專利名稱：半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法及該機(jī)臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法，特別是一種半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)方法及該 機(jī)臺(tái)。
背景技術(shù)：
LED (發(fā)光二極體)問(wèn)世以來(lái)，除了比傳統(tǒng)光源的節(jié)能、低溫與壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)外，效 率更隨工藝改良大幅提升，應(yīng)用領(lǐng)域亦愈加廣泛。單顆LED應(yīng)用于如小型玩具、手持裝置與 手機(jī)，多顆LED在日常生活中使用于燈具、汽車與交通標(biāo)志等等，使得LED的制造與各階段 檢測(cè)品質(zhì)成為必要且更顯重要。在LED晶粒的自動(dòng)檢測(cè)過(guò)程中，常見(jiàn)點(diǎn)測(cè)裝置常用結(jié)構(gòu)如圖1所示的針壓克重監(jiān) 測(cè)感應(yīng)器(edge sensorUO，利用精細(xì)的探針12作為接點(diǎn)及傳輸用回路的一部分，點(diǎn)觸LED 晶粒上的導(dǎo)電端(圖未示)；探針12固定于壓力導(dǎo)接組件14，并利用彈簧16調(diào)整探針12 的針壓，以求提供正確點(diǎn)觸壓力。圖1中的edge sensor 10更包括印刷電路板18，提供壓力導(dǎo)接組件14與探針12 的聯(lián)結(jié)回路。進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，可由兩個(gè)edge sensor 10組成一對(duì)，以預(yù)定的頻率點(diǎn)觸、導(dǎo)通、點(diǎn) 亮發(fā)光二極體晶粒發(fā)出光訊號(hào)供檢測(cè)，重覆此步驟至對(duì)應(yīng)移動(dòng)檢測(cè)下一待測(cè)發(fā)光二極體晶 粒時(shí)。然而，安裝于該晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的edge sensor 10及相關(guān)構(gòu)件，經(jīng)長(zhǎng)期重復(fù)高頻運(yùn)作， 極易出現(xiàn)輕微的構(gòu)件移位、探針表面或電路接觸點(diǎn)氧化、探針磨損或變形等問(wèn)題；而考慮晶 粒的尺寸，電路短路及些許氣隙或金屬氧化物將趨近斷路，上述不起眼的問(wèn)題都會(huì)導(dǎo)致檢 測(cè)結(jié)果的嚴(yán)重謬誤。為預(yù)防上述缺失，目前的機(jī)臺(tái)管理流程，多安排校驗(yàn)人員于晶粒檢測(cè)前進(jìn)行機(jī)臺(tái) 校驗(yàn)，一旦校驗(yàn)完畢即開(kāi)始進(jìn)行檢測(cè)，除非知悉機(jī)臺(tái)故障或重大因素停機(jī)，將不再進(jìn)行校 驗(yàn)。按此種校驗(yàn)方法，在兩次校驗(yàn)動(dòng)作間，即使機(jī)臺(tái)發(fā)生嚴(yán)重偏差，卻無(wú)適當(dāng)機(jī)制示警，僅依 靠操作人員憑借經(jīng)驗(yàn)警覺(jué)，即便停機(jī)校驗(yàn)，仍已有大量晶粒檢測(cè)誤判。而復(fù)檢誤判晶粒時(shí)， 因探針點(diǎn)壓戳刺時(shí)會(huì)造成顯微鏡可清楚觀察的表面戳痕，經(jīng)探針重復(fù)點(diǎn)測(cè)的晶粒，其表面 將產(chǎn)生二次點(diǎn)測(cè)戳痕，將使此種晶粒被列為次級(jí)品而身價(jià)暴跌。因此，如何在自動(dòng)化作業(yè)的檢測(cè)流程中，既不降低檢測(cè)速度，又能在檢測(cè)機(jī)臺(tái)發(fā)生 效能劣化時(shí)，即時(shí)提出警訊，無(wú)疑成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的，在于提供一種機(jī)臺(tái)系統(tǒng)自我檢測(cè)機(jī)制，避免人力監(jiān)控失誤的 半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法。本發(fā)明另一目的，在于提供一種于晶粒檢測(cè)同時(shí)，對(duì)點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)進(jìn)行系統(tǒng)測(cè)試及資 訊收集的半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法。本發(fā)明再一目的，在于提供一種與原先操作結(jié)構(gòu)與模式相容性甚高，無(wú)需大幅變 更原有結(jié)構(gòu)即可校驗(yàn)的半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)。
