專利名稱：：硅氧積層基板及其制法、硅氧樹(shù)脂組成物以及l(fā)ed裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種硅氧積層基板、此硅氧積層基板的制法、石圭氧積層基板制造用硅氧樹(shù)脂組成物以及發(fā)光二極管(LightEmittingDiode，LED)裝置。硅氧積層基板例如可以舉出LED裝置用硅氧積層基板、電氣電子零件等的封裝用硅氧積層基板。
背景技術(shù)：
：LED的封裝基板或者電氣電子零件等的封裝基板大多是利用使環(huán)氧樹(shù)脂含浸在玻璃中的基板，但是，尚留有無(wú)鉛問(wèn)題、以及由于零件的發(fā)熱或光的影響而導(dǎo)致基板劣化的問(wèn)題作為需解決的課題。而且，對(duì)于要求耐熱性的LED的封裝基板，一直是使用氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷，但是價(jià)格昂貴且難以制成大型的基板。因此，一直在研究將耐候性、耐熱性等特性優(yōu)異且被用于各種用途的硅氧積層基板也用作LCD的封裝基板或者電氣電子零件等的封裝基板。但是，以前的硅氧積層基板是使用縮合清漆或者加成清漆來(lái)制造的，因此制法繁瑣復(fù)雜，并且由于將銅箔等貼附在表面上而存在粘著力弱的問(wèn)題。而且，當(dāng)用作LED的封裝基板或者電氣電子零件等的封裝基板時(shí)，要求硅氧積層基板具有優(yōu)異的耐龜裂性或耐沖擊性。另外，對(duì)于制造硅氧積層基板時(shí)所使用的硅氧樹(shù)脂組成物，要求其能夠利用以前的成型裝置來(lái)固化，期望其在室溫下為固體狀或者半固體狀。另外，與本發(fā)明相關(guān)的先行技術(shù)例如可以舉出下述專利文獻(xiàn)所記載的技術(shù)。專利文獻(xiàn)l:US2007/0013049Al專利文獻(xiàn)2:JP2000-265073A一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用加成固化型的硅氧清漆積層基板組成物時(shí)，通常是利用預(yù)固化(precure)使此組成物成為B階(Bstage)狀態(tài)后，利用熱壓機(jī)來(lái)制成積層基板，但存在步驟繁瑣復(fù)雜、且無(wú)法獲得充分的強(qiáng)度或加工性的缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種機(jī)械特性、可撓性、加工性優(yōu)異且表面粘性小而操作容易的LED裝置用硅氧積層基板等的硅氧積層基板，此硅氧積層基板的制法，硅氧積層基板制造用硅氧樹(shù)脂組成物以及LED裝置。本發(fā)明人為了解決所述課題而進(jìn)行了努力研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，利用下述的包括LED裝置用硅氧積層基板的硅氧積層基板、此硅氧積層基板的制法、硅氧積層基板制造用硅氧樹(shù)脂組成物以及LED裝置可以解決所述課題，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的第一發(fā)明提供了一種^f圭氧積層基板，其是具有玻璃布、以及填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧樹(shù)脂組成物的固化物而成，并且所述硅氧樹(shù)脂組成物包括下述成分(A)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)聚硅氧烷，其包含R'Si0i.5單元、R22SiO單元以及R3aR4bSiO(4—a-w/2單元(其中，R1、112以及113獨(dú)立表示羥基、曱基、乙基、丙基、環(huán)己基或者苯基，R'獨(dú)立表示乙烯基或者烯丙基，a為0、l或者2，b為l或者2,且a+b為2或者3),且包含所述R22SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)-50個(gè)的結(jié)構(gòu)；(B)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)氬化聚硅氧烷，其包含R'SiO"單元、R、SiO單元以及R3jLSi0(4—?！?2單元(其中，R1、R2以及R3獨(dú)立地如上所述，c為0、l或者2，d為l或者2，且c+d為2或者3),且包含所述R22SiO單元的至少一部連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)-50個(gè)的結(jié)構(gòu)(B)成分中的與硅原子鍵合的氫原子相對(duì)于(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量以摩爾比計(jì)為0.1~4.0的量；(C)鉑族金屬類催化劑有效量；以及(D)填充劑相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為900重量份以下。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施態(tài)樣中，所述硅氧積層基板是LED裝置用硅氧積層基板，且(D)成分填充劑含有(Dl)(D2)成分以外的無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量IOO重量份為600重量份以下；以及在上述硅氧積層基板需要反射光時(shí)，含有(D2)白色顏料相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份300重量份。本發(fā)明的第二發(fā)明提供一種所述硅氧積層基板的制法，其包括如下步驟使含有所述(A)成分(D)成分的硅氧樹(shù)脂組成物在溶解、分散于溶劑中的狀態(tài)下含浸在玻璃布中；接著，使所述溶劑從此玻璃布中蒸發(fā)而加以去除，然后，在加壓成型下使含浸在此玻璃布中的所述硅氧樹(shù)脂組成物加熱固化。本發(fā)明的第三發(fā)明提供一種含有所述(A)成分~(D)成分的>圭氧積層基板制造用硅氧樹(shù)脂組成物。本發(fā)明的第四發(fā)明提供一種LED裝置，其包括所述LED裝置用硅氧積層基板、以及封裝在此基板上的LED芯片。[發(fā)明效果]根據(jù)本發(fā)明，使用通過(guò)以往的成型裝置也可以容易地成型的加成固化型硅氧樹(shù)脂組成物，借此與以往的硅氧基板相比，可以容易地獲得機(jī)械特性優(yōu)異、表面粘性小的硅氧積層基板，在一個(gè)實(shí)施態(tài)樣中，可以容易地獲得機(jī)械特性、耐熱性、耐變色性優(yōu)異且表面粘性小的LED裝置用硅氧積層基板。對(duì)于包括本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板的本發(fā)明的硅氧積層基板而言，盡管使硬質(zhì)的硅氧固化物填充到玻璃布中、且被覆玻璃布表面，但可撓性仍優(yōu)異，且操作容易。特別是使用在室溫下為固體狀的硅氧樹(shù)脂組成物時(shí)，使此硅氧樹(shù)脂組成物在溶解、分散于溶劑中的狀態(tài)下含浸在玻璃布中，^吏所述溶劑乂人此玻璃布中蒸發(fā)而加以去除后，此組成物為A階(Astage)狀態(tài)而為固態(tài)，因此具有如下優(yōu)點(diǎn)含浸了此組成物的玻璃布的保管更加容易，且可以更容易地進(jìn)行利用熱壓機(jī)的成型，進(jìn)一步可以更自由地成型硅氧積層基板的形狀。本發(fā)明的硅氧積層基板加工性優(yōu)異，可以合適地用作包括各種半導(dǎo)體的電氣電子零件等的封裝基板。本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板加工性優(yōu)異，可以合適地用作LED裝置的封裝基板。而且，使用此LED裝置用硅氧積層基板而制作的本發(fā)明的LED裝置的隨時(shí)間經(jīng)過(guò)的波長(zhǎng)(色調(diào))的變化小，且壽命長(zhǎng)。圖1是表示本發(fā)明的LED裝置的一例的截面圖。1:LED裝置2:LED用硅氧積層基板3:電極圖案4:芯片焊接劑5:LED芯片6:接合線7:透明密封體具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明加以更詳細(xì)的說(shuō)明。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，"室溫"是指15°C~30'C的溫度。并且，Ph表示苯基，Me表示曱基，Et表示乙基，Vi表示乙烯基。本發(fā)明的硅氧樹(shù)脂組成物包含下述(A)成分-(D)成分，適合用來(lái)制造本發(fā)明的硅氧積層基板。