專利名稱：一種互疊的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件封裝中的封裝結(jié)構(gòu)及制造方法。更具體地講，本發(fā)明涉及 一種QFN(方形扁平無引腳)互疊的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
方形扁平無引腳(QFN，Quad Flat Non-lead)封裝作為一種常用的封裝形式，具有 尺寸小、厚度薄、散熱性能好等優(yōu)點(diǎn)，因此，目前在低引腳封裝形式中占有極其重要的地位。圖1示出了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的QFN封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，根據(jù)傳統(tǒng)技 術(shù)的QFN封裝件1包括引線框架10、芯片15、引線16和包封料17。具體地講，引線框架10 包括外部引腳11，用來實(shí)現(xiàn)與諸如PCB基板的外部互連；內(nèi)部引腳12，用來實(shí)現(xiàn)與芯片焊 盤之間的內(nèi)部互連；芯片座13，用來放置芯片15，同時能提供更好的散熱作用。在芯片15 與芯片座13之間還可以設(shè)置有粘附層14，用來使芯片15粘附于芯片座13上。粘附層14 通常由環(huán)氧樹脂等材料制成。引線16用來使芯片焊盤與引線框架互連，一般由金(Au)等 具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬或合金制成。包封料17用來保護(hù)整個封裝件。通常，QFN封裝件的制造方法包括以下步驟在引線框架10的芯片座13上涂敷環(huán) 氧樹脂形成粘附層14 ；接著，使粘附層14固化，在粘附層14上放置芯片15，使芯片15粘附 在引線框架10上；然后，通過引線焊接工藝，在芯片15的焊盤18上進(jìn)行球焊，并在引線框 架10的內(nèi)部引腳12上進(jìn)行鍥焊，從而實(shí)現(xiàn)芯片15與引線框架10之間的互連；最后，用包 封料17包封整個封裝件，并進(jìn)行切割，最終得到如圖1所示的QFN封裝件1。對于QFN封裝而言，其封裝件的厚度比較小，一般在0.5mm 0.6mm之間。目前 封裝發(fā)展的一個趨勢為越來越多的多功能封裝結(jié)構(gòu)，包括堆疊的BGA(球柵陣列封裝)、 MCP(多芯片封裝)等。然而，對于QFN封裝來說，由于整個封裝件的厚度很薄，因此，要實(shí)現(xiàn) 封裝內(nèi)部的疊置芯片形式的封裝比較困難。由美國專利局于2005年5月19日公開的US2005/0104194A1號美國專利申請公 開了一種疊置QFN封裝件的方法。圖2示出了使用該方法得到的堆疊式QFN封裝結(jié)構(gòu)的示 意圖。如圖2所示，堆疊式QFN封裝結(jié)構(gòu)2包括第一 QFN封裝件Ia和第二 QFN封裝件lb。 第一 QFN封裝件Ia包括第一引線框架10a、置于引線框架的芯片座上的第一芯片15a、使芯 片15a與第一引線框架IOa互連的第一引線16a、包封該QFN封裝件的第一包封料17a和 第一散熱片(未標(biāo)出)。與第一 QFN封裝件Ia的結(jié)構(gòu)相似，第二 QFN封裝件Ib包括第二 引線框架10b、第二芯片15b、第二引線16b、第二包封料17b和第二散熱片(未標(biāo)出)。第 一 QFN封裝件Ia的第一引線框架IOa與第二 QFN封裝件Ib的第二引線框架IOb通過第二 QFN封裝件Ib的導(dǎo)電連接柱20b電連接。在該堆疊式QFN封裝結(jié)構(gòu)中，散熱器附于封裝體 外部，兩個QFN封裝件通過引線和散熱片而堆疊在一起。由圖2可以看出，在現(xiàn)有技術(shù)中，在完成芯片的堆疊之后，需要附著散熱器。因此， 根據(jù)圖2的堆疊式QFN封裝結(jié)構(gòu)存在一些不足之處，例如引線框架的制備工藝比較復(fù)雜，因 封裝件互疊后存在接觸不良而導(dǎo)致電性能不好，接觸點(diǎn)可靠性比較薄弱等缺點(diǎn)。