本發(fā)明又一目的，在于提供一種機(jī)臺(tái)系統(tǒng)自我檢測(cè)時(shí)，無(wú)須停機(jī)或帶來(lái)干擾晶粒 檢測(cè)的缺點(diǎn)，而提升機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)速度的半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)。本發(fā)明是一種半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法，其中該機(jī)臺(tái)包括一組用以承載上述 半導(dǎo)體晶粒的承載搬移裝置；一組包括具有供電氣接觸該待測(cè)電路元件的金屬探針的壓力 導(dǎo)接組件、并輸出上述半導(dǎo)體晶粒受測(cè)訊號(hào)的點(diǎn)測(cè)裝置；及一組儲(chǔ)存有上述半導(dǎo)體晶粒的 標(biāo)準(zhǔn)電流-電壓資料、電氣連結(jié)該壓力導(dǎo)接組件、供經(jīng)過(guò)該金屬探針而供應(yīng)預(yù)定致能訊號(hào) 至上述待測(cè)半導(dǎo)體晶粒、并供接收來(lái)自該點(diǎn)測(cè)裝置輸出訊號(hào)的處理裝置，該檢驗(yàn)方法包括 下列步驟a)當(dāng)上述半導(dǎo)體晶粒之一恰受該金屬探針導(dǎo)電接觸時(shí)，以遠(yuǎn)低于該致能訊號(hào)的 微小測(cè)試訊號(hào)提供給該受接觸半導(dǎo)體晶粒并接收來(lái)自該點(diǎn)測(cè)裝置的第一輸出訊號(hào)；b)比 較該第一輸出訊號(hào)的電流-電壓與該標(biāo)準(zhǔn)電流-電壓資料間的偏差；C)更換受接觸半導(dǎo)體 晶粒，并重復(fù)上述步驟a)至b) ；d)當(dāng)累計(jì)偏差達(dá)一個(gè)預(yù)定數(shù)值的次數(shù)達(dá)一個(gè)預(yù)定門檻時(shí)， 發(fā)出警示。利用上述機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法的機(jī)臺(tái)即為一種半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)，包括一組用以承 載上述半導(dǎo)體晶粒的承載搬移裝置；一組包括分別具有供電氣接觸該待測(cè)電路元件的金 屬探針而供應(yīng)預(yù)定致能訊號(hào)的壓力導(dǎo)接組件、并輸出上述半導(dǎo)體晶粒受測(cè)訊號(hào)的點(diǎn)測(cè)裝 置；及儲(chǔ)存有上述半導(dǎo)體晶粒的標(biāo)準(zhǔn)電流-電壓資料；電氣連結(jié)該壓力導(dǎo)接組件，供當(dāng)上 述半導(dǎo)體晶粒之一恰受該金屬探針導(dǎo)電接觸時(shí)，以遠(yuǎn)低于該致能訊號(hào)的微小測(cè)試訊號(hào)提供 給該受接觸半導(dǎo)體晶粒并接收來(lái)自該點(diǎn)測(cè)裝置的第一輸出訊號(hào)，比較該第一輸出訊號(hào)的電 流-電壓與該標(biāo)準(zhǔn)電流-電壓資料間的偏差，并重復(fù)上述步驟，而在累計(jì)偏差達(dá)預(yù)定數(shù)值的 次數(shù)達(dá)預(yù)定門檻時(shí)，發(fā)出警示的處理裝置。承上所述，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法，校驗(yàn)時(shí)不用移除待測(cè) 晶粒，無(wú)須刻意停機(jī)校驗(yàn)機(jī)臺(tái)，于檢測(cè)中同步收集晶粒受測(cè)資料，且由所得電能狀況資料， 可即時(shí)、精確推知點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的系統(tǒng)構(gòu)件是否因臟污、老化、接觸不良產(chǎn)生異常狀況與異常檢 測(cè)結(jié)果，從而避免產(chǎn)生大量誤檢晶粒，一舉解決上述問(wèn)題。

