻材料。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種等離子刻蝕裝置的示意圖。如圖1所示，該等離子刻蝕裝置包括變壓器耦合等離子體(TCP，TransformerCoupledPlasma)100、線圈101、氣體噴嘴102、石英蓋板103、反應(yīng)腔104、靜電吸附盤(ESC)105、偏置功率發(fā)生器106、節(jié)流閥(Throttlevalve)107和渦輪分子泵(TMP)108。其中，變壓器耦合等離子體100用于給線圈101提供相應(yīng)的能量，以產(chǎn)生高頻電磁場(chǎng)，所述刻蝕氣體(例如，氯氣Cl2)可通過氣體噴嘴103輸入反應(yīng)腔104中；反應(yīng)腔104為圓柱狀容器，上端石英蓋板封口，一般將該石英蓋板稱為TCP窗口(TCPWindow)；線圈101用于產(chǎn)生相應(yīng)頻率的電磁場(chǎng)，也稱之為源功率(SourcePower)，用于使所輸入的刻蝕氣體的分子或原子發(fā)生電離，從而產(chǎn)生一定濃度的等離子體；靜電吸附盤105用于放置需要進(jìn)行刻蝕的晶圓，且該靜電吸附盤105的底部與偏置功率發(fā)生器106連接，并由該偏置功率發(fā)生器106產(chǎn)生偏置功率(BiasPower),用于引導(dǎo)上述所形成的等離子體垂直于被刻蝕物體運(yùn)動(dòng)；反應(yīng)腔104的下部接節(jié)流閥107和渦輪分子泵108，用于使輸入反應(yīng)腔104中的刻蝕氣體保持一定的壓力，并在刻蝕結(jié)束后將反應(yīng)腔104內(nèi)的氣體及生成物抽出。圖1所示的等離子刻蝕裝置可用于對(duì)金屬線的刻蝕，所述的金屬一般為鋁(Al)。以下將以對(duì)鋁線的刻蝕方法為例對(duì)等離子體刻蝕方法進(jìn)行介紹。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體刻蝕方法的流程圖。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體刻蝕方法包括如下所述的步驟步驟201，進(jìn)行穩(wěn)定化處理工藝。在本步驟中，將所需刻蝕的晶圓放置于反應(yīng)腔104中的靜電吸附盤105上之后，并不馬上開啟上述等離子體刻蝕裝置的射頻電能進(jìn)行刻蝕工藝，而是由TCP100通過氣體噴嘴103將所需的刻蝕氣體輸入到反應(yīng)腔104中，并通過渦輪分子泵108使得上述被通入的刻蝕氣體保持(servo)—定的氣壓，該步驟大約持續(xù)30秒鐘。通過該步驟，使得所述刻蝕氣體在反應(yīng)腔104內(nèi)保持(servo)—定的氣壓，從而在反應(yīng)腔104內(nèi)形成了均勻而穩(wěn)定的刻蝕氣體氛圍，也可以使待處理的晶圓的表面和其周圍的刻蝕氣體有了充分而均勻的接觸。其中，上述刻蝕氣體中可以包括氯氣(Cl2)、氬氣(Ar)和CHF3等氣體；所述刻蝕氣體的壓力一般為8毫托(Mtorr)。步驟202，進(jìn)行絕緣抗反射層刻蝕工藝，即由所述刻蝕氣體產(chǎn)生等離子體，并使用所產(chǎn)生的等離子體對(duì)絕緣抗反射層進(jìn)行刻蝕。在本步驟中，可通過線圈101產(chǎn)生一個(gè)具有相應(yīng)源功率的高頻電磁場(chǎng)，使上述的刻蝕氣體的分子或原子發(fā)生電離，從而產(chǎn)生一定濃度的等離子體；然后，再通過偏置功率發(fā)生器106產(chǎn)生一個(gè)偏置功率(BiasPower)，引導(dǎo)上述所形成的等離子體垂直于被刻蝕物體運(yùn)動(dòng)，對(duì)絕緣抗反射層(DARC，DielectricAnti-reflectCoating)進(jìn)行刻蝕，以去除相應(yīng)的絕緣抗反射層，從而形成相應(yīng)的圖形(Pattern)。其中，在上述刻蝕過程中，源功率一般為1100瓦(W)，偏置功率一般為80瓦(W)，所述刻蝕氣體的壓力一般為8毫托(Mtorr)。步驟203，進(jìn)行黏接層去除工藝，即通過等離子體刻蝕去除黏接層。