因此，到目前為止，還沒有一種有效的堆疊QFN封裝件的方法。本發(fā)明致力于提供 一種制備工藝簡單且能夠確保優(yōu)良導(dǎo)電性能的堆疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)及制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有效的堆疊封裝件的方法，從而簡化制造工藝，并且 能夠確保堆疊后的封裝結(jié)構(gòu)具有較薄的厚度、優(yōu)異的導(dǎo)電性能、優(yōu)良的散熱性和優(yōu)異的可靠度等。本發(fā)明提供了一種互疊的封裝結(jié)構(gòu)，所述互疊的封裝結(jié)構(gòu)包括多個封裝件，每個 封裝件包括芯片、引線框架、引線和包封料，其中，除頂部封裝件之外，其他封裝件的側(cè)面上 設(shè)置有導(dǎo)線層并且上表面上設(shè)置有連接凸起，各封裝件通過其下方封裝件的連接凸起和導(dǎo) 線層彼此電連接。本發(fā)明還提供了一種制造上述互疊的封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括如下步驟提供封裝 單元，其中，在所述封裝單元的與外部引腳對應(yīng)的位置預(yù)留有孔；通過注入或印刷方法將導(dǎo) 電材料填充到所述孔中，以形成導(dǎo)電柱；將所述封裝單元劃分成多個第一封裝件，以將導(dǎo)電 柱的一半分別保留在相鄰封裝件的側(cè)面，從而在多個第一封裝件的側(cè)面形成導(dǎo)線層；通過 電鍍或化學(xué)沉積方法，在所述多個第一封裝件的上表面的與導(dǎo)線層對應(yīng)的位置上設(shè)置連接 凸起；將所述多個第一封裝件通過連接凸起與導(dǎo)線層與第二封裝件進(jìn)行互連，同時在堆疊 的各封裝件之間的間隙中填充緩沖材料，從而得到互疊的封裝結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，所述提供封裝單元的步驟包括在利用塑封模具對所述封裝單元進(jìn) 行塑封時，在塑封模具的與引線框架的外部引腳對應(yīng)的位置設(shè)置柱狀凸起；去除塑封模具， 從而在塑封后的封裝單元的與外部引腳對應(yīng)的位置預(yù)留出孔。根據(jù)本發(fā)明，多個第一封裝件與第二封裝件的互連是通過熱壓焊或回流焊實(shí)現(xiàn) 的。在本發(fā)明中，導(dǎo)線層由鎢或焊料形成，連接凸起由金或焊膏形成，緩沖材料為非導(dǎo) 電膠。在本發(fā)明中，互疊的封裝結(jié)構(gòu)為互疊的方形扁平無引腳封裝件的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的互疊的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，可以通過封裝件側(cè)面的導(dǎo)線層和 上表面的連接凸起容易地實(shí)現(xiàn)兩個或多個封裝件的互疊，從而實(shí)現(xiàn)QFN封裝的多功能化， 同時確?；クB后的封裝結(jié)構(gòu)保持較薄的厚度、優(yōu)異的電性能、優(yōu)良的散熱性、優(yōu)異的可靠度寸。


通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的描述，本發(fā)明的上述和其他目的和特點(diǎn)將會變得更加清 楚，其中圖1示出了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的QFN封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的堆疊式QFN封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4A至圖4H示出了制造圖3示出的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)的方法的示意圖。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在附圖中，相同的標(biāo)號始終表 示相同的元件。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)該理解的是，盡管在這里使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、 層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分并不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語 僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū) 分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部 分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。