含有下述(A)成分(C)成分、(Dl)成分以及視情況含有(D2)成分的本發(fā)明的硅氧樹(shù)脂組成物，適合用來(lái)制造本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板。本發(fā)明的組成物優(yōu)選在室溫下為固體狀，更優(yōu)選在室溫下為具有塑性的固體。在室溫下為固體狀的組成物容易操作，而無(wú)需像以往的硅氧樹(shù)脂那樣需要使其部分固化后再進(jìn)行操作。以下，對(duì)本發(fā)明的硅氧樹(shù)脂組成物所含的各成分加以說(shuō)明。-(A)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)聚硅氧烷-作為本發(fā)明的組成物的一種重要構(gòu)成成分的(A)是樹(shù)脂結(jié)構(gòu)(即三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))的有機(jī)聚硅氧烷，其包含R'SiO"單元、R、SiO單元以及R^RSiO(4-a-bm單元(其中，R1、112以及113獨(dú)立表示羥基、曱基、乙基、丙基、環(huán)己基或者苯基，R'獨(dú)立表示乙烯基或者烯丙基，a為O、l或者2，b為l或者2，且a+b為2或者3),且部分地含有所述R、SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)~50個(gè)、優(yōu)選8個(gè)~40個(gè)、更優(yōu)選10個(gè)~35個(gè)的結(jié)構(gòu)。另外，所述R、SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)~50個(gè)的結(jié)構(gòu)，是指以下述通式(l)所表示的直鏈狀二有機(jī)聚硅氧烷鏈結(jié)構(gòu)，R2R2(其中，m為5~50的整數(shù))。優(yōu)選的是，(A)成分有機(jī)聚硅氧烷中所存在的所有R、SiO單元的至少一部分、優(yōu)選50摩爾％或50摩爾°/。以上(50摩爾％~100摩爾％)、特別優(yōu)選80摩爾％或80摩爾％以上(80摩爾％~100摩爾W在分子中形成以所述通式(l)所表示的鏈結(jié)構(gòu)。在(A)成分的分子中，R22SiO單元發(fā)揮作以使聚合物分子呈直鏈狀延伸，R'SiOL5單元使聚合物分子分支或者形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。R夂R^SiO(4i-b)"單元中的R、獨(dú)立為乙烯基或者烯丙基)與后述(B)成分所具有的R3eHdSiOM-e-d)/2單元的硅原子上鍵合的氫原子(即SiH基)進(jìn)行硅氫化加成反應(yīng)，借此實(shí)現(xiàn)使本發(fā)明的組成物固化的作用。就所獲得的固化物的特性方面而言，構(gòu)成(A)成分的三種必需的硅氧烷單元的摩爾比，即R'SiO"單元R、SiO單元1^RSiO(4tb)/2單元的摩爾比優(yōu)選9024:75~9:50~1，特別優(yōu)選7028:70-20:10~2(其中總量為100)。而且，此(A)成分的由凝膠滲透色譜儀(GelPermeationChromatography,GPC)所得的聚苯乙烯換算重量平均分子量在3，000~1，000，000、特別是10，000~100,000的范圍內(nèi)時(shí)，此聚合物為固體或者半固體狀，從作業(yè)性、固化性等方面而言較為合適。所述樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)聚硅氧烷可以通過(guò)下述方式來(lái)合成以使所述三種硅氧烷單元在聚合產(chǎn)物中達(dá)成所需的摩爾比的方式來(lái)組合成為各單元的原料的化合物，并在例如酸的存在下進(jìn)行共水解縮合。這里，R'SiO,.5單元的原料可例示:MeSiCh、EtSiCl3、PhSiCh、丙基三氯硅烷、環(huán)己基三氯硅烷等氯硅烷類，以及分別與所述各氯硅烷類相對(duì)應(yīng)的曱氧基硅烷類等烷氧基硅烷類等。R、SiO單元的原料可例示ClMe2SiO(Me2SiO)jSiMe2Cl、ClMe2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2Cl、ClMe2Si0(Me2Si0)k(Ph2Si0)LSiMe2C1、(HO)Me2Si0(Me2Si0)jSiMe2(OH)、(HO)Me2Si0(Me2Si0)k(PhMeSi0)LSiMe2(OH)、(HO)Me2Si0(Me2Si0)k(Ph2Si0)LSiMe2(OH)、(MeO)Me2SiO(Me2SiO)jSiMeJOMe)、歸)Me2Si0(Me2Si0)k(PhMeSi0)LSiMe2(0Me)、(MeO)Me2Si0(Me2Si0)k(Ph2Si0)LSiMe2(OMe)等，(其中，j=3~48的整數(shù)(平均值)，k=0~47的整數(shù)(平均值)，L=l~48的整數(shù)(平均值)，ik+L=3~48的整數(shù)(平均值))等。而且，R3aR4bSiO(4—a—b)"單元表示從R3R4SiO單元、1132114310。.5單元、R42SiO單元以及1131142310。.5單元中選擇的一種硅氧烷單元或者兩種以上的硅氧烷單元的組合。其原料可例示Me2ViSiCl、MeViSiCl2、Ph2ViSiCl、PhViSiCl2等氯硅烷類，以及與這些氯硅烷類分別對(duì)應(yīng)的曱氧基硅烷類等烷氧基硅烷類等。另外，在本發(fā)明中，通過(guò)所述原料化合物的共水解以及縮合來(lái)制造(A)成分有機(jī)聚硅氧烷時(shí)，R'SiO"單元、R22SiO單元、R3aR4bSi0(4-a-b)/2單元或者這些單元的兩種以上的組合中，包含具有硅醇基的硅氧烷單元。優(yōu)選為(A)成分有機(jī)聚硅氧烷可含有通常相對(duì)于所有硅氧烷單元為10摩爾％以下(0摩爾％~10摩爾W的所述含硅醇基的硅氧坑單元。所述含硅醇基的硅氧烷單元例如可舉出(HO)SiO"單元、R2'(H0)Si0單元、(H0)2Si0單元、R4(HO)SiO單元、R42(HO)SiO。,5單元、R3'R4(HO)Si(V5單元、R4(HO)2SiO。.s單元(其中，R2'以及113'是羥基以外的如上所述對(duì)112以及113進(jìn)行定義的基團(tuán)，114如所述定義)。而且，R1、W以及f的羥基是指所述含硅醇基的硅氧烷單元中的羥基。-(B)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)氫化聚硅氧烷-作為本發(fā)明的組成物的一種重要構(gòu)成成分的(B)成分是樹(shù)脂結(jié)構(gòu)(即三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))的有機(jī)氫化聚硅氧烷，其包含R'Si0L5單元、R22SiO單元以及R3cHdSiO(4—e—d)/2單元(其中，R1、R2以及R3獨(dú)立地如上所述，c為0、1或者2,d為l或者2，且c+d為2或者3),且部分地含有所述R、SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)~50個(gè)、優(yōu)選8個(gè)~40個(gè)、更優(yōu)選10個(gè)~35個(gè)的直鏈狀硅氧烷結(jié)構(gòu)。另外，R、SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)~50個(gè)的結(jié)構(gòu)如上文關(guān)于(A)成分所述那樣，是指(B)成分中所存在的R22SiO單元的至少一部分、優(yōu)選50摩爾％或50摩爾°/。以上(50摩爾％~100摩爾％)、特別優(yōu)選80摩爾％或80摩爾％以上(80摩爾％~100摩爾％)在(B)成分的分子中形成以所述通式(1)所表示的直鏈狀二有機(jī)聚硅氧烷鏈結(jié)構(gòu)。(B)成分的分子中，R、SiO單元也發(fā)揮作用以使聚合物分子呈直鏈狀地延伸，R'Si0L5單元也使聚合物分子分支或者形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。R3eHdSiO("-d)/2單元中的硅上鍵合的氫原子與所述(A)成分所具有的烯基進(jìn)行硅氫化加成反應(yīng)，借此發(fā)揮使本發(fā)明的組成物固化的作用。就所獲得的固化物的特性方面而言，構(gòu)成(B)成分的三種必需的硅氧烷單元的摩爾比，即R'SiO"單元R、SiO單元:113兒310(4十^2單元的摩爾比優(yōu)選9024:75~9:50-1，特別優(yōu)選7028:70~20:10~2(其中總量為100)。而且，從作業(yè)性、固化物的特性等方面來(lái)說(shuō)，此(B)成分的由GPC所得的聚苯乙烯換算重量平均分子量在3，000-1，000,000、特別是10，000~100，000的范圍內(nèi)豐支為合適。