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于絕緣抗反射層與金屬層的粘接力不強(qiáng)，因此一般在絕緣抗反射層與金屬層之間還沉積有一層黏接層，用于粘接絕緣抗反射層與金屬層。該黏接層的主要成分一般為Ti或TiN。在本步驟中，將利用步驟202中所形成的圖形，使用等離子對(duì)該粘接層進(jìn)行相應(yīng)地刻蝕，以暴露出該黏接層之下的金屬鋁層。其中，在上述刻蝕過程中，所使用的刻蝕氣體一般包括氯氣(Cl2)和BCl3等氣體；源功率一般為450500瓦(W)，偏置功率一般為180瓦(W)，所述刻蝕氣體的壓力一般為8毫托(Mtorr)。步驟204，進(jìn)行主蝕刻(ME，MainEtch)工藝。在本步驟中，將利用步驟202中形成的圖形，對(duì)金屬鋁層進(jìn)行相應(yīng)地刻蝕。在進(jìn)行主刻蝕工藝時(shí)，所使用的刻蝕氣體一般包括氯氣(Cl2)和BCl3等氣體。步驟205，進(jìn)行底黏接層去除工藝，即通過等離子體刻蝕去除底黏接層。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于絕緣抗反射層與基底材料的粘接力不強(qiáng)，因此一般在絕緣抗反射層與基底材料之間還沉積有一層底黏接層，用于粘接絕緣抗反射層與基底材料。該底黏接層的主要成分一般為Ti或TiN。在本步驟中，將利用步驟202中所形成的圖形，使用等離子對(duì)該底粘接層進(jìn)行相應(yīng)地刻蝕。步驟206，對(duì)上述底黏接層進(jìn)行過刻蝕工藝。為了防止所需刻蝕的金屬鋁層未被完全刻蝕，在本步驟中，還將進(jìn)行過刻蝕工藝，即在已刻蝕到底黏接層的底部時(shí)，對(duì)該底黏接層之下的氧化層(即基底材料)再進(jìn)行一定的刻蝕，以保證將所需刻蝕的金屬鋁層完全刻蝕干凈。步驟207，釋放電荷工藝。在步驟中，將把所刻蝕的晶圓上的電荷完全釋放，從而使得晶圓可以順利地進(jìn)行下一步的處理。根據(jù)上述的等離子體刻蝕方法可知，在上述步驟202中，所使用的源功率為1100W,偏置功率為80W，所使用的刻蝕氣體為Cl2、Ar和CHF3等氣體；而在上述步驟203中，所使用的源功率為450W，偏置功率為180W，且所使用的刻蝕氣體為Cl2和BCl3等氣體。也就是說，在執(zhí)行完步驟202并準(zhǔn)備執(zhí)行步驟203時(shí)，所述的源功率將從1100W瞬間變化到450W，偏置功率也從80W變化到180W，且所使用的刻蝕氣體也發(fā)生了變化。由于上述的反應(yīng)腔中的環(huán)境條件發(fā)生了極大的變化，使得反應(yīng)腔的腔體本身的構(gòu)件無法進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整(turning)和反饋，因而導(dǎo)致反射功率變大。而當(dāng)反射功率過大時(shí)，反應(yīng)腔腔體上的聚合物將有可能被轟擊并掉落在晶圓上，使得半導(dǎo)體器件上的邏輯電路發(fā)生短路或斷路，從而造成產(chǎn)品報(bào)廢，大大降低了產(chǎn)品的良率。因此，如何盡可能地減小反射功率是半導(dǎo)體制造工藝中必須關(guān)注的問題。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提供一種減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法，該方法能有效地減小等離子體刻蝕中的反射功率，提高產(chǎn)品的良率。根據(jù)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法，對(duì)所需刻蝕的晶圓依次進(jìn)行穩(wěn)定化處理工藝、絕緣抗反射層刻蝕工藝、黏接層去除工藝、主蝕刻工藝、底黏接層去除工藝、過刻蝕工藝和釋放電荷工藝后，完成對(duì)晶圓的金屬層的刻蝕，該方法還包括在所述絕緣抗反射層刻蝕工藝和黏接層去除工藝之間進(jìn)行轉(zhuǎn)變處理工藝；所述轉(zhuǎn)變處理工藝包括將源功率降低到預(yù)先設(shè)置的第一源功率值，并使所述降低后的源功率在預(yù)先設(shè)定的源功率持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持不變，然后再將所述降低后的源功率降低到黏接層去除工藝所需的源功率值。