本發(fā)明提供了一種互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。參照圖3，互 疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)包括第一 QFN封裝件(亦可稱作底部QFN封裝件)100和第二 QFN封裝 件(亦可稱作頂部QFN封裝件)200。除了第一 QFN封裝件100的側(cè)面包括導(dǎo)線層111之 外，第一 QFN封裝件100和第二 QFN封裝件200的具體結(jié)構(gòu)與根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的單個QFN封 裝件(見圖1)的結(jié)構(gòu)基本相同。具體地講，根據(jù)本發(fā)明的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)的第一 QFN封裝件100包括第一 引線框架110，包括用來實(shí)現(xiàn)與諸如PCB基板的外部組件互連的第一外部引腳、用來實(shí)現(xiàn) 與芯片焊盤之間的內(nèi)部互連的第一內(nèi)部引腳和提供良好散熱效果的第一芯片座；第一芯片 105，通過附于第一芯片座上的第一粘附層設(shè)置在第一芯片座上；第二引線，用來使芯片焊 盤與引線框架互連，一般由金(Au)等具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬或合金制成；第一包封料，用 來保護(hù)整個封裝件。與第一 QFN封裝件100的結(jié)構(gòu)相似，第二 QFN封裝件200包括第二引 線框架201、第二芯片205、第二引線和第二包封料。在根據(jù)本發(fā)明的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)中，第一 QFN封裝件100的位于引線框架110 上的側(cè)面還設(shè)置有用于使各封裝件互連的導(dǎo)線層111，也就是說，在包封料107的外側(cè)設(shè)置 有導(dǎo)線層111。導(dǎo)線層111可以由鎢(W)、焊料等易于填入的導(dǎo)電金屬或?qū)щ娔z等形成。此 外，在第一 QFN封裝件100的上表面的與導(dǎo)線層111對應(yīng)的位置處還設(shè)置有連接凸起112。 連接凸起112可以由金或本領(lǐng)域常用的焊膏等材料形成。因此，第二 QFN封裝件200的引 線框架210可以通過位于第一 QFN封裝件100的側(cè)面上的導(dǎo)線層111和上表面上的連接凸 起112與第二 QFN封裝件200的引線框架210彼此電連接，從而可以確保互疊后的封裝單元 之間具有更可靠的互連作用和最小的接觸電阻，從而保證了互疊后封裝體更好的電性能。此外，根據(jù)本發(fā)明，在互相疊置的第一 QFN封裝件100和第二 QFN封裝件200之間 的間隙中填充有緩沖材料，以形成填充層113。具體地講，填充層113位于第一 QFN封裝件 100的上表面IOOc的除設(shè)置有連接凸起112之外的部分上，用來提高兩個QFN封裝件的連 接可靠度。應(yīng)該理解的是，雖然在圖3中僅僅示出了堆疊在一起的兩個QFN封裝件，但是根據(jù) 本發(fā)明的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)可以包括順序堆疊的兩個以上的QFN封裝件。具體地講，根據(jù) 本發(fā)明的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)可以包括三個或更多的QFN封裝件，S卩，還可以在如圖3所示 的兩個QFN封裝件之間設(shè)置結(jié)構(gòu)與第一 QFN封裝件的結(jié)構(gòu)相同的一個以上的QFN封裝件。 在這種情況下，多個QFN封裝件通過設(shè)置在下封裝件的側(cè)面上的導(dǎo)線層和上表面上的連接凸起逐個與頂部QFN封裝件互連。因此，根據(jù)本發(fā)明的互疊的QFN封裝結(jié)構(gòu)可以比較容易地實(shí)現(xiàn)兩個或更多個QFN 封裝件的疊置，從而實(shí)現(xiàn)QFN封裝件的多功能化，同時確?；クB后的封裝較薄的厚度、優(yōu)異 的電性能、優(yōu)異的可靠度。由于互疊后的封裝體保留了外部引腳的外露，同時在封裝體側(cè)面 提供了導(dǎo)線層，從而確保了互疊封裝體優(yōu)良的散熱性能。下面，將參照圖4A至圖4H來描述根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的制造圖3所示的互疊 的QFN封裝結(jié)構(gòu)的方法的示意圖。