圖1為公知晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的部份單元立體示意圖；圖2為待測(cè)晶粒的模擬電路示意圖；圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的訊號(hào)接收/發(fā)送示意圖；圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)利用第一輸出訊號(hào)檢測(cè)的電流_電壓關(guān) 系圖；圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法的流程示意圖；圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)利用第二輸出訊號(hào)檢測(cè)的電流_電壓關(guān) 系圖；圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的部份單元運(yùn)作示意圖；圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的方塊示意圖；圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法的流程示意圖；圖10為本發(fā)明第三實(shí)施例，晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的部份單元運(yùn)作示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
1，、1”、1”，...點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)
10、10，、10”、10，”···edge sensor
30，、30”、30，”...承載搬移裝置
80”...警示裝置
12、12”、12，”...金屬探針
16...彈簧
23”···光纖
4...晶粒
20，、20”...光學(xué)感測(cè)組件 50，、50”···處理裝置
14、14”...壓力導(dǎo)接組件 18...印刷電路板 25”···光感測(cè)器31，”···載臺(tái) 33”，··.接地線具體實(shí)施方式有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合說(shuō)明書附圖的較佳 實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，將可清楚地呈現(xiàn)。為方便說(shuō)明，本發(fā)明的機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法是以用于光學(xué) 檢測(cè)的半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)為例，且省略必備于機(jī)臺(tái)基座的控制單元與支架線路，以免圖
面紊舌L。如圖2所示，此為待測(cè)晶粒模擬電路示意圖。在此圖中，將導(dǎo)電電路固有的微小阻 抗以Rls表示，并將用來(lái)隔絕電路系統(tǒng)與其余元件的絕緣部的電阻以R2p表示。并且在利 用上述常用結(jié)構(gòu)檢測(cè)時(shí)，如圖3所示，兩組edge sensor 10’分別以探針抵觸待測(cè)晶粒4，并 提供測(cè)試訊號(hào)致能待測(cè)晶粒4，并由光感測(cè)組件20’接收待測(cè)晶粒4所發(fā)的光束，并轉(zhuǎn)換為 電訊號(hào)輸出至處理裝置50’，以鑒別待測(cè)晶粒4合格與否。承上，正常狀態(tài)下，如圖4線S所示，模擬電阻R2p的電阻值極大，趨近于斷路，因 此當(dāng)供給的電壓不足以導(dǎo)通待測(cè)晶粒4時(shí)，電流值將保持在趨近于零狀態(tài)，直到電壓足以 驅(qū)動(dòng)待測(cè)晶粒4導(dǎo)通發(fā)光，電流才驟增向上。相反地如線D所示。若點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)1’線路產(chǎn) 生老化，絕緣受損而趨向短路，模擬電阻R2p將提供一個(gè)較低電阻值，即使提供的電壓值甚 低，仍有漏電流通過(guò)R2p而可被量得。也因此，當(dāng)提供的電壓升高后，因R2p的漏電流存在， 將使并聯(lián)電阻降低，部分電流經(jīng)R2p泄漏，實(shí)際行經(jīng)待測(cè)晶粒4的電流無(wú)法達(dá)到一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶 粒4發(fā)光的數(shù)值，造成合格的晶粒4無(wú)法被致能發(fā)光，而被誤判為不良品。由于以往的測(cè)試過(guò)程中，僅單純施加例如約2V的驅(qū)動(dòng)電壓并預(yù)期應(yīng)有約20mA的 驅(qū)動(dòng)電流行經(jīng)待測(cè)晶粒4，從而驅(qū)動(dòng)晶粒4發(fā)光，并依照待測(cè)晶粒4的發(fā)光與否逕行判斷。 因此，即使量得晶粒4不發(fā)光的結(jié)果，也無(wú)法區(qū)別是由于晶粒4本身的問(wèn)題，或是因R2p電 阻值意外下降所導(dǎo)致。