所述預(yù)先設(shè)置的第一源功率值為600900瓦；所述源功率持續(xù)時(shí)間為48秒。在所述轉(zhuǎn)變處理工藝中，所述刻蝕氣體的成分、流量與所述絕緣抗反射層刻蝕工藝中的刻蝕氣體的成分、流量相同。該方法還進(jìn)一步包括在所述的轉(zhuǎn)變處理工藝中，將偏置功率升高到預(yù)先設(shè)置的偏置功率值，并使所述升高后的偏置功率在預(yù)先設(shè)定的偏置功率持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持不變，然后再將所述升高后的偏置功率升高到黏接層去除工藝所需的偏置功率值。所述預(yù)先設(shè)置的偏置功率值為130150W；所述偏置功率持續(xù)時(shí)間為24秒。該方法還進(jìn)一步包括在所述的轉(zhuǎn)變處理工藝中，使刻蝕氣體的氣壓改變?yōu)轭A(yù)設(shè)的氣壓值。所述預(yù)設(shè)的氣壓值為911毫托。該方法還進(jìn)一步包括在所述絕緣抗反射層刻蝕工藝中，使節(jié)流閥在角度持續(xù)時(shí)間內(nèi)與水平面保持預(yù)先設(shè)定的角度。所述預(yù)先設(shè)定的角度為1050度。該方法還進(jìn)一步包括在所述黏接層去除工藝和主蝕刻工藝中，使用預(yù)先設(shè)定的第二源功率值。所述預(yù)先設(shè)定的第二源功率值為480650W。由上可知，本發(fā)明提供了一種減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法，由于在該方法中，在上述絕緣抗反射層刻蝕工藝與黏接層去除工藝之間，增加一個(gè)轉(zhuǎn)變處理工藝，使得源功率可以比較平緩地減小，從而可以大大減小反射功率，提高產(chǎn)品的良率。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種等離子刻蝕裝置的示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體刻蝕方法的流程圖。圖3為本發(fā)明的減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法流程圖。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下舉具體實(shí)施例并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明提供了一種減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法，在該方法中，將對(duì)所需刻蝕的晶圓依次進(jìn)行穩(wěn)定化處理工藝、絕緣抗反射層刻蝕工藝、轉(zhuǎn)變(transition)處理工藝、黏接層去除工藝、主蝕刻工藝、底黏接層去除工藝、過刻蝕工藝和釋放電荷工藝，以完成對(duì)晶圓的金屬層的刻蝕。其中，在所述絕緣抗反射層刻蝕工藝和黏接層去除工藝之間增加了一個(gè)轉(zhuǎn)變處理工藝。在所述轉(zhuǎn)變處理工藝中，首先將源功率降低到預(yù)先設(shè)置的源功率值，并使所述降低后的源功率在預(yù)先設(shè)定的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持不變，然后再將所述降低后的源功率降低到黏接層去除工藝所需的源功率值。由于上述的方法在上述絕緣抗反射層刻蝕工藝與黏接層去除工藝之間增加了一個(gè)轉(zhuǎn)變處理工藝，使得源功率可以比較平緩地從一個(gè)較高的值逐漸減小到一個(gè)較低的值，使得反應(yīng)腔的腔體可逐步適應(yīng)反應(yīng)腔中的環(huán)境條件的變化，并進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整(turning)和反饋，從而可以大大減小反射功率，提高產(chǎn)品的良率。本發(fā)明所提供的方法仍然可采用圖1所示的等離子刻蝕裝置進(jìn)行說明。圖3為本發(fā)明的減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法流程圖。