首先，準(zhǔn)備包括多個封裝件的封裝單元，例如，準(zhǔn)備包括多個第一 QFN封裝件100 的封裝單元，如圖4A所示。在這里，需要指出的是，將要堆疊的多個QFN封裝件的制造方法 可以按照傳統(tǒng)技術(shù)的方法來制備。封裝單元中的每個封裝件，例如第一封裝件100，包括引 線框架110、芯片105和引線106。接著，用包封料107包封封裝單元，利用塑封模具對封裝 單元中的各封裝件進(jìn)行塑封，同時在塑封模具的與外部引腳(未示出)對應(yīng)的位置設(shè)置柱 狀突起120'，如圖4B所示。然后，去除塑封模具，從而在塑封后的封裝件的與外部引腳110 對應(yīng)的位置預(yù)留出孔120，如圖4C所示。接著，參照圖4D，在塑封完成后，在孔120內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電柱121。在本 發(fā)明中，可以通過注入、印刷等方法將導(dǎo)電材料填充在孔120內(nèi)。導(dǎo)電材料包括鎢(W)、焊料 等易于填入的導(dǎo)電金屬或?qū)щ娔z等。然后，將封裝單元劃分成多個單個的封裝件，如圖4E所示。當(dāng)對封裝單元進(jìn)行分 割以執(zhí)行劃分工藝時，導(dǎo)電柱會被進(jìn)行劃分，并在相鄰的封裝件側(cè)面保留一半以形成導(dǎo)線 層，從而得到側(cè)面具有導(dǎo)線層111的多個封裝件，如圖4F中所示的第一封裝件100。接下來，參照圖4G，在第一 QFN封裝件100的上表面的與導(dǎo)線層111對應(yīng)的位置上 設(shè)置連接凸起112。通過電鍍或化學(xué)沉積工藝由金或本領(lǐng)域常用的焊膏等材料形成連接凸 起112，用于實(shí)現(xiàn)上下封裝件之間的接觸互連。然后，如圖4H所示，通過回流焊、熱壓焊等方式使第一 QFN封裝件100和第二 QFN 封裝件200通過側(cè)面的導(dǎo)線層111和連接凸起112實(shí)現(xiàn)互連。最后，在互疊的兩個封裝件100和200之間的間隙113'中填充緩沖材料，以確保 更好的連接可靠度，從而完成QFN封裝件的互疊，得到互疊的QFN封裝件，如圖3所示。可 以采用非導(dǎo)電膠、非導(dǎo)電膜等作為緩沖材料(如Hitachi UF-536非導(dǎo)電膠體)。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，參照上面描述的步驟，可以實(shí)現(xiàn)3層或更多 的QFN封裝件互連。本實(shí)施例的效果在于通過QFN封裝體側(cè)面的連接導(dǎo)線以及上表面的接觸凸起，可 以較容易的實(shí)現(xiàn)兩層或更多層的QFN封裝件互疊，從而實(shí)現(xiàn)QFN封裝的多功能化，同時確保 互疊后的封裝結(jié)構(gòu)保持較薄的厚度、優(yōu)異的電性能、優(yōu)良的散熱性、優(yōu)異的可靠度等。應(yīng)該理解的是，雖然在本發(fā)明中描述的是互疊的QFN封裝件，但是本發(fā)明的構(gòu)思 可以應(yīng)用于其它封裝件的互疊，例如球柵陣列(BGA)封裝件、倒裝芯片(FC)封裝件等封裝 件。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。參照圖5，互 疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)包括第一 BGA封裝件(亦可稱作底部BGA封裝件)300和第二 BGA封裝 件(亦可稱作頂部BGA封裝件)400。該實(shí)施例中的兩個BGA封裝件的互疊結(jié)構(gòu)與前面所描述的QFN封裝件的互疊結(jié)構(gòu)(參照圖3)相似。具體地講，除了第一 BGA封裝件300的側(cè)面 包括導(dǎo)線層311之外，第一 BGA封裝件300和第二 BGA封裝件400的具體結(jié)構(gòu)與根據(jù)傳統(tǒng) 技術(shù)的單個BGA封裝件的結(jié)構(gòu)基本相同。具體地講，根據(jù)本發(fā)明的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)的第一 BGA封裝件300包括基底 310 ；第一引線框架，包括外部引腳301和內(nèi)部引腳(未示出)，外部引腳301通過連接焊盤 302與基底310電連接，用來實(shí)現(xiàn)與諸如PCB基板的外部組件的互連，內(nèi)部引腳用來實(shí)現(xiàn)與 芯片焊盤之間的互連；第一芯片305，通過附于基底310上的第一粘附層(未標(biāo)出)置于基 底上；引線306，使芯片305與連接焊盤(未示出)相連；第一包封料307，用來保護(hù)整個封 裝件。