所述樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)氫化聚硅氧烷可以通過(guò)下述方式來(lái)合成以使所述三種硅氧烷單元在聚合產(chǎn)物中達(dá)成所需的摩爾比的方式來(lái)組合成為各單元的原料的化合物，并在例如酸的存在下進(jìn)行共水解。這里，R'Si(X.5單元的原料可例示MeSiCh、EtSiCh、PhSiCh、丙基三氯硅烷、環(huán)己基三氯硅烷等氯硅烷類，分別與所述各氯硅烷類相對(duì)應(yīng)的曱氧基硅烷類等烷氧基硅烷等。R、SiO單元的原料可例示ClMe2SiO(Me2SiO)jSiMe2Cl、ClMe2Si0(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2C1、ClMe2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2C1、(HO)Me2SiO(Me2SiO)jSiMe2(0H)、(HO)Me2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2(OH)、(HO)Me2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2(OH)、(MeO)Me2Si0(Me2Si0)jSiMe2(OMe)、(MeO)Me2Si0(Me2Si0)k(PhMeSi0)LSiMe2(OMe)、(MeO)Me2Si0(Me2Si0)k(Ph2Si0)LSiMe2(OMe)等，(其中，j=3~48的整數(shù)(平均值)，k=0~47的整數(shù)(平均值)，L=l~48的整數(shù)(平均值)，ik+L=3~48的整數(shù)(平均值))等。而且，R3jIdSiO(4十d)/2單元表示從R3HSiO單元、R32HSiO。.5單元、,0單元以及R3H2Si0。.5單元中選擇的一種硅氧烷單元或者兩種以上的珪氧烷單元的組合。其原料可例示Me2HSiCl、MeHSiCl2、Ph2HSiCl、PhHSiCl2等氯硅烷類，以及與這些氯硅烷類分別相對(duì)應(yīng)的曱氧基硅烷類等烷氧基硅烷類等。另外，在本發(fā)明中，通過(guò)所述原料化合物的共水解以及縮合來(lái)制造(B)成分有機(jī)氫化聚硅氧烷時(shí)，在R'SiO"單元、R、SiO單元、R^HdSiO(4-c2單元或者這些單元的兩種以上的組合中，包含具有硅醇基的硅氧烷單元。優(yōu)選為(B)成分有機(jī)氫化聚硅氧烷可含有通常相對(duì)于所有硅氧烷單元為10摩爾％以下(0摩爾％~10摩爾％)的所述含硅醇基的硅氧烷單元。所述含硅醇基的硅氧烷單元例如可列舉(HO)SiO"單元、R2'(HO)SiO單元、(HO)2SiO單元、H(HO)SiO單元、H2(HO)SiO。,5單元、R3'H(HO)SiO。.5單元、H(HO)，。.5單元(其中，W以及IT是羥基以外的如上所述對(duì)W以及f進(jìn)行定義的基團(tuán))。而且，R1、r以及f的羥基是指所述含硅醇基的硅氧烷單元中的羥基。(B)成分有機(jī)氫化聚硅氧烷的調(diào)配量?jī)?yōu)選的是(B)成分中的硅原子上鍵合的氫原子(SiH基)相對(duì)于(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量以摩爾比計(jì)為0.1~4.0的量，特別優(yōu)選摩爾比為0.5~3.0的量，更優(yōu)選摩爾比為0,8~2.Q的量。如果摩爾比小于O.1，則不進(jìn)行固化反應(yīng)，難以獲得硅氧固化物，如果摩爾比超過(guò)4.0，則固化物中會(huì)殘存大量的未反應(yīng)的SiH基，因此會(huì)導(dǎo)致固化物的物性隨時(shí)間經(jīng)過(guò)而變化。本發(fā)明中，為了賦予粘著性，優(yōu)選的是(A)成分以及(B)成分中的一方或者兩方含有硅醇基。在(A)成分有機(jī)聚硅氧烷或者(B)成分有機(jī)氫化聚硅氧烷中，此含有硅醇基的硅氧烷單元的量為相對(duì)于所有硅氧烷單元為10摩爾％以下(0摩爾％~10摩爾％)。-(C)鉑族金屬類催化劑-此催化劑成分是為了使本發(fā)明的組成物發(fā)生加成固化反應(yīng)而調(diào)配的，是柏系、鈀系、銠系催化劑。此催化劑可以使用作為促進(jìn)硅氫化反應(yīng)的催化劑而于以往眾所周知的任意催化劑?？紤]到成本等，可例示鉑、鉑黑、氯鉑酸等鉑系催化劑，例如H2PtCl6-pH20、K2PtCl6、KHPtCl6.pH20、K2PtCl4、K2PtCl4.pH20、Pt02pH20、PtCl4.pH20、PtCl2、H2PtCl4'pH2。(其中p為正整數(shù))等，或這些化合物與烯烴等烴、醇或者含乙烯基的有機(jī)聚硅氧烷的錯(cuò)合物等。這些催化劑可以單獨(dú)使用一種，也可以組合使用兩種以上。(C)成分的調(diào)配量為用來(lái)進(jìn)行固化的有效量即可，通常相對(duì)于所述(A)成分與(B)成分的總量以鉑族金屬的重量換算計(jì)為0.1ppm~500ppm、特別優(yōu)選0.5ppm~100ppm的范圍?！?D)填充劑—(D)成分填充劑是為了降低本發(fā)明的硅氧積層基板的線膨脹系數(shù)并且提高此基板的強(qiáng)度而添加到本發(fā)明的組成物中。(D)成分只要是眾所周知的填充劑則可為任意種，例如可舉出沉淀二氧化硅、煅制二氧化硅(fumedsilica)、熔融二氧化石圭、熔融球狀二氧化石圭、結(jié)晶性二氧化硅等二氧化石圭類，煅制二氧化鈦、碳酸鈣、硅酸鈣、二氧化鈦、三氧化二鐵、碳黑、氧化鋅、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、三氧化二銻、氧化鋁、氧化鋯、碌u化鋅、氧化鎂、硫酸鋇等。補(bǔ)強(qiáng)性無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑例如可舉出沉淀二氧化硅、煅制二氧化硅等二氧化硅類，煅制二氧化鈦、氧化鋁、氮化鋁等。非補(bǔ)強(qiáng)性無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑例如可舉出碳酸鈣、硅酸鈣、二氧化鈦、三氧化二鐵、碳黑、氧化鋅等。(D)成分可以單獨(dú)使用一種，也可以組合使用兩種以上。從所獲得的硅氧積層基板的線膨脹系數(shù)以及強(qiáng)度的觀點(diǎn)來(lái)看，(D)成分的調(diào)配量相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為900重量份以下(O重量份~900重量份)的范圍，優(yōu)選600重量份以下(0重量份~600重量份)的范圍，更優(yōu)選10重量份600重量份、特別是50重量份500重量份的范圍。當(dāng)本發(fā)明的硅氧積層基板為L(zhǎng)ED裝置用硅氧積層基板時(shí)，含有下述(Dl)成分以及視情況含有(D2)成分的填充劑合適地用作(D)成分。(Dl)無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑(D1)成分是(D2)成分以外的無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑，是為了降低本發(fā)明的LED用硅氧積層基板的線膨脹系數(shù)并且提高此基板的機(jī)械強(qiáng)度而添加到本發(fā)明的組成物中的。(Dl)成分可以使用通常調(diào)配到硅氧樹(shù)脂組成物中的無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑，只要是眾所周知的無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑則可為任意種，例如可舉出熔融二氧化硅、熔融球狀二氧化硅、結(jié)晶性二氧化硅等二氧化硅類，氮化硅、氮化鋁、氮化硼、三氧化二銻等，特別優(yōu)選熔融二氧化石圭、熔融5求狀二氧化硅。(Dl)成分可以單獨(dú)^吏用一種，也可以組合4吏用兩種以上。(Dl)成分的平均粒徑以及形狀并無(wú)特別限定。(Dl)成分的平均粒徑通常為O.5|am~50jam，但從所獲得的硅氧樹(shù)脂組成物的成形性以及流動(dòng)性來(lái)看，優(yōu)選1jum~10jum,更優(yōu)選1jum~5jam。而且，平均粒徑可以作為利用激光衍射法的粒度分布測(cè)定的重量平均值Ds。(或者中值粒徑)而求出。