如圖3所示，所述減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法包括如下所述的步驟步驟301，對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行穩(wěn)定化(stable)處理工藝。在本步驟中，在將所需刻蝕的晶圓放置于反應(yīng)腔中并通入相應(yīng)的刻蝕氣體之后，并不馬上開啟上述等離子體刻蝕裝置進(jìn)行刻蝕工藝，而是通過渦輪分子泵使得上述被通入的刻蝕氣體保持(servo)—定的氣壓，從而在反應(yīng)腔內(nèi)形成均勻而穩(wěn)定的刻蝕氣體氛圍，也可以使待處理的晶圓的表面和其周圍的刻蝕氣體進(jìn)行充分而均勻的接觸。該步驟一般持續(xù)30秒鐘。步驟302，對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行絕緣抗反射層刻蝕工藝，即由所述刻蝕氣體產(chǎn)生等離子體，并使用所產(chǎn)生的等離子體對(duì)上述晶圓的絕緣抗反射層進(jìn)行刻蝕。在本步驟中，線圈將產(chǎn)生一個(gè)具有相應(yīng)源功率的高頻電磁場(chǎng)，使上述的刻蝕氣體的分子或原子發(fā)生電離，從而產(chǎn)生一定濃度的等離子體；然后，再通過偏置功率發(fā)生器產(chǎn)生偏置功率，引導(dǎo)上述所形成的等離子體垂直于被刻蝕物體運(yùn)動(dòng)，對(duì)絕緣抗反射層進(jìn)行刻蝕，以去除相應(yīng)的絕緣抗反射層，從而形成相應(yīng)的圖形。其中，在上述絕緣抗反射層刻蝕過程中，源功率一般為1100瓦(W)，偏置功率一般為80瓦(W)，所述刻蝕氣體的壓力一般為8毫托(Mtorr)；所述刻蝕氣體中可以包括氬氣(Ar)、氯氣(Cl2)和CHF3等氣體；所述刻蝕氣體的壓力一般為8毫托(Mtorr)；所述刻蝕氣體的流量分別為Ar的流量為95105標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘(sccm，StandardCubicCentimeterperMinute),Cl2的流量為5565sccm,CHF3的流量為3545sccm。優(yōu)選的，所述Ar的流量為lOOsccm，Cl2的流量為60sccm，CHF3的流量為40sccm。步驟303，對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行轉(zhuǎn)變(transition)處理工藝。在本步驟，將對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行轉(zhuǎn)變處理工藝，以盡可能地減小反射功率。其中，所述轉(zhuǎn)變處理工藝包括將源功率降低到預(yù)先設(shè)置的源功率值，并使所述降低后的源功率在預(yù)先設(shè)定的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持不變，然后再將所述降低后的源功率降低到黏接層去除工藝所需的源功率值。例如，在對(duì)上述晶圓的絕緣抗反射層進(jìn)行刻蝕之后，并不立即通過等離子體刻蝕去除黏接層，而是先將源功率從Iioow降低到預(yù)先設(shè)置的源功率值，并使得上述降低后的源功率在一定的持續(xù)時(shí)間(為了便于區(qū)分，可將該持續(xù)時(shí)間稱為源功率持續(xù)時(shí)間)內(nèi)保持不變；然后再將該降低后的源功率降低到黏接層去除工藝所需的源功率值(例如，450500W)。在本發(fā)明中，所述預(yù)先設(shè)置的源功率值為600900W，所述源功率持續(xù)時(shí)間為48秒(S)。優(yōu)選的，所述預(yù)先設(shè)置的源功率值為750W，所述源功率持續(xù)時(shí)間為5秒。在進(jìn)行上述轉(zhuǎn)變處理工藝后，源功率的瞬間變化幅度將顯著減小，從而使得反應(yīng)腔的腔體可以根據(jù)源功率的變化而進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整(turning)和反饋，因而可有效地減小反射功率，提高產(chǎn)品的良率。