與第一 BGA封裝件300的結(jié)構(gòu)相似，第二 BGA封裝件400包括基底410、第二引線框 架、第二芯片405、引線和第二包封料。在根據(jù)本發(fā)明的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)中，第一 BGA封裝件300的位于包括引線框 架的基底310上的側(cè)面還設(shè)置有用于使各封裝件互連的導(dǎo)線層311，也就是說，在第一包封 料307的外側(cè)設(shè)置有導(dǎo)線層311。導(dǎo)線層311可以由鎢(W)、焊料等易于填入的導(dǎo)電金屬或 導(dǎo)電膠等形成。此外，在第一 BGA封裝件300的上表面的與導(dǎo)線層311對應(yīng)的位置處還設(shè) 置有連接凸起312。連接凸起312可以由金或本領(lǐng)域常用的焊膏等材料形成。因此，第二 BGA封裝件400的引線框架(未示出)可以通過位于第一 BGA封裝件300的側(cè)面上的導(dǎo)線 層311和上表面上的連接凸起312與第二 BGA封裝件400的引線框架410彼此電連接，從 而可以確?；クB后的封裝單元之間具有更可靠的互連作用和最小的接觸電阻，從而保證了 互疊后封裝體更好的電性能。此外，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，在互相疊置的第一 BGA封裝件300和第二 BGA封 裝件400之間的間隙中填充有緩沖材料，以形成填充層313。具體地講，填充層313位于第 一 BGA封裝件的上表面的除設(shè)置有連接凸起312之外的部分上，用來提高兩個BGA封裝件 的連接可靠度。應(yīng)該理解的是，雖然在圖5中僅僅示出了堆疊在一起的兩個BGA封裝件，但是根據(jù) 本發(fā)明的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)可以包括順序堆疊的兩個以上的BGA封裝件。具體地講，根據(jù) 本發(fā)明的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)可以包括三個或更多的BGA封裝件，S卩，還可以在如圖5所示 的兩個BGA封裝件之間設(shè)置結(jié)構(gòu)與第一 BGA封裝件的結(jié)構(gòu)相同的一個以上的BGA封裝件。 在這種情況下，多個BGA封裝件通過設(shè)置在下封裝件的側(cè)面上的導(dǎo)線層和上表面上的連接 凸起逐個與頂部BGA封裝件互連。本實(shí)施例的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)的制造方法與上文描述的互疊的BGA封裝結(jié)構(gòu)的 制造方法相似，因此，在此不再進(jìn)行贅述。因此，本發(fā)明的效果在于通過單個封裝體(如、QFN封裝件、BGA封裝件等)側(cè)面的 連接導(dǎo)線以及上表面的接觸凸起，可以較容易的實(shí)現(xiàn)兩層或更多層的封裝件互疊，從而實(shí) 現(xiàn)各封裝結(jié)構(gòu)互疊的多功能化，同時確?；クB后的封裝結(jié)構(gòu)保持較薄的厚度、優(yōu)異的電性 能、優(yōu)良的散熱性、優(yōu)異的可靠度等。然而，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn) 行各種變形和修改。
權(quán)利要求
1.一種互疊的封裝結(jié)構(gòu)，所述互疊的封裝結(jié)構(gòu)包括多個封裝件，其中，每個封裝件包括 芯片、引線框架、引線和包封料，其特征在于除頂部封裝件之外，其他封裝件的側(cè)面上設(shè)置 有導(dǎo)線層并且上表面上設(shè)置有連接凸起，各封裝件通過其下方封裝件的連接凸起和導(dǎo)線層 彼此電連接。\
2.如權(quán)利要求1所述的互疊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連接凸起與所述導(dǎo)線層的位 置相對應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的互疊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)線層由鎢或焊料形成。
