專利名稱：用于印刷電路板表面安裝元件的薄型焊柵陣列技術(shù)的制作方法
技術(shù)領域：
公開的實施例涉及半導體裝置、封裝件以及制造它們的工藝。


為了理解獲得實施例的方式，上文簡要說明的各種不同實施例的 更具體的說明將通過參考附圖提供。這些圖描繪實施例其不必須按比 例繪制并且不認為在范圍上是限制的。
一些實施例將通過附圖的使用
以附加的特征和細節(jié)說明和解釋其中
圖la是根據(jù)實施例的半導體集成電路封裝件的橫截面正視圖； 圖lb是根據(jù)實施例的在圖la中描繪的封裝件進一步加工之后的
半導體集成電路封裝的橫截面正視圖lc是根據(jù)實施例的在圖lb中描繪的封裝件進一步加工之后的
半導體集成電路封裝的橫截面正^L圖ld是根據(jù)實施例的在圖lc中描繪的封裝件進一步加^之后的
半導體集成電路封裝的橫截面正視圖； ■[
圖le是根據(jù)實施例的在圖ld中描繪的封裝件進一步加i'之后的
半導體集成電路封裝的橫截面正視圖lf是根據(jù)實施例的在圖le中描繪的封裝件進一步加工之后的
半導體集成電路封裝的橫截面正視圖2是根據(jù)實施例的在圖ld中描繪的橫截面正視圖的細節(jié)；
圖3a是根據(jù)實施例的在圖lf中描繪的詳細橫截面正視圖3b是根據(jù)實施例的在如圖3a中示出的加工之后在圖lf中描繪
的詳細4黃截面正一見圖；圖4是根據(jù)實施例的方法流程圖400;以及 圖5是根據(jù)實施例的電子系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式
通過允許焊膏回流成薄型焊料凸點而在安裝基片上形成薄型焊 柵陣列(low-profile solder grid array)。薄型焊柵陣列通過每個薄型焊 料凸點(solder bump)與板上的薄型焊膏(solder paste)接觸而安裝 到板上。然后回流該薄型焊膏以與薄型凸點接合。
現(xiàn)在參考附圖，其中相似的結(jié)構(gòu)可提供有相似的后綴標號。為了 最清晰地示出各種不同的實施例的結(jié)構(gòu)，這里包括的附圖是集成電路 結(jié)構(gòu)的圖形表示。因此，制造的結(jié)構(gòu)的實際外觀，例如在顯微照片中， 可能顯得不同，然而仍包含示出的實施例的要求權(quán)利的結(jié)構(gòu)。此外， 附圖只示出用于理解示出的實施例所必需的結(jié)構(gòu)。沒有包括本領域內(nèi) 已知的另外的結(jié)構(gòu)以保持附圖的清晰。
圖la是根據(jù)實施例的半導體集成電路封裝100的橫截面正視圖。 倒裝芯片封裝件110包括半導體集成電路112 (以下"芯片")、底 部填充材料114、其中一個由標號116標示的多個焊球，和安裝基片 118。芯片112通過多個焊球116與安裝基片118電連接。在實施例 中，安裝基片118配置有多個焊盤，其中一個用標號120標示。焊盤 120可具有表面層122，例如比焊盤120的金屬更具惰性的金屬。對 于實例實施例，焊盤120是銅金屬而表面層122是金金屬。對于實例 實施例，焊盤120是銅金屬而表面層122是鉑族金屬。在實例實施例 中，焊盤120是銅金屬而表面層122是鎳鈀金的合金。在加工過程中， 掩模124疊加在安裝基片118上以使焊盤120顯露。通過以非限制性 的方式，使用涂刷器128使焊膏126圖案化至焊盤120上。在任何情 況下，焊膏126施加到焊盤120上以形成焊膏陣列130。在實施例中， 焊膏126源于錫(Sn)的無鉛金屬粉末。在實施例中，焊膏126是錫-銀(Sn-Ag)成分。在實施例中，焊膏126是錫銀銅(Sn-Ag-Cu) 成分例如SAC305 (其是Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5 )。在實施例中，焊膏126 是Sn-Ag-Cu成分例如SAC405 (其是Sn3.8Ag0.7Cu )。在實施例中 使用錫-銻(Sn-Sb)焊膏126。在實施例中，悍膏126是錫-鉛(Sn-Pb) 共晶粉末。