另外，在步驟303中的轉(zhuǎn)變處理工藝中，所述刻蝕氣體的成分、流量與步驟302中的絕緣抗反射層刻蝕工藝中的刻蝕氣體的成分、流量相同，并未發(fā)生改變。步驟304，對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行黏接層去除工藝，即通過等離子體刻蝕去除黏接層。在本步驟中，將利用步驟302中所形成的圖形，使用等離子對(duì)上述晶圓上的粘接層進(jìn)行相應(yīng)地刻蝕，以暴露出該黏接層之下的金屬鋁層。所述黏接層的主要成分一般為Ti或TiN。其中，在上述刻蝕過程中，所使用的刻蝕氣體一般包括Cl2和BCl3等氣體；源功率一般為450500W，偏置功率一般為180W，所述刻蝕氣體的壓力一般為SMtorr；所述刻蝕氣體的流量分別為Cl2的流量為75Skccm，BCl3的流量為758kccm。優(yōu)選的，所述Cl2的流量為80sccm，BCl3的流量為80sccm。步驟305，對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行主蝕刻工藝。在本步驟中，將利用步驟302中形成的圖形，對(duì)所述晶圓上的金屬鋁層進(jìn)行相應(yīng)地主刻蝕工藝。在進(jìn)行主刻蝕工藝時(shí)，所使用的刻蝕氣體一般包括CljPBCl3等氣體；源功率一般為450500W，偏置功率一般為120W，所述刻蝕氣體的壓力一般為IOMtorr；所述刻蝕氣體的流量分別為Cl2的流量為11512Mccm，BCl3的流量為75CN102024669A說明書6/7頁(yè)8kccm。優(yōu)選的，所述Cl2的流量為120sccm，BCl3的流量為80sccm。步驟306，對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行底黏接層去除工藝，即通過等離子體刻蝕去除底黏接層。在本步驟中，將利用步驟302中所形成的圖形，使用等離子對(duì)底粘接層進(jìn)行相應(yīng)地刻蝕。該底黏接層的主要成分一般為Ti或TiN。其中，所使用的刻蝕氣體一般包括Cl2和BCl3等氣體；源功率一般為450500W,偏置功率一般為120W，所述刻蝕氣體的壓力一般為SMtorr;所述刻蝕氣體的流量分別為Cl2的流量為105115sccm，BCl3的流量為8595sccm。優(yōu)選的，所述Cl2的流量為llOsccm，BCl3的流量為90sccm。步驟307，對(duì)所需刻蝕的晶圓的底黏接層進(jìn)行過刻蝕工藝。為了防止所需刻蝕的金屬鋁層未被完全刻蝕，在本步驟中，還將對(duì)上述晶圓的底黏接層進(jìn)行過刻蝕工藝，即在已刻蝕到底黏接層的底部時(shí)，對(duì)該底黏接層之下的氧化層(即基底材料)再進(jìn)行一定的刻蝕，以保證將所需刻蝕的金屬鋁層完全刻蝕干凈。步驟308，對(duì)所需刻蝕的晶圓進(jìn)行釋放電荷工藝。在步驟中，將把上述晶圓上的電荷完全釋放掉，從而使得晶圓可以順利地進(jìn)行下一步的處理。此外，為了進(jìn)一步地減小反射功率，在上述減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法中還可以進(jìn)一步包括如下所述的一個(gè)或多個(gè)步驟1)在上述的轉(zhuǎn)變處理工藝中，將偏置功率升高到預(yù)先設(shè)置的偏置功率值，并使所述升高后的偏置功率在預(yù)先設(shè)定的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持不變，然后再將所述升高后的偏置功率降低到黏接層去除工藝所需的偏置功率值。例如，可先將偏置功率從80W升高到預(yù)先設(shè)置的偏置功率值，并使得上述升高后的偏置功率在預(yù)先設(shè)定的持續(xù)時(shí)間(為了便于區(qū)分，可將該持續(xù)時(shí)間稱為偏置功率持續(xù)時(shí)間)內(nèi)保持不變；然后再將該升高后的偏置功率升高至黏接層去除工藝所需的偏置功率值180W。所述預(yù)先設(shè)置的偏置功率值為130150W，所述偏置功率持續(xù)時(shí)間為秒24秒。