4.如權(quán)利要求1所述的互疊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連接凸起由金或焊膏形成。
5.如權(quán)利要求1所述的互疊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多個封裝件中的相鄰封裝件 的間隙之間填充有緩沖材料。
6.如權(quán)利要求5所述的互疊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述緩沖材料為非導(dǎo)電膠。
7.如權(quán)利要求1所述的互疊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多個封裝件中的每個為方形 扁平無引腳封裝件或球柵陣列封裝件。
8.一種互疊的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟提供封裝單元，其中，在所述封裝單元的與外部引腳對應(yīng)的位置預(yù)留有孔；將導(dǎo)電材料填充到所述孔中，以形成導(dǎo)電柱；將所述封裝單元劃分成多個第一封裝件，以將導(dǎo)電柱的一半分別保留在相鄰封裝件的 側(cè)面，從而在多個第一封裝件的側(cè)面形成導(dǎo)線層；在所述多個第一封裝件的上表面的與導(dǎo)線層對應(yīng)的位置上設(shè)置連接凸起；將所述多個第一封裝件通過連接凸起與導(dǎo)線層與第二封裝件進(jìn)行互連，同時在堆疊的 各封裝件之間的間隙中填充緩沖材料，從而得到互疊的封裝結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述提供封裝單元的步驟包括在利用塑封模具對所述封裝單元進(jìn)行塑封時，在塑封模具的與引線框架的外部引腳對 應(yīng)的位置設(shè)置柱狀突起；去除塑封模具，從而在塑封后的封裝單元的與外部引腳對應(yīng)的位置預(yù)留出孔。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述將導(dǎo)電材料填充到所述孔中的步 驟是通過注入或印刷方法實(shí)現(xiàn)的。
11.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述設(shè)置連接凸起的步驟是通過電鍍 或化學(xué)沉積方法實(shí)現(xiàn)的。
12.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述導(dǎo)電材料為鎢或焊料。
13.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述連接凸起由金或焊膏形成。
14.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于多個第一封裝件與第二封裝件的互連 是通過熱壓焊或回流焊實(shí)現(xiàn)的。
15.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述緩沖材料為非導(dǎo)電膠。
16.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述多個第一封裝件均為方形扁平無 弓I腳封裝件或球柵陣列封裝件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種互疊的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。該互疊的封裝結(jié)構(gòu)包括多個封裝件，每個封裝件包括芯片、引線框架、引線和包封料，其中，除頂部封裝件之外，其他封裝件的側(cè)面上設(shè)置有導(dǎo)線層并且上表面上設(shè)置有連接凸起，各封裝件通過其下方封裝件的連接凸起和導(dǎo)線層彼此電連接。根據(jù)本發(fā)明，可以容易地實(shí)現(xiàn)兩個或兩個以上的封裝件的互疊，從而實(shí)現(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的多功能化，同時確?；クB后的封裝結(jié)構(gòu)具有較薄的厚度、優(yōu)異的電性能、優(yōu)良的散熱性和優(yōu)異的可靠度等。
文檔編號H01L23/52GK102044527SQ20091017921
公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月10日
發(fā)明者汪民 申請人:三星半導(dǎo)體(中國)研究開發(fā)有限公司, 三星電子株式會社