相對(duì)地，本發(fā)明是在正常發(fā)光檢測(cè)前后，增加流程輸出一個(gè)微小致能測(cè)試訊號(hào) (例示為IOnA IOOnA)予待測(cè)晶粒4，并接收所量得的電壓與電流資料，則當(dāng)此電流流通 且電壓值沒(méi)有明顯提高，即可證明有漏電流的存在，僅需分辨漏電流是來(lái)自待測(cè)晶粒4或 R2p。依照經(jīng)驗(yàn)判斷，損壞而導(dǎo)致漏電流待測(cè)晶粒4多為隨機(jī)出現(xiàn)，即使是受到靜電擊穿或 刮傷而連鎖損壞，其數(shù)目亦難達(dá)到連續(xù)三顆以上，故若連續(xù)有例如五顆以上的待測(cè)晶粒出 現(xiàn)漏電流現(xiàn)象，則若非制造過(guò)程發(fā)生重大疏失，使整片晶圓大幅損壞，就是機(jī)臺(tái)線路出現(xiàn)問(wèn) 題。故本實(shí)施例中，如圖5所示，在每一待測(cè)晶粒受測(cè)時(shí)，先于步驟61’發(fā)送一個(gè)例如 IOnA IOOnA的微小致能測(cè)試訊號(hào)至待測(cè)晶粒，若機(jī)臺(tái)或晶粒處于漏電狀態(tài)，則步驟62’測(cè)
5得的電流-電壓資料中，電壓值將會(huì)遠(yuǎn)小于前述標(biāo)準(zhǔn)電流-電壓資料(線S)，并具有一明顯 電壓差異，從而得知有漏電流存在，則于步驟63’停止該顆待測(cè)晶粒的檢測(cè)并加以紀(jì)錄。若無(wú)漏電流的待測(cè)晶粒，則持續(xù)于步驟64’施加正常驅(qū)動(dòng)電訊號(hào)致能，并檢測(cè)其是 否正常發(fā)光，而將未能正常發(fā)光的待測(cè)晶粒于步驟63’加以紀(jì)錄；并于步驟65’累積計(jì)算不 合格晶粒是否已經(jīng)連續(xù)發(fā)生達(dá)例如五顆的預(yù)定門檻，當(dāng)不合格率為5%時(shí)，連續(xù)五顆晶粒不 合格的機(jī)率達(dá)3. 125X10_7，因此以例如連續(xù)五顆晶粒不合格作為鑒別門檻具有一定鑒別價(jià) 值。若不合格晶粒數(shù)目尚未達(dá)預(yù)定門檻，則于步驟66’察看是否所有待測(cè)晶粒都已經(jīng) 測(cè)完，若尚未測(cè)完，則于步驟67’更換待測(cè)晶粒，并持續(xù)進(jìn)行步驟61’ ；相反地，若已經(jīng)連續(xù) 有五顆待測(cè)晶粒不合格，則證明該批晶粒有明顯制造瑕疵，或者發(fā)生如本案先前所述的機(jī) 臺(tái)線路問(wèn)題，故于步驟68’發(fā)出警示并停機(jī)，提醒操作人員前來(lái)判別并處理。相較于現(xiàn)有技 術(shù)，動(dòng)輒需等候數(shù)千顆、甚至上萬(wàn)顆晶粒發(fā)生檢測(cè)錯(cuò)誤才會(huì)被操作人員發(fā)現(xiàn)，本案經(jīng)由添加 此種施加微小測(cè)試訊號(hào)流程，大幅將警示門檻降低至誤判十顆晶粒以內(nèi)即可即時(shí)示警，有 效減少誤判發(fā)生機(jī)率、提升檢測(cè)良率、避免產(chǎn)品重測(cè)而價(jià)值降低的風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)然，如熟悉本技術(shù)領(lǐng)域者所能輕易理解，如圖2所示，除R2p可能趨向短路外， Rls亦可能因探針的磨耗、線路的氧化或其他類似因素而提高，而造成如圖6所示，原本正 常的電流-電壓曲線S，因受到Rls升高的影響，在提供相同測(cè)試電流時(shí)，跨越待測(cè)晶粒的電 壓實(shí)質(zhì)降低，從而導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度受到減弱，合格的待測(cè)晶粒易被誤判為不良品的問(wèn)題。故本案第二較佳實(shí)施例如圖7、8所示，其中點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)1”包含一對(duì)edgesensor 10” 及例釋為一組輸送帶的承載搬移裝置30” ；且待測(cè)晶粒4是彼此電路獨(dú)立但仍保持在晶圓 上而尚未進(jìn)行分割的狀態(tài)并由承載搬移裝置30”運(yùn)送至一個(gè)預(yù)備點(diǎn)測(cè)位置時(shí)，edge sensor 10”可利用一對(duì)連結(jié)有金屬探針12”的壓力導(dǎo)接組件14”，令金屬探針12”戳刺受測(cè)晶粒4 以形成電氣回路。一并參考圖9所示，當(dāng)位于檢測(cè)位置的晶粒4，受金屬探針12”戳刺導(dǎo)接后，首先于 步驟61”透過(guò)edge sensor 10”發(fā)送一個(gè)第一測(cè)試訊號(hào)給晶粒4 (例示為IOnA IOOnA)， 由處理裝置50”紀(jì)錄第一測(cè)試訊號(hào)的電壓值；隨后于步驟62”中，以edge sensor 10”發(fā) 出一個(gè)可致能晶粒4發(fā)光的第二測(cè)試訊號(hào)(例示為50mA)，并由光學(xué)感測(cè)組件20”的光感 測(cè)器25”透過(guò)光纖23”接收受測(cè)晶粒4的發(fā)光訊號(hào)；并同時(shí)記錄此第二測(cè)試訊號(hào)的感測(cè)數(shù) 值。