在實施例中，焊膏126具有在大約5pm到45jim的范圍內(nèi)的平均 金屬粒直徑。
圖lb是根據(jù)實施例的在圖la中描繪的封裝件IOO進一步加工之 后的半導體集成電路封裝件101的橫截面正視圖。當在X-Z平面看時 焊膏陣列130描繪為具有關(guān)于掩模124的平坦輪廓。在實施例中，在 焊膏陣列130中的每個元件的輪廓由掩模124的厚度控制。例如，掩 模124具有一厚度，其留下高度在100微米(pm)到200|xm范圍內(nèi) 的以焊膏形式的焊料凸點。在實施例中，在安裝基片118上的焊膏陣 列130的兩個存在點之間的中心到中心的間距是0.6毫米(mm)并且 焊膏陣列130的每個存在點的高度在大約170到200pm范圍內(nèi)。在實 施例中，在安裝基片118的焊膏陣列130的兩個存在點之間的間距是 0.5mm并且焊膏陣列130的每個存在點的高度在從50,到大約 100(im的范圍內(nèi)。
在實施例中，數(shù)字130代表的結(jié)構(gòu)是例如金屬柱等的電連接器。 盡管高寬比(Z方向尺寸除以X方向尺寸)小于一，但是結(jié)構(gòu)130可 稱為接觸柱。在這個實施例中，由數(shù)字122代表的結(jié)構(gòu)可是柱120的 潤濕層。例如，潤濕層122可是焊膏實施例并且柱130是銅柱。在下 文中，結(jié)構(gòu)130將指焊膏陣列130，除非另外明確地說明。
在實施例中，在焊膏陣列130中單個存在點可具有取決于位置的 不同的直徑。例如接近安裝基片118的外圍的焊盤120可具有第一直 徑160，其大于接近其的中心的焊盤，其具有第二直徑162。焊盤尺 寸以及相應薄型焊料凸點的這個變化可允許在其中可能經(jīng)歷較大強 度的熱應力和物理沖擊的外圍處的有用的應力阻力。圖1C是根據(jù)實施例的在圖lb中描繪的封裝件101進一步加工之
后的半導體集成電路封裝件102的橫截面正視圖。在形成焊膏陣列130 后，移走掩模124 (圖lb)。
圖ld是根據(jù)實施例的在圖lc中描繪的封裝件102進一步加工之 后的半導體集成電路封裝件103的橫截面正一見圖。焊膏陣列130 (圖 lc)回流以形成薄型焊料凸點陣列131。
圖2是根據(jù)實施例的在圖ld中描繪的橫截面正視圖的細節(jié)200。 細節(jié)200沿在圖ld中的截面線200截取。安裝基片118在帶有焊盤 120的兩個存在點和相應表面層122的詳細部分中示出。也描繪了薄 型焊料凸點陣列131的兩個存在點。每個薄型焊料凸點131有凸點高 度232和凸點寬度234。每個薄型焊料凸點131的高寬比給作凸點高 度232除以寬度234。另外在焊盤120的寬度234給作單位量的實施 例中，間距236給作1.5倍單位量。
在實施例中，高寬比基于0.6mm間距的實施例，其中間距是焊盤 120的寬度234的1.5倍。因此，其中每個薄型焊料凸點131具有170, 除以0.4mm的高寬比，或大約0.425的高寬比。在實施例中，其中每 個薄型焊料凸點131具有20(^m除以0.4mm的高寬比，或大約0.5 的高寬比。在實施例中，其中焊盤120具有300)xm的直徑并且間距是 0.6mm,帶有200nm凸點支起(bump standoff)的高寬比是0.67。