對(duì)于(Dl)成分無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑，為了加強(qiáng)樹(shù)脂與無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑的結(jié)合強(qiáng)度，也可以利用硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑等偶聯(lián)劑預(yù)先進(jìn)行表面處理。所述偶聯(lián)劑例如優(yōu)選使用y-縮水甘油氧基丙基三曱氧基硅烷、y-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、P-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三曱氧基硅烷等環(huán)氧官能性烷氧基硅烷；n-P(氨基乙基)y-氨基丙基三曱氧基硅烷、y-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-苯基-y-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性烷氧基硅:比y-巰基丙基三甲氧基硅烷等巰基官能性烷氧基硅烷等。另夕卜，對(duì)表面處理所用的偶聯(lián)劑的調(diào)配量以及表面處理方法并無(wú)特別限制。而且，(Dl)成分的無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑，亦能夠以將該無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑分散于有機(jī)溶劑的漿狀態(tài)添加至本發(fā)明的組成物中。從所獲得的LED裝置用硅氧積層基板的線膨脹系數(shù)以及強(qiáng)度的觀點(diǎn)來(lái)看，(Dl)成分的調(diào)配量?jī)?yōu)選的是相對(duì)于(A)成分與(B)成為的總量100重量份為600重量份以下(O重量份~600重量份)的范圍，更優(yōu)選10重量份~600重量份、特別是50重量份500重量^f分的范圍。(D2)白色顏料(D2)成分是白色顏料，是作為用來(lái)使所獲得的固化物呈白色的白色著色劑而使用的。(D2)成分是在所得的LED裝置用硅氧積層基板需要反射光線時(shí)，作為提升該硅氧積層基板的光反射率的目的而添加至本發(fā)明的組合物中，但在得到并不特別需要反射光線的硅氧積層基板時(shí)，亦有不需添加(D2)成分至本發(fā)明的組合物中的情形。此處"硅氧積層基板需要反射光線"如同后述，是指該硅氧積層基板的光反射率在整個(gè)全可見(jiàn)光區(qū)域優(yōu)選為80以上(亦即80-100%)。(D2)成分只要是一直以來(lái)普遍使用的眾所周知的白色顏料，則可以無(wú)限制地使用，合適的是使用二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、硫化鋅、氧化鋅、氧化鎂、硫酸鋇或者這些化合物的兩種以上的組合。此組合可舉出二氧化鈦與具體例示的其他白色顏料的至少一種的組合。這些白色顏料中，更優(yōu)選二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂，再更優(yōu)選二氧化鈦。二氧化鈦的結(jié)晶形為金紅石(ruUle)型、銳鈥礦(anatase)型、板鈦礦(brookite)型均可，伊C選4吏用金紅石型。白色顏料優(yōu)選的是平均粒徑為0.05jam-10.0]am，更優(yōu)選的是平均并立徑為0.1jam~5.0jam,再更伊C選的是平均豐立徑為0.1pm~1.0|am。而且，為了提高(D2)成分白色顏料與(A)成分以及(B)成分樹(shù)脂成分與(Dl)成分無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑的混合性以及M性，也可以用Al的氫氧化物、Si的氫氧化物等氫氧化物等預(yù)先對(duì)(D2)成分白色顏料進(jìn)行表面處理。另外，平均粒徑如上所述，可以作為利用激光衍射法的粒度分布測(cè)定的重量平均值D5。(或者中值粒徑)而求出。(D2)成分可單獨(dú)一種或是2種以上組合使用。(D2)成分的調(diào)配量?jī)?yōu)選的是相對(duì)于(A)與(B)成分的總量100重量^f分為1重量份~300重量份，更優(yōu)選3重量份~200重量份，特別優(yōu)選10重量份~150重量份。如果此調(diào)配量小于1重量份，則有時(shí)所獲得的固化物的白色度變得不充分。如果此調(diào)配量超過(guò)300重量份，則有時(shí)為了降低本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板的線膨脹系數(shù)并且提高此基板的機(jī)械強(qiáng)度而添加外，(D2)成分白色顏料的量?jī)?yōu)選的是在硅氧樹(shù)脂組成物整體中為1重量％~50重量％的范圍，更優(yōu)選5重量％~30重量°/。的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選10重量％~30重量％的范圍。-其他成分-在本發(fā)明的組成物中，除所述(A)成分(D)成分以外，可以視需要調(diào)配其本身為眾所周知的各種添加劑。粘著助劑本發(fā)明的組成物中，為了賦予粘著性，可以視需要添加粘著助劑(粘著性賦予劑)。粘著助劑可以單獨(dú)使用一種，也可以組合使用兩種以上。粘著助劑例如可舉出一分子中含有至少2種、優(yōu)選2種或者3種的自4定合于硅原子上的氫原子(SiH基)、鍵合于硅原子上的烯基(例如Si-C^CH2基)、烷氧基硅烷基(例如三曱氧基硅烷基)、環(huán)氧基(例如縮水甘油氧基丙基、3，4-環(huán)氧環(huán)己基乙基)中選擇的官能性基團(tuán)的直鏈狀或者環(huán)狀的硅原子數(shù)為4個(gè)~50個(gè)、優(yōu)選4個(gè)~20個(gè)左右的有機(jī)硅氧烷低聚物，以下述通式(2)所表示的有機(jī)氧化硅烷基改性異氰脲酸酯化合物，其水解縮合物(有機(jī)硅氧烷改性異氰脲酸酯化合物)以及所述化合物的兩種以上的組合等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(式中，Rs是以下述式(3)所表示的有機(jī)基團(tuán)、或者含有脂肪族不飽和鍵的一價(jià)烴基，Rs的至少一個(gè)為式(3)的有才幾基)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(其中，R'為氫原子或者碳原子數(shù)為16的一價(jià)烴基，v為1~6、特別是1~4的整數(shù))。通式(2)中的R5的含有脂肪族不飽和鍵的一價(jià)烴基可舉出乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基等碳原子數(shù)為2~8、特別是2~6的烯基，環(huán)己烯基等碳原子數(shù)為6~8的環(huán)烯基等。而且，式(3)中的W的一價(jià)烴基例如可舉出曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基等烷基，環(huán)己基等環(huán)烷基，就所述Rs而例示的烯基以及環(huán)烯基，另外苯基等芳基等碳原子數(shù)為1~8、特別是l6的一價(jià)烴基，優(yōu)選為烷基。進(jìn)一步而言，粘著助劑可例示1,5-雙(縮水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基環(huán)四硅氧烷、1-縮水甘油氧基丙基-5-三曱氧基硅烷基乙基-1,3,5,7-四曱基環(huán)四石圭氧烷等、以及下述式所示的化合物。H3ZH3、OCH3H——Si——0~j~Si——0~j~Si~^CH3CH3\CH3厶O(píng)CH3CH2=CII~Si——OCH3H3、ocH3Si—0~j~Si——OCH3CH3/3OCH3ooa3Iq^CHCH20(CH2)3，—0OOCH3CH3CH3IICH3—Si—O—Si—OCH3&H6Si(OCH3)3OCH2CH-/O(式中，g以及h分別為0~50的范圍的整數(shù)，且g+h滿足250,優(yōu)選為滿足4-20)。CH3-S—(CH2)3OCH2C〉CH2OCH3Oo313H卜HclslcoHc3IIHiHC—SICcwiHHIL<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>所述有機(jī)硅化合物中，對(duì)所得的固化物賦予特別良好的粘著性的化合物是一分子中具有鍵合于硅原子上的烷氧基、烯基或者鍵合于硅原子上的氫原子(SiH基)的有機(jī)硅化合物。相對(duì)于(A)成分100重量份，粘著助劑的調(diào)配量通常為10重量份以下(即0重量份~10重量份)，優(yōu)選0.1重量份~8重量份，更優(yōu)選0.2重量份5重量份左右。