當(dāng)然，如果更動(dòng)第一及第二輸出訊號(hào)的輸出次序，或是增添第三、第四個(gè)輸出訊號(hào)，都不 會(huì)阻礙本發(fā)明的實(shí)施。承上，于步驟63”中比較第一、第二輸出訊號(hào)所導(dǎo)致的電流_電壓值是否不同于 標(biāo)準(zhǔn)電路系統(tǒng)的電流_電壓資料(S)，由處理裝置50”判斷該差異達(dá)到一個(gè)預(yù)定值(例如 200mV)，符合了漏電電流-電壓資料(線D)或阻抗異常電流-電壓資料(線U)的限定范 圍時(shí)，即于步驟64”，計(jì)算累計(jì)偏差晶粒數(shù)目是否達(dá)一個(gè)預(yù)定門檻或已無(wú)待測(cè)晶粒4，若偏 差次數(shù)尚未達(dá)一個(gè)預(yù)定門檻且尚有待測(cè)晶粒4，則于步驟65”更換待測(cè)晶粒4，重復(fù)進(jìn)行上 述步驟，直到所有待測(cè)晶粒4檢測(cè)完畢。若確認(rèn)偏差次數(shù)已達(dá)一預(yù)警門檻(例如整批兩萬(wàn) 顆有兩千顆晶粒不合格)，則進(jìn)行步驟66”由該警示裝置80”發(fā)出一個(gè)警示訊號(hào)并停機(jī)，提 醒操作人員前來(lái)處理。此外，目前的半導(dǎo)體晶粒除上述檢測(cè)方式外，亦有例如以底面作為共同接地，僅需由上方致能的結(jié)構(gòu)模式。故本發(fā)明第三實(shí)施例如圖10所示，一點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)1’”利用圖示為移 動(dòng)臂的承載搬移裝置30’ ”，輸送晶粒4供單一支金屬探針12’，，導(dǎo)接，移動(dòng)臂是利用一個(gè)載 臺(tái)31’ ”承載晶粒4，且利用一接地線33’，，連接一載臺(tái)31’ ”，并使導(dǎo)電載臺(tái)表面、受承載晶 粒4、與前述edge sensorlO’”的金屬探針12’ ”構(gòu)成回路，以致能待測(cè)晶粒4。如此一來(lái)，本發(fā)明可在各樣晶粒檢測(cè)中，在檢知晶粒特性的同時(shí)，由機(jī)臺(tái)系統(tǒng)電能 資料即時(shí)判斷點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的系統(tǒng)構(gòu)件異常與否；不僅提升點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)的處理速度，確實(shí)地保證 點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)結(jié)果的正確性，且可讓機(jī)臺(tái)管理者了解點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)老化偏誤程度而訂定最恰當(dāng) 的機(jī)臺(tái)或其零件更替、檢修期限。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即凡 依本發(fā)明權(quán)利要求書范圍及發(fā)明說(shuō)明內(nèi)容所作簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利 涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法，其中該機(jī)臺(tái)包括一組用以承載上述半導(dǎo)體晶粒的承載搬移裝置；一組包括具有供電氣接觸該待測(cè)電路元件的金屬探針的壓力導(dǎo)接組件、并輸出上述半導(dǎo)體晶粒受測(cè)訊號(hào)的點(diǎn)測(cè)裝置；及一組儲(chǔ)存有上述半導(dǎo)體晶粒的標(biāo)準(zhǔn)電流 電壓資料、電氣連結(jié)該壓力導(dǎo)接組件、供經(jīng)過(guò)該金屬探針而供應(yīng)預(yù)定致能訊號(hào)至上述待測(cè)半導(dǎo)體晶粒、并供接收來(lái)自該點(diǎn)測(cè)裝置輸出訊號(hào)的處理裝置，該檢驗(yàn)方法包括下列步驟a)當(dāng)上述半導(dǎo)體晶粒之一恰受該金屬探針導(dǎo)電接觸時(shí)，以遠(yuǎn)低于該致能訊號(hào)的微小測(cè)試訊號(hào)提供給該受接觸半導(dǎo)體晶粒并接收來(lái)自該點(diǎn)測(cè)裝置的第一輸出訊號(hào)；b)比較該第一輸出訊號(hào)的電流 電壓與該標(biāo)準(zhǔn)電流 電壓資料間的偏差；c)更換受接觸半導(dǎo)體晶粒，并重復(fù)上述步驟a)至b)；d)當(dāng)累計(jì)偏差達(dá)一個(gè)預(yù)定數(shù)值的次數(shù)達(dá)一個(gè)預(yù)定門檻時(shí)，發(fā)出警示。