在實施例中，高寬比基于0.5mm間距的實施例，其中間距236是 焊盤120的寬度234的1.5倍。因此，其中每個薄型焊料凸點131具 有l(wèi)OO(im除以333mm的高寬比，或大約0.3的高寬比。在實施例中 其焊盤120具有200|im的直徑并且間距是0.5mm,帶有100pm凸點 支起的高寬比是0.5。
其他的間距可應用到示出實施例中。在實施例中，間距236是焊 盤120的寬度234的1.33倍。在實施例中，間距236是焊盤120的寬 度234的1.25倍。在實施例中，間距236與焊盤120的寬度234相等。 在實施例中，間距236是焊盤120的寬度234的1.67倍。在實施例中，間距236是焊盤120的寬度234的雙倍。
圖le是根據(jù)實施例的在圖Id中描繪的封裝件103進一步加工后 的半導體集成電路封裝件104的橫截面正視圖。如示出的倒裝芯片封 裝件110關(guān)于Z軸倒置。才艮據(jù)實施例倒裝芯片封裝件IIO描繪成與例 如印刷線路板等的板138配合。指向箭頭示出使安裝基片118與板138 合在一起。板138配置有多個焊盤，其中一個用標號140標示。與在 安裝基片118上的焊盤120類似，板138上的焊盤140可具有表面層 142。同樣類似地，根據(jù)實施例表面層142可是比焊盤140的金屬更 具惰性的金屬或合金。
板138還包括焊膏陣列。示出板焊膏陣列144的四個存在點。在 加工實施例中，回流的薄型焊膏陣列131與^1焊膏陣列144的對應存 在點配合。在加工實施例中，示范組裝微電子器件封裝件110的焊柵 陣列131的過程以便薄型焊料凸點131與安置在印刷線路板基片138 上的板焊膏陣列144配合。多個回流的薄型焊料凸點131到板焊膏陣 列144的組裝可在這個示出的實施例中完成。
圖lf是根據(jù)實施例的在圖lf中描繪的封裝件104進一步加工后 的半導體集成電路封裝件105的橫截面正視圖。封裝件105包括通過 薄型焊料凸點陣列131和板焊膏陣列144之間的接觸而與與板138配 合的安裝基片118。
圖3a是根據(jù)實施例的在圖lf中描繪的橫截面正視圖的細節(jié)300。 細節(jié)300沿在圖lf中的截面線300截取。安裝基片U8在帶有焊盤 120的一個存在點的詳細部分中示出。在圖3a中示出更多的細節(jié)，其 也可在圖2中說明和示出的實施例中找到。例如，在薄型焊料凸點陣 列131的回流過程中，可消耗一部分表面層122以形成封裝金屬間化 合層150和封裝剩余表面層123。封裝金屬間化合層150由消耗的表 面層122和來自焊膏的部分焊料構(gòu)成。
圖3a還描繪與薄型焊料凸點131直接接觸的板焊膏144。組合的 板焊膏144和薄型焊料凸點131顯示出封裝凸點高度346以及封裝凸點寬度348。封裝凸點寬度348定義為特征寬度348或焊盤120和140 的直徑。每個封裝凸點的高寬比給作封裝凸點高度346除以封裝凸點 寬度348。
圖3b是根據(jù)實施例的在圖3a中描繪的結(jié)構(gòu)進一步加工之后在圖 lf中描繪的橫截面正視圖的細節(jié)300。板焊膏144 (圖3a)回流成板 凸點145。回流還導致在圖le中描繪的表面層142的至少部分消耗以 形成剩余表面層143以及板金屬間化合層152。
在實施例中，板凸點145具有與薄型焊料凸點131截然不同的化 學成分。由于板焊膏144的回流，在板凸點145以及薄型焊料凸點131 間產(chǎn)生有用的潤濕接觸而沒有顯著的物質(zhì)轉(zhuǎn)移。