優(yōu)選的，所述預(yù)先設(shè)置的偏置功率值為140W，所述偏置功率持續(xù)時(shí)間為2秒。2)在上述的轉(zhuǎn)變處理工藝中，改變刻蝕氣體的氣壓。即在上述的轉(zhuǎn)變處理工藝中，對(duì)氣體壓力進(jìn)行改變，使刻蝕氣體的氣壓改變?yōu)轭A(yù)設(shè)的氣壓值，以減小反射功率。例如，可通過渦輪分子泵使得上述刻蝕氣體的氣壓由原來的SMtorr改變?yōu)轭A(yù)設(shè)的氣壓值，并在該步驟結(jié)束時(shí)，再將上述刻蝕氣體的氣壓改變成原來的SMtorr。所述預(yù)設(shè)的氣壓值可以為9IlMtorr；優(yōu)選地，所述的預(yù)設(shè)的氣壓值為lOMtorr。由于在相同的氣體環(huán)境中，氣壓越高，越容易被伺服(servo)，即越容易保持該氣壓不變，且氣壓越高，等離子體也越容易被電離化，從而也可有效地減小反射功率。幻在上述的絕緣抗反射層刻蝕工藝中，控制節(jié)流閥的角度。即在上述的絕緣抗反射層刻蝕工藝中(即上述步驟302中)，對(duì)相應(yīng)伺服Mervo)壓力的節(jié)流閥的角度進(jìn)行控制，使得在通入刻蝕氣體時(shí)，該節(jié)流閥在一定的持續(xù)時(shí)間(為了便于區(qū)分，可將該持續(xù)時(shí)間稱為角度持續(xù)時(shí)間)內(nèi)與水平面保持預(yù)先設(shè)定的角度，8從而可更快地增大所通入的刻蝕氣體的氣壓，使得刻蝕氣體可以更快地進(jìn)入氣壓穩(wěn)定的狀態(tài)，進(jìn)而可減小反射功率。所述預(yù)先設(shè)定的角度為1050度，所述角度持續(xù)時(shí)間為秒14秒。優(yōu)選的，所述預(yù)先設(shè)置的偏置功率值為25或沈度，所述角度持續(xù)時(shí)間為3秒。4)在上述的黏接層去除工藝和主蝕刻工藝中，使用預(yù)先設(shè)定的源功率值。根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果得知，在偏置功率一定的情況下，如果源功率越大，則相應(yīng)的反射功率就會(huì)越小。但是，如果僅增大源功率，則最終所形成的鋁線的關(guān)鍵尺寸、外形和輪廓將會(huì)發(fā)生變化，從而對(duì)產(chǎn)品的穩(wěn)定性造成較大的影響。因此，在保證關(guān)鍵尺寸、外形和輪廓的前提下，為了適當(dāng)?shù)臏p少反射功率，可在上述的黏接層去除工藝和主蝕刻工藝中，使用預(yù)先設(shè)定的源功率值，即改變上述的步驟304和步驟305中的源功率的大小。在本發(fā)明的技術(shù)方案中，上述預(yù)先設(shè)定的源功率值為480650W。優(yōu)選的，預(yù)先設(shè)定的源功率值為500W，此時(shí)可以在鋁線的尺寸、外形和輪廓均不受影響的情況下，最大程度地減小反射功率。此外，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，可在圖3所示的流程中增加上述4種步驟中的任意一種或多種步驟，本發(fā)明對(duì)此不做限定。通過上述的介紹可知，在本發(fā)明所提供的上述減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法中，由于在絕緣抗反射層刻蝕工藝與黏接層去除工藝之間增加了轉(zhuǎn)變處理工藝，使得源功率可以比較平緩地從一個(gè)較高的值逐漸減小到一個(gè)較低的值，瞬間的變化值不至于太大，使得反應(yīng)腔的腔體可逐步適應(yīng)反應(yīng)腔中的環(huán)境條件的變化，并進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整(turning)和反饋，從而有效地減小了反射功率，提高了產(chǎn)品的良率；此外，還可在上述的減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法中增加其它的減小反射功率的步驟，從而進(jìn)一步地減小發(fā)射功率，提高產(chǎn)品的良率。