2.如權(quán)利要求1所述的檢驗(yàn)方法，其特征在于，更包括介于該步驟a)與步驟b)間，以 電流值高于該致能訊號(hào)的暫態(tài)過(guò)驅(qū)動(dòng)電流訊號(hào)提供給該受接觸半導(dǎo)體晶粒，并接收來(lái)自該 點(diǎn)測(cè)裝置的第二輸出訊號(hào)之步驟e)；且該步驟b)更包括比較該第二輸出訊號(hào)的電流-電 壓與該標(biāo)準(zhǔn)電流_電壓資料間的偏差。
3.一種半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)，包括一組用以承載上述半導(dǎo)體晶粒的承載搬移裝置；一組包括分別具有供電氣接觸該待測(cè)電路元件的金屬探針而供應(yīng)預(yù)定致能訊號(hào)的壓 力導(dǎo)接組件、并輸出上述半導(dǎo)體晶粒受測(cè)訊號(hào)的點(diǎn)測(cè)裝置；及儲(chǔ)存有上述半導(dǎo)體晶粒的標(biāo)準(zhǔn)電流_電壓資料；電氣連結(jié)該壓力導(dǎo)接組件，供當(dāng)上述 半導(dǎo)體晶粒之一受該金屬探針導(dǎo)電接觸時(shí)，以遠(yuǎn)低于該致能訊號(hào)的微小測(cè)試訊號(hào)提供給 該受接觸半導(dǎo)體晶粒并接收來(lái)自該點(diǎn)測(cè)裝置的第一輸出訊號(hào)，比較該第一輸出訊號(hào)的電 流-電壓與該標(biāo)準(zhǔn)電流-電壓資料間的偏差，并重復(fù)上述步驟，而在累計(jì)偏差達(dá)預(yù)定數(shù)值的 次數(shù)達(dá)預(yù)定門檻時(shí)，發(fā)出警示的處理裝置。
4.如權(quán)利要求3所述的點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)，其特征在于，其中該半導(dǎo)體晶粒是一種受該預(yù)定致 能訊號(hào)致能發(fā)光的晶粒，且該晶粒點(diǎn)測(cè)裝置更包括一組感測(cè)該受測(cè)晶粒發(fā)光狀態(tài)的光學(xué)感 測(cè)組件。
5.如權(quán)利要求4所述的點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)，其特征在于，其中該光學(xué)感測(cè)組件包括接收該受測(cè) 晶粒所發(fā)光訊號(hào)的光纖及一組接收該光纖傳來(lái)光訊號(hào)的光感測(cè)器。
6.如權(quán)利要求3、4或5所述點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)，其特征在于，其中該晶粒點(diǎn)測(cè)裝置包括兩組壓力 導(dǎo)接組件。
7.如權(quán)利要求3、4或5所述的點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)，其特征在于，其中該承載搬移裝置包括一個(gè)承 載上述半導(dǎo)體晶粒的載臺(tái)，且該晶粒點(diǎn)測(cè)裝置包括導(dǎo)接該載臺(tái)承載上述半導(dǎo)體晶粒的至少 部分表面的接地線。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)檢驗(yàn)方法及該機(jī)臺(tái)，其中點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)利用一組點(diǎn)測(cè)裝置導(dǎo)電接觸受測(cè)晶粒，先后對(duì)受測(cè)晶粒施予一個(gè)小電流測(cè)試訊號(hào)及大電流測(cè)試訊號(hào)，再接收由受測(cè)晶粒返回的電流-電壓資料，比較檢得資料與已知標(biāo)準(zhǔn)資料之間的偏差值是否超出正常范圍，直至累積超常偏差次數(shù)過(guò)多，確認(rèn)機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài)后，停止晶粒檢測(cè)并進(jìn)行機(jī)臺(tái)檢修。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101958263SQ20091015756
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月14日
發(fā)明者劉衍慶, 陳正雄, 陶?qǐng)?jiān)強(qiáng) 申請(qǐng)人:致茂電子(蘇州)有限公司