如果此調(diào)配量過(guò)多，則可能會(huì)對(duì)固化物的硬度帶來(lái)不良影響或者增大表面粘性。-固化抑制劑本發(fā)明的組成物中，可以視需要適宜調(diào)配固化抑制劑。固化抑制劑可以單獨(dú)^使用一種，也可以組合^f吏用兩種以上。固化抑制劑例如可舉出/人四曱基四乙烯基環(huán)四硅氧烷之類的大量含有乙烯基的有機(jī)聚硅氧烷、異氰脲酸三烯丙酯、馬來(lái)酸烷基酯、乙炔醇類及其硅烷改性物以及硅氧烷改性<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>物、氫過(guò)氧化物、四曱基乙二胺、苯并三唑以及這些化合物的混合物所組成的群中選擇的化合物等。相對(duì)于(A)成分100重量份，固化抑制劑通常添加0.001重量份~10重量份，優(yōu)選0.005重量份~0.5重量份。-制備_本發(fā)明的硅氧樹(shù)脂組成物是通過(guò)將所需成分混合均勻來(lái)制備。通常是分成二種液體加以保存以使固化并不進(jìn)行，并在使用時(shí)將二種液體加以混合來(lái)進(jìn)行固化。當(dāng)然，也可以少量添加所述乙炔醇等固化抑制劑而制成一種液體來(lái)使用。而且，本發(fā)明的硅氧樹(shù)脂組成物也可以通過(guò)如下方式來(lái)制備成溶液或者分散液將(A)成分(C)成分均勻混合而獲得基質(zhì)組成物，在此基質(zhì)組成物中添加甲苯、二甲苯、庚烷等溶劑后，進(jìn)一步添加(D)成分。當(dāng)(D)成分含有(Dl)成分以及視情況含有(D2)成分時(shí)，此硅氧樹(shù)脂組成物可以通過(guò)如下方式來(lái)制備成分散液將(A)成分(C)成分均勻混合而獲得基質(zhì)組成物，在此基質(zhì)組成物中添加曱苯、二曱苯、庚烷等溶劑后，進(jìn)一步添加(Dl)成分以及^L情況添加(D2)成分。本發(fā)明的硅氧積層基板是具有玻璃布、以及填充到此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧樹(shù)脂組成物的固化物而成的硅氧積層基板。所述硅氧積層基板的厚度只要根據(jù)此基板的用途或制造此基板所使用的玻璃布的厚度等來(lái)適宜選擇即可，并無(wú)特別限定，優(yōu)選20jum~2，000jnm，更優(yōu)選50jam~1,000|um。對(duì)于本發(fā)明的硅氧積層基板而言，與此基板垂直的方向(以下有時(shí)稱為Z軸方向)上的線膨脹系數(shù)在-100。C200。C的范圍內(nèi)優(yōu)選50ppm/。C以下(即0卯m/。C-50卯m/。C)，更優(yōu)選5卯m/。C40ppm/。C。而且，對(duì)于本發(fā)明的硅氧積層基板而言，與此基板平行的方向(以下有時(shí)稱為XY軸方向)上的線膨脹系數(shù)在-100°C~20O'C的范圍內(nèi)優(yōu)選10ppm/。C以下(即0ppm/。C10卯m/。C)，更優(yōu)選1ppm/。C~8ppm/。C。另外，線膨脹系數(shù)是根據(jù)JISK7197利用熱機(jī)械分析(ThermoMechanicalAnalysis,TMA)測(cè)定法所測(cè)定的值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施態(tài)樣中，所述珪氧積層基板是LED裝置用硅氧積層基板，并且(D)成分填充劑含有相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為600重量份以下的(D1)成分、以及視情況含有的相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份~300重量份的(D2)成分。本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板的光反射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中優(yōu)選80%以上(即80%~100%)，更優(yōu)選85%-99%。在本發(fā)明中，光反射率例如是利用光反射率測(cè)定機(jī)X-rite8200(積分球分光光度儀，X-rite公司(US)制造)等來(lái)測(cè)定的。另外，在本發(fā)明中，可見(jiàn)光區(qū)域是指400nm~700nm的區(qū)域。而且，對(duì)于本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板而言，溫度為26(TC、時(shí)間為60秒鐘的紅外(Infrared,IR)回流焊處理后的光反射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中優(yōu)選80%以上(即80°/。~100%)，更優(yōu)選85°/。~98%。在本發(fā)明中，紅外回流焊處理是使用紅外回流焊裝置來(lái)進(jìn)行。另外，本發(fā)明的LED置用硅氧積層基板，在120°C下照射波長(zhǎng)為365nm、強(qiáng)度為30mW/cm2的紫外線24小時(shí)后的光反射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中優(yōu)選為80%以上(即80%~100%)，更優(yōu)選為85%~98%。-玻璃布-對(duì)玻璃布并無(wú)特別限定，可使用眾所周知的玻璃布。玻璃布為片狀，并且其厚度只要根據(jù)本發(fā)明的硅氧積層基板的用途等來(lái)適宜選擇即可，并無(wú)特別限定，例》口為10|am~2,000jum,優(yōu)選10jam—1，000jum,更優(yōu)選20jam-300jam。本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板中，玻璃布的厚度只要根據(jù)此LED裝置用硅氧積層基板的用途等適宜選擇即可，并無(wú)特別限定，優(yōu)選20|am~2，000/am,更優(yōu)選50"~1，000mm。-硅氧樹(shù)脂組成物的固化物-填充到所述玻璃布中、且被覆此玻璃布表面的硅氧樹(shù)脂組成物的固化物是含有所述(A)成分(D)成分而成的硅氧樹(shù)脂組成物的固化物。本發(fā)明的硅氧積層基板中，此固化物可以僅被覆此玻璃布的單面，也可以被覆兩個(gè)面，優(yōu)選被覆此玻璃布的兩個(gè)面。被覆此玻璃布表面的固化物的厚度只要根據(jù)本發(fā)明的硅氧積層基板的用途等而適宜選擇即可，并無(wú)特別恨定，優(yōu)選20jutn~2,000jum,更優(yōu)選50ium~l，000jjm。本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板中，被覆此玻璃布表面的固化物的厚度只要根據(jù)本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板的用途等適宜選擇即可，并無(wú)特別限定，優(yōu)選為50|am~2，000jam,更^尤選為60jnm~1,000|am。-硅氧積層基板的制法-本發(fā)明的硅氧積層基板可以通過(guò)如下方式而獲得使所述含有(A)成分~(D)成分而成的硅氧樹(shù)脂組成物在溶解、分散于溶劑中的狀態(tài)下含浸在玻璃布中，接著，使所述溶劑從此玻璃布中蒸發(fā)而加以去除，然后，在加壓成型下使此玻璃布中所含浸的所述硅氧樹(shù)脂組成物加熱固化。這里，通過(guò)使用含有相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為600重量份以下的(Dl)成分、以及視情況含有相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份~300重量份的(D2)成分來(lái)作為(D)成分的填充劑，可以獲得本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板。-溶劑-溶劑只要可以使所述硅氧樹(shù)脂組成物溶解、分散，并且可以在使此組成物保持于未固化或半固化狀態(tài)的溫度下蒸發(fā)，則并無(wú)特別限定，例如可舉出沸點(diǎn)為50°C200。C、優(yōu)選為80°C~150'C的溶劑。在制造本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板時(shí)，只要可以使所述硅氧樹(shù)脂組成物溶解、分散，并別限定，例如可舉出沸點(diǎn)為50°C~150°C、優(yōu)選為60°C10(TC的溶劑。溶劑的具體例可舉出曱苯、二曱苯、己烷、庚烷等烴系非極性溶劑；醚類等。溶劑的使用量只要是可以使所述硅氧樹(shù)脂組成物溶解、分散而獲得的溶液或者分散液含浸到玻璃布中的量，則并無(wú)特別限制，相對(duì)于此硅氧樹(shù)脂組成物100重量份，優(yōu)選為10重量份~200重量份，更優(yōu)選為20重量份~100重量份。