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法，對(duì)所需刻蝕的晶圓依次進(jìn)行穩(wěn)定化處理工藝、絕緣抗反射層刻蝕工藝、黏接層去除工藝、主蝕刻工藝、底黏接層去除工藝、過刻蝕工藝和釋放電荷工藝后，完成對(duì)晶圓的金屬層的刻蝕，其特征在于，該方法還包括在所述絕緣抗反射層刻蝕工藝和黏接層去除工藝之間進(jìn)行轉(zhuǎn)變處理工藝；所述轉(zhuǎn)變處理工藝包括將源功率降低到預(yù)先設(shè)置的第一源功率值，并使所述降低后的源功率在預(yù)先設(shè)定的源功率持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持不變，然后再將所述降低后的源功率降低到黏接層去除工藝所需的源功率值。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述預(yù)先設(shè)置的第一源功率值為600900瓦；所述源功率持續(xù)時(shí)間為48秒。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在所述轉(zhuǎn)變處理工藝中，所述刻蝕氣體的成分、流量與所述絕緣抗反射層刻蝕工藝中的刻蝕氣體的成分、流量相同。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還進(jìn)一步包括在所述的轉(zhuǎn)變處理工藝中，將偏置功率升高到預(yù)先設(shè)置的偏置功率值，并使所述升高后的偏置功率在預(yù)先設(shè)定的偏置功率持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持不變，然后再將所述升高后的偏置功率升高到黏接層去除工藝所需的偏置功率值。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述預(yù)先設(shè)置的偏置功率值為130150W；所述偏置功率持續(xù)時(shí)間為24秒。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還進(jìn)一步包括在所述的轉(zhuǎn)變處理工藝中，使刻蝕氣體的氣壓改變?yōu)轭A(yù)設(shè)的氣壓值。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的氣壓值為911毫托。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還進(jìn)一步包括在所述絕緣抗反射層刻蝕工藝中，使節(jié)流閥在角度持續(xù)時(shí)間內(nèi)與水平面保持預(yù)先設(shè)定的角度。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述預(yù)先設(shè)定的角度為1050度。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還進(jìn)一步包括在所述黏接層去除工藝和主蝕刻工藝中，使用預(yù)先設(shè)定的第二源功率值。11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述預(yù)先設(shè)定的第二源功率值為480650W。全文摘要本發(fā)明公開了一種減小等離子體刻蝕中的反射功率的方法，對(duì)所需刻蝕的晶圓依次進(jìn)行穩(wěn)定化處理工藝、絕緣抗反射層刻蝕工藝、黏接層去除工藝、主蝕刻工藝、底黏接層去除工藝、過刻蝕工藝和釋放電荷工藝后，完成對(duì)晶圓的金屬層的刻蝕，其特征在于，該方法還包括在所述絕緣抗反射層刻蝕工藝和黏接層去除工藝之間進(jìn)行轉(zhuǎn)變處理工藝。通過使用本發(fā)明所提供的方法，可有效地減小反射功率，提高產(chǎn)品的良率。文檔編號(hào)H01L21/00GK102024669SQ200910195409公開日2011年4月20日申請(qǐng)日期2009年9月9日優(yōu)先權(quán)日2009年9月9日發(fā)明者孫長(zhǎng)勇,張松山申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司