在實施例中，薄型焊料凸點131由于板凸點145的回流材料的侵 入而稀釋。由于板焊膏144回流，基于焊料相熱力學，板焊膏144的 組分溶解進入薄型焊料凸點131。因此，薄型焊料凸點131的焊料化 學組成與焊膏130的焊料化學組成顯著不同。類似地，板凸點145的 焊料化學組成與板焊膏144的焊料化學組成顯著不同。并且另外，薄 型焊料凸點131和板凸點145的焊料化學組成是相同的。
在實施例中，薄型焊料凸點131只是部分地被板凸點145的回流 材料滲入。由于板焊膏144回流，基于焊料相熱力學，板焊膏144的 組分溶解進入薄型焊料凸點131。然而其溶解的程度是有限的使得接 近剩余表面層123的薄型焊料凸點131明顯地沒有受到板凸點145的 材料的影響。類似地，板凸點145的材料的溶解進入薄型焊料凸點131 的程度是有限的使得板凸點145具有與靠近剩余表面層143的板焊膏 144類似的化學組成。在這個實施例中，過渡區(qū)域354示為在薄型焊 料凸點131和板凸點145之間的虛線。過渡區(qū)域的范圍代表薄型焊料 凸點131和板凸點145間的區(qū)域稀釋。薄型焊料凸點131與板凸點145 可基于具體的回流狀況以及薄型焊料凸點131和板凸點145的焊料化 學組成而改變。
封裝件到焊盤的寬度支起比率定義為凸點131以及145的累積高度346除以焊盤寬度348。在下文中這個比率稱作支起比率。
在基于0.6mm間距實施例的實施例中，其中間距是焊盤120的寬 度的1.5倍，支起比率是大約0.425。在0.425支起比率的實施例中， 累積高度是170pm。在基于0.6mm間距實施例的實施例中，其中間距 是焊盤120的寬度的1.5倍，支起比率是大約0.5。在0.400支起比率 的實施例中，累積高度是200i^m。在基于0.6mm間距實施例的實施例 中，其中間距是焊盤120的寬度的1.5倍，支起比率是大約O丄
在基于0.5mm間距實施例的實施例中，其中間距是焊盤120的寬 度的1.5倍，支起比率大約0.3。在0.3支起比率的實施例中，累積高 度是100(im。
在實施例中，達到支起比率而沒有焊料凸點。在實施例中，用與 焊盤120和140中的每個直接接觸的導電柱達到結(jié)構(gòu)的高度346。在 實施例中，通過由焊料膜電連接的導電柱達到高度346。在圖3b中， 結(jié)構(gòu)131和145代表一體式柱結(jié)構(gòu)使得分界線354不存在。此外，結(jié) 構(gòu)150和152代表將導電柱131和145與各自的焊盤120和140接合 的焊料膜。在實施例中，導電柱131和145是銅，焊盤120和140是 銅，并且焊料膜150和152源于焊膏。在實施例中，圖3b按關(guān)于高 度346和寬度348的比例繪制并且高寬比可以通過如示出的這樣的高 度346除以這樣的寬度348的按理比較來確定。此外，這個高寬比可 變化正或負10%。
不管支起比率是否用焊膏或柱達到，通過這些工藝獲得的電結(jié)構(gòu) 可稱為支起觸點。
圖4是根據(jù)實施例的工藝流程圖400。
在410,工藝包括在微電子器件安裝基片上形成焊膏陣列。非限 制性的例子在圖la到lc中描繪。
在420,工藝包括回流焊膏陣列以形成薄型焊料凸點。非限制性 的例子在圖ld中描繪。
在430，工藝包括使薄型焊料凸點陣列 合到印刷線路板上的板焊膏陣列。非限制性的例子在圖le和If中描繪。在實施例中，工藝
在430開始和終止。在實施例中，工藝在410開始而在430終止。
在440，工藝包括緊貼薄型焊料凸點陣列回流板焊膏陣列以形成 帶有薄型支起觸點的低支起比率封裝件。非限制性的例子在圖ld中 描繪。在實施例中，薄型支起觸點通過柱的使用形成。