在制造本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板時(shí)，只要是可以使所述硅氧樹(shù)脂組成物溶解、分散而獲得的溶液或者分散液含浸到玻璃布中的量，則并無(wú)特別限制，相對(duì)于此硅氧樹(shù)脂組成物100重量份，優(yōu)選為10重量份-20G重量份，更優(yōu)選為5G重量份100重量份。所述硅氧樹(shù)脂組成物的溶液或者分散液例如可以通過(guò)將玻璃布浸漬在此溶液或者分散液中、或者使用浸漬裝置等涂敷在玻璃布的單面或者兩個(gè)面上，而使其含浸在玻璃布中。溶劑的蒸發(fā)例如可以通過(guò)將使所述硅氧樹(shù)脂組成物在溶解、分散于溶劑中的狀態(tài)下而含浸的玻璃布放置在優(yōu)選為5(TC15(TC、更優(yōu)選為60°C-10(TC下來(lái)進(jìn)行。也可以適宜使用烘箱(oven)、干燥機(jī)(dryer)等加熱裝置。加壓成型下的加熱固化例如可以z使用熱壓才幾、真空壓制機(jī)等，在優(yōu)選為lMPa100MPa、更優(yōu)選為5MPa50MPa的壓力下，優(yōu)選為50°C~200°C、更優(yōu)選為70°C~18(TC的溫度下進(jìn)行。固化時(shí)間優(yōu)選為1分鐘~30分鐘，更優(yōu)選為2分鐘10分鐘即可。而且，可以在50°C~200°C、特別是70。C~180。C下進(jìn)行0.1小時(shí)~10小時(shí)、特別是1小時(shí)~4小時(shí)的后固化(postcurs)。本發(fā)明的LED裝置具備本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板、以及封裝在此基板上的LED芯片。圖1是表示本發(fā)明的LED裝置的一例的截面圖。圖1所示的LED裝置1中，在本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板2上制作了由陽(yáng)極和陰極構(gòu)成的電極圖案3，在電極圖案的一個(gè)電極上經(jīng)由芯片焊接劑4而焊接著LED芯片5。在LED芯片5與電極圖案3的另一電極之間連接著接合線6。電極圖案3的一部分、LED芯片5以及接合線6被透明密封體7所密封著。電極圖案3只要利用眾所周知的方法來(lái)制作即可，例如可以通過(guò)對(duì)具有本發(fā)明的LED裝置用硅氧積層基板、以及設(shè)置在此基板的單面或者兩個(gè)面上的銅箔的覆銅積層基板進(jìn)行蝕刻等而制作。芯片焊接劑4例如可以舉出銀膏(silverpaste)等。接合線6例如可以舉出金線等。透明密封體7例如可以通過(guò)將硅氧密封劑、環(huán)氧密封劑等眾所周知的密封劑適宜成型為所需的形狀并使之固化而設(shè)置。[實(shí)施例]以下，示出合成例、實(shí)施例以及比較例對(duì)本發(fā)明加以具體說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于下述實(shí)施例。另外，在下述例中，重量平均分子量是利用凝膠滲透色譜儀(GPC)所測(cè)定的聚苯乙烯換算值。-含乙烯基的有機(jī)聚硅氧烷樹(shù)脂(Al)-將1142.1g(87.1摩爾W的以PhSiCh所表示的有機(jī)硅烷、529g(3.2摩爾％)的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及84.6g(9.7摩爾°/。)的MeViSiCl2溶解在曱苯溶劑中后，滴加到水中進(jìn)行共水解，進(jìn)一步通過(guò)水洗、堿清洗而進(jìn)行中和、脫水后，除去溶劑，合成含乙烯基的樹(shù)脂(A1)。此樹(shù)脂是重量平均分子量為62,000、熔點(diǎn)為6(TC的固體。此樹(shù)脂的乙烯基含量為0.05摩爾/100g。-含硅氫基的有機(jī)聚硅氧烷樹(shù)脂(Bl)-將1142.1g(87.1摩爾％)的以PhSiCh所表示的有機(jī)硅烷、529g(3.2摩爾％)的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及69g(9.7摩爾W的MeHSiCl2溶解在溶劑中后，滴加到水中進(jìn)行共水解，進(jìn)一步通過(guò)水洗、堿清洗而進(jìn)行中和、脫水后，除去溶劑，合成含硅氬基的樹(shù)脂(Bl)。此樹(shù)脂是重量平均分子量為58,000、熔點(diǎn)為58。C的固體。此樹(shù)脂的硅氫基含量為0.05摩爾/100g。-含乙烯基的有機(jī)聚硅氧烷樹(shù)脂(A2)-將1142.1g(87.1摩爾W的以PhSiCl3所表示的有機(jī)硅烷、529g(3.2摩爾％)的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及72.3g(9.7摩爾％)的Me2ViSiCl溶解在曱苯溶劑中后，滴加到水中進(jìn)行共水解，進(jìn)一步通過(guò)水洗、堿清洗而進(jìn)行中和、脫水后，除去溶劑，合成含乙烯基的樹(shù)脂(A2)。此樹(shù)脂是重量平均分子量為63,000、熔點(diǎn)為63。C的固體。此樹(shù)脂的乙烯基含量為0.05摩爾/100g。-含硅氫基的有機(jī)聚硅氧烷樹(shù)脂(B2)-將1142.1g(87.1摩爾W的以PhSiC"所表示的有機(jī)硅烷、529g(3.2摩爾W的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及56.7g(9.7摩爾％)的Me2HSiCl溶解在曱苯溶劑中后，滴加到水中進(jìn)行共水解，進(jìn)一步通過(guò)水洗、堿清洗而進(jìn)行中和、脫水后，除去溶劑，合成含硅氫基的樹(shù)脂(B2)。此樹(shù)脂是重量平均分子量為57，000、熔點(diǎn)為56。C的固體。此樹(shù)脂的硅氫基含量為0.05摩爾/100g。[實(shí)施例1]添加189g的合成例1中獲得的含乙烯基的樹(shù)脂(Al)、189g的合成例2中獲得的含硅氫基的樹(shù)脂(B1)、0.2g的作為反應(yīng)抑制劑的乙炔醇系的乙炔基環(huán)己醇、以及0.1g的氯鉑酸的1重量％辛醇溶液，利用加溫到6(TC的行星式混合機(jī)(planetarymixer)充分?jǐn)嚢瓒@得基質(zhì)組成物。在此基質(zhì)組成物中添加400g的作為溶劑的曱苯，進(jìn)一步添加378g二氧化硅(商品名AdmafineE5/24C，平均粒子徑約3nm，(股)Admatechs制)，制備出石圭氧樹(shù)脂組成物的曱苯分散液。在此曱苯分散液中浸漬玻璃布(日東紡制造，厚度為100iam)，使此曱苯分散液含浸到此玻璃布中。將此玻璃布在60。C下放置2小時(shí)，借此使曱苯蒸發(fā)。在使曱苯蒸發(fā)后的玻璃布的兩個(gè)面上，在室溫下形成了固體皮膜。利用熱壓機(jī)在15(TC下對(duì)此玻璃布進(jìn)行10分鐘加壓成型而獲得成型品，進(jìn)一步使其在150。C下進(jìn)行1小時(shí)的二次固化而獲得硅氧積層基板。1.外觀通過(guò)目測(cè)來(lái)確認(rèn)所獲得的硅氧積層基板的表面的均勻性，即，確認(rèn)此表面是平滑的、還是具有凹凸而不均勻的。2.機(jī)械特性對(duì)所獲得的硅氧積層基板，依據(jù)JISK6251以及JISK6253來(lái)測(cè)定抗拉強(qiáng)度(O.2mm厚)以及硬度(使用TypeD型彈簧試驗(yàn)機(jī)來(lái)測(cè)定。6mm厚(即0.2mm厚x30片))。3.表面粘性通過(guò)手指觸摸來(lái)確認(rèn)所獲得的硅氧積層基板的表面粘性。4.線膨脹系數(shù)針對(duì)所獲得的硅氧積層基板(O.2mm厚)，依據(jù)JI5K7197利用熱才幾械分析(TMA)測(cè)定法，在-100°C200。C的范圍內(nèi)，測(cè)定與此基板垂直的方向(Z軸方向)以及平行的方向(XY軸方向)上的線膨脹系數(shù)。5.紅外回流焊試-險(xiǎn)與上文所述相同，使所述曱苯分散液含浸到所述玻璃布中，使曱苯蒸發(fā)。將使曱苯蒸發(fā)后的玻璃布夾在2片銅箔(福田金屬制造，厚度38"m)之間，利用熱壓才幾在150。C下進(jìn)行10分鐘加壓成型而獲得成型品，進(jìn)一步在150。C下進(jìn)行1小時(shí)的二次固化而獲得覆銅積層基板(O.3國(guó)厚)。利用紅外回流焊裝置(商品名ReflowSoldering裝置，TAMURA制作所(股)制造)對(duì)此覆銅積層基板進(jìn)行260°C、10秒鐘的紅外回流焊處理，確認(rèn)銅箔是否剝離。將所述各測(cè)定的測(cè)定結(jié)果示于表1。在實(shí)施例1中，分別使用合成例3中獲得的含乙烯基的樹(shù)脂(A2)以及合成例4中獲得的含硅氫基的樹(shù)脂(B2)來(lái)代替合成例1中獲得的含乙烯基的樹(shù)脂(A1)以及合成例2中獲得的含硅氬基的樹(shù)脂(B1)，除此以外與實(shí)施例1同樣地獲得硅氧積層基板以及覆銅積層基板，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表l。另外，在使曱苯蒸發(fā)后的玻璃布的兩個(gè)面上，在室溫下形成了固體皮膜。在實(shí)施例1中，獲得基質(zhì)組成物時(shí)，進(jìn)一步添加6g的以下述式所表示的粘著助劑，除此以外與實(shí)施例1同樣地獲得硅氧積層基板以及覆銅積層基板，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表l。另外，在使曱苯蒸發(fā)后的玻璃布的兩個(gè)面上，在室溫下形成了固體皮膜。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>[比較例1]在實(shí)施例1中，代替基質(zhì)組成物，而使用189g的市售的作為加成反應(yīng)固化型硅氧清漆的KJR-632(商品名，信越化學(xué)工業(yè)(股)制造)，此KJR-632將不含有重復(fù)單元數(shù)為5個(gè)~5G個(gè)的直鏈狀二有機(jī)聚硅氧烷鏈結(jié)構(gòu)的含乙烯基的有機(jī)聚硅氧烷樹(shù)脂作為主劑，除此以外，與實(shí)施例1同樣地獲得硅氧積層基板以及覆銅積層基板，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表l。由于所述硅氧清漆與二氧化硅的分散較差，因此如表1所示，無(wú)法獲得表面均勻的硅氧積層基板。[表l〗<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>(注)*1:含硅氫基的樹(shù)脂中的硅原子上鍵合的氫原子相對(duì)于含乙烯基的樹(shù)脂中的硅原子上鍵合的乙烯基的摩爾比[實(shí)施例4]添加189g的合成例1中獲得的含乙烯基的樹(shù)脂(Al)、189g的合成例2中獲得的含硅氫基的樹(shù)脂(B1)、0，2g的作為反應(yīng)抑制劑的乙炔醇系的乙炔基環(huán)己醇、0.1g的氯鉑酸的1重量％辛醇溶液、以及6g的以下述式所表示的粘著助劑，利用加溫到6(TC的行星式混合機(jī)充分?jǐn)嚢瓒@得基質(zhì)組成物。在此基質(zhì)組成物中添加400g的作為溶劑的曱苯，進(jìn)一步添加378g二氧化硅(商品名AdmafineE5/24C，平均粒子^5:約3Mm，(股)Admatechs制)以及38g氧化鈦(商品名PF-691,平均粒徑約0.2ym，石原產(chǎn)業(yè)制造)，制備出硅氧樹(shù)脂組成物的曱苯分散液。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>在此曱苯分散液中浸漬玻璃布(日東紡制造，厚度為100jam),借此使此甲苯分散液含浸到此玻璃布中。將此玻璃布在6(TC下放置2小時(shí)，借此使曱苯蒸發(fā)。在使曱苯蒸發(fā)后的玻璃布的兩個(gè)面上，在室溫下形成了固體皮膜。利用熱壓機(jī)在15(TC下對(duì)此玻璃布進(jìn)行10分鐘加壓成型而獲得成型品，進(jìn)一步使其在15(TC下進(jìn)行1小時(shí)的二次固化而獲得硅氧積層基板。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行外觀的確認(rèn)、機(jī)械特性的測(cè)定、表面粘性的確認(rèn)、線膨脹系數(shù)的測(cè)定以及紅外回流焊試驗(yàn)。6.光反射率對(duì)所獲得的硅氧積層基板在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中測(cè)定光反射率。而且，利用所述紅外回流焊裝置對(duì)所獲得的硅氧積層基板進(jìn)行26(TC、60秒鐘的紅外回流焊處理之后，在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中測(cè)定光反射率。進(jìn)一步，對(duì)所獲得的硅氧積層基板在12(TC下照射波長(zhǎng)為365nm、強(qiáng)度為30mW/cm2的紫外線24小時(shí)后，在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中測(cè)定光反射率。另外，光反射率是使用光反射率測(cè)定機(jī)X-rite8200(積分球分光光度儀，X-rite公司(US)制造)來(lái)測(cè)定的。將所述各測(cè)定的測(cè)定結(jié)果示于表2。7.點(diǎn)燈試驗(yàn)制作圖1所示的LED裝置并進(jìn)行點(diǎn)燈試驗(yàn)。圖1中，電極圖案3是通過(guò)對(duì)如上所述那樣制作的覆銅積層基板進(jìn)行蝕刻而制作的。使用KJR-632DA-1(信越化學(xué)(股)制造)作為芯片焊接劑4來(lái)對(duì)藍(lán)色LED芯片5(波長(zhǎng)為450mn)進(jìn)行芯片焊接。接合線6使用金線。透明密封體7是通過(guò)利用硅氧樹(shù)脂涂劑(商品名KJR-9022,信越化學(xué)(股)制造)對(duì)電極圖案3的一部分、LED芯片5以及接合線6進(jìn)行澆涂(castingcoat)而制作的(固化條件15(TC,4小時(shí))。點(diǎn)燈試驗(yàn)是通過(guò)用150mA的施加電流對(duì)如上所述而獲得的LED裝置連續(xù)點(diǎn)燈并觀察硅氧積層基板有無(wú)變色來(lái)進(jìn)行。將結(jié)果示于表3。在實(shí)施例4中，分別使用合成例3中獲得的含乙烯基的樹(shù)脂(A2)以及合成例4中獲得的含硅氫基的樹(shù)脂(B2)來(lái)代替合成例1中獲得的含乙烯基的樹(shù)脂(Al)以及合成例2中獲得的含硅氫基的樹(shù)脂(Bl),除此以外與實(shí)施例4同樣地獲得硅氧積層基板以及覆銅積層基板，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表2以及表3。另外，在使曱苯蒸發(fā)后的玻璃布的兩個(gè)面上，在室溫下形成了固體皮膜。使用兩個(gè)面上具有銅箔的市售的白色玻璃環(huán)氧基板來(lái)代替實(shí)施例4中制作的覆銅積層基板，除此以外與實(shí)施例4同樣地制作LED，并進(jìn)行點(diǎn)燈試驗(yàn)。將結(jié)果示于表3。[表2〗實(shí)施例4實(shí)施例5SiH/SiVi(*1)1.01.0二次固化條件150°C/1hr150°C/1hr外觀平滑平滑硬度(TypeD)7070抗拉強(qiáng)度(N/mm2)100100粘性無(wú)無(wú)線膨脹系數(shù)(ppm/。C)(Z軸方向)1010線膨脹系數(shù)(ppmrc)(XY軸方向)33紅外回流焊試驗(yàn)無(wú)異常(未剝離)無(wú)異常(未剝離)光反射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為90°/?；?0%以上在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為90%或90°/。以上光反射率(紅外回流焊處理后)在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為90%或90%以上在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為90%或90%以上光反射率(紫外線照射后)在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為90%或90°/以上在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為90%或90%以上(注)*1:含硅氫基的樹(shù)脂中的硅原子上鍵合的氫原子相對(duì)于含乙烯基的樹(shù)脂中的硅原子上鍵合的乙烯基的摩爾比[表3]連續(xù)點(diǎn)燈時(shí)間實(shí)施例4實(shí)施例5比4支例21000小時(shí)未變色未變色未變色2000小時(shí)未變色未變色變黃3000小時(shí)未變色未變色變成茶色權(quán)利要求1、一種硅氧積層基板，其是具有玻璃布、以及填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧樹(shù)脂組成物的固化物而成，此硅氧積層基板的特征在于所述硅氧樹(shù)脂組成物包括如下成分(A)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5單元、R22SiO單元以及R3aR4bSiO(4-a-b)/2單元，其中，R1、R2以及R3獨(dú)立表示羥基、甲基、乙基、丙基、環(huán)己基或苯基，R4獨(dú)立表示乙烯基或者烯丙基，a為0、1或者2，b為1或者2，且a+b為2或者3，且包含所述R22SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)～50個(gè)的結(jié)構(gòu)；(B)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)氫化聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5單元、R22SiO單元以及R3cHdSiO(4-c-d)/2單元，其中，R1、R2以及R3獨(dú)立地如上所述，c為0、1或者2，d為1或者2，且c+d為2或者3，且包含所述R22SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)～50個(gè)的結(jié)構(gòu)(B)成分中的硅原子上鍵合的氫原子相對(duì)于(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量以摩爾比計(jì)為0.1～4.0的量；(C)鉑族金屬類催化劑有效量；以及(D)填充劑相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為900重量份以下。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧積層基板，其特征在于所述硅氧樹(shù)脂組成物在室溫下為固體狀。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧積層基板，其特征在于所述(A)成分以及(B)成分中的一方或者兩方含有硅醇基。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧積層基板，其特征在于與此硅氧積層基板垂直的方向上的線膨脹系數(shù)在-IO(TC200。C的范圍內(nèi)為50ppm/。C以下。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧積層基板，其特征在于與此硅氧積層基板平行的方向上的線膨脹系數(shù)在-100。C200。C的范圍內(nèi)為10ppm/。C以下。6、根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的硅氧積層基板，其特征在于所述硅氧積層基板用于LED裝置，(D)成分填充劑含有(Dl)(D2)成分以外的無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量IOO重量份為600重量份以下；以及在所述硅氧積層基板需要反射光線時(shí)所含有的(D2)白色顏料相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份~300重量份。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅氧積層基板，其特征在于所述(D2)成分為二氧化鈥、氧化鋅或者它們的組合。8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅氧積層基板，其特征在于光反射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為80%以上。9、根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅氧積層基板，其特征在于溫度為26(TC、時(shí)間為60秒鐘的紅外回流焊處理后的光反射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為80%以上。10、根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅氧積層基板，其特征在于在12(TC下照射波長(zhǎng)為365nm、強(qiáng)度為30mW/cm2的紫外線24小時(shí)后的光反射率在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域中為80%以上。11、一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧積層基板的制法，其特征在于包括如下步驟使根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有(A)成分(D)成分的硅氧樹(shù)脂組成物在溶解、分散于溶劑中的狀態(tài)下含浸在玻璃布中；接著，使所述溶劑從此玻璃布中蒸發(fā)而加以去除；然后，在加壓成型下使含浸在此玻璃布中的所述硅氧樹(shù)脂組成物加熱固化。12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的制法，其特征在于所述硅氧樹(shù)脂組成物在室溫下為固體狀。13、根據(jù)權(quán)利要求11或者12所述的制法，其特征在于所述硅氧積層基板用于LED裝置，(D)成分填充劑含有(Dl)(D2)成分以外的無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量f分為600重量^f分以下；以及在所述硅氧積層基板需要反射光線時(shí)所含有的(D2)白色顏料相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份~300重量份。14、一種硅氧積層基板制造用硅氧樹(shù)脂組成物，其特征在于包含(A)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)聚硅氧烷，其包含R'SiO"單元、R、SiO單元以及RU'bSiO(4-a-bm單元，其中，R1、R'以及W獨(dú)立表示羥基、曱基、乙基、丙基、環(huán)己基或者苯基，R"獨(dú)立表示乙烯基或者烯丙基，a為0、l或者2，b為1或者2，且a+b為2或者3，且包含所述R、SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)~50個(gè)的結(jié)構(gòu)；(B)樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)氫化聚硅氧烷，其包含R'SiO"單元、R、SiO單元以及R3凡SiO(4卞d)/2單元，其中，R1、R2以及R3獨(dú)立地如上所述，c為0、l或者2，d為l或者2，且c+d為2或者3，且包含所述R、SiO單元的至少一部分連續(xù)重復(fù)而成、且其重復(fù)數(shù)為5個(gè)-50個(gè)的結(jié)構(gòu)(B)成分中的硅原子上鍵合的氫原子相對(duì)于(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量以摩爾比計(jì)為0.1~4.0的量；(C)鉬族金屬類催化劑有效量；以及(D)填充劑相對(duì)于(A)成分與(B)成分的總量100重量份為900重量份以下。15、一種LED裝置，其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅氧積層基板、以及封裝在此基板上的LED芯片。全文摘要一種硅氧積層基板，其具有玻璃布、以及填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧樹(shù)脂組成物的固化物，且此組成物包含(A)包含特定硅氧烷單元的樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)聚硅氧烷、(B)包含特定硅氧烷單元的樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的有機(jī)氫化聚硅氧烷、(C)鉑族金屬類催化劑以及(D)填充劑。此硅氧積層基板的機(jī)械特性、可撓性、加工性優(yōu)異，且表面粘性小而操作容易。此硅氧積層基板可以通過(guò)使所述組成物在溶解、分散于溶劑中的狀態(tài)下含浸在玻璃布中，使此溶劑從此玻璃布中蒸發(fā)而加以去除，并在加壓成型下使含浸在此玻璃布中的此組成物加熱固化而制造。由用于LED裝置的所述硅氧積層基板可以獲得具備此基板、以及封裝在此基板上的LED芯片的LED裝置。文檔編號(hào)H01L21/48GK101673716SQ20091017372公開(kāi)日2010年3月17日申請(qǐng)日期2009年9月10日優(yōu)先權(quán)日2008年9月11日發(fā)明者塩原利夫,柏木努申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社