圖5是根據(jù)實施例的電子系統(tǒng)500的示意圖。電子系統(tǒng)500如描 繪的可以體現(xiàn)顯示如在這個說明中闡述的支起比率實施例的裝置。在 實施例中，電子系統(tǒng)500是計算機系統(tǒng)，其包括電耦合電子系統(tǒng)500 的各個不同的元件的系統(tǒng)總線520。根據(jù)不同的實施例，系統(tǒng)總線520 是單個總線或多個總線的任何組合。電子系統(tǒng)500包括向集成電路510 才是供電力的電壓源530。在一些實施例中，電壓源530通過系統(tǒng)總線 520向集成電^各510供應電流。
根據(jù)實施例集成電路510與系統(tǒng)總線520電耦合并且包括任何電 路或電路的組合。在實施例中，集成電路510包括可以是任何類型的 處理器512。如這里所用的，處理器512可表示例如但不限于微處理 器、微控制器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器或別的處理器等任何類 型的電路?？梢园ㄔ诩呻娐?10中的其他類型的電路是定制電路 或ASIC，例如用于例如蜂窩電話、尋呼機、便攜式計算機、雙向式 收音機和類似的電子系統(tǒng)等的無線設備中的通信電路514。在實施例 中，處理器510包括芯片上存儲器516，例如SRAM。在實施例中， 處理器510包括芯片上存儲器516，例如eDRAM。
在實施例中，電子系統(tǒng)500還包括外部存儲器840,其進而可包 括一個或一個以上適合于特定應用的存儲器元件，例如以RAM的形 式的主存儲器542、 一個或一個以上石更驅(qū)動機544，和/或一個或一個 以上驅(qū)動器，其處理可移動媒體546，例如磁盤、壓縮盤(CD)、數(shù) 字一見頻盤(DVD)、閃存鑰和其他在本領域內(nèi)已知的可移動:煤體。
在實施例中，電子系統(tǒng)500還包括顯示設備550,音頻輸出560。 在實施例中，電子系統(tǒng)500包括控制器570，例如^t盤、鼠標、軌跡球、游戲控制器、麥克風、聲音識別設備或任何其他輸入信息進入電
子系統(tǒng)500的設備。
如這里示出的，集成電路510可以在許多不同的實施例中實施， 包括電子封裝件、電子系統(tǒng)、計算機系統(tǒng)、 一個或一個以上制造集成 電路的方法和一個或一個以上制造包括集成電路和如在這里各種不 同的實施例中闡述的薄型支起陣列集成電路芯片封裝件和它們的本 領域公認的等價物的電子組件的方法。元件、材料、幾何結(jié)構(gòu)、尺寸 和操作順序都可以變化以適合特定的封裝要求。
提供摘要以遵守需要允許讀者快速確定技術(shù)揭露的本質(zhì)和主旨 的摘要的37C.F.R. §1.72(b)。它被提交而理解為它不用于解釋或限制 權(quán)利要求的范圍或含義。
在前面的詳細說明中，為了簡化說明的目的而在單個實施例中將 各個不同的特征組合在一起。這個公開的方法不解釋為反映本發(fā)明所 保護實施例要求比每個權(quán)利要求中明確詳述的特征更多的特征的意 圖。相反，如下列權(quán)利要求反映的，發(fā)明性的主題在于比單個公開的 實施例的所有特征少。因而下列權(quán)利要求以此方式結(jié)合于具體實施方 式部分內(nèi)，其中每個權(quán)利要求立足于它自身作為獨立的優(yōu)選實施例。
對于那些本領域內(nèi)技術(shù)人員容易理解可作出在為了說明本發(fā)明 的本質(zhì)而已經(jīng)說明和示出的細節(jié)、材料、部件和方法階段中的各種不 同的其他變化而沒有偏離如在附加權(quán)利要求中表達的本發(fā)明的原理 和范圍。
權(quán)利要求
1.一種工藝，包括在倒裝芯片安裝基片上形成焊膏陣列；回流所述焊膏陣列以形成以焊柵陣列(SGA)的多個焊料凸點；以及裝配所述倒裝芯片安裝基片的所述SGA到設置在印刷線路板基片上的板焊膏陣列。
2. 如權(quán)利要求l所述的工藝，還包括緊貼所述SGA回流所述板 焊膏陣列以獲得回流的纟反SGA。
3. 如權(quán)利要求l所述的工藝，還包括緊貼所述SGA回流所述板 焊膏陣列以獲得回流的板SGA,其中回流所述板焊膏陣列達到所述 SGA中至少一個焊料凸點被來自所述回流的板SGA的材料的稀釋。
4. 如權(quán)利要求l所述的工藝，還包括緊貼所述SGA回流所述板 焊膏陣列，其中回流所述板焊膏陣列達到所述SGA中至少一個焊料 凸點被來自所述板焊膏陣列的材料的區(qū)域性稀釋，其中區(qū)域性稀釋導 致設置在所述SGA的至少一個焊料凸點中的未稀釋焊料和來自所述 板焊膏中的至少 一個未稀釋焊料的回流焊料之間的過渡區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求l所述的工藝，還包括緊貼所述SGA回流所述板 焊膏陣列以獲得回流的板SGA，其中所述SGA包括第一直徑焊料凸 點的中心區(qū)域和第二直徑焊料凸點的外圍區(qū)域，并且其中所述第二直 徑大于所述第一直徑。
6. 如權(quán)利要求l所述的工藝，其中所述SGA設置在安裝基片焊 盤陣列上，其中所述安裝基片焊盤陣列包括第一金屬和表面層第二金 屬，并且其中在回流所述焊膏陣列期間，所述第二金屬和所述焊膏形 成金屬間化合層。
7. 如權(quán)利要求l所述的工藝，其中所述SGA設置在安裝基片焊 盤陣列上，其中所述安裝基片焊盤陣列包括第一金屬和表面層第二金屬，并且其中在回流所述焊膏陣列期間，所述第二金屬和所述焊膏形成金屬間化合層，所述工藝還包括緊貼所述SGA回流所述板焊膏陣列以獲得回流的板SGA,其中 所述板焊膏陣列設置在包括第一金屬和表面層第二金屬的板焊盤陣 列上，并且其中在回流所述板焊膏陣列期間，所述第二金屬和所述板 悍膏形成金屬間化合層。
8. —種工藝，包括在微電子器件安裝基片和板之間裝配接觸柱，其中所述接觸柱具 有在從lOO(im到200pm的范圍內(nèi)的高度，并且其中所述安裝基片和 板呈現(xiàn)從0.3到0.5的支起比率(接觸柱高/焊盤寬)。
9. 如權(quán)利要求8所述的工藝，其中所述接觸柱是銅，并且其中 裝配所述接觸柱包括在源于焊膏的焊料膜之間設置所述接觸柱；以及在一定條件下回流所述焊料膜以獲得在大約10pm到大約100pm 的范圍內(nèi)的平均金屬晶粒尺寸。
10. 如權(quán)利要求8所述的工藝，還包括回流設置在所述接觸柱上 方以及下面的焊料膜，其中所述接觸柱是接觸柱陣列的一部分，其包 括第一直徑接觸柱的中心區(qū)域和第二直徑接觸柱的外圍區(qū)域，并且其 中所述第二直徑大于所述第一直徑。
11. 一種裝置，包括 設置在安裝基片上的倒裝芯片封裝件；板，其中所述安裝基片包括設置在多個焊盤上的支起觸點陣列， 其中所述支起觸點陣列與板配合，并且其中所述板和所述安裝基片被 所述支起觸點陣列隔開有100pm到20(^m的范圍內(nèi)的高度和0.3到 0.5的支起比率(支起觸點高/焊盤寬)。
12. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述支起觸點陣列是焊柵 陣列(SGA)。
13. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述支起觸點陣列是焊柵 陣列(SGA)，并且其中所述SGA包括與所述安裝基片接觸的焊料第 一 凸點和與所述板接觸的焊料第二凸點。
14. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述支起觸點陣列是銅柱 陣列，其與所述安裝基片上的相應焊盤和所述板上的相應焊盤配合。
15. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述支起觸點陣列包括第 一直徑支起觸點的中心區(qū)域和第二直徑支起觸點的外圍區(qū)域，并且其 中所述第二直徑大于所述第一直徑。
16. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述支起觸點陣列是焊柵 陣列(SGA)，并且其中所述SGA包括與所述安裝基片接觸的焊料 第一凸點和與所述板接觸的焊料第二凸點，其中所述支起觸點陣列包 括第 一直徑支起觸點的中心區(qū)域和第二直徑支起觸點的外圍區(qū)域，并 且其中所述第二直徑大于所述第一直徑。
17. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述支起觸點陣列是銅柱 陣列，其與所述安裝基片上的相應焊盤和所述板上的相應焊盤配合， 其中所述支起觸點陣列包括第 一 直徑支起觸點的中心區(qū)域和第二直 徑支起觸點的外圍區(qū)域，并且其中所述第二直徑大于所述第 一直徑。
18. 如權(quán)利要求ll所述的裝置，其中所述SGA設置在安裝基片 焊盤陣列上，其中所述安裝基片焊盤陣列包括第一金屬和表面層第二 金屬，并且還包括設置在所述表面層第二金屬和所述支起觸點陣列之 間的金屬間化合層。
19. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述SGA設置在安裝基片 焊盤陣列上，其中所述安裝基片焊盤陣列包括笫 一金屬和表面層第二 金屬，還包括設置在所述表面層第二金屬和所述支起觸點陣列之間的 金屬間化合層，所述裝置還包括回流的板SGA,其中所述板SGA設置在包括第一金屬和板表面 層第二金屬的板焊盤陣列上；以及設置在所述板SGA和所述板表面層之間的金屬間化合層。
20. —種計算系統(tǒng)，包括設置在倒裝芯片封裝件中的微電子芯片，其設置在包括多個安裝基片焊盤的安裝基片上；板，其中所述安裝基片包括設置在所述多個安裝基片焊盤上的支 起觸點陣列，其中所述支起觸點陣列在相應多個板焊盤上與所述板配 合，并且其中所述板和所述安裝基片被所述支起觸點陣列隔開有高度 在從lOO(im到200(im的范圍內(nèi)并且有支起比率(支起觸點高/焊盤寬) 從0.3到0.5;以及與所述微電子芯片耦合的外部存^f渚器。
21. 如權(quán)利要求20所述的計算系統(tǒng)，其中所述支起觸點陣列包 括回流的安裝基片焊柵陣列和回流的板焊柵陣列。
22. 如權(quán)利要求20所述的計算系統(tǒng)，其中所述支起觸點陣列包 括接觸柱陣列。
全文摘要
本發(fā)明提供用于印刷電路板表面安裝元件的薄型焊柵陣列技術(shù)。支起觸點(standoff contact)陣列設置在倒裝芯片封裝件的安裝基片和板之間。支起觸點陣列可通過使安裝基片上的薄型焊料凸點與板上的薄型焊膏配合而形成。之后，通過緊貼安裝基片上的薄型焊料凸點回流板上的薄型焊膏而形成支起觸點陣列。
文檔編號H01L21/48GK101609806SQ20091015036
公開日2009年12月23日 申請日期2009年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月16日
發(fā)明者D·西爾斯, J·D·杰克遜, K·拜爾